Component Reference¶

Lumped Components¶

Résistance¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Résistance
Description	résistance
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	résistance
Propriétés	6
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
R	50 Ohm	oui	résistance en Ω
Temp	26.85	non	température (°C)
Tc1	0.0	non	coefficient de température au premier ordre
Tc2	0.0	non	coefficient de température au second ordre
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Symbol	european	non	schematic symbol [european, US]

Resistor Us¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Résistance (dessin US)
Description	résistance
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	resistor_us
Propriétés	6
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
R	50 Ohm	oui	résistance en Ω
Temp	26.85	non	température (°C)
Tc1	0.0	non	coefficient de température au premier ordre
Tc2	0.0	non	coefficient de température au second ordre
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Symbol	US	non	schematic symbol [european, US]

Condensateur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Condensateur
Description	condensateur
Schematic entry	`C`
Netlist entry	`C`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	condensateur
Propriétés	3
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
C	1 pF	oui	capacité en farads
V		non	Tension initiale pour la simulation en transitoire
Symbol	neutral	non	schematic symbol [neutral, polar]

Self¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Self
Description	Self
Schematic entry	`L`
Netlist entry	`L`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	Self
Propriétés	2
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L	1 nH	oui	Inductance en henries
I		non	Courant initial pour la simulation en transitoire

Masse¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Masse
Description	masse (potentiel de référence)
Schematic entry	`GND`
Netlist entry
Type	Composant
Bitmap file	gnd
Propriétés	0
Category	lumped components

Port de sous-circuit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Port de sous-circuit
Description	port d’un sous-circuit
Schematic entry	`Port`
Netlist entry	`P`
Type	Composant
Bitmap file	subport
Propriétés	2
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Num	1	oui	numéro du port dans le sous-circuit
Type	analog	non	type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout]

Transformateur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Transformateur
Description	transformateur idéal
Schematic entry	`Tr`
Netlist entry	`Tr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	transformer
Propriétés	1
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
T	1	oui	rapport de transformation

Symmetric Transformer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Transformateur symétrique
Description	transformateur idéal
Schematic entry	`sTr`
Netlist entry	`Tr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	symtrans
Propriétés	2
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
T1	1	oui	rapport de transformation du primaire
T2	1	oui	rapport de transformation du secondaire

Dc Block¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Découplage
Description	Découplage
Schematic entry	`DCBlock`
Netlist entry	`C`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	dcblock
Propriétés	1
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
C	1 uF	non	pour la simulation transitoire : capacité en farads

Dc Feed¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Polarisation
Description	Arrivée continue
Schematic entry	`DCFeed`
Netlist entry	`L`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	dcfeed
Propriétés	1
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L	1 uH	non	pour la simulation transitoire : inductance en henries

Té de polarisation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Té de polarisation
Description	bras de polarisation
Schematic entry	`BiasT`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	biast
Propriétés	2
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L	1 uH	non	pour la simulation transitoire : inductance en henries
C	1 uF	non	pour la simulation transitoire : capacité en farads

Atténuateur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Atténuateur
Description	Atténuateur
Schematic entry	`Attenuator`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	Atténuateur
Propriétés	3
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L	10 dB	oui	atténuation de puissance
Zref	50 Ohm	non	Impédance de référence
Temp	26.85	non	température (°C)

Amplificateur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Amplificateur
Description	amplificateur idéal
Schematic entry	`Amp`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	amplifier
Propriétés	4
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
G	10	oui	gain en tension
Z1	50 Ohm	non	impédance de référence du port d’entrée
Z2	50 Ohm	non	impédance de référence du port de sortie
NF	0 dB	non	noise figure

Isolateur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Isolateur
Description	isolateur
Schematic entry	`Isolator`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	isolateur
Propriétés	3
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Z1	50 Ohm	non	impédance de référence du port d’entrée
Z2	50 Ohm	non	impédance de référence du port de sortie
Temp	26.85	non	température (°C)

Circulateur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Circulateur
Description	circulateur
Schematic entry	`Circulator`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	circulateur
Propriétés	3
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Z1	50 Ohm	non	impédance de référence du port 1
Z2	50 Ohm	non	impédance de référence du port 2
Z3	50 Ohm	non	impédance de référence du port 3

Gyrateur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Gyrateur
Description	gyrateur (inverseur d’impédance)
Schematic entry	`Gyrator`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	gyrator
Propriétés	2
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
R	50 Ohm	oui	rapport de gyration
Zref	50 Ohm	non	Impédance de référence

Déphaseur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Déphaseur
Description	Déphaseur
Schematic entry	`PShift`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pshifter
Propriétés	2
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
phi	90	oui	déphasage en degrés
Zref	50 Ohm	non	Impédance de référence

Coupleur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Coupleur
Description	coupleur idéal
Schematic entry	`Coupler`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	coupler
Propriétés	3
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
k	0.7071	oui	couplage
phi	180	oui	déphasage du couplage en degrés
Z	50 Ohm	non	Impédance de référence

Hybrid¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Hybrid
Description	hybrid (unsymmetrical 3dB coupler)
Schematic entry	`Hybrid`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	hybrid
Propriétés	2
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
phi	90	oui	déphasage en degrés
Zref	50 Ohm	non	Impédance de référence

Sonde d’intensité¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sonde d’intensité
Description	sonde de courant
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Propriétés	0
Category	lumped components

Sonde de tension¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sonde de tension
Description	sonde de tension
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Propriétés	0
Category	lumped components

bobines couplées¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	bobines couplées
Description	deux bobines couplées
Schematic entry	`MUT`
Netlist entry	`Tr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mutual
Propriétés	3
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L1	1 mH	non	inductance de la 1ère bobine
L2	1 mH	non	inductance de la 2ème bobine
k	0.9	non	couplage entre la 1ère et 2ème bobine

3 bobines couplées¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	3 bobines couplées
Description	trois bobines couplées
Schematic entry	`MUT2`
Netlist entry	`Tr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mutual2
Propriétés	6
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L1	1 mH	non	inductance de la 1ère bobine
L2	1 mH	non	inductance de la 2ème bobine
L3	1 mH	non	inductance de la 3ème bobine
k12	0.9	non	couplage entre la 1ère et 2ème bobine
k13	0.9	non	couplage entre la 1ère et la 3ème bobine
k23	0.9	non	couplage entre la 2ème et la 3ème bobine

N Mutual Inductors¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	N Mutual Inductors
Description	several mutual inductors
Schematic entry	`MUTX`
Netlist entry	`Tr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mutualx
Propriétés	11
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
coils	4	non	number of mutual inductances
L1	1 mH	non	inductance de la 1ère bobine
L2	1 mH	non	inductance de la 2ème bobine
L3	1 mH	non	inductance de la 3ème bobine
L4	1 mH	non	inductance of coil 4
k12	0.9	non	coupling factor between coil 1 and coil 2
k13	0.9	non	coupling factor between coil 1 and coil 3
k14	0.9	non	coupling factor between coil 1 and coil 4
k23	0.9	non	coupling factor between coil 2 and coil 3
k24	0.9	non	coupling factor between coil 2 and coil 4
k34	0.9	non	coupling factor between coil 3 and coil 4

Interrupteur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Interrupteur
Description	interrupteur (dépendant du temps)
Schematic entry	`Switch`
Netlist entry	`S`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	switch
Propriétés	6
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
init	off	non	initial state [on, off]
time	1 ms	non	time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated)
Ron	0	non	résistance de l’état passant (Ω)
Roff	1e12	non	résistance de l’état isolé (Ω)
Temp	26.85	non	température (°C)
MaxDuration	1e-6	non	Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number)

Relais¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Relais
Description	relais
Schematic entry	`Relais`
Netlist entry	`S`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	relais
Propriétés	5
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Vt	0.5 V	non	tension de seuil (V)
Vh	0.1 V	non	tension d’hysterésis (V)
Ron	0	non	Résistance de conduction (Ω)
Roff	1e12	non	Résistance d’isolation (Ω)
Temp	26.85	non	température (°C)

Equation Defined Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Equation Defined RF Device
Description	equation defined RF device
Schematic entry	`RFEDD`
Netlist entry	`RF`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Propriétés	7
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	Y	non	type of parameters [Y, Z, S]
Ports	2	non	nombre de ports
duringDC	open	non	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	non	parameter equation 11
P12	0	non	parameter equation 12
P21	0	non	parameter equation 21
P22	0	non	parameter equation 22

Equation Defined 2-Port Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Equation Defined 2-port RF Device
Description	equation defined 2-port RF device
Schematic entry	`RFEDD2P`
Netlist entry	`RF`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Propriétés	6
Category	lumped components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	Y	non	type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T]
duringDC	open	non	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	non	parameter equation 11
P12	0	non	parameter equation 12
P21	0	non	parameter equation 21
P22	0	non	parameter equation 22

Sources¶

Dc Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Alimentation continue
Description	source de courant continu idéale
Schematic entry	`Vdc`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	dc_voltage
Propriétés	1
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
U	1 V	oui	tension en volts

Dc Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de courant continu
Description	Source de courant continu idéale
Schematic entry	`Idc`
Netlist entry	`I`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	dc_current
Propriétés	1
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
I	1 mA	oui	Intensité en ampères

Ac Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Alimentation alternative
Description	source sinusoïdale idéale
Schematic entry	`Vac`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	ac_voltage
Propriétés	4
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
U	1 V	oui	tension de crête (V)
f	1 GHz	non	fréquence en hertz
Phase	0	non	phase initiale en degrés
Theta	0	non	facteur d’amortissement (pour les simulations transitoires)

Ac Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de courant alternatif
Description	Source de courant sinusoïdale idéale
Schematic entry	`Iac`
Netlist entry	`I`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	ac_current
Propriétés	4
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
I	1 mA	oui	Courant de crête en ampères
f	1 GHz	non	fréquence en hertz
Phase	0	non	phase initiale en degrés
Theta	0	non	facteur d’amortissement (pour les simulations transitoires)

Alimentation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Alimentation
Description	source alternative
Schematic entry	`Pac`
Netlist entry	`P`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	source
Propriétés	5
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Num	1	oui	numéro du port
Z	50 Ohm	oui	impédance du port
P	0 dBm	non	(disponible) puissance alternative (W)
f	1 GHz	non	fréquence en hertz
Temp	26.85	non	température (°C)

Source de tension de bruit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de tension de bruit
Description	source de tension de bruit
Schematic entry	`Vnoise`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	noise_volt
Propriétés	4
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
u	1e-6	oui	densité spectrale de puissance de la tension (V².Hz⁻¹)
e	0	non	Exposant fréquence
c	1	non	Coefficient fréquence
a	0	non	Terme additif

Source de courant de bruit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de courant de bruit
Description	source de courant de bruit
Schematic entry	`Inoise`
Netlist entry	`I`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	noise_current
Propriétés	4
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
i	1e-6	oui	densité spectrale de puissance du courant (A².Hz⁻¹)
e	0	non	Exposant fréquence
c	1	non	Coefficient fréquence
a	0	non	Terme additif

Source de tension contrôlée en courant¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de tension contrôlée en courant
Description	source de courant contrôlée en tension
Schematic entry	`VCCS`
Netlist entry	`SRC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vccs
Propriétés	2
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
G	1 S	oui	transconductance directe
T	0	non	délai

Source de courant contrôlée en courant¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de courant contrôlée en courant
Description	source de courant contrôlée en courant
Schematic entry	`CCCS`
Netlist entry	`SRC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	cccs
Propriétés	2
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
G	1	oui	facteur de transfert direct
T	0	non	délai

Source de tension contrôlée en tension¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de tension contrôlée en tension
Description	source de tension contrôlée en tension
Schematic entry	`VCVS`
Netlist entry	`SRC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vcvs
Propriétés	2
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
G	1	oui	facteur de transfert direct
T	0	non	délai

Source de courant contrôlée en tension¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source de courant contrôlée en tension
Description	source de tension contrôlée en courant
Schematic entry	`CCVS`
Netlist entry	`SRC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	ccvs
Propriétés	2
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
G	1 Ohm	oui	facteur de transfert direct
T	0	non	délai

Impulsion en Tension¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Impulsion en Tension
Description	source de tension impulsive idéale
Schematic entry	`Vpulse`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vpulse
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
U1	0 V	oui	tension avant et après l’impulsion
U2	1 V	oui	tension d’impulsion
T1	0	oui	début de l’impulsion
T2	1 ms	oui	fin de l’impulsion
Tr	1 ns	non	temps de montée
Tf	1 ns	non	temps de descente

Impulsion de Courant¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Impulsion de Courant
Description	source de courant impulsif idéale
Schematic entry	`Ipulse`
Netlist entry	`I`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	ipulse
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
I1	0	oui	intensité avant et après l’impulsion
I2	1 A	oui	intensité de l’impulsion
T1	0	oui	début de l’impulsion
T2	1 ms	oui	fin de l’impulsion
Tr	1 ns	non	temps de montée
Tf	1 ns	non	temps de descente

Tension carrée¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Tension carrée
Description	source idéale de crénaux de tension
Schematic entry	`Vrect`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vrect
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
U	1 V	oui	tension de crête
TH	1 ms	oui	durée de crête
TL	1 ms	oui	durée de creux
Tr	1 ns	non	temps de montée
Tf	1 ns	non	temps de descente
Td	0 ns	non	Délai initial

Courant en Crénaux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Courant en Crénaux
Description	source idéale de crénaux de courant
Schematic entry	`Irect`
Netlist entry	`I`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	irect
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
I	1 mA	oui	courant de crête
TH	1 ms	oui	durée de crête
TL	1 ms	oui	durée de creux
Tr	1 ns	non	temps de montée
Tf	1 ns	non	temps de descente
Td	0 ns	non	Délai initial

Sources de bruits corrélés¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sources de bruits corrélés
Description	source de courant corrélées
Schematic entry	`IInoise`
Netlist entry	`SRC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	noise_ii
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
i1	1e-6	oui	densité spectrale de puissance du courant de la source 1
i2	1e-6	oui	densité spectrale de puissance du courant de la source 2
C	0.5	oui	coefficient de correlation normalisé
e	0	non	Exposant fréquence
c	1	non	Coefficient fréquence
a	0	non	Terme additif

Sources de bruits corrélés¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sources de bruits corrélés
Description	source de courant corrélées
Schematic entry	`VVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	noise_vv
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
v1	1e-6	oui	densité spectrale de puissance de la tension de la source 1
v2	1e-6	oui	densité spectrale de puissance de la tension de la source 2
C	0.5	oui	coefficient de correlation normalisé
e	0	non	Exposant fréquence
c	1	non	Coefficient fréquence
a	0	non	Terme additif

Sources de bruits corrélés¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sources de bruits corrélés
Description	source de courant corrélées
Schematic entry	`IVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	noise_iv
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
i1	1e-6	oui	densité spectrale de puissance du courant de la source 1
v2	1e-6	oui	densité spectrale de puissance de la tension de la source 2
C	0.5	oui	coefficient de correlation normalisé
e	0	non	Exposant fréquence
c	1	non	Coefficient fréquence
a	0	non	Terme additif

Am Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source modulée en amplitude
Description	Source alternative modulée en amplitude
Schematic entry	`AM_Mod`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	am_mod
Propriétés	4
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
U	1 V	oui	tension de crête (V)
f	1 GHz	non	fréquence en hertz
Phase	0	non	phase initiale en degrés
m	1.0	non	niveau de modulation

Pm Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Source modulée en phase
Description	Source alternative modulée en phase
Schematic entry	`PM_Mod`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pm_mod
Propriétés	4
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
U	1 V	oui	tension de crête (V)
f	1 GHz	non	fréquence en hertz
Phase	0	non	phase initiale en degrés
M	1.0	non	index de modulation

Impulsion exponentielle de courant¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Impulsion exponentielle de courant
Description	source de courant exponentielle
Schematic entry	`Iexp`
Netlist entry	`I`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	iexp
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
I1	0	oui	courant avant le front montant
I2	1 A	oui	courant maximal de l’impulsion
T1	0	oui	instant du début du front montant exponentiel
T2	1 ms	oui	instant de début de la décroissance exponentielle
Tr	1 ns	non	constante de temps du front montant
Tf	1 ns	non	constante de temps du front descendant

Impulsion exponentielle de tension¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Impulsion exponentielle de tension
Description	source de tension exponentielle
Schematic entry	`Vexp`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vexp
Propriétés	6
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
U1	0 V	oui	tension avant le front montant
U2	1 V	oui	tension maximale de l’impulsion
T1	0	oui	instant du début du front montant exponentiel
T2	1 ms	oui	instant de début de la décroissance exponentielle
Tr	1 ns	non	durée du front montant
Tf	1 ns	non	durée du front descendant

Fichier de tensions¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fichier de tensions
Description	fichier de tensions
Schematic entry	`Vfile`
Netlist entry	`V`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vfile
Propriétés	5
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File	vfile.dat	oui	nom du fichier
Interpolator	linéaire	non	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	non	non	repeat waveform [no, yes]
G	1	non	gain en tension
T	0	non	délai

Fichier de courants¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fichier de courants
Description	fichier de courants
Schematic entry	`Ifile`
Netlist entry	`I`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	ifile
Propriétés	5
Category	sources

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File	ifile.dat	oui	nom du fichier
Interpolator	linéaire	non	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	non	non	repeat waveform [no, yes]
G	1	non	gain en courant
T	0	non	délai

Probes¶

Sonde d’intensité¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sonde d’intensité
Description	sonde de courant
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Propriétés	0
Category	probes

Sonde de tension¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sonde de tension
Description	sonde de tension
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Propriétés	0
Category	probes

Transmission Lines¶

Ligne de transmission¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Ligne de transmission
Description	ligne de transmission idéale
Schematic entry	`TLIN`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	tline
Propriétés	4
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Z	50 Ohm	oui	impédance
L	1 mm	oui	longueur électrique
Alpha	0 dB	non	atténuation linéaire (m⁻¹)
Temp	26.85	non	température (°C)

Ligne de transmission quadrupolaire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Ligne de transmission quadrupolaire
Description	Ligne de transmission quadrupolaire idéale
Schematic entry	`TLIN4P`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	tline_4port
Propriétés	4
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Z	50 Ohm	oui	impédance
L	1 mm	oui	longueur électrique
Alpha	0 dB	non	atténuation linéaire (m⁻¹)
Temp	26.85	non	température (°C)

Coupled Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Coupled Transmission Line
Description	coupled transmission lines
Schematic entry	`CTLIN`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	ctline
Propriétés	8
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Ze	50 Ohm	oui	characteristic impedance of even mode
Zo	50 Ohm	oui	characteristic impedance of odd mode
L	1 mm	oui	longueur électrique
Ere	1	non	relative dielectric constant of even mode
Ero	1	non	relative dielectric constant of odd mode
Ae	0 dB	non	attenuation factor per length of even mode
Ao	0 dB	non	attenuation factor per length of odd mode
Temp	26.85	non	température (°C)

Paire torsadée¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Paire torsadée
Description	Paire torsadée
Schematic entry	`TWIST`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	twistedpair
Propriétés	9
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
d	0.5 mm	oui	Diamètre de l’âme
D	0.8 mm	oui	Diamètre du fil (âme et isolant)
L	1.5	oui	Longueur physique de la ligne
T	100	non	Nombre de torsades par mètre (m⁻¹)
er	4	non	Constante diélectrique de l’isolant
mur	1	non	perméabilité relative du conducteur
rho	0.022e-6	non	résistance du metal
tand	4e-4	non	angle de perte
Temp	26.85	non	température (°C)

Coax¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Coax
Description	ligne coaxiale
Schematic entry	`COAX`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	coaxial
Propriétés	8
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
er	2.29	oui	perméabilité relative du diélectrique
rho	0.022e-6	non	résistance du metal
mur	1	non	perméabilité relative du conducteur
D	2.95 mm	non	diamètre interne du blindage
d	0.9 mm	non	diamètre de l’âme
L	1500 mm	oui	longueur physique de la ligne
tand	4e-4	non	angle de perte
Temp	26.85	non	température (°C)

Guide rectangulaire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Guide rectangulaire
Description	Guide rectangulaire
Schematic entry	`RECTLINE`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	rectline
Propriétés	9
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
a	2.95 mm	oui	widest side
b	0.9 mm	oui	shortest side
L	1500 mm	oui	longueur physique de la ligne
er	1	non	perméabilité relative du diélectrique
mur	1	non	perméabilité relative du conducteur
tand	0	non	angle de perte
rho	0.022e-6	non	résistance du metal
Temp	26.85	non	température (°C)
Material	unspecified	non	material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold]

Rlcg Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	RLCG Transmission Line
Description	RLCG transmission line
Schematic entry	`RLCG`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	rlcg
Propriétés	6
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
R	0.0	non	resistive load (Ohm/m)
L	0.6e-6	oui	inductive load (H/m)
C	240e-12	oui	capacitive load (F/m)
G	0.0	non	conductive load (S/m)
Longueur	1 mm	oui	longueur électrique
Temp	26.85	non	température (°C)

Substrat¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Substrat
Description	caractéristiques du substrat
Schematic entry	`SUBST`
Netlist entry	`Subst`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	substrat
Propriétés	6
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
er	9.8	oui	permittivité relative
h	1 mm	oui	épaisseur en mètres
t	35 um	oui	épaisseur de la métallisation
tand	2e-4	oui	angle de perte
rho	0.022e-6	oui	résistance du métal
D	0.15e-6	oui	rugosité quadratique moyenne du substrat

Ligne microruban¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Ligne microruban
Description	ligne microruban
Schematic entry	`MLIN`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	msline
Propriétés	6
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
L	10 mm	oui	longueur de la ligne
Modèle	Hammerstad	non	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
DispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	non	température (°C)

Ligne microruban couplée¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Ligne microruban couplée
Description	lignes microruban couplées
Schematic entry	`MCOUPLED`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mscoupled
Propriétés	7
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
L	10 mm	oui	longueur de la ligne
S	1 mm	oui	espace interligne
Modèle	Kirschning	non	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	non	température (°C)

Microstrip Lange Coupler¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Microstrip Lange Coupler
Description	microstrip lange coupler
Schematic entry	`MLANGE`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mslange
Propriétés	7
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
L	10 mm	oui	longueur de la ligne
S	1 mm	oui	espace interligne
Modèle	Kirschning	non	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	non	température (°C)

Coude microruban¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Coude microruban
Description	coude microruban
Schematic entry	`MCORN`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mscorner
Propriétés	2
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne

Coude microruban chanfreiné¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Coude microruban chanfreiné
Description	coude microruban chanfreiné
Schematic entry	`MMBEND`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	msmbend
Propriétés	2
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne

échelon microruban¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	échelon microruban
Description	changement d’impédance microruban
Schematic entry	`MSTEP`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	msstep
Propriétés	5
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	substrat
W1	2 mm	oui	largeur initiale
W2	1 mm	oui	largeur finale
MSModel	Hammerstad	non	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Dérivation microruban¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Dérivation microruban
Description	dérivation microruban
Schematic entry	`MTEE`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mstee
Propriétés	8
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	substrat
W1	1 mm	oui	largeur de la ligne 1
W2	1 mm	oui	largeur de la ligne 2
W3	2 mm	oui	largeur de la ligne 3
MSModel	Hammerstad	non	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	non	température en degrés
Symbol	showNumbers	non	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Croix microruban¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Croix microruban
Description	croix microruban
Schematic entry	`MCROSS`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mscross
Propriétés	8
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	substrat
W1	1 mm	oui	largeur de la ligne 1
W2	2 mm	oui	largeur de la ligne 2
W3	1 mm	oui	largeur de la ligne 3
W4	2 mm	oui	largeur de la ligne 4
MSModel	Hammerstad	non	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Symbol	showNumbers	non	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Bout de ligne microruban¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Bout de ligne microruban
Description	bout de ligne microruban
Schematic entry	`MOPEN`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	msopen
Propriétés	5
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
MSModel	Hammerstad	non	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Modèle	Kirschning	non	microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos]

Coupure Microruban¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Coupure Microruban
Description	coupure microruban
Schematic entry	`MGAP`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	msgap
Propriétés	6
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W1	1 mm	oui	largeur de la ligne 1
W2	1 mm	oui	largeur de la ligne 2
S	1 mm	oui	intervalle entre les lignes microruban
MSModel	Hammerstad	non	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	non	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Via¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Via
Description	via
Schematic entry	`MVIA`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	msvia
Propriétés	3
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	substrat
D	1 mm	oui	diamètre de perçage
Temp	26.85	non	température (°C)

Microstrip Radial Stub¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Microstrip Radial Stub
Description	microstrip radial stub
Schematic entry	`MRSTUB`
Netlist entry	`MS`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	msrstub
Propriétés	4
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
ri	1 mm	non	inner radius
ro	10 mm	oui	outer radius
alpha	90	oui	stub angle (degrees)

Ligne coplanaire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Ligne coplanaire
Description	ligne coplanaire
Schematic entry	`CLIN`
Netlist entry	`CL`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	coplanar
Propriétés	6
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
S	1 mm	oui	largeur de l’espacement
L	10 mm	oui	longueur de la ligne
Backside	Air	non	material at the backside of the substrate [Metal, Air]
Approx	oui	non	use approximation instead of precise equation [yes, no]

Fin de ligne coplanaire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fin de ligne coplanaire
Description	fin de ligne coplanaire
Schematic entry	`COPEN`
Netlist entry	`CL`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	cpwopen
Propriétés	5
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
S	1 mm	oui	largeur de l’espacement
G	5 mm	oui	largeur de la fente à la fin de la ligne
Backside	Air	non	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Court-circuit coplanaire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Court-circuit coplanaire
Description	court-circuit coplanaire
Schematic entry	`CSHORT`
Netlist entry	`CL`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	cpwshort
Propriétés	4
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
S	1 mm	oui	largeur de l’espacement
Backside	Air	non	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Fente coplanaire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fente coplanaire
Description	fente coplanaire
Schematic entry	`CGAP`
Netlist entry	`CL`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	cpwgap
Propriétés	4
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W	1 mm	oui	largeur de la ligne
S	1 mm	oui	largeur de l’espacement
G	0.5 mm	oui	largeur de la fente entre les deux lignes

Changement de largeur Coplanaire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Changement de largeur Coplanaire
Description	changement de largeur coplanaire
Schematic entry	`CSTEP`
Netlist entry	`CL`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	cpwstep
Propriétés	5
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Subst	Subst1	oui	Nom du modèle de substrat
W1	1 mm	oui	largeur de la ligne 1
W2	2 mm	oui	largeur de la ligne 2
S	3 mm	oui	distance entre les plans de masse
Backside	Air	non	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Fil libre¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fil libre
Description	Fil isolé (ou connexion)
Schematic entry	`BOND`
Netlist entry	`Line`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	bondwire
Propriétés	8
Category	transmission lines

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L	3 mm	oui	Longueur du fil
D	50 um	oui	Diamètre du fil
H	2 mm	oui	Hauteur au-dessus du plan de masse
rho	0.022e-6	non	Résistance spécifique du métal
mur	1	non	Perméabilité relative du métal
Modèle	FREESPACE	non	bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES]
Subst	Subst1	oui	substrat
Temp	26.85	non	température (°C)

Nonlinear Components¶

Diode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Diode
Description	diode
Schematic entry	`Diode`
Netlist entry	`D`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	diode
Propriétés	29
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Is	1e-15 A	oui	courant de saturation
N	1	oui	coeffcient d’émission
Cj0	10 fF	oui	capacité de la jonction à polarisation nulle
M	0.5	non	coefficient de gradation
Vj	0.7 V	non	tension de jonction
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Cp	0.0 fF	non	capacité proportionnelle
Isr	0.0	non	paramètre de recombinaison en courant
Nr	2.0	non	coefficient d’émission pour Isr
Rs	0.0 Ohm	non	résistance réelle série
Tt	0.0 ps	non	temps de transit
Ikf	0	non	Courant de seuil de forte injection (0 = infini)
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Bv	0	non	tension de claquage inverse
Ibv	1 mA	non	courant à la tension de claquage inverse
Temp	26.85	non	température (°C)
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Eg	1.11	non	gap d’énergie en eV
Tbv	0.0	non	coefficient linéaire de température de Bv
Trs	0.0	non	coefficient linéaire de température de Rs
Ttt1	0.0	non	coefficient linéaire de température de Tt
Ttt2	0.0	non	Coefficient de température quadratique de Tt
Tm1	0.0	non	Coefficient linéaire de température de M
Tm2	0.0	non	Coefficient quadratique de température de M
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Area	1.0	non	Surface par défaut de la diode
Symbol	normal	non	schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor]

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	transistor npn
Description	transistor bipolaire
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npn
Propriétés	48
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	npn	oui	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	oui	courant de saturation
Nf	1	oui	coefficient d’émission direct
Nr	1	non	coefficient d’émission inverse
Ikf	0	non	seuil des courants forts du β direct
Ikr	0	non	seuil des courants forts du β inverse
Vaf	0	oui	tension d’early directe
Var	0	non	tension d’early inverse
Ise	0	non	courant de fuite saturé base-émetteur
Ne	1.5	non	coefficient d’émission de fuite base-émetteur
Isc	0	non	courant de fuite saturé base-collecteur
Nc	2	non	coefficient d’émission de fuite base-collecteur
Bf	100	oui	β direct
Br	1	non	β inverse
Rbm	0	non	résistance minimale de base en fort courant
Irb	0	non	courant donnant la résistance de base moyenne
Rc	0	non	résistance de collecteur
Re	0	non	résistance d’émetteur
Rb	0	non	résistance de base à vide (peut dépendre des forts courants)
Cje	0	non	capacité de déplétion base-émetteur à vide
Vje	0.75	non	potentiel de la jonction base-émetteur
Mje	0.33	non	exposant de la jonction base-émetteur
Cjc	0	non	capacité de déplétion base-collecteur à vide
Vjc	0.75	non	potentiel de la jonction base-collecteur
Mjc	0.33	non	exposant de la jonction base-collecteur
Xcjc	1.0	non	fraction de Cjc reportée sur la base interne
Cjs	0	non	capacité collecteur-substrat à vide
Vjs	0.75	non	potentiel de la jonction de substrat
Mjs	0	non	exposant de la jonction de substrat
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tf	0.0	non	temps de transit direct idéal
Xtf	0.0	non	dépendance de Tf à la polarisation
Vtf	0.0	non	dépendance de Tf vis-à-vis de la tension base-collecteur
Itf	0.0	non	effet des courant forts sur Tf
Tr	0.0	non	temps de transit inverse idéal
Temp	26.85	non	température (°C)
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Kb	0.0	non	coefficient du bruit de grenaille
Ab	1.0	non	exposant du bruit de grenaille
Fb	1.0	non	fréquence de coupure du bruit de grenaille
Ptf	0.0	non	déphasage excédentaire en degrés
Xtb	0.0	non	Exposant thermique du bêta direct et inverse
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Eg	1.11	non	gap d’énergie en eV
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Area	1.0	non	Surface par défaut des transistors bipolaires

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	transistor pnp
Description	transistor bipolaire
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pnp
Propriétés	48
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pnp	oui	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	oui	courant de saturation
Nf	1	oui	coefficient d’émission direct
Nr	1	non	coefficient d’émission inverse
Ikf	0	non	seuil des courants forts du β direct
Ikr	0	non	seuil des courants forts du β inverse
Vaf	0	oui	tension d’early directe
Var	0	non	tension d’early inverse
Ise	0	non	courant de fuite saturé base-émetteur
Ne	1.5	non	coefficient d’émission de fuite base-émetteur
Isc	0	non	courant de fuite saturé base-collecteur
Nc	2	non	coefficient d’émission de fuite base-collecteur
Bf	100	oui	β direct
Br	1	non	β inverse
Rbm	0	non	résistance minimale de base en fort courant
Irb	0	non	courant donnant la résistance de base moyenne
Rc	0	non	résistance de collecteur
Re	0	non	résistance d’émetteur
Rb	0	non	résistance de base à vide (peut dépendre des forts courants)
Cje	0	non	capacité de déplétion base-émetteur à vide
Vje	0.75	non	potentiel de la jonction base-émetteur
Mje	0.33	non	exposant de la jonction base-émetteur
Cjc	0	non	capacité de déplétion base-collecteur à vide
Vjc	0.75	non	potentiel de la jonction base-collecteur
Mjc	0.33	non	exposant de la jonction base-collecteur
Xcjc	1.0	non	fraction de Cjc reportée sur la base interne
Cjs	0	non	capacité collecteur-substrat à vide
Vjs	0.75	non	potentiel de la jonction de substrat
Mjs	0	non	exposant de la jonction de substrat
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tf	0.0	non	temps de transit direct idéal
Xtf	0.0	non	dépendance de Tf à la polarisation
Vtf	0.0	non	dépendance de Tf vis-à-vis de la tension base-collecteur
Itf	0.0	non	effet des courant forts sur Tf
Tr	0.0	non	temps de transit inverse idéal
Temp	26.85	non	température (°C)
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Kb	0.0	non	coefficient du bruit de grenaille
Ab	1.0	non	exposant du bruit de grenaille
Fb	1.0	non	fréquence de coupure du bruit de grenaille
Ptf	0.0	non	déphasage excédentaire en degrés
Xtb	0.0	non	Exposant thermique du bêta direct et inverse
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Eg	1.11	non	gap d’énergie en eV
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Area	1.0	non	Surface par défaut des transistors bipolaires

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	transistor npn
Description	transistor bipolaire avec substrat
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub
Propriétés	48
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	npn	oui	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	oui	courant de saturation
Nf	1	oui	coefficient d’émission direct
Nr	1	non	coefficient d’émission inverse
Ikf	0	non	seuil des courants forts du β direct
Ikr	0	non	seuil des courants forts du β inverse
Vaf	0	oui	tension d’early directe
Var	0	non	tension d’early inverse
Ise	0	non	courant de fuite saturé base-émetteur
Ne	1.5	non	coefficient d’émission de fuite base-émetteur
Isc	0	non	courant de fuite saturé base-collecteur
Nc	2	non	coefficient d’émission de fuite base-collecteur
Bf	100	oui	β direct
Br	1	non	β inverse
Rbm	0	non	résistance minimale de base en fort courant
Irb	0	non	courant donnant la résistance de base moyenne
Rc	0	non	résistance de collecteur
Re	0	non	résistance d’émetteur
Rb	0	non	résistance de base à vide (peut dépendre des forts courants)
Cje	0	non	capacité de déplétion base-émetteur à vide
Vje	0.75	non	potentiel de la jonction base-émetteur
Mje	0.33	non	exposant de la jonction base-émetteur
Cjc	0	non	capacité de déplétion base-collecteur à vide
Vjc	0.75	non	potentiel de la jonction base-collecteur
Mjc	0.33	non	exposant de la jonction base-collecteur
Xcjc	1.0	non	fraction de Cjc reportée sur la base interne
Cjs	0	non	capacité collecteur-substrat à vide
Vjs	0.75	non	potentiel de la jonction de substrat
Mjs	0	non	exposant de la jonction de substrat
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tf	0.0	non	temps de transit direct idéal
Xtf	0.0	non	dépendance de Tf à la polarisation
Vtf	0.0	non	dépendance de Tf vis-à-vis de la tension base-collecteur
Itf	0.0	non	effet des courant forts sur Tf
Tr	0.0	non	temps de transit inverse idéal
Temp	26.85	non	température (°C)
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Kb	0.0	non	coefficient du bruit de grenaille
Ab	1.0	non	exposant du bruit de grenaille
Fb	1.0	non	fréquence de coupure du bruit de grenaille
Ptf	0.0	non	déphasage excédentaire en degrés
Xtb	0.0	non	Exposant thermique du bêta direct et inverse
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Eg	1.11	non	gap d’énergie en eV
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Area	1.0	non	Surface par défaut des transistors bipolaires

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	transistor pnp
Description	transistor bipolaire avec substrat
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub
Propriétés	48
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pnp	oui	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	oui	courant de saturation
Nf	1	oui	coefficient d’émission direct
Nr	1	non	coefficient d’émission inverse
Ikf	0	non	seuil des courants forts du β direct
Ikr	0	non	seuil des courants forts du β inverse
Vaf	0	oui	tension d’early directe
Var	0	non	tension d’early inverse
Ise	0	non	courant de fuite saturé base-émetteur
Ne	1.5	non	coefficient d’émission de fuite base-émetteur
Isc	0	non	courant de fuite saturé base-collecteur
Nc	2	non	coefficient d’émission de fuite base-collecteur
Bf	100	oui	β direct
Br	1	non	β inverse
Rbm	0	non	résistance minimale de base en fort courant
Irb	0	non	courant donnant la résistance de base moyenne
Rc	0	non	résistance de collecteur
Re	0	non	résistance d’émetteur
Rb	0	non	résistance de base à vide (peut dépendre des forts courants)
Cje	0	non	capacité de déplétion base-émetteur à vide
Vje	0.75	non	potentiel de la jonction base-émetteur
Mje	0.33	non	exposant de la jonction base-émetteur
Cjc	0	non	capacité de déplétion base-collecteur à vide
Vjc	0.75	non	potentiel de la jonction base-collecteur
Mjc	0.33	non	exposant de la jonction base-collecteur
Xcjc	1.0	non	fraction de Cjc reportée sur la base interne
Cjs	0	non	capacité collecteur-substrat à vide
Vjs	0.75	non	potentiel de la jonction de substrat
Mjs	0	non	exposant de la jonction de substrat
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tf	0.0	non	temps de transit direct idéal
Xtf	0.0	non	dépendance de Tf à la polarisation
Vtf	0.0	non	dépendance de Tf vis-à-vis de la tension base-collecteur
Itf	0.0	non	effet des courant forts sur Tf
Tr	0.0	non	temps de transit inverse idéal
Temp	26.85	non	température (°C)
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Kb	0.0	non	coefficient du bruit de grenaille
Ab	1.0	non	exposant du bruit de grenaille
Fb	1.0	non	fréquence de coupure du bruit de grenaille
Ptf	0.0	non	déphasage excédentaire en degrés
Xtb	0.0	non	Exposant thermique du bêta direct et inverse
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Eg	1.11	non	gap d’énergie en eV
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Area	1.0	non	Surface par défaut des transistors bipolaires

N-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Effet de champ de type n
Description	transistor à effet de champ (TEC/FET)
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	nfet
Propriétés	24
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	nfet	oui	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	oui	tension de seuil
Beta	1e-4	oui	transconductance
Lambda	0.0	oui	facteur de variation de la longueur du canal
Rd	0.0	non	résistance parasite de drain
Rs	0.0	non	résistance parasite de source
Is	1e-14	non	courant de saturation de la jonction grille
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction grille
Isr	1e-14	non	courant de recombinaison dans la jonction grille
Nr	2.0	non	coefficient d’émission Isr
Cgs	0.0	non	capacité à vide de la jonction grille-source
Cgd	0.0	non	capacité à vide de la jonction grille-drain
Pb	1.0	non	potentiel de la jonction grille
Fc	0.5	non	coefficient de capacité de jonction en direct
M	0.5	non	coefficient de gradation P-N grille
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Vt0tc	0.0	non	coefficient de température pour Vt0
Betatce	0.0	non	Exposant thermique de bêta
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Area	1.0	non	Surface par défaut des JFET

P-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	effet de champ type p
Description	transistor à effet de champ (TEC/FET)
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pfet
Propriétés	24
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pfet	oui	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	oui	tension de seuil
Beta	1e-4	oui	transconductance
Lambda	0.0	oui	facteur de variation de la longueur du canal
Rd	0.0	non	résistance parasite de drain
Rs	0.0	non	résistance parasite de source
Is	1e-14	non	courant de saturation de la jonction grille
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction grille
Isr	1e-14	non	courant de recombinaison dans la jonction grille
Nr	2.0	non	coefficient d’émission Isr
Cgs	0.0	non	capacité à vide de la jonction grille-source
Cgd	0.0	non	capacité à vide de la jonction grille-drain
Pb	1.0	non	potentiel de la jonction grille
Fc	0.5	non	coefficient de capacité de jonction en direct
M	0.5	non	coefficient de gradation P-N grille
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Vt0tc	0.0	non	coefficient de température pour Vt0
Betatce	0.0	non	Exposant thermique de bêta
Tnom	26.85	non	température à laquelle les paramètres ont été mesurés
Area	1.0	non	Surface par défaut des JFET

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	nMOS
Description	transistor MOS
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet
Propriétés	44
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	nfet	non	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	oui	tension de seuil à vide
Kp	2e-5	oui	transconductance (A.V⁻²)
Gamma	0.0	non	seuil de semelle (√V)
Phi	0.6 V	non	potentiel de surface
Lambda	0.0	oui	coefficient de variation en tension de la longueur du canal (V⁻¹)
Rd	0.0 Ohm	non	résistance de drain
Rs	0.0 Ohm	non	résistance de source
Rg	0.0 Ohm	non	résistance de porte
Is	1e-14 A	non	courant de saturation de la jonction de semelle
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction de semelle
W	1 um	non	largeur de canal
L	1 um	non	longueur de canal
Ld	0.0	non	longueur de diffusion latérale
Tox	0.1 um	non	épaisseur de l’oxyde
Cgso	0.0	non	capacité linéique de recouvrement source-porte en F/m
Cgdo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-drain en F/m
Cgbo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-semelle en F/m
Cbd	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction drain-semelle
Cbs	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction source-semelle
Pb	0.8 V	non	potentiel de la jonction de semelle
Mj	0.5	non	gradiant inférieur de la jonction de semelle
Fc	0.5	non	coefficient de la capacité de déplétion de la jonction de semelle polarisée en direct
Cjsw	0.0	non	capacité linéique périphérique de la jonction de semelle par mètre de périmètre en F/m
Mjsw	0.33	non	gradiant périphérique de la jonction de semelle
Tt	0.0 ps	non	temps de transit semelle
Nsub	0.0	non	densité de dopage de la semelle (cm⁻³)
Nss	0.0	non	densité de surface (cm⁻²)
Tpg	1	non	matériau de la porte: 0 = métal ; -1 = idem semelle ; 1 = inverse semelle
Uo	600.0	non	mobilité de surface (cm².V⁻¹.s⁻¹)
Rsh	0.0	non	résistance surfacique de diffusion du drain et de la source en Ω/²
Nrd	1	non	Nombre de carrés de drain équivalents
Nrs	1	non	Nombre de carrés de source équivalents
Cj	0.0	non	capacité surfacique inférieure à vide de la jonction de semelle en F/m²
Js	0.0	non	courant surfacique de saturation de la jonction de semelle en A/m²
Ad	0.0	non	surface de diffusion drain (m²)
As	0.0	non	surface de diffusion source (m²)
Pd	0.0 m	non	périmètre de la jonction de drain
Ps	0.0 m	non	périmètre de la jonction de source
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Tnom	26.85	non	température de mesure des paramètres

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	pMOS
Description	transistor MOS
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet
Propriétés	44
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pfet	non	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	oui	tension de seuil à vide
Kp	2e-5	oui	transconductance (A.V⁻²)
Gamma	0.0	non	seuil de semelle (√V)
Phi	0.6 V	non	potentiel de surface
Lambda	0.0	oui	coefficient de variation en tension de la longueur du canal (V⁻¹)
Rd	0.0 Ohm	non	résistance de drain
Rs	0.0 Ohm	non	résistance de source
Rg	0.0 Ohm	non	résistance de porte
Is	1e-14 A	non	courant de saturation de la jonction de semelle
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction de semelle
W	1 um	non	largeur de canal
L	1 um	non	longueur de canal
Ld	0.0	non	longueur de diffusion latérale
Tox	0.1 um	non	épaisseur de l’oxyde
Cgso	0.0	non	capacité linéique de recouvrement source-porte en F/m
Cgdo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-drain en F/m
Cgbo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-semelle en F/m
Cbd	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction drain-semelle
Cbs	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction source-semelle
Pb	0.8 V	non	potentiel de la jonction de semelle
Mj	0.5	non	gradiant inférieur de la jonction de semelle
Fc	0.5	non	coefficient de la capacité de déplétion de la jonction de semelle polarisée en direct
Cjsw	0.0	non	capacité linéique périphérique de la jonction de semelle par mètre de périmètre en F/m
Mjsw	0.33	non	gradiant périphérique de la jonction de semelle
Tt	0.0 ps	non	temps de transit semelle
Nsub	0.0	non	densité de dopage de la semelle (cm⁻³)
Nss	0.0	non	densité de surface (cm⁻²)
Tpg	1	non	matériau de la porte: 0 = métal ; -1 = idem semelle ; 1 = inverse semelle
Uo	600.0	non	mobilité de surface (cm².V⁻¹.s⁻¹)
Rsh	0.0	non	résistance surfacique de diffusion du drain et de la source en Ω/²
Nrd	1	non	Nombre de carrés de drain équivalents
Nrs	1	non	Nombre de carrés de source équivalents
Cj	0.0	non	capacité surfacique inférieure à vide de la jonction de semelle en F/m²
Js	0.0	non	courant surfacique de saturation de la jonction de semelle en A/m²
Ad	0.0	non	surface de diffusion drain (m²)
As	0.0	non	surface de diffusion source (m²)
Pd	0.0 m	non	périmètre de la jonction de drain
Ps	0.0 m	non	périmètre de la jonction de source
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Tnom	26.85	non	température de mesure des paramètres

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	MOS à déplétion
Description	transistor MOS
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet
Propriétés	44
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	nfet	non	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	oui	tension de seuil à vide
Kp	2e-5	oui	transconductance (A.V⁻²)
Gamma	0.0	non	seuil de semelle (√V)
Phi	0.6 V	non	potentiel de surface
Lambda	0.0	oui	coefficient de variation en tension de la longueur du canal (V⁻¹)
Rd	0.0 Ohm	non	résistance de drain
Rs	0.0 Ohm	non	résistance de source
Rg	0.0 Ohm	non	résistance de porte
Is	1e-14 A	non	courant de saturation de la jonction de semelle
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction de semelle
W	1 um	non	largeur de canal
L	1 um	non	longueur de canal
Ld	0.0	non	longueur de diffusion latérale
Tox	0.1 um	non	épaisseur de l’oxyde
Cgso	0.0	non	capacité linéique de recouvrement source-porte en F/m
Cgdo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-drain en F/m
Cgbo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-semelle en F/m
Cbd	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction drain-semelle
Cbs	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction source-semelle
Pb	0.8 V	non	potentiel de la jonction de semelle
Mj	0.5	non	gradiant inférieur de la jonction de semelle
Fc	0.5	non	coefficient de la capacité de déplétion de la jonction de semelle polarisée en direct
Cjsw	0.0	non	capacité linéique périphérique de la jonction de semelle par mètre de périmètre en F/m
Mjsw	0.33	non	gradiant périphérique de la jonction de semelle
Tt	0.0 ps	non	temps de transit semelle
Nsub	0.0	non	densité de dopage de la semelle (cm⁻³)
Nss	0.0	non	densité de surface (cm⁻²)
Tpg	1	non	matériau de la porte: 0 = métal ; -1 = idem semelle ; 1 = inverse semelle
Uo	600.0	non	mobilité de surface (cm².V⁻¹.s⁻¹)
Rsh	0.0	non	résistance surfacique de diffusion du drain et de la source en Ω/²
Nrd	1	non	Nombre de carrés de drain équivalents
Nrs	1	non	Nombre de carrés de source équivalents
Cj	0.0	non	capacité surfacique inférieure à vide de la jonction de semelle en F/m²
Js	0.0	non	courant surfacique de saturation de la jonction de semelle en A/m²
Ad	0.0	non	surface de diffusion drain (m²)
As	0.0	non	surface de diffusion source (m²)
Pd	0.0 m	non	périmètre de la jonction de drain
Ps	0.0 m	non	périmètre de la jonction de source
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Tnom	26.85	non	température de mesure des paramètres

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	nMOS
Description	Transistor à effet de champ MOS avec substrat
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet_sub
Propriétés	44
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	nfet	non	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	oui	tension de seuil à vide
Kp	2e-5	oui	transconductance (A.V⁻²)
Gamma	0.0	non	seuil de semelle (√V)
Phi	0.6 V	non	potentiel de surface
Lambda	0.0	oui	coefficient de variation en tension de la longueur du canal (V⁻¹)
Rd	0.0 Ohm	non	résistance de drain
Rs	0.0 Ohm	non	résistance de source
Rg	0.0 Ohm	non	résistance de porte
Is	1e-14 A	non	courant de saturation de la jonction de semelle
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction de semelle
W	1 um	non	largeur de canal
L	1 um	non	longueur de canal
Ld	0.0	non	longueur de diffusion latérale
Tox	0.1 um	non	épaisseur de l’oxyde
Cgso	0.0	non	capacité linéique de recouvrement source-porte en F/m
Cgdo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-drain en F/m
Cgbo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-semelle en F/m
Cbd	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction drain-semelle
Cbs	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction source-semelle
Pb	0.8 V	non	potentiel de la jonction de semelle
Mj	0.5	non	gradiant inférieur de la jonction de semelle
Fc	0.5	non	coefficient de la capacité de déplétion de la jonction de semelle polarisée en direct
Cjsw	0.0	non	capacité linéique périphérique de la jonction de semelle par mètre de périmètre en F/m
Mjsw	0.33	non	gradiant périphérique de la jonction de semelle
Tt	0.0 ps	non	temps de transit semelle
Nsub	0.0	non	densité de dopage de la semelle (cm⁻³)
Nss	0.0	non	densité de surface (cm⁻²)
Tpg	1	non	matériau de la porte: 0 = métal ; -1 = idem semelle ; 1 = inverse semelle
Uo	600.0	non	mobilité de surface (cm².V⁻¹.s⁻¹)
Rsh	0.0	non	résistance surfacique de diffusion du drain et de la source en Ω/²
Nrd	1	non	Nombre de carrés de drain équivalents
Nrs	1	non	Nombre de carrés de source équivalents
Cj	0.0	non	capacité surfacique inférieure à vide de la jonction de semelle en F/m²
Js	0.0	non	courant surfacique de saturation de la jonction de semelle en A/m²
Ad	0.0	non	surface de diffusion drain (m²)
As	0.0	non	surface de diffusion source (m²)
Pd	0.0 m	non	périmètre de la jonction de drain
Ps	0.0 m	non	périmètre de la jonction de source
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Tnom	26.85	non	température de mesure des paramètres

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	pMOS
Description	Transistor à effet de champ MOS avec substrat
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet_sub
Propriétés	44
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pfet	non	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	oui	tension de seuil à vide
Kp	2e-5	oui	transconductance (A.V⁻²)
Gamma	0.0	non	seuil de semelle (√V)
Phi	0.6 V	non	potentiel de surface
Lambda	0.0	oui	coefficient de variation en tension de la longueur du canal (V⁻¹)
Rd	0.0 Ohm	non	résistance de drain
Rs	0.0 Ohm	non	résistance de source
Rg	0.0 Ohm	non	résistance de porte
Is	1e-14 A	non	courant de saturation de la jonction de semelle
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction de semelle
W	1 um	non	largeur de canal
L	1 um	non	longueur de canal
Ld	0.0	non	longueur de diffusion latérale
Tox	0.1 um	non	épaisseur de l’oxyde
Cgso	0.0	non	capacité linéique de recouvrement source-porte en F/m
Cgdo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-drain en F/m
Cgbo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-semelle en F/m
Cbd	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction drain-semelle
Cbs	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction source-semelle
Pb	0.8 V	non	potentiel de la jonction de semelle
Mj	0.5	non	gradiant inférieur de la jonction de semelle
Fc	0.5	non	coefficient de la capacité de déplétion de la jonction de semelle polarisée en direct
Cjsw	0.0	non	capacité linéique périphérique de la jonction de semelle par mètre de périmètre en F/m
Mjsw	0.33	non	gradiant périphérique de la jonction de semelle
Tt	0.0 ps	non	temps de transit semelle
Nsub	0.0	non	densité de dopage de la semelle (cm⁻³)
Nss	0.0	non	densité de surface (cm⁻²)
Tpg	1	non	matériau de la porte: 0 = métal ; -1 = idem semelle ; 1 = inverse semelle
Uo	600.0	non	mobilité de surface (cm².V⁻¹.s⁻¹)
Rsh	0.0	non	résistance surfacique de diffusion du drain et de la source en Ω/²
Nrd	1	non	Nombre de carrés de drain équivalents
Nrs	1	non	Nombre de carrés de source équivalents
Cj	0.0	non	capacité surfacique inférieure à vide de la jonction de semelle en F/m²
Js	0.0	non	courant surfacique de saturation de la jonction de semelle en A/m²
Ad	0.0	non	surface de diffusion drain (m²)
As	0.0	non	surface de diffusion source (m²)
Pd	0.0 m	non	périmètre de la jonction de drain
Ps	0.0 m	non	périmètre de la jonction de source
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Tnom	26.85	non	température de mesure des paramètres

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	MOS à déplétion
Description	Transistor à effet de champ MOS avec substrat
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet_sub
Propriétés	44
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	nfet	non	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	oui	tension de seuil à vide
Kp	2e-5	oui	transconductance (A.V⁻²)
Gamma	0.0	non	seuil de semelle (√V)
Phi	0.6 V	non	potentiel de surface
Lambda	0.0	oui	coefficient de variation en tension de la longueur du canal (V⁻¹)
Rd	0.0 Ohm	non	résistance de drain
Rs	0.0 Ohm	non	résistance de source
Rg	0.0 Ohm	non	résistance de porte
Is	1e-14 A	non	courant de saturation de la jonction de semelle
N	1.0	non	coefficient d’émission de la jonction de semelle
W	1 um	non	largeur de canal
L	1 um	non	longueur de canal
Ld	0.0	non	longueur de diffusion latérale
Tox	0.1 um	non	épaisseur de l’oxyde
Cgso	0.0	non	capacité linéique de recouvrement source-porte en F/m
Cgdo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-drain en F/m
Cgbo	0.0	non	capacité linéique de recouvrement porte-semelle en F/m
Cbd	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction drain-semelle
Cbs	0.0 F	non	capacité à vide de la jonction source-semelle
Pb	0.8 V	non	potentiel de la jonction de semelle
Mj	0.5	non	gradiant inférieur de la jonction de semelle
Fc	0.5	non	coefficient de la capacité de déplétion de la jonction de semelle polarisée en direct
Cjsw	0.0	non	capacité linéique périphérique de la jonction de semelle par mètre de périmètre en F/m
Mjsw	0.33	non	gradiant périphérique de la jonction de semelle
Tt	0.0 ps	non	temps de transit semelle
Nsub	0.0	non	densité de dopage de la semelle (cm⁻³)
Nss	0.0	non	densité de surface (cm⁻²)
Tpg	1	non	matériau de la porte: 0 = métal ; -1 = idem semelle ; 1 = inverse semelle
Uo	600.0	non	mobilité de surface (cm².V⁻¹.s⁻¹)
Rsh	0.0	non	résistance surfacique de diffusion du drain et de la source en Ω/²
Nrd	1	non	Nombre de carrés de drain équivalents
Nrs	1	non	Nombre de carrés de source équivalents
Cj	0.0	non	capacité surfacique inférieure à vide de la jonction de semelle en F/m²
Js	0.0	non	courant surfacique de saturation de la jonction de semelle en A/m²
Ad	0.0	non	surface de diffusion drain (m²)
As	0.0	non	surface de diffusion source (m²)
Pd	0.0 m	non	périmètre de la jonction de drain
Ps	0.0 m	non	périmètre de la jonction de source
Kf	0.0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	température (°C)
Tnom	26.85	non	température de mesure des paramètres

Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Ampli Op
Description	amplificateur opérationnel
Schematic entry	`OpAmp`
Netlist entry	`OP`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	opamp
Propriétés	2
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
G	1e6	oui	gain en tension
Umax	15 V	non	valeurs absolues des tensions de sorties maximale et minimale

Composant défini par une équation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Composant défini par une équation
Description	composant défini par une équation
Schematic entry	`EDD`
Netlist entry	`D`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	edd
Propriétés	4
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	explicit	non	type of equations [explicit, implicit]
Branches	1	non	nombre de branches
I1	0	oui	current equation 1
Q1	0	non	charge equation 1

Diac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Diac
Description	diac (bidirectional trigger diode)
Schematic entry	`Diac`
Netlist entry	`D`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	diac
Propriétés	7
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Vbo	30 V	oui	(bidirectional) breakover voltage
Ibo	50 uA	non	(bidirectional) breakover current
Cj0	10 pF	non	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	non	courant de saturation
N	2	non	coeffcient d’émission
Ri	10 Ohm	non	intrinsic junction resistance
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Triac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Triac
Description	triac (bidirectional thyristor)
Schematic entry	`Triac`
Netlist entry	`D`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	triac
Propriétés	8
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Vbo	400 V	non	(bidirectional) breakover voltage
Igt	50 uA	oui	(bidirectional) gate trigger current
Cj0	10 pF	non	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	non	courant de saturation
N	2	non	coeffcient d’émission
Ri	10 Ohm	non	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	non	gate resistance
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Thyristor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Thyristor
Description	silicon controlled rectifier (SCR)
Schematic entry	`SCR`
Netlist entry	`D`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	thyristor
Propriétés	8
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Vbo	400 V	non	breakover voltage
Igt	50 uA	oui	gate trigger current
Cj0	10 pF	non	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	non	courant de saturation
N	2	non	coeffcient d’émission
Ri	10 Ohm	non	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	non	gate resistance
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Tunnel Diode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Tunnel Diode
Description	resonance tunnel diode
Schematic entry	`RTD`
Netlist entry	`D`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	tunneldiode
Propriétés	16
Category	nonlinear components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Ip	4 mA	oui	peak current
Iv	0.6 mA	oui	valley current
Vv	0.8 V	oui	valley voltage
Wr	2.7e-20	non	resonance energy in Ws
eta	1e-20	non	Fermi energy in Ws
dW	4.5e-21	non	resonance width in Ws
Tmax	0.95	non	maximum of transmission
de	0.9	non	fitting factor for electron density
dv	2.0	non	fitting factor for voltage drop
nv	16	non	fitting factor for diode current
Cj0	80 fF	non	zero-bias depletion capacitance
M	0.5	non	coefficient de gradation
Vj	0.5 V	non	tension de jonction
te	0.6 ps	non	life-time of electrons
Temp	26.85	non	température (°C)
Area	1.0	non	Surface par défaut de la diode

Verilog-A Devices¶

Hicum L2 V2.1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Hicum L2 v. 2.1
Description	Composant Verilog Hicum niveau 2 v2.1
Schematic entry	`hicumL2V2p1`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriétés	101
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
c10	1.516E-31	non	Constante GICCR
qp0	5.939E-15	non	Charge intrinsèque des trous
ich	1.0E11	non	Correction courant fort pour les effets 2D et 3D
hfe	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des émetteurs HBTs
hfc	0.03999	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des collecteurs HBTs
hjei	0.435	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-émetteur des HBTs
hjci	0.09477	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-collecteur des HBTs
ibeis	3.47E-20	non	Courant de saturation base-émetteur
mbei	1.025	non	Facteur d’idéalité du courant interne base-émetteur
ireis	390E-12	non	Seuil de saturation du courant de recombinaison B-E
mrei	3	non	Facteur d’idéalité du courant interne de recombinaison B-E
ibeps	4.18321E-21	non	Seuil de saturation du courant périphérique B-E
mbep	1.045	non	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	1.02846E-14	non	Seuil de saturation du courant de recombinaison périphérique B-E
mrep	3	non	Facteur d’idéalité du courant de recombinaison périphérique B-E
mcf	1.0	non	Facteur de non-idéalité des HBTs III-V
ibcis	3.02613E-18	non	Seuil de saturation du courant B-C
mbci	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne B-C
ibcxs	4.576E-29	non	Seuil de saturation du courant externe B-C
mbcx	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant externe B-E
ibets	0.0	non	Seuil de saturation du courant tunnel B-E
abet	36.74	non	Exposant du courant tunnel
favl	14.97	non	Facteur du courant d’avalanche
qavl	7.2407E-14	non	Exposant du courant d’avalanche
alfav	0.0	non	TC relatif pour FAVL
alqav	0.0	non	TC relatif pour QAVL
rbi0	7.9	non	Résistance de la base à polarisation nulle
rbx	13.15	non	Résistance de base additionnelle
fgeo	0.724	non	Facteur contrôlant la dépendance géométrique de l’emcombrement des porteurs
fdqr0	0	non	Facteur de modulation des ZCE des jonctions B-E et B-C
fcrbi	0.0	non	Rapport de la capacité HF latérale à la capacité globale (effet NQS)
fqi	1.0	non	Rapport de la charge interne à la charge totale des porteurs minoritaires
re	9.77	non	Résistance série d’émetteur
rcx	10	non	Résistance série externe de collecteur
itss	2.81242E-19	non	Seuil de saturation du courant de transfert transistor/substrat
msf	1.0	non	Facteur d’idéalité direct du courant transistor/substrat
iscs	7.6376E-17	non	Seuil de saturation de la diode C-S
msc	1.0	non	Facteur d’idéalité de courant dans la diode C-S
tsf	1.733E-8	non	Temps de transit direct du transistor substrat
rsu	800	non	Résistance série du substrat
csu	1.778E-14	non	Capacité shunt du substrat
cjei0	5.24382E-14	non	Capacité interne B-E à vide
vdei	0.9956	non	Valeur intrisèque du potentiel B-E
zei	0.4	non	Coefficient de gradation interne B-E
aljei	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité interne B-E à sa valeur à vide
cjep0	0	non	Capacité périphérique B-E à vide
vdep	1	non	Potentiel intrinsèque périphérique B-E
zep	0.01	non	Coefficient de gradation périphérique B-E
aljep	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité périphérique B-E à sa valeur à vide
cjci0	4.46887E-15	non	Capacité interne B-C à vide
vdci	0.7	non	Valeur intrisèque du potentiel B-C interne
zci	0.38	non	Coefficient de gradation interne B-C
vptci	100	non	Tension de punch-through interne B-C
cjcx0	1.55709E-14	non	Capacité externe B-C à vide
vdcx	0.733	non	Valeur intrisèque du potentiel B-C externe
zcx	0.34	non	Coefficient de gradation externe B-C
vptcx	100	non	Tension de punch-through externe B-C
fbc	0.3487	non	Facteur de répartition de la capacité parasite B-C
cjs0	17.68E-15	non	Capacité C-S à vide
vds	0.621625	non	Valeur intrisèque du potentiel C-S
zs	0.122136	non	Coefficient de gradation C-S
vpts	1000	non	Tension de punch-through C-S
t0	1.28E-12	non	Temps de transit direct en petits courants à Vbc = 0 V
dt0h	260E-15	non	Constante de temps de la modulation de l’épaisseur de la ZCE de base et B-C
tbvl	2.0E-13	non	Constante de temps modélisant l’embouteillage des porteurs aux faibles Vce
tef0	0.0	non	Temps de stockage d’émetteur neutre
gtfe	1.0	non	Exposant de la dépendance en courant du temps de stockage d’émetteur neutre
thcs	46E-15	non	Constante de temps de la saturation aux fortes densités de courant
alhc	0.08913	non	Facteur de lissage de la dépendace en courant du temps de transit dans la base et le collecteur
fthc	0.8778	non	Facteur de partition base collecteur
rci0	50.4277	non	Résistance interne du collecteur aux faibles champs
vlim	0.9	non	Tension de basculement entre régime de vitesse ohmique et saturée
vces	0.01	non	Seuil de saturation interne C-E
vpt	10	non	Tension de punch-through collecteur
tr	1.0E-11	non	Temps de stockage en régime inverse
ceox	1.71992E-15	non	Capacité parasite B-E totale
ccox	4.9E-15	non	Capacité parasite B-C totale
alqf	0.1288	non	Délai additionnel des porteurs minoritaires
alit	1.0	non	Délai additionnel du courant de transfert
kf	2.83667E-9	non	Coefficient du bruit de scintillation
af	2.0	non	Exposant du bruit de scintillation
krbi	1.0	non	Facteur de bruit de la résistance de base interne
latb	10.479	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la largeur d’émetteur
latl	0.300012	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la longueur d’émetteur
vgb	1.112	non	Tension de gap extrapolée à 0 K
alt0	0.0017580	non	Dépendance thermique du premier ordre de T0
kt0	4.07E-6	non	Dépendance thermique du second ordre de T0
zetaci	0.7	non	Exposant thermique de RCI0
zetacx	1.0	non	Exposant thermique de la mobilité dans l’expression du temps de transit du transistor substrat
alvs	0.001	non	Dépendance thermique relative de la vitesse de dérive à saturation
alces	0.000125	non	Dépedance thermique relative de Vces
zetarbi	0.0	non	Exposant thermique de la résistance interne de base
zetarbx	0.2	non	Exposant thermique de la résistance externe de base
zetarcx	0.21	non	Exposant thermique de la résistance externe de collecteur
zetare	0.7	non	Exposant thermique de la résistance d’émetteur
alb	0.007	non	Dépendance thermique relative du β direct dans le modèle v. 2.1
rth	1293.95	non	Résistance thermique
cth	7.22203E-11	non	Capacité thermique
tnom	27.0	non	Température à laquelle les paramètres sont donnés
dt	0.0	non	Dérive thermique d’un transistor individuel dû à l’échauffement global de la puce
Temp	27	non	Température du composant simulé

Fbh Hbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	FBH HBT
Description	Modèle HBT par l’Institut Ferdinand Braun de Berlin
Schematic entry	`HBT_X`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npn_therm
Propriétés	80
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Mode	1	non	Ignoré
Noise	1	non	Ignoré
Debug	0	non	Ignoré
DebugPlus	0	non	Ignoré
Temp	25.0	non	Température de fonctionnement (°C)
Rth	0.1	non	Résistance thermique (K.W⁻¹)
Cth	700e-9	non	Capacité thermique
N	1	non	Facteur d’échelle : nombre de doigts de l’émetteur
L	30e-6	non	Longueur d’un doigt d’émetteur (m)
W	1e-6	non	Largeur d’un doigt d’émetteur (m)
Jsf	20e-24	non	Seuil de saturation de la densité de courant direct (A.µm⁻²)
nf	1.0	non	Coefficient d’émission de courant direct
Vg	1.3	non	Énergie d’activitation thermique directe (V) (0 = aucune dépendance thermique)
Jse	0.0	non	Seuil de saturation de la densité du courant de fuite B-E (A.µm⁻²)
ne	0.0	non	Coefficient d’émission de fuite B-E
Rbxx	1e6	non	Résistance de limitation de la diode parasitique B-E (Ω)
Vgb	0.0	non	B-E leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jsee	0.0	non	Second seuil de saturation de la densité du courant de fuite B-E (A.µm⁻²)
nee	0.0	non	Second coefficient d’émission de fuite B-E
Rbbxx	1e6	non	Seconde résistance de limitation de la diode parasitique B-E (Ω)
Vgbb	0.0	non	Seconde énergie d’activitation thermique de fuite B-E (V) (0 = aucune dépendance thermique)
Jsr	20e-18	non	Seuil de saturation de la densité de courant inverse (A.µm⁻²)
nr	1.0	non	Coefficient d’émission de courant inverse
Vgr	0.0	non	Énergie d’activitation thermique inverse (V) (0 = aucune dépendance thermique)
XCjc	0.5	non	Portion de Cjc reporté sur la base interne
Jsc	0.0	non	Seuil de saturation de la densité du courant de fuite B-C (A.µm⁻²)
nc	0.0	non	coefficient d’émission de fuite B-C (0 : effet négligé)
Rcxx	1e6	non	Résistance de limitation de la diode parasitique B-C (Ω)
Vgc	0.0	non	Énergie d’activitation thermique de fuite B-C (V) (0 = aucune dépendance thermique)
Bf	100.0	non	β direct idéal
kBeta	0.0	non	Temperature coefficient of forward current gain, -1/K, (0 == disables temperature dependence)
Br	1.0	non	β inverse idéal
VAF	0.0	non	Forward Early voltage, V, (0 == disables Early Effect)
VAR	0.0	non	Reverse Early voltage, V, (0 == disables Early Effect)
IKF	0.0	non	Seuil du courant de forte injection direct (A) (0 = pas d’effet Webster)
IKR	0.0	non	Seuil du courant de forte injection inverse (A) (0 = pas d’effet Webster)
Mc	0.0	non	Exposant d’avalanche C-E (0 = pas d’effet Zéner)
BVceo	0.0	non	Tension d’avalanche C-E (V) (0 : aucun effet de claquage)
kc	0.0	non	Facteur d’avalanche C-E (0 = pas d’effet Zéner)
BVebo	0.0	non	Facteur d’avalanche B-E (0 = pas d’effet Zéner)
Tr	1.0e-15	non	Temps de transit inverse idéal (s)
Trx	1.0e-15	non	Capacité de diffusion extrinsèque B-C (F)
Tf	1.0e-12	non	Temps de transit idéal (s)
Tft	0.0	non	Coefficient thermique du temps de transit direct
Thcs	0.0	non	Temps de transit additionnel dû au push-out de base
Ahc	0.0	non	Paramètre de lissage de Thcs
Cje	1.0e-15	non	Capacité de déplétion de la jonction B-E non polarisée (F.µm²)
mje	0.5	non	Exposant de la jonction B-E
Vje	1.3	non	Valeur intrisèque du potentiel B-E (V)
Cjc	1.0e-15	non	Capacité de déplétion de la jonction B-C non polarisée (F.µm²)
mjc	0.5	non	Exposant de la jonction B-C
Vjc	1.3	non	Potentiel intrinsèque de la jonction B-C (V)
kjc	1.0	non	Inutilisé
Cmin	0.1e-15	non	Valeur minimale de la capacité de déplétion B-C (facteur de Vbc), en F.µm⁻²
J0	1e-3	non	Valeur du courant de collecteur pour lequel Cbc atteint Cmin, A.µm⁻²
XJ0	1.0	non	Fraction de Cmin, limite inférieure de la capacité BC (dépend de lc)
Rci0	1e-3	non	Seuil de déclanchement de l’expansion de base aux faibles tensions, Ω.µm² (0 = pas d’effet Kirk)
Jk	4e-4	non	Seuil d’expansion de la base aux hautes tensions A.µm⁻² (0 = pas d’effet Kirk)
RJk	1e-3	non	Pente de Jk en fort courants, Ω.µm²
Vces	1e-3	non	Variation de la tension de seuil d’expansion de base (V)
Rc	1.0	non	Résistance de collecteur (Ω/doigt)
Re	1.0	non	Résistance d’émetteur (Ω/doigt)
Rb	1.0	non	Résistance extrinsèque de base (Ω/doigt)
Rb2	1.0	non	Résistance de la base interne (Ω/doigt)
Lc	0.0	non	Inductance du collecteur (H)
Le	0.0	non	Inductance de l’émetteur (H)
Lb	0.0	non	Inductance de la base (H)
Cq	0.0	non	Capacité extrisèque de l’émetteur (F)
Cpb	0.0	non	Capacité extrisèque de la base (F)
Cpc	0.0	non	Capacité extrisèque du collecteur (F)
Kfb	0.0	non	Coefficient du bruit de scintillation
Afb	0.0	non	Exposant du bruit de scintillation
Ffeb	0.0	non	Exposant fréquenciel du bruit de scintillation
Kb	0.0	non	Coefficient du bruit de grenaille
Ab	0.0	non	Exposant du bruit de grenaille
Fb	0.0	non	Fréquence de coupure du bruit de grenaille (Hz)
Kfe	0.0	non	Coefficient du bruit de scintillation
Afe	0.0	non	Exposant du bruit de scintillation
Ffee	0.0	non	Exposant fréquenciel du bruit de scintillation
Tnom	20.0	non	Température de mesure des paramètres

Modular Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Modular OpAmp
Description	Modular Operational Amplifier verilog device
Schematic entry	`mod_amp`
Netlist entry	`OP`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	mod_amp
Propriétés	17
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
GBP	1e6	non	Gain bandwidth product (Hz)
AOLDC	106.0	non	Open-loop differential gain at DC (dB)
FP2	3e6	non	Second pole frequency (Hz)
RO	75	non	Output resistance (Ohm)
CD	1e-12	non	Differential input capacitance (F)
RD	2e6	non	Differential input resistance (Ohm)
IOFF	20e-9	non	Input offset current (A)
IB	80e-9	non	Input bias current (A)
VOFF	7e-4	non	Input offset voltage (V)
CMRRDC	90.0	non	Common-mode rejection ratio at DC (dB)
FCM	200.0	non	Common-mode zero corner frequency (Hz)
PSRT	5e5	non	Positive slew rate (V/s)
NSRT	5e5	non	Negative slew rate (V/s)
VLIMP	14	non	Positive output voltage limit (V)
VLIMN	-14	non	Negative output voltage limit (V)
ILMAX	35e-3	non	Maximum DC output current (A)
CSCALE	50	non	Current limit scale factor

Hicum L2 V2.22¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	HICUM L2 v2.22
Description	HICUM Level 2 v2.22 verilog device
Schematic entry	`hic2_full`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriétés	114
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
c10	2.0E-30	non	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	non	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	non	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des émetteurs HBTs
hfc	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des collecteurs HBTs
hjei	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-émetteur des HBTs
hjci	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-collecteur des HBTs
ibeis	1.0E-18	non	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne base-émetteur
ireis	0.0	non	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne de recombinaison B-E
ibeps	0.0	non	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	non	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	non	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant de recombinaison périphérique B-E
mcf	1.0	non	Facteur de non-idéalité des HBTs III-V
tbhrec	0.0	non	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	non	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne B-C
ibcxs	0.0	non	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant externe B-E
ibets	0.0	non	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	non	Exposant du courant tunnel
tunode	1	non	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	non	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	non	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	non	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	non	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	non	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	non	Facteur contrôlant la dépendance géométrique de l’emcombrement des porteurs
fdqr0	0.0	non	Facteur de modulation des ZCE des jonctions B-E et B-C
fcrbi	0.0	non	Rapport de la capacité HF latérale à la capacité globale (effet NQS)
fqi	1.0	non	Rapport de la charge interne à la charge totale des porteurs minoritaires
re	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Facteur d’idéalité direct du courant transistor/substrat
iscs	0.0	non	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	non	Facteur d’idéalité de courant dans la diode C-S
tsf	0.0	non	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	non	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	non	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	non	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	non	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	non	Coefficient de gradation interne B-E
ajei	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité interne B-E à sa valeur à vide
cjep0	1.0E-20	non	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	non	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	non	Coefficient de gradation périphérique B-E
ajep	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité périphérique B-E à sa valeur à vide
cjci0	1.0E-20	non	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	non	Coefficient de gradation interne B-C
vptci	100	non	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	non	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	non	Coefficient de gradation externe B-C
vptcx	100	non	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	non	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	non	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	non	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	non	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	non	Coefficient de gradation C-S
vpts	100	non	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	non	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	non	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	non	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	non	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	non	Exposant de la dépendance en courant du temps de stockage d’émetteur neutre
thcs	0.0	non	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Facteur de lissage de la dépendace en courant du temps de transit dans la base et le collecteur
fthc	0.0	non	Facteur de partition base collecteur
rci0	150	non	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	non	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	non	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	non	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	non	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	non	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	non	Délai additionnel des porteurs minoritaires
alit	0.0	non	Délai additionnel du courant de transfert
flnqs	0	non	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	non	Coefficient du bruit de scintillation
af	2.0	non	Exposant du bruit de scintillation
cfbe	-1	non	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la largeur d’émetteur
latl	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la longueur d’émetteur
vgb	1.17	non	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	non	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	non	Dépendance thermique du second ordre de T0
zetaci	0.0	non	Exposant thermique de RCI0
alvs	0.0	non	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	non	Exposant thermique de la résistance interne de base
zetarbx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de base
zetarcx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de collecteur
zetare	0.0	non	Exposant thermique de la résistance d’émetteur
zetacx	1.0	non	Exposant thermique de la mobilité dans l’expression du temps de transit du transistor substrat
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	non	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	non	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	non	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	non	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	non	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Logarithmic Amplifier¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Logarithmic Amplifier
Description	Logarithmic Amplifier verilog device
Schematic entry	`log_amp`
Netlist entry	`LA`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	log_amp
Propriétés	17
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Kv	1.0	non	scale factor
Dk	0.3	non	scale factor error (%)
Ib1	5e-12	non	input I1 bias current (A)
Ibr	5e-12	non	input reference bias current (A)
M	5	non	number of decades
N	0.1	non	conformity error (%)
Vosout	3e-3	non	output offset error (V)
Rinp	1e6	non	amplifier input resistance (Ohm)
Fc	1e3	non	amplifier 3dB frequency (Hz)
Ro	1e-3	non	amplifier output resistance (Ohm)
Ntc	0.002	non	conformity error temperature coefficient (%/Celsius)
Vosouttc	80e-6	non	offset temperature coefficient (V/Celsius)
Dktc	0.03	non	scale factor error temperature coefficient (%/Celsius)
Ib1tc	0.5e-12	non	input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Ibrtc	0.5e-12	non	input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Tnom	26.85	non	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Npn Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	npn HICUM L0 v1.12
Description	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriétés	86
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	npn	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	non	high-injection correction factor
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Pnp Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	pnp HICUM L0 v1.12
Description	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriétés	86
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pnp	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	non	high-injection correction factor
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Potentiometer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Potentiometer
Description	Potentiometer verilog device
Schematic entry	`potentiometer`
Netlist entry	`POT`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	potentiometer
Propriétés	11
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
R_pot	1e4	non	nominal device resistance (Ohm)
Rotation	120	non	shaft/wiper arm rotation (degrees)
Taper_Coeff	0	non	resistive law taper coefficient
LEVEL	1	non	device type selector [1, 2, 3]
Max_Rotation	240.0	non	maximum shaft/wiper rotation (degrees)
Conformity	0.2	non	conformity error (%)
Linearity	0.2	non	linearity error (%)
Contact_Res	1	non	wiper arm contact resistance (Ohm)
Temp_Coeff	100	non	resistance temperature coefficient (PPM/Celsius)
Tnom	26.85	non	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Mesfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	MESFET
Description	MESFET verilog device
Schematic entry	`MESFET`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	MESFET
Propriétés	52
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
LEVEL	1	non	model selector
Vto	-1.8	non	pinch-off voltage (V)
Beta	3e-3	non	transconductance parameter (A/(V*V))
Alpha	2.25	non	saturation voltage parameter (1/V)
Lambda	0.05	non	channel length modulation parameter (1/V)
B	0.3	non	doping profile parameter (1/V)
Qp	2.1	non	power law exponent parameter
Delta	0.1	non	power feedback parameter (1/W)
Vmax	0.5	non	maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V)
Vdelta1	0.3	non	capacitance saturation transition voltage (V)
Vdelta2	0.2	non	capacitance threshold transition voltage (V)
Gamma	0.015	non	dc drain pull coefficient
Nsc	1	non	subthreshold conductance parameter
Is	1e-14	non	diode saturation current (I)
N	1	non	diode emission coefficient
Vbi	1.0	non	built-in gate potential (V)
Bv	60	non	gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V)
Xti	3.0	non	diode saturation current temperature coefficient
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tau	1e-9	non	transit time under gate (s)
Rin	1e-3	non	channel resistance (Ohm)
Area	1	non	area factor
Eg	1.11	non	energy gap (eV)
M	0.5	non	coefficient de gradation
Cgd	0.2e-12	non	zero bias gate-drain junction capacitance (F)
Cgs	1e-12	non	zero bias gate-source junction capacitance (F)
Cds	1e-12	non	zero bias drain-source junction capacitance (F)
Betatc	0	non	Beta temperature coefficient (%/Celsius)
Alphatc	0	non	Alpha temperature coefficient (%/Celsius)
Gammatc	0	non	Gamma temperature coefficient (%/Celsius)
Ng	2.65	non	Subthreshold slope gate parameter
Nd	-0.19	non	subthreshold drain pull parameter
ILEVELS	3	non	gate-source current equation selector
ILEVELD	3	non	gate-drain current equation selector
QLEVELS	2	non	gate-source charge equation selector
QLEVELD	2	non	gate-drain charge equation selector
QLEVELDS	2	non	drain-source charge equation selector
Vtotc	0	non	Vto temperature coefficient
Rg	5.1	non	gate resistance (Ohms)
Rd	1.3	non	drain resistance (Ohms)
Rs	1.3	non	source resistance (Ohms)
Rgtc	0	non	gate resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rdtc	0	non	drain resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rstc	0	non	source resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Ibv	1e-3	non	gate reverse breakdown currrent (A)
Rf	10	non	forward bias slope resistance (Ohms)
R1	10	non	breakdown slope resistance (Ohms)
Af	1	non	exposant du bruit de scintillation
Kf	0	non	Coefficient de bruit de scintillation
Gdsnoi	1	non	shot noise coefficient
Tnom	26.85	non	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Epfl-Ekv Nmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	EPFL-EKV NMOS 2.6
Description	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26nMOS
Propriétés	55
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	nmos	oui	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	non	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	non	length parameter (m)
W	10e-6	non	Width parameter (m)
Np	1.0	non	parallel multiple device number
Ns	1.0	non	series multiple device number
Cox	3.45e-3	non	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	non	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.02e-6	non	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	non	channel length correction (m)
Vto	0.6	non	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.71	non	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.97	non	bulk Fermi potential (V)
Kp	150e-6	non	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	non	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	88.0e6	non	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	4.5e6	non	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	0.23	non	depletion length coefficient
Weta	0.05	non	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.28	non	longitudinal critical field
Q0	280e-6	non	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.5e-6	non	characteristic length (m)
Tcv	1.5e-3	non	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.5	non	mobility temperature coefficient
Ucex	1.7	non	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	non	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	non	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	510.0	non	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	non	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	non	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	non	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	non	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	non	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	2e8	non	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.5e8	non	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	non	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-27	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Avto	0.0	non	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	non	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	non	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	non	coeffcient d’émission
Is	1e-14	non	saturation current (A)
Bv	100	non	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	non	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	non	junction potential (V)
Cj0	300e-15	non	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	non	coefficient de gradation
Area	1.0	non	diode relative area
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tt	0.1e-9	non	transit time (s)
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Xpart	0.4	non	charge partition parameter
Tnom	26.85	non	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Epfl-Ekv Pmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	EPFL-EKV PMOS 2.6
Description	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26pMOS
Propriétés	55
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pmos	oui	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	non	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	non	length parameter (m)
W	10e-6	non	Width parameter (m)
Np	1.0	non	parallel multiple device number
Ns	1.0	non	series multiple device number
Cox	3.45e-3	non	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	non	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.03e-6	non	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	non	channel length correction (m)
Vto	-0.55	non	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.69	non	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.87	non	bulk Fermi potential (V)
Kp	35e-6	non	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	non	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	51.0e6	non	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	18.0e6	non	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	1.1	non	depletion length coefficient
Weta	0.0	non	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.45	non	longitudinal critical field
Q0	200e-6	non	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.6e-6	non	characteristic length (m)
Tcv	-1.4e-3	non	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.4	non	mobility temperature coefficient
Ucex	2.0	non	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	non	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	non	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	990.0	non	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	non	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	non	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	non	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	non	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	non	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	0.0	non	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.0e8	non	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	non	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-28	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Avto	0.0	non	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	non	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	non	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	non	coeffcient d’émission
Is	1e-14	non	saturation current (A)
Bv	100	non	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	non	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	non	junction potential (V)
Cj0	300e-15	non	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	non	coefficient de gradation
Area	1.0	non	diode relative area
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tt	0.1e-9	non	transit time (s)
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Xpart	0.4	non	charge partition parameter
Tnom	26.85	non	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Bsim3V34Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	bsim3v34nMOS
Description	bsim3v34nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34nMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34nMOS
Propriétés	408
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L	0.35e-6	non	-
W	5.0e-6	non	-
PS	8.0e-6	non	-
PD	8.0e-6	non	-
AS	12.0e-12	non	-
AD	12.0e-12	non	-
NRS	10.0	non	-
NRD	10.0	non	-
NQSMOD	0	non	-
GMIN	1e-12	non	-
VERSION	3.24	non	-
PARAMCHK	0	non	-
MOBMOD	1	non	-
CAPMOD	3	non	-
NOIMOD	4	non	-
BINUNIT	1	non	-
TOX	150.0e-10	non	-
TOXM	150.0e-10	non	-
CDSC	2.4e-4	non	-
CDSCB	0.0	non	-
CDSCD	0.0	non	-
CIT	0.0	non	-
NFACTOR	1	non	-
XJ	0.15e-6	non	-
VSAT	8.0e4	non	-
AT	3.3e4	non	-
A0	1.0	non	-
AGS	0.0	non	-
A1	0.0	non	-
A2	1.0	non	-
KETA	-0.047	non	-
NSUB	-99.0	non	-
NCH	-99.0	non	-
NGATE	0	non	-
GAMMA1	-99.0	non	-
GAMMA2	-99.0	non	-
VBX	-99.0	non	-
VBM	-3.0	non	-
XT	-99.0	non	-
K1	-99.0	non	-
KT1	-0.11	non	-
KT1L	0.0	non	-
KT2	0.022	non	-
K2	-99.0	non	-
K3	80.0	non	-
K3B	0.0	non	-
W0	2.5e-6	non	-
NLX	1.74e-7	non	-
DVT0	2.2	non	-
DVT1	0.53	non	-
DVT2	-0.032	non	-
DVT0W	0.0	non	-
DVT1W	5.3e6	non	-
DVT2W	-0.032	non	-
DROUT	0.56	non	-
DSUB	0.56	non	-
VTHO	0.7	non	-
VTH0	0.7	non	-
UA	2.25e-9	non	-
UA1	4.31e-9	non	-
UB	5.87e-19	non	-
UB1	-7.61e-18	non	-
UC	-99.0	non	-
UC1	-99.0	non	-
U0	-99.0	non	-
UTE	-1.5	non	-
VOFF	-0.08	non	-
TNOM	26.85	non	-
CGSO	-99.0	non	-
CGDO	-99.0	non	-
CGBO	-99.0	non	-
XPART	0.4	non	-
ELM	5.0	non	-
DELTA	0.01	non	-
RSH	0.0	non	-
RDSW	0	non	-
PRWG	0.0	non	-
PRWB	0.0	non	-
PRT	0.0	non	-
ETA0	0.08	non	-
ETAB	-0.07	non	-
PCLM	1.3	non	-
PDIBLC1	0.39	non	-
PDIBLC2	0.0086	non	-
PDIBLCB	0.0	non	-
PSCBE1	4.24e8	non	-
PSCBE2	1.0e-5	non	-
PVAG	0.0	non	-
JS	1.0E-4	non	-
JSW	0.0	non	-
PB	1.0	non	-
NJ	1.0	non	-
XTI	3.0	non	-
MJ	0.5	non	-
PBSW	1.0	non	-
MJSW	0.33	non	-
PBSWG	1.0	non	-
MJSWG	0.33	non	-
CJ	5.0E-4	non	-
VFBCV	-1.0	non	-
VFB	-99.0	non	-
CJSW	5.0E-10	non	-
CJSWG	5.0e-10	non	-
TPB	0.0	non	-
TCJ	0.0	non	-
TPBSW	0.0	non	-
TCJSW	0.0	non	-
TPBSWG	0.0	non	-
TCJSWG	0.0	non	-
ACDE	1.0	non	-
MOIN	15.0	non	-
NOFF	1.0	non	-
VOFFCV	0.0	non	-
LINT	0.0	non	-
LL	0.0	non	-
LLC	0.0	non	-
LLN	1.0	non	-
LW	0.0	non	-
LWC	0.0	non	-
LWN	1.0	non	-
LWL	0.0	non	-
LWLC	0.0	non	-
LMIN	0.0	non	-
LMAX	1.0	non	-
WR	1.0	non	-
WINT	0.0	non	-
DWG	0.0	non	-
DWB	0.0	non	-
WL	0.0	non	-
WLC	0.0	non	-
WLN	1.0	non	-
WW	0.0	non	-
WWC	0.0	non	-
WWN	1.0	non	-
WWL	0.0	non	-
WWLC	0.0	non	-
WMIN	0.0	non	-
WMAX	1.0	non	-
B0	0.0	non	-
B1	0.0	non	-
CGSL	0.0	non	-
CGDL	0.0	non	-
CKAPPA	0.6	non	-
CF	-99.0	non	-
CLC	0.1e-6	non	-
CLE	0.6	non	-
DWC	0.0	non	-
DLC	-99.0	non	-
ALPHA0	0.0	non	-
ALPHA1	0.0	non	-
BETA0	30.0	non	-
IJTH	0.1	non	-
LCDSC	0.0	non	-
LCDSCB	0.0	non	-
LCDSCD	0.0	non	-
LCIT	0.0	non	-
LNFACTOR	0.0	non	-
LXJ	0.0	non	-
LVSAT	0.0	non	-
LAT	0.0	non	-
LA0	0.0	non	-
LAGS	0.0	non	-
LA1	0.0	non	-
LA2	0.0	non	-
LKETA	0.0	non	-
LNSUB	0.0	non	-
LNCH	0.0	non	-
LNGATE	0.0	non	-
LGAMMA1	-99.0	non	-
LGAMMA2	-99.0	non	-
LVBX	-99.0	non	-
LVBM	0.0	non	-
LXT	0.0	non	-
LK1	-99.0	non	-
LKT1	0.0	non	-
LKT1L	0.0	non	-
LKT2	0.0	non	-
LK2	-99.0	non	-
LK3	0.0	non	-
LK3B	0.0	non	-
LW0	0.0	non	-
LNLX	0.0	non	-
LDVT0	0.0	non	-
LDVT1	0.0	non	-
LDVT2	0.0	non	-
LDVT0W	0.0	non	-
LDVT1W	0.0	non	-
LDVT2W	0.0	non	-
LDROUT	0.0	non	-
LDSUB	0.0	non	-
LVTH0	0.0	non	-
LVTHO	0.0	non	-
LUA	0.0	non	-
LUA1	0.0	non	-
LUB	0.0	non	-
LUB1	0.0	non	-
LUC	0.0	non	-
LUC1	0.0	non	-
LU0	0.0	non	-
LUTE	0.0	non	-
LVOFF	0.0	non	-
LELM	0.0	non	-
LDELTA	0.0	non	-
LRDSW	0.0	non	-
LPRWG	0.0	non	-
LPRWB	0.0	non	-
LPRT	0.0	non	-
LETA0	0.0	non	-
LETAB	0.0	non	-
LPCLM	0.0	non	-
LPDIBLC1	0.0	non	-
LPDIBLC2	0.0	non	-
LPDIBLCB	0.0	non	-
LPSCBE1	0.0	non	-
LPSCBE2	0.0	non	-
LPVAG	0.0	non	-
LWR	0.0	non	-
LDWG	0.0	non	-
LDWB	0.0	non	-
LB0	0.0	non	-
LB1	0.0	non	-
LCGSL	0.0	non	-
LCGDL	0.0	non	-
LCKAPPA	0.0	non	-
LCF	0.0	non	-
LCLC	0.0	non	-
LCLE	0.0	non	-
LALPHA0	0.0	non	-
LALPHA1	0.0	non	-
LBETA0	0.0	non	-
LVFBCV	0.0	non	-
LVFB	0.0	non	-
LACDE	0.0	non	-
LMOIN	0.0	non	-
LNOFF	0.0	non	-
LVOFFCV	0.0	non	-
WCDSC	0.0	non	-
WCDSCB	0.0	non	-
WCDSCD	0.0	non	-
WCIT	0.0	non	-
WNFACTOR	0.0	non	-
WXJ	0.0	non	-
WVSAT	0.0	non	-
WAT	0.0	non	-
WA0	0.0	non	-
WAGS	0.0	non	-
WA1	0.0	non	-
WA2	0.0	non	-
WKETA	0.0	non	-
WNSUB	0.0	non	-
WNCH	0.0	non	-
WNGATE	0.0	non	-
WGAMMA1	-99.0	non	-
WGAMMA2	-99.0	non	-
WVBX	-99.0	non	-
WVBM	0.0	non	-
WXT	0.0	non	-
WK1	-99.0	non	-
WKT1	0.0	non	-
WKT1L	0.0	non	-
WKT2	0.0	non	-
WK2	-99.0	non	-
WK3	0.0	non	-
WK3B	0.0	non	-
WW0	0.0	non	-
WNLX	0.0	non	-
WDVT0	0.0	non	-
WDVT1	0.0	non	-
WDVT2	0.0	non	-
WDVT0W	0.0	non	-
WDVT1W	0.0	non	-
WDVT2W	0.0	non	-
WDROUT	0.0	non	-
WDSUB	0.0	non	-
WVTH0	0.0	non	-
WVTHO	0.0	non	-
WUA	0.0	non	-
WUA1	0.0	non	-
WUB	0.0	non	-
WUB1	0.0	non	-
WUC	0.0	non	-
WUC1	0.0	non	-
WU0	0.0	non	-
WUTE	0.0	non	-
WVOFF	0.0	non	-
WELM	0.0	non	-
WDELTA	0.0	non	-
WRDSW	0.0	non	-
WPRWG	0.0	non	-
WPRWB	0.0	non	-
WPRT	0.0	non	-
WETA0	0.0	non	-
WETAB	0.0	non	-
WPCLM	0.0	non	-
WPDIBLC1	0.0	non	-
WPDIBLC2	0.0	non	-
WPDIBLCB	0.0	non	-
WPSCBE1	0.0	non	-
WPSCBE2	0.0	non	-
WPVAG	0.0	non	-
WWR	0.0	non	-
WDWG	0.0	non	-
WDWB	0.0	non	-
WB0	0.0	non	-
WB1	0.0	non	-
WCGSL	0.0	non	-
WCGDL	0.0	non	-
WCKAPPA	0.0	non	-
WCF	0.0	non	-
WCLC	0.0	non	-
WCLE	0.0	non	-
WALPHA0	0.0	non	-
WALPHA1	0.0	non	-
WBETA0	0.0	non	-
WVFBCV	0.0	non	-
WVFB	0.0	non	-
WACDE	0.0	non	-
WMOIN	0.0	non	-
WNOFF	0.0	non	-
WVOFFCV	0.0	non	-
PCDSC	0.0	non	-
PCDSCB	0.0	non	-
PCDSCD	0.0	non	-
PCIT	0.0	non	-
PNFACTOR	0.0	non	-
PXJ	0.0	non	-
PVSAT	0.0	non	-
PAT	0.0	non	-
PA0	0.0	non	-
PAGS	0.0	non	-
PA1	0.0	non	-
PA2	0.0	non	-
PKETA	0.0	non	-
PNSUB	0.0	non	-
PNCH	0.0	non	-
PNGATE	0.0	non	-
PGAMMA1	-99.0	non	-
PGAMMA2	-99.0	non	-
PVBX	-99.0	non	-
PVBM	0.0	non	-
PXT	0.0	non	-
PK1	-99.0	non	-
PKT1	0.0	non	-
PKT1L	0.0	non	-
PKT2	0.0	non	-
PK2	-99.0	non	-
PK3	0.0	non	-
PK3B	0.0	non	-
PW0	0.0	non	-
PNLX	0.0	non	-
PDVT0	0.0	non	-
PDVT1	0.0	non	-
PDVT2	0.0	non	-
PDVT0W	0.0	non	-
PDVT1W	0.0	non	-
PDVT2W	0.0	non	-
PDROUT	0.0	non	-
PDSUB	0.0	non	-
PVTH0	0.0	non	-
PVTHO	0.0	non	-
PUA	0.0	non	-
PUA1	0.0	non	-
PUB	0.0	non	-
PUB1	0.0	non	-
PUC	0.0	non	-
PUC1	0.0	non	-
PU0	0.0	non	-
PUTE	0.0	non	-
PVOFF	0.0	non	-
PELM	0.0	non	-
PDELTA	0.0	non	-
PRDSW	0.0	non	-
PPRWG	0.0	non	-
PPRWB	0.0	non	-
PPRT	0.0	non	-
PETA0	0.0	non	-
PETAB	0.0	non	-
PPCLM	0.0	non	-
PPDIBLC1	0.0	non	-
PPDIBLC2	0.0	non	-
PPDIBLCB	0.0	non	-
PPSCBE1	0.0	non	-
PPSCBE2	0.0	non	-
PPVAG	0.0	non	-
PWR	0.0	non	-
PDWG	0.0	non	-
PDWB	0.0	non	-
PB0	0.0	non	-
PB1	0.0	non	-
PCGSL	0.0	non	-
PCGDL	0.0	non	-
PCKAPPA	0.0	non	-
PCF	0.0	non	-
PCLC	0.0	non	-
PCLE	0.0	non	-
PALPHA0	0.0	non	-
PALPHA1	0.0	non	-
PBETA0	0.0	non	-
PVFBCV	0.0	non	-
PVFB	0.0	non	-
PACDE	0.0	non	-
PMOIN	0.0	non	-
PNOFF	0.0	non	-
PVOFFCV	0.0	non	-
KF	0.0	non	-
AF	1.0	non	-
EF	1.0	non	-
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Bsim3V34Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	bsim3v34pMOS
Description	bsim3v34pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34pMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34pMOS
Propriétés	408
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
L	3.5e-6	non	-
W	5.0e-6	non	-
PS	8.0e-6	non	-
PD	8.0e-6	non	-
AS	12.0e-12	non	-
AD	12.0e-12	non	-
NRS	10.0	non	-
NRD	10.0	non	-
NQSMOD	0	non	-
GMIN	1e-12	non	-
VERSION	3.24	non	-
PARAMCHK	0	non	-
MOBMOD	1	non	-
CAPMOD	3	non	-
NOIMOD	4	non	-
BINUNIT	1	non	-
TOX	150.0e-10	non	-
TOXM	150.0e-10	non	-
CDSC	2.4e-4	non	-
CDSCB	0.0	non	-
CDSCD	0.0	non	-
CIT	0.0	non	-
NFACTOR	1	non	-
XJ	0.15e-6	non	-
VSAT	8.0e4	non	-
AT	3.3e4	non	-
A0	1.0	non	-
AGS	0.0	non	-
A1	0.0	non	-
A2	1.0	non	-
KETA	-0.047	non	-
NSUB	-99.0	non	-
NCH	-99.0	non	-
NGATE	0	non	-
GAMMA1	-99.0	non	-
GAMMA2	-99.0	non	-
VBX	-99.0	non	-
VBM	-3.0	non	-
XT	-99.0	non	-
K1	-99.0	non	-
KT1	-0.11	non	-
KT1L	0.0	non	-
KT2	0.022	non	-
K2	-99.0	non	-
K3	80.0	non	-
K3B	0.0	non	-
W0	2.5e-6	non	-
NLX	1.74e-7	non	-
DVT0	2.2	non	-
DVT1	0.53	non	-
DVT2	-0.032	non	-
DVT0W	0.0	non	-
DVT1W	5.3e6	non	-
DVT2W	-0.032	non	-
DROUT	0.56	non	-
DSUB	0.56	non	-
VTHO	-0.7	non	-
VTH0	-0.7	non	-
UA	2.25e-9	non	-
UA1	4.31e-9	non	-
UB	5.87e-19	non	-
UB1	-7.61e-18	non	-
UC	-99.0	non	-
UC1	-99.0	non	-
U0	-99.0	non	-
UTE	-1.5	non	-
VOFF	-0.08	non	-
TNOM	26.85	non	-
CGSO	-99.0	non	-
CGDO	-99.0	non	-
CGBO	-99.0	non	-
XPART	0.4	non	-
ELM	5.0	non	-
DELTA	0.01	non	-
RSH	0.0	non	-
RDSW	0	non	-
PRWG	0.0	non	-
PRWB	0.0	non	-
PRT	0.0	non	-
ETA0	0.08	non	-
ETAB	-0.07	non	-
PCLM	1.3	non	-
PDIBLC1	0.39	non	-
PDIBLC2	0.0086	non	-
PDIBLCB	0.0	non	-
PSCBE1	4.24e8	non	-
PSCBE2	1.0e-5	non	-
PVAG	0.0	non	-
JS	1.0E-4	non	-
JSW	0.0	non	-
PB	1.0	non	-
NJ	1.0	non	-
XTI	3.0	non	-
MJ	0.5	non	-
PBSW	1.0	non	-
MJSW	0.33	non	-
PBSWG	1.0	non	-
MJSWG	0.33	non	-
CJ	5.0E-4	non	-
VFBCV	-1.0	non	-
VFB	-99.0	non	-
CJSW	5.0E-10	non	-
CJSWG	5.0e-10	non	-
TPB	0.0	non	-
TCJ	0.0	non	-
TPBSW	0.0	non	-
TCJSW	0.0	non	-
TPBSWG	0.0	non	-
TCJSWG	0.0	non	-
ACDE	1.0	non	-
MOIN	15.0	non	-
NOFF	1.0	non	-
VOFFCV	0.0	non	-
LINT	0.0	non	-
LL	0.0	non	-
LLC	0.0	non	-
LLN	1.0	non	-
LW	0.0	non	-
LWC	0.0	non	-
LWN	1.0	non	-
LWL	0.0	non	-
LWLC	0.0	non	-
LMIN	0.0	non	-
LMAX	1.0	non	-
WR	1.0	non	-
WINT	0.0	non	-
DWG	0.0	non	-
DWB	0.0	non	-
WL	0.0	non	-
WLC	0.0	non	-
WLN	1.0	non	-
WW	0.0	non	-
WWC	0.0	non	-
WWN	1.0	non	-
WWL	0.0	non	-
WWLC	0.0	non	-
WMIN	0.0	non	-
WMAX	1.0	non	-
B0	0.0	non	-
B1	0.0	non	-
CGSL	0.0	non	-
CGDL	0.0	non	-
CKAPPA	0.6	non	-
CF	-99.0	non	-
CLC	0.1e-6	non	-
CLE	0.6	non	-
DWC	0.0	non	-
DLC	-99.0	non	-
ALPHA0	0.0	non	-
ALPHA1	0.0	non	-
BETA0	30.0	non	-
IJTH	0.1	non	-
LCDSC	0.0	non	-
LCDSCB	0.0	non	-
LCDSCD	0.0	non	-
LCIT	0.0	non	-
LNFACTOR	0.0	non	-
LXJ	0.0	non	-
LVSAT	0.0	non	-
LAT	0.0	non	-
LA0	0.0	non	-
LAGS	0.0	non	-
LA1	0.0	non	-
LA2	0.0	non	-
LKETA	0.0	non	-
LNSUB	0.0	non	-
LNCH	0.0	non	-
LNGATE	0.0	non	-
LGAMMA1	-99.0	non	-
LGAMMA2	-99.0	non	-
LVBX	-99.0	non	-
LVBM	0.0	non	-
LXT	0.0	non	-
LK1	-99.0	non	-
LKT1	0.0	non	-
LKT1L	0.0	non	-
LKT2	0.0	non	-
LK2	-99.0	non	-
LK3	0.0	non	-
LK3B	0.0	non	-
LW0	0.0	non	-
LNLX	0.0	non	-
LDVT0	0.0	non	-
LDVT1	0.0	non	-
LDVT2	0.0	non	-
LDVT0W	0.0	non	-
LDVT1W	0.0	non	-
LDVT2W	0.0	non	-
LDROUT	0.0	non	-
LDSUB	0.0	non	-
LVTH0	0.0	non	-
LVTHO	0.0	non	-
LUA	0.0	non	-
LUA1	0.0	non	-
LUB	0.0	non	-
LUB1	0.0	non	-
LUC	0.0	non	-
LUC1	0.0	non	-
LU0	0.0	non	-
LUTE	0.0	non	-
LVOFF	0.0	non	-
LELM	0.0	non	-
LDELTA	0.0	non	-
LRDSW	0.0	non	-
LPRWG	0.0	non	-
LPRWB	0.0	non	-
LPRT	0.0	non	-
LETA0	0.0	non	-
LETAB	0.0	non	-
LPCLM	0.0	non	-
LPDIBLC1	0.0	non	-
LPDIBLC2	0.0	non	-
LPDIBLCB	0.0	non	-
LPSCBE1	0.0	non	-
LPSCBE2	0.0	non	-
LPVAG	0.0	non	-
LWR	0.0	non	-
LDWG	0.0	non	-
LDWB	0.0	non	-
LB0	0.0	non	-
LB1	0.0	non	-
LCGSL	0.0	non	-
LCGDL	0.0	non	-
LCKAPPA	0.0	non	-
LCF	0.0	non	-
LCLC	0.0	non	-
LCLE	0.0	non	-
LALPHA0	0.0	non	-
LALPHA1	0.0	non	-
LBETA0	0.0	non	-
LVFBCV	0.0	non	-
LVFB	0.0	non	-
LACDE	0.0	non	-
LMOIN	0.0	non	-
LNOFF	0.0	non	-
LVOFFCV	0.0	non	-
WCDSC	0.0	non	-
WCDSCB	0.0	non	-
WCDSCD	0.0	non	-
WCIT	0.0	non	-
WNFACTOR	0.0	non	-
WXJ	0.0	non	-
WVSAT	0.0	non	-
WAT	0.0	non	-
WA0	0.0	non	-
WAGS	0.0	non	-
WA1	0.0	non	-
WA2	0.0	non	-
WKETA	0.0	non	-
WNSUB	0.0	non	-
WNCH	0.0	non	-
WNGATE	0.0	non	-
WGAMMA1	-99.0	non	-
WGAMMA2	-99.0	non	-
WVBX	-99.0	non	-
WVBM	0.0	non	-
WXT	0.0	non	-
WK1	-99.0	non	-
WKT1	0.0	non	-
WKT1L	0.0	non	-
WKT2	0.0	non	-
WK2	-99.0	non	-
WK3	0.0	non	-
WK3B	0.0	non	-
WW0	0.0	non	-
WNLX	0.0	non	-
WDVT0	0.0	non	-
WDVT1	0.0	non	-
WDVT2	0.0	non	-
WDVT0W	0.0	non	-
WDVT1W	0.0	non	-
WDVT2W	0.0	non	-
WDROUT	0.0	non	-
WDSUB	0.0	non	-
WVTH0	0.0	non	-
WVTHO	0.0	non	-
WUA	0.0	non	-
WUA1	0.0	non	-
WUB	0.0	non	-
WUB1	0.0	non	-
WUC	0.0	non	-
WUC1	0.0	non	-
WU0	0.0	non	-
WUTE	0.0	non	-
WVOFF	0.0	non	-
WELM	0.0	non	-
WDELTA	0.0	non	-
WRDSW	0.0	non	-
WPRWG	0.0	non	-
WPRWB	0.0	non	-
WPRT	0.0	non	-
WETA0	0.0	non	-
WETAB	0.0	non	-
WPCLM	0.0	non	-
WPDIBLC1	0.0	non	-
WPDIBLC2	0.0	non	-
WPDIBLCB	0.0	non	-
WPSCBE1	0.0	non	-
WPSCBE2	0.0	non	-
WPVAG	0.0	non	-
WWR	0.0	non	-
WDWG	0.0	non	-
WDWB	0.0	non	-
WB0	0.0	non	-
WB1	0.0	non	-
WCGSL	0.0	non	-
WCGDL	0.0	non	-
WCKAPPA	0.0	non	-
WCF	0.0	non	-
WCLC	0.0	non	-
WCLE	0.0	non	-
WALPHA0	0.0	non	-
WALPHA1	0.0	non	-
WBETA0	0.0	non	-
WVFBCV	0.0	non	-
WVFB	0.0	non	-
WACDE	0.0	non	-
WMOIN	0.0	non	-
WNOFF	0.0	non	-
WVOFFCV	0.0	non	-
PCDSC	0.0	non	-
PCDSCB	0.0	non	-
PCDSCD	0.0	non	-
PCIT	0.0	non	-
PNFACTOR	0.0	non	-
PXJ	0.0	non	-
PVSAT	0.0	non	-
PAT	0.0	non	-
PA0	0.0	non	-
PAGS	0.0	non	-
PA1	0.0	non	-
PA2	0.0	non	-
PKETA	0.0	non	-
PNSUB	0.0	non	-
PNCH	0.0	non	-
PNGATE	0.0	non	-
PGAMMA1	-99.0	non	-
PGAMMA2	-99.0	non	-
PVBX	-99.0	non	-
PVBM	0.0	non	-
PXT	0.0	non	-
PK1	-99.0	non	-
PKT1	0.0	non	-
PKT1L	0.0	non	-
PKT2	0.0	non	-
PK2	-99.0	non	-
PK3	0.0	non	-
PK3B	0.0	non	-
PW0	0.0	non	-
PNLX	0.0	non	-
PDVT0	0.0	non	-
PDVT1	0.0	non	-
PDVT2	0.0	non	-
PDVT0W	0.0	non	-
PDVT1W	0.0	non	-
PDVT2W	0.0	non	-
PDROUT	0.0	non	-
PDSUB	0.0	non	-
PVTH0	0.0	non	-
PVTHO	0.0	non	-
PUA	0.0	non	-
PUA1	0.0	non	-
PUB	0.0	non	-
PUB1	0.0	non	-
PUC	0.0	non	-
PUC1	0.0	non	-
PU0	0.0	non	-
PUTE	0.0	non	-
PVOFF	0.0	non	-
PELM	0.0	non	-
PDELTA	0.0	non	-
PRDSW	0.0	non	-
PPRWG	0.0	non	-
PPRWB	0.0	non	-
PPRT	0.0	non	-
PETA0	0.0	non	-
PETAB	0.0	non	-
PPCLM	0.0	non	-
PPDIBLC1	0.0	non	-
PPDIBLC2	0.0	non	-
PPDIBLCB	0.0	non	-
PPSCBE1	0.0	non	-
PPSCBE2	0.0	non	-
PPVAG	0.0	non	-
PWR	0.0	non	-
PDWG	0.0	non	-
PDWB	0.0	non	-
PB0	0.0	non	-
PB1	0.0	non	-
PCGSL	0.0	non	-
PCGDL	0.0	non	-
PCKAPPA	0.0	non	-
PCF	0.0	non	-
PCLC	0.0	non	-
PCLE	0.0	non	-
PALPHA0	0.0	non	-
PALPHA1	0.0	non	-
PBETA0	0.0	non	-
PVFBCV	0.0	non	-
PVFB	0.0	non	-
PACDE	0.0	non	-
PMOIN	0.0	non	-
PNOFF	0.0	non	-
PVOFFCV	0.0	non	-
KF	0.0	non	-
AF	1.0	non	-
EF	1.0	non	-
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Bsim4V30Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	bsim4v30nMOS
Description	bsim4v30nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30nMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30nMOS
Propriétés	278
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
GMIN	1e-12	non	-
PS	12e-6	non	-
PD	12e-6	non	-
AS	12e-12	non	-
AD	12e-12	non	-
CGBO	-99.0	non	-
CGDO	-99.0	non	-
CGSO	-99.0	non	-
L	3e-6	non	-
W	6e-6	non	-
MOBMOD	-99.0	non	-
RDSMOD	-99.0	non	-
IGCMOD	0	non	-
IGBMOD	0	non	-
CAPMOD	2	non	-
RGATEMOD	2	non	-
RBODYMOD	0	non	-
DIOMOD	1	non	-
TEMPMOD	-99.0	non	-
GEOMOD	0	non	-
RGEOMOD	0	non	-
PERMOD	1	non	-
TNOIMOD	0	non	-
FNOIMOD	0	non	-
EPSROX	3.9	non	-
TOXE	-99.0	non	-
TOXP	-99.0	non	-
TOXM	-99.0	non	-
DTOX	0.0	non	-
XJ	1.5e-7	non	-
GAMMA1	-99.0	non	-
GAMMA2	-99.0	non	-
NDEP	-99.0	non	-
NSUB	6.0e16	non	-
NGATE	0.0	non	-
NSD	1.0e20	non	-
VBX	-99.0	non	-
XT	1.55e-7	non	-
RSH	0.0	non	-
RSHG	0.0	non	-
VTH0	0.6	non	-
VFB	-99.0	non	-
PHIN	0.0	non	-
K1	-99.0	non	-
K2	-99.0	non	-
K3	80.0	non	-
K3B	0.0	non	-
W0	2.5e-6	non	-
LPE0	1.74e-7	non	-
LPEB	0.0	non	-
VBM	-3.0	non	-
DVT0	2.2	non	-
DVT1	0.53	non	-
DVT2	-0.032	non	-
DVTP0	0.0	non	-
DVTP1	0.0	non	-
DVT0W	0.0	non	-
DVT1W	5.3e6	non	-
DVT2W	-0.032	non	-
U0	-99.0	non	-
UA	-99.0	non	-
UB	1.0e-19	non	-
UC	-99.0	non	-
EU	-99.0	non	-
VSAT	8.0e4	non	-
A0	1.0	non	-
AGS	0.0	non	-
B0	0.0	non	-
B1	0.0	non	-
KETA	-0.047	non	-
A1	0.0	non	-
A2	1.0	non	-
WINT	0.0	non	-
LINT	0.0	non	-
DWG	0.0	non	-
DWB	0.0	non	-
VOFF	-0.08	non	-
VOFFL	0.0	non	-
MINV	0.0	non	-
NFACTOR	1.0	non	-
ETA0	0.08	non	-
ETAB	-0.07	non	-
DROUT	0.56	non	-
DSUB	0.56	non	-
CIT	0.0	non	-
CDSC	2.4e-4	non	-
CDSCB	0.0	non	-
CDSCD	0.0	non	-
PCLM	1.3	non	-
PDIBL1	0.39	non	-
PDIBL2	0.0086	non	-
PDIBLB	0.0	non	-
PSCBE1	4.24e8	non	-
PSCBE2	1.0e-5	non	-
PVAG	0.0	non	-
DELTA	0.01	non	-
FPROUT	0.0	non	-
PDITS	0.0	non	-
PDITSD	0.0	non	-
PDITSL	0.0	non	-
LAMBDA	-99.0	non	-
VTL	-99.0	non	-
LC	5.0e-9	non	-
XN	3.0	non	-
RDSW	200.0	non	-
RDSWMIN	0.0	non	-
RDW	100.0	non	-
RDWMIN	0.0	non	-
RSW	100.0	non	-
RSWMIN	0.0	non	-
PRWG	1.0	non	-
PRWB	0.0	non	-
WR	1.0	non	-
NRS	-99.0	non	-
NRD	-99.0	non	-
ALPHA0	0.0	non	-
ALPHA1	0.0	non	-
BETA0	30.0	non	-
AGIDL	0.0	non	-
BGIDL	2.3e9	non	-
CGIDL	0.5	non	-
EGIDL	0.8	non	-
AIGBACC	0.43	non	-
BIGBACC	0.054	non	-
CIGBACC	0.075	non	-
NIGBACC	1.0	non	-
AIGBINV	0.35	non	-
BIGBINV	0.03	non	-
CIGBINV	0.006	non	-
EIGBINV	1.1	non	-
NIGBINV	3.0	non	-
AIGC	-99.0	non	-
BIGC	-99.0	non	-
CIGC	-99.0	non	-
AIGSD	-99.0	non	-
BIGSD	-99.0	non	-
CIGSD	-99.0	non	-
DLCIG	0.0	non	-
NIGC	1.0	non	-
POXEDGE	1.0	non	-
PIGCD	1.0	non	-
NTOX	1.0	non	-
TOXREF	3.0e-9	non	-
XPART	0.4	non	-
CGS0	0.0	non	-
CGD0	0.0	non	-
CGB0	0.0	non	-
CGSL	0.0	non	-
CGDL	0.0	non	-
CKAPPAS	0.6	non	-
CKAPPAD	0.6	non	-
CF	-99.0	non	-
CLC	1.0e-7	non	-
CLE	0.6	non	-
DLC	0.0	non	-
DWC	0.0	non	-
VFBCV	-1.0	non	-
NOFF	1.0	non	-
VOFFCV	0.0	non	-
ACDE	1.0	non	-
MOIN	15.0	non	-
XRCRG1	12.0	non	-
XRCRG2	1.0	non	-
RBPB	50.0	non	-
RBPD	50.0	non	-
RBPS	50.0	non	-
RBDB	50.0	non	-
RBSB	50.0	non	-
GBMIN	1.0e-12	non	-
DMCG	0.0	non	-
DMCI	0.0	non	-
DMDG	0.0	non	-
DMCGT	0.0	non	-
NF	1.0	non	-
DWJ	0.0	non	-
MIN	0.0	non	-
XGW	0.0	non	-
XGL	0.0	non	-
XL	0.0	non	-
XW	0.0	non	-
NGCON	1.0	non	-
IJTHSREV	0.1	non	-
IJTHDREV	0.1	non	-
IJTHSFWD	0.1	non	-
IJTHDFWD	0.1	non	-
XJBVS	1.0	non	-
XJBVD	1.0	non	-
BVS	10.0	non	-
BVD	10.0	non	-
JSS	1.0e-4	non	-
JSD	1.0e-4	non	-
JSWS	0.0	non	-
JSWD	0.0	non	-
JSWGS	0.0	non	-
JSWGD	0.0	non	-
CJS	5.0e-4	non	-
CJD	5.0e-4	non	-
MJS	0.5	non	-
MJD	0.5	non	-
MJSWS	0.33	non	-
MJSWD	0.33	non	-
CJSWS	5.0e-10	non	-
CJSWD	5.0e-10	non	-
CJSWGS	5.0e-10	non	-
CJSWGD	5.0e-10	non	-
MJSWGS	0.33	non	-
MJSWGD	0.33	non	-
PBS	1.0	non	-
PBD	1.0	non	-
PBSWS	1.0	non	-
PBSWD	1.0	non	-
PBSWGS	1.0	non	-
PBSWGD	1.0	non	-
TNOM	27	non	-
UTE	-1.5	non	-
KT1	-0.11	non	-
KT1L	0.0	non	-
KT2	0.022	non	-
UA1	1.0e-9	non	-
UB1	-1.0e-18	non	-
UC1	-99.0	non	-
AT	3.3e4	non	-
PRT	0.0	non	-
NJS	1.0	non	-
NJD	1.0	non	-
XTIS	3.0	non	-
XTID	3.0	non	-
TPB	0.0	non	-
TPBSW	0.0	non	-
TPBSWG	0.0	non	-
TCJ	0.0	non	-
TCJSW	0.0	non	-
TCJSWG	0.0	non	-
SA	0.0	non	-
SB	0.0	non	-
SD	0.0	non	-
SAREF	1e-6	non	-
SBREF	1e-6	non	-
WLOD	0.0	non	-
KU0	0.0	non	-
KVSAT	0.0	non	-
TKU0	0.0	non	-
LKU0	0.0	non	-
WKU0	0.0	non	-
PKU0	0.0	non	-
LLODKU0	0.0	non	-
WLODKU0	0.0	non	-
KVTH0	0.0	non	-
LKVTH0	0.0	non	-
WKVTH0	0.0	non	-
PKVTH0	0.0	non	-
LLODVTH	0.0	non	-
WLODVTH	0.0	non	-
STK2	0.0	non	-
LODK2	1.0	non	-
STETA0	0.0	non	-
LODETA0	1.0	non	-
WL	0.0	non	-
WLN	1.0	non	-
WW	0.0	non	-
WWN	1.0	non	-
WWL	0.0	non	-
LL	0.0	non	-
LLN	1.0	non	-
LW	0.0	non	-
LWN	1.0	non	-
LWL	0.0	non	-
LLC	0.0	non	-
LWC	0.0	non	-
LWLC	0.0	non	-
WLC	0.0	non	-
WWC	0.0	non	-
WWLC	0.0	non	-
NTNOI	1.0	non	-
KF	0.0	non	-
AF	1.0	non	-
EF	1.0	non	-
TEMP	27	non	-

Bsim4V30Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	bsim4v30pMOS
Description	bsim4v30pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30pMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30pMOS
Propriétés	278
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
GMIN	1e-12	non	-
PS	12e-6	non	-
PD	12e-6	non	-
AS	12e-12	non	-
AD	12e-12	non	-
CGBO	-99.0	non	-
CGDO	-99.0	non	-
CGSO	-99.0	non	-
L	3e-6	non	-
W	6e-6	non	-
MOBMOD	-99.0	non	-
RDSMOD	-99.0	non	-
IGCMOD	0	non	-
IGBMOD	0	non	-
CAPMOD	2	non	-
RGATEMOD	2	non	-
RBODYMOD	0	non	-
DIOMOD	1	non	-
TEMPMOD	-99.0	non	-
GEOMOD	0	non	-
RGEOMOD	0	non	-
PERMOD	1	non	-
TNOIMOD	0	non	-
FNOIMOD	0	non	-
EPSROX	3.9	non	-
TOXE	-99.0	non	-
TOXP	-99.0	non	-
TOXM	-99.0	non	-
DTOX	0.0	non	-
XJ	1.5e-7	non	-
GAMMA1	-99.0	non	-
GAMMA2	-99.0	non	-
NDEP	-99.0	non	-
NSUB	6.0e16	non	-
NGATE	0.0	non	-
NSD	1.0e20	non	-
VBX	-99.0	non	-
XT	1.55e-7	non	-
RSH	0.0	non	-
RSHG	0.0	non	-
VTH0	-0.6	non	-
VFB	-99.0	non	-
PHIN	0.0	non	-
K1	-99.0	non	-
K2	-99.0	non	-
K3	80.0	non	-
K3B	0.0	non	-
W0	2.5e-6	non	-
LPE0	1.74e-7	non	-
LPEB	0.0	non	-
VBM	-3.0	non	-
DVT0	2.2	non	-
DVT1	0.53	non	-
DVT2	-0.032	non	-
DVTP0	0.0	non	-
DVTP1	0.0	non	-
DVT0W	0.0	non	-
DVT1W	5.3e6	non	-
DVT2W	-0.032	non	-
U0	-99.0	non	-
UA	-99.0	non	-
UB	1.0e-19	non	-
UC	-99.0	non	-
EU	-99.0	non	-
VSAT	8.0e4	non	-
A0	1.0	non	-
AGS	0.0	non	-
B0	0.0	non	-
B1	0.0	non	-
KETA	-0.047	non	-
A1	0.0	non	-
A2	1.0	non	-
WINT	0.0	non	-
LINT	0.0	non	-
DWG	0.0	non	-
DWB	0.0	non	-
VOFF	-0.08	non	-
VOFFL	0.0	non	-
MINV	0.0	non	-
NFACTOR	1.0	non	-
ETA0	0.08	non	-
ETAB	-0.07	non	-
DROUT	0.56	non	-
DSUB	0.56	non	-
CIT	0.0	non	-
CDSC	2.4e-4	non	-
CDSCB	0.0	non	-
CDSCD	0.0	non	-
PCLM	1.3	non	-
PDIBL1	0.39	non	-
PDIBL2	0.0086	non	-
PDIBLB	0.0	non	-
PSCBE1	4.24e8	non	-
PSCBE2	1.0e-5	non	-
PVAG	0.0	non	-
DELTA	0.01	non	-
FPROUT	0.0	non	-
PDITS	0.0	non	-
PDITSD	0.0	non	-
PDITSL	0.0	non	-
LAMBDA	-99.0	non	-
VTL	-99.0	non	-
LC	5.0e-9	non	-
XN	3.0	non	-
RDSW	200.0	non	-
RDSWMIN	0.0	non	-
RDW	100.0	non	-
RDWMIN	0.0	non	-
RSW	100.0	non	-
RSWMIN	0.0	non	-
PRWG	1.0	non	-
PRWB	0.0	non	-
WR	1.0	non	-
NRS	-99.0	non	-
NRD	-99.0	non	-
ALPHA0	0.0	non	-
ALPHA1	0.0	non	-
BETA0	30.0	non	-
AGIDL	0.0	non	-
BGIDL	2.3e9	non	-
CGIDL	0.5	non	-
EGIDL	0.8	non	-
AIGBACC	0.43	non	-
BIGBACC	0.054	non	-
CIGBACC	0.075	non	-
NIGBACC	1.0	non	-
AIGBINV	0.35	non	-
BIGBINV	0.03	non	-
CIGBINV	0.006	non	-
EIGBINV	1.1	non	-
NIGBINV	3.0	non	-
AIGC	-99.0	non	-
BIGC	-99.0	non	-
CIGC	-99.0	non	-
AIGSD	-99.0	non	-
BIGSD	-99.0	non	-
CIGSD	-99.0	non	-
DLCIG	0.0	non	-
NIGC	1.0	non	-
POXEDGE	1.0	non	-
PIGCD	1.0	non	-
NTOX	1.0	non	-
TOXREF	3.0e-9	non	-
XPART	0.4	non	-
CGS0	0.0	non	-
CGD0	0.0	non	-
CGB0	0.0	non	-
CGSL	0.0	non	-
CGDL	0.0	non	-
CKAPPAS	0.6	non	-
CKAPPAD	0.6	non	-
CF	-99.0	non	-
CLC	1.0e-7	non	-
CLE	0.6	non	-
DLC	0.0	non	-
DWC	0.0	non	-
VFBCV	-1.0	non	-
NOFF	1.0	non	-
VOFFCV	0.0	non	-
ACDE	1.0	non	-
MOIN	15.0	non	-
XRCRG1	12.0	non	-
XRCRG2	1.0	non	-
RBPB	50.0	non	-
RBPD	50.0	non	-
RBPS	50.0	non	-
RBDB	50.0	non	-
RBSB	50.0	non	-
GBMIN	1.0e-12	non	-
DMCG	0.0	non	-
DMCI	0.0	non	-
DMDG	0.0	non	-
DMCGT	0.0	non	-
NF	1.0	non	-
DWJ	0.0	non	-
MIN	0.0	non	-
XGW	0.0	non	-
XGL	0.0	non	-
XL	0.0	non	-
XW	0.0	non	-
NGCON	1.0	non	-
IJTHSREV	0.1	non	-
IJTHDREV	0.1	non	-
IJTHSFWD	0.1	non	-
IJTHDFWD	0.1	non	-
XJBVS	1.0	non	-
XJBVD	1.0	non	-
BVS	10.0	non	-
BVD	10.0	non	-
JSS	1.0e-4	non	-
JSD	1.0e-4	non	-
JSWS	0.0	non	-
JSWD	0.0	non	-
JSWGS	0.0	non	-
JSWGD	0.0	non	-
CJS	5.0e-4	non	-
CJD	5.0e-4	non	-
MJS	0.5	non	-
MJD	0.5	non	-
MJSWS	0.33	non	-
MJSWD	0.33	non	-
CJSWS	5.0e-10	non	-
CJSWD	5.0e-10	non	-
CJSWGS	5.0e-10	non	-
CJSWGD	5.0e-10	non	-
MJSWGS	0.33	non	-
MJSWGD	0.33	non	-
PBS	1.0	non	-
PBD	1.0	non	-
PBSWS	1.0	non	-
PBSWD	1.0	non	-
PBSWGS	1.0	non	-
PBSWGD	1.0	non	-
TNOM	27	non	-
UTE	-1.5	non	-
KT1	-0.11	non	-
KT1L	0.0	non	-
KT2	0.022	non	-
UA1	1.0e-9	non	-
UB1	-1.0e-18	non	-
UC1	-99.0	non	-
AT	3.3e4	non	-
PRT	0.0	non	-
NJS	1.0	non	-
NJD	1.0	non	-
XTIS	3.0	non	-
XTID	3.0	non	-
TPB	0.0	non	-
TPBSW	0.0	non	-
TPBSWG	0.0	non	-
TCJ	0.0	non	-
TCJSW	0.0	non	-
TCJSWG	0.0	non	-
SA	0.0	non	-
SB	0.0	non	-
SD	0.0	non	-
SAREF	1e-6	non	-
SBREF	1e-6	non	-
WLOD	0.0	non	-
KU0	0.0	non	-
KVSAT	0.0	non	-
TKU0	0.0	non	-
LKU0	0.0	non	-
WKU0	0.0	non	-
PKU0	0.0	non	-
LLODKU0	0.0	non	-
WLODKU0	0.0	non	-
KVTH0	0.0	non	-
LKVTH0	0.0	non	-
WKVTH0	0.0	non	-
PKVTH0	0.0	non	-
LLODVTH	0.0	non	-
WLODVTH	0.0	non	-
STK2	0.0	non	-
LODK2	1.0	non	-
STETA0	0.0	non	-
LODETA0	1.0	non	-
WL	0.0	non	-
WLN	1.0	non	-
WW	0.0	non	-
WWN	1.0	non	-
WWL	0.0	non	-
LL	0.0	non	-
LLN	1.0	non	-
LW	0.0	non	-
LWN	1.0	non	-
LWL	0.0	non	-
LLC	0.0	non	-
LWC	0.0	non	-
LWLC	0.0	non	-
WLC	0.0	non	-
WWC	0.0	non	-
WWLC	0.0	non	-
NTNOI	1.0	non	-
KF	0.0	non	-
AF	1.0	non	-
EF	1.0	non	-
TEMP	27	non	-

Npn Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	npn HICUM L0 v1.2
Description	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriétés	94
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	npn	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	non	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	non	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	non	high-injection correction factor
ahq	0	non	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	non	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	non	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	non	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	non	TC of iqf
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	non	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Pnp Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	pnp HICUM L0 v1.2
Description	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriétés	94
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pnp	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	non	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	non	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	non	high-injection correction factor
ahq	0	non	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	non	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	non	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	non	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	non	TC of iqf
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	non	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Npn Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	npn HICUM L0 v1.2g
Description	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriétés	99
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	npn	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	non	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	non	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	non	high-injection roll-off current
ahq	0.0	non	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	non	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	non	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	non	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100.0	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100.0	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100.0	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	non	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	non	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	non	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	non	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	non	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	non	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	non	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Pnp Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	pnp HICUM L0 v1.2g
Description	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriétés	99
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pnp	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	non	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	non	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	non	high-injection roll-off current
ahq	0.0	non	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	non	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	non	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	non	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100.0	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100.0	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100.0	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	non	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	non	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	non	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	non	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	non	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	non	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	non	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Npn Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	npn HICUM L0 v1.3
Description	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriétés	102
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	npn	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	non	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	non	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	non	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	non	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	non	high-injection correction factor
ahq	0	non	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	non	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	non	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	non	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	non	TC of iqf
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	non	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	non	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	non	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	non	TC of AVER
dvgbe	0.0	non	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	non	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	non	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Pnp Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	pnp HICUM L0 v1.3
Description	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriétés	102
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	pnp	oui	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	non	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	non	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	non	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	non	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	non	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	non	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	non	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	non	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	non	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	non	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	non	high-injection correction factor
ahq	0	non	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	non	BE saturation current (A)
mbe	1.0	non	BE non-ideality factor
ires	0.0	non	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	non	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	non	BC saturation current (A)
mbc	1.0	non	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	non	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	non	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	non	BE exponent factor
aje	2.5	non	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	non	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	non	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	non	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	non	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	non	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	non	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	non	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	non	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	non	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	non	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	non	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	non	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	non	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	non	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	non	BC exponent factor
vptci	100	non	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	non	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	non	External BC exponent factor
vptcx	100	non	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	non	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	non	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	non	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	non	Geometry factor
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	non	SC saturation current (A)
msc	1.0	non	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	non	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	non	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	non	External SC exponent factor
vpts	100	non	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	non	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	non	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	non	Exponent factor
kavl	0.0	non	Prefactor
kf	0.0	non	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	non	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	non	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	non	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	non	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	non	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	non	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	non	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	non	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	non	TC of external collector resistance
zetare	0.0	non	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	non	TC of iqf
alkav	0.0	non	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	non	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	non	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	non	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	non	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	non	TC of AVER
dvgbe	0.0	non	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	non	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	non	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	non	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	non	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	non	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Hicum L2 V2.23¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	HICUM L2 v2.23
Description	HICUM Level 2 v2.23 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p23`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriétés	114
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
c10	2.0E-30	non	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	non	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	non	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des émetteurs HBTs
hfc	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des collecteurs HBTs
hjei	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-émetteur des HBTs
hjci	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-collecteur des HBTs
ibeis	1.0E-18	non	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne base-émetteur
ireis	0.0	non	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne de recombinaison B-E
ibeps	0.0	non	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	non	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	non	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant de recombinaison périphérique B-E
mcf	1.0	non	Facteur de non-idéalité des HBTs III-V
tbhrec	0.0	non	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	non	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne B-C
ibcxs	0.0	non	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant externe B-E
ibets	0.0	non	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	non	Exposant du courant tunnel
tunode	1	non	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	non	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	non	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	non	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	non	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	non	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	non	Facteur contrôlant la dépendance géométrique de l’emcombrement des porteurs
fdqr0	0.0	non	Facteur de modulation des ZCE des jonctions B-E et B-C
fcrbi	0.0	non	Rapport de la capacité HF latérale à la capacité globale (effet NQS)
fqi	1.0	non	Rapport de la charge interne à la charge totale des porteurs minoritaires
re	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Facteur d’idéalité direct du courant transistor/substrat
iscs	0.0	non	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	non	Facteur d’idéalité de courant dans la diode C-S
tsf	0.0	non	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	non	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	non	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	non	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	non	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	non	Coefficient de gradation interne B-E
ajei	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité interne B-E à sa valeur à vide
cjep0	1.0E-20	non	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	non	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	non	Coefficient de gradation périphérique B-E
ajep	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité périphérique B-E à sa valeur à vide
cjci0	1.0E-20	non	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	non	Coefficient de gradation interne B-C
vptci	100	non	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	non	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	non	Coefficient de gradation externe B-C
vptcx	100	non	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	non	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	non	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	non	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	non	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	non	Coefficient de gradation C-S
vpts	100	non	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	non	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	non	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	non	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	non	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	non	Exposant de la dépendance en courant du temps de stockage d’émetteur neutre
thcs	0.0	non	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Facteur de lissage de la dépendace en courant du temps de transit dans la base et le collecteur
fthc	0.0	non	Facteur de partition base collecteur
rci0	150	non	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	non	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	non	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	non	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	non	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	non	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	non	Délai additionnel des porteurs minoritaires
alit	0.0	non	Délai additionnel du courant de transfert
flnqs	0	non	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	non	Coefficient du bruit de scintillation
af	2.0	non	Exposant du bruit de scintillation
cfbe	-1	non	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la largeur d’émetteur
latl	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la longueur d’émetteur
vgb	1.17	non	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	non	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	non	Dépendance thermique du second ordre de T0
zetaci	0.0	non	Exposant thermique de RCI0
alvs	0.0	non	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	non	Exposant thermique de la résistance interne de base
zetarbx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de base
zetarcx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de collecteur
zetare	0.0	non	Exposant thermique de la résistance d’émetteur
zetacx	1.0	non	Exposant thermique de la mobilité dans l’expression du temps de transit du transistor substrat
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	non	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	non	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	non	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	non	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	non	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	non	Température du composant simulé

Hicum L2 V2.24¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	HICUM L2 v2.24
Description	HICUM Level 2 v2.24 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p24`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriétés	114
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
c10	2.0E-30	non	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	non	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	non	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des émetteurs HBTs
hfc	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des collecteurs HBTs
hjei	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-émetteur des HBTs
hjci	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-collecteur des HBTs
ibeis	1.0E-18	non	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne base-émetteur
ireis	0.0	non	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne de recombinaison B-E
ibeps	0.0	non	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	non	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	non	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant de recombinaison périphérique B-E
mcf	1.0	non	Facteur de non-idéalité des HBTs III-V
tbhrec	0.0	non	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	non	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne B-C
ibcxs	0.0	non	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant externe B-E
ibets	0.0	non	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	non	Exposant du courant tunnel
tunode	1	non	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	non	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	non	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	non	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	non	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	non	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	non	Facteur contrôlant la dépendance géométrique de l’emcombrement des porteurs
fdqr0	0.0	non	Facteur de modulation des ZCE des jonctions B-E et B-C
fcrbi	0.0	non	Rapport de la capacité HF latérale à la capacité globale (effet NQS)
fqi	1.0	non	Rapport de la charge interne à la charge totale des porteurs minoritaires
re	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Facteur d’idéalité direct du courant transistor/substrat
iscs	0.0	non	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	non	Facteur d’idéalité de courant dans la diode C-S
tsf	0.0	non	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	non	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	non	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	non	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	non	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	non	Coefficient de gradation interne B-E
ajei	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité interne B-E à sa valeur à vide
cjep0	1.0E-20	non	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	non	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	non	Coefficient de gradation périphérique B-E
ajep	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité périphérique B-E à sa valeur à vide
cjci0	1.0E-20	non	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	non	Coefficient de gradation interne B-C
vptci	100	non	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	non	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	non	Coefficient de gradation externe B-C
vptcx	100	non	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	non	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	non	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	non	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	non	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	non	Coefficient de gradation C-S
vpts	100	non	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	non	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	non	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	non	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	non	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	non	Exposant de la dépendance en courant du temps de stockage d’émetteur neutre
thcs	0.0	non	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Facteur de lissage de la dépendace en courant du temps de transit dans la base et le collecteur
fthc	0.0	non	Facteur de partition base collecteur
rci0	150	non	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	non	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	non	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	non	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	non	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	non	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	non	Délai additionnel des porteurs minoritaires
alit	0.0	non	Délai additionnel du courant de transfert
flnqs	0	non	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	non	Coefficient du bruit de scintillation
af	2.0	non	Exposant du bruit de scintillation
cfbe	-1	non	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la largeur d’émetteur
latl	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la longueur d’émetteur
vgb	1.17	non	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	non	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	non	Dépendance thermique du second ordre de T0
zetaci	0.0	non	Exposant thermique de RCI0
alvs	0.0	non	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	non	Exposant thermique de la résistance interne de base
zetarbx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de base
zetarcx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de collecteur
zetare	0.0	non	Exposant thermique de la résistance d’émetteur
zetacx	1.0	non	Exposant thermique de la mobilité dans l’expression du temps de transit du transistor substrat
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	non	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	non	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	non	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	non	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	non	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	non	Température du composant simulé

Hicum L2 V2.31¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	HICUM L2 V2.31
Description	hicumL2V2p31n verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p31n`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	hicumL2V2p31n
Propriétés	129
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
c10	2.0E-30	non	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	non	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	non	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hf0	1.0	non	Weight factor for the low current minority charge
hfe	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des émetteurs HBTs
hfc	1.0	non	Coefficient de pondération des porteurs minoritaires des collecteurs HBTs
hjei	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-émetteur des HBTs
ahjei	0.0	non	Parameter describing the slope of hjEi(VBE)
rhjei	1.0	non	Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage
hjci	1.0	non	Coefficient de pondération de la ZCE base-collecteur des HBTs
ibeis	1.0E-18	non	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne base-émetteur
ireis	0.0	non	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne de recombinaison B-E
ibeps	0.0	non	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	non	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	non	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	non	Facteur d’idéalité du courant de recombinaison périphérique B-E
mcf	1.0	non	Facteur de non-idéalité des HBTs III-V
tbhrec	0.0	non	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	non	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant interne B-C
ibcxs	0.0	non	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	non	Facteur d’idéalité du courant externe B-E
ibets	0.0	non	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	non	Exposant du courant tunnel
tunode	1	non	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	non	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	non	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	non	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	non	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	non	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	non	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	non	Facteur contrôlant la dépendance géométrique de l’emcombrement des porteurs
fdqr0	0.0	non	Facteur de modulation des ZCE des jonctions B-E et B-C
fcrbi	0.0	non	Rapport de la capacité HF latérale à la capacité globale (effet NQS)
fqi	1.0	non	Rapport de la charge interne à la charge totale des porteurs minoritaires
re	0.0	non	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	non	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	non	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	non	Facteur d’idéalité direct du courant transistor/substrat
iscs	0.0	non	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	non	Facteur d’idéalité de courant dans la diode C-S
tsf	0.0	non	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	non	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	non	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	non	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	non	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	non	Coefficient de gradation interne B-E
ajei	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité interne B-E à sa valeur à vide
cjep0	1.0E-20	non	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	non	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	non	Coefficient de gradation périphérique B-E
ajep	2.5	non	Rapport de la valeur maximale de la capacité périphérique B-E à sa valeur à vide
cjci0	1.0E-20	non	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	non	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	non	Coefficient de gradation interne B-C
vptci	100	non	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	non	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	non	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	non	Coefficient de gradation externe B-C
vptcx	100	non	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	non	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	non	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	non	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	non	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	non	Coefficient de gradation C-S
vpts	100	non	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	non	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	non	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	non	Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	non	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	non	Exposant de la dépendance en courant du temps de stockage d’émetteur neutre
thcs	0.0	non	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	non	Facteur de lissage de la dépendace en courant du temps de transit dans la base et le collecteur
fthc	0.0	non	Facteur de partition base collecteur
rci0	150	non	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	non	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	non	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	non	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	non	Storage time for inverse operation (s)
vcbar	0.0	non	Barrier voltage (V)
icbar	0.0	non	Normalization parameter (A)
acbar	0.01	non	Smoothing parameter for barrier voltage
delck	2.0	non	fitting factor for critical current
cbepar	0.0	non	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	non	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.167	non	Délai additionnel des porteurs minoritaires
alit	0.333	non	Délai additionnel du courant de transfert
flnqs	0	non	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	non	Coefficient du bruit de scintillation
af	2.0	non	Exposant du bruit de scintillation
cfbe	-1	non	Flag for determining where to tag the flicker noise source
flcono	0	non	Flag for turning on and off of correlated noise implementation
kfre	0.0	non	Emitter resistance flicker noise coefficient
afre	2.0	non	Emitter resistance flicker noise exponent factor
latb	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la largeur d’émetteur
latl	0.0	non	Facteur d’échelle des porteurs minoritaires de collecteur dans le sens de la longueur d’émetteur
vgb	1.17	non	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	non	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	non	Dépendance thermique du second ordre de T0
zetaci	0.0	non	Exposant thermique de RCI0
alvs	0.0	non	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	non	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	non	Exposant thermique de la résistance interne de base
zetarbx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de base
zetarcx	0.0	non	Exposant thermique de la résistance externe de collecteur
zetare	0.0	non	Exposant thermique de la résistance d’émetteur
zetacx	1.0	non	Exposant thermique de la mobilité dans l’expression du temps de transit du transistor substrat
vge	1.17	non	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	non	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	non	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	non	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	non	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	non	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	non	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	non	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
dvgbe	0	non	Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V)
zetahjei	1	non	Temperature coefficient for ahjEi
zetavgbe	1	non	Temperature coefficient for hjEi0
flsh	0	non	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	non	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	non	Temperature coefficient for Rth
alrth	0.0	non	First order relative TC of parameter Rth (1/K)
cth	0.0	non	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	non	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	non	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	non	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	non	Température du composant simulé

Photodiode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Photodiode
Description	Photodiode verilog device
Schematic entry	`photodiode`
Netlist entry	`PD`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	photodiode
Propriétés	23
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
N	1.35	non	photodiode emission coefficient
Rseries	1e-3	non	series lead resistance (Ohm)
Is	0.34e-12	non	diode dark current (A)
Bv	60	non	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	non	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	0.7	non	junction potential (V)
Cj0	60e-12	non	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	non	coefficient de gradation
Area	1.0	non	diode relative area
Tnom	26.85	non	parameter measurement temperature (Celsius)
Fc	0.5	non	facteur de la capacité de déplétion directe
Tt	10e-9	non	transit time (s)
Xti	3.0	non	exposant thermique du courant de saturation
Eg	1.16	non	energy gap (eV)
Responsivity	0.5	non	responsivity (A/W)
Rsh	5e8	non	shunt resistance (Ohm)
QEpercent	80	non	quantum efficiency (%)
Lambda	900	non	light wavelength (nm)
LEVEL	1	non	responsivity calculator selector
Kf	1e-12	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1.0	non	exposant du bruit de scintillation
Ffe	1.0	non	dépendance fréquentielle du bruit en 1/f
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Phototransistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Phototransistor
Description	Phototransistor verilog device
Schematic entry	`phototransistor`
Netlist entry	`PT`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	phototransistor
Propriétés	30
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Bf	100	non	β direct
Br	0.1	non	β inverse
Is	1e-10	non	dark current (A)
Nf	1	non	coefficient d’émission direct
Nr	1	non	coefficient d’émission inverse
Vaf	100	non	forward early voltage (V)
Var	100	non	reverse early voltage (V)
Mje	0.33	non	exposant de la jonction base-émetteur
Vje	0.75	non	base-emitter junction built-in potential (V)
Cje	1e-12	non	base-emitter zero-bias depletion capacitance (F)
Mjc	0.33	non	exposant de la jonction base-collecteur
Vjc	0.75	non	base-collector junction built-in potential (V)
Cjc	2e-12	non	base-collector zero-bias depletion capacitance (F)
Tr	100n	non	ideal reverse transit time (s)
Tf	0.1n	non	ideal forward transit time (s)
Ikf	10	non	high current corner for forward beta (A)
Ikr	10	non	high current corner for reverse beta (A)
Rc	10	non	collector series resistance (Ohm)
Re	1	non	emitter series resistance (Ohm)
Rb	100	non	base series resistance (Ohm)
Kf	1e-12	non	Coefficient de bruit de scintillation
Ffe	1	non	Coefficient de bruit de scintillation
Af	1	non	exposant du bruit de scintillation
Responsivity	1.5	non	responsivity at relative selectivity=100% (A/W)
P0	2.6122e3	non	relative selectivity polynomial coefficient
P1	-1.489e1	non	relative selectivity polynomial coefficient
P2	3.0332e-2	non	relative selectivity polynomial coefficient
P3	-2.5708e-5	non	relative selectivity polynomial coefficient
P4	7.6923e-9	non	relative selectivity polynomial coefficient
Temp	26.85	non	Température du composant simulé

Nigbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	NIGBT
Description	NIGBT verilog device
Schematic entry	`nigbt`
Netlist entry	`T`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	nigbt
Propriétés	19
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Agd	5.0e-6	non	gate-drain overlap area (m**2)
Area	1.0e-5	non	area of the device (m**2)
Kp	0.38	non	MOS transconductance (A/V**2)
Tau	7.1e-6	non	ambipolar recombination lifetime (s)
Wb	9.0e-5	non	metallurgical base width (m)
BVf	1.0	non	avalanche uniformity factor
BVn	4.0	non	avalanche multiplication exponent
Cgs	1.24e-8	non	gate-source capacitance per unit area (F/cm**2)
Coxd	3.5e-8	non	gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2)
Jsne	6.5e-13	non	emitter saturation current density (A/cm**2)
Kf	1.0	non	triode region factor
Mun	1.5e-3	non	electron mobility (cm**2/Vs)
Mup	4.5e-2	non	hole mobility (cm**2/Vs)
Nb	2.0e14	non	base doping (1/cm**3)
Theta	0.02	non	transverse field factor (1/V)
Vt	4.7	non	threshold voltage (V)
Vtd	1.0e-3	non	gate-drain overlap depletion threshold (V)
Tnom	26.85	non	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	non	simulation temperature (Celsius)

Voltage Controlled Resistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Voltage Controlled Resistor
Description	source de tension contrôlée en tension
Schematic entry	`vcresistor`
Netlist entry	`VCR`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	vcresistor
Propriétés	1
Category	verilog-a devices

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
gain	1	oui	resistance gain

Digital Components¶

Digital Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	source numérique
Description	source numérique
Schematic entry	`DigiSource`
Netlist entry	`S`
Type	Composant
Bitmap file	digi_source
Propriétés	4
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Num	1	oui	numéro du port
init	low	non	initial output value [low, high]
times	1ns; 1ns	non	liste d’instants pour changer la valeur de sortie
V	1 V	non	niveau du 1

Inverseur¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Inverseur
Description	inverseur logique
Schematic entry	`Inv`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	inverter
Propriétés	4
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Or¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	OU n-port
Description	OU logique
Schematic entry	`OR`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	or
Propriétés	5
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
in	2	non	nombre de ports d’entrée
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Non-OU n-port
Description	Non-OU logique
Schematic entry	`NOR`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	nor
Propriétés	5
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
in	2	non	nombre de ports d’entrée
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port And¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	ET n-port
Description	ET logique
Schematic entry	`AND`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	and
Propriétés	5
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
in	2	non	nombre de ports d’entrée
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nand¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Non-ET n-port
Description	Non-ET logique
Schematic entry	`NAND`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	nand
Propriétés	5
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
in	2	non	nombre de ports d’entrée
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	XOR n-port
Description	XOR logique
Schematic entry	`XOR`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	xor
Propriétés	5
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
in	2	non	nombre de ports d’entrée
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xnor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	XNOR n-port
Description	XNOR logique
Schematic entry	`XNOR`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	xnor
Propriétés	5
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
in	2	non	nombre de ports d’entrée
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

Buffer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Buffer
Description	logical buffer
Schematic entry	`Buf`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	buffer
Propriétés	4
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
V	1 V	non	niveau du 1
t	0	non	délai
TR	10	non	transfer function scaling factor
Symbol	old	non	schematic symbol [old, DIN40900]

4X2 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4x2 AndOr
Description	4x2 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x2`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	andor4x2
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

4X3 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4x3 AndOr
Description	4x3 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x3`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	andor4x3
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

4X4 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4x4 AndOr
Description	4x4 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x4`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	andor4x4
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

2To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	2to1 Mux
Description	2to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux2to1`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	mux2to1
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

4To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4to1 Mux
Description	4to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux4to1`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	mux4to1
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

8To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	8to1 Mux
Description	8to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux8to1`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	mux8to1
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

2To4 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	2to4 Demux
Description	2to4 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux2to4`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	dmux2to4
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

3To8 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	3to8 Demux
Description	3to8 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux3to8`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	dmux3to8
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

4To16 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4to16 Demux
Description	4to16 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux4to16`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	dmux4to16
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

1Bit Halfadder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	1Bit HalfAdder
Description	1bit half adder verilog device
Schematic entry	`ha1b`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	ha1b
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

1Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	1Bit FullAdder
Description	1bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa1b`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	fa1b
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

2Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	2Bit FullAdder
Description	2bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa2b`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	fa2b
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

Rs-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Bascule RS
Description	Bascule RS
Schematic entry	`RSFF`
Netlist entry	`Y`
Type	DigitalComponent
Bitmap file	rsflipflop
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
t	0	non	délai

D-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Bascule D
Description	Bascule D avec R asynchrone
Schematic entry	`DFF`
Netlist entry	`Y`
Type	DigitalComponent
Bitmap file	dflipflop
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
t	0	non	délai

D-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	D-FlipFlop w/ SR
Description	D flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`dff_SR`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	dff_SR
Propriétés	3
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR_H	6	non	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	non	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	non	cross coupled gate delay (s)

Jk-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Bascule JK
Description	Bascule JK avec SR asynchrone
Schematic entry	`JKFF`
Netlist entry	`Y`
Type	DigitalComponent
Bitmap file	jkflipflop
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
t	0	non	délai

Jk-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	JK-FlipFlop w/ SR
Description	jk flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`jkff_SR`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	jkff_SR
Propriétés	3
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR_H	6	non	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	non	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	non	cross coupled gate delay (s)

T-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	T-FlipFlop w/ SR
Description	T flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`tff_SR`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	tff_SR
Propriétés	3
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR_H	6	non	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	non	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	non	cross coupled gate delay (s)

Gated D-Latch¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Gated D-Latch
Description	gated D latch verilog device
Schematic entry	`gatedDlatch`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	gatedDlatch
Propriétés	3
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR_H	6	non	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	non	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	non	cross coupled gate delay (s)

Logic 0¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Logic 0
Description	logic 0 verilog device
Schematic entry	`logic_0`
Netlist entry	`S`
Type	Composant
Bitmap file	logic_0
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
LEVEL	0	non	logic 0 voltage level (V)

Logic 1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Logic 1
Description	logic 1 verilog device
Schematic entry	`logic_1`
Netlist entry	`S`
Type	Composant
Bitmap file	logic_1
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
LEVEL	1	non	logic 1 voltage level (V)

2Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	2Bit Pattern
Description	2bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad2bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	pad2bit
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Number	0	non	pad output value

3Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	3Bit Pattern
Description	3bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad3bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	pad3bit
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Number	0	non	pad output value

4Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4Bit Pattern
Description	4bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad4bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	pad4bit
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Number	0	non	pad output value

A2D Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	A2D Level Shifter
Description	data voltage level shifter (analogue to digital) verilog device
Schematic entry	`DLS_nto1`
Netlist entry	`Y`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_nto1
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
LEVEL	5 V	non	voltage level (V)
Delay	1 ns	non	time delay (s)

D2A Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	D2A Level Shifter
Description	data voltage level shifter (digital to analogue) verilog device
Schematic entry	`DLS_1ton`
Netlist entry	`Y`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_1ton
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
LEVEL	5 V	non	voltage level
Delay	1 ns	non	time delay (s)

4Bit Bin2Grey¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4Bit Bin2Grey
Description	4bit binary to grey converter verilog device
Schematic entry	`binarytogrey4bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	binarytogrey4bit
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

4Bit Grey2Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4Bit Grey2Bin
Description	4bit grey to binary converter verilog device
Schematic entry	`greytobinary4bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	greytobinary4bit
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

1Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	1Bit Comparator
Description	1bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_1bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	comp_1bit
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

2Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	2Bit Comparator
Description	2bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_2bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	comp_2bit
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

4Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4Bit Comparator
Description	4bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_4bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	comp_4bit
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

4Bit Hpri-Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	4Bit HPRI-Bin
Description	4bit highest priority encoder (binary form) verilog device
Schematic entry	`hpribin4bit`
Netlist entry	`Y`
Type	Composant
Bitmap file	hpribin4bit
Propriétés	2
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
TR	6	non	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	non	output delay (s)

Vhdl File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	fichier VHDL
Description	fichier VHDL
Schematic entry	`VHDL`
Netlist entry	`X`
Type	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File	sub.vhdl	non	Nom du fichier VHDL

Verilog File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fichier Vérilog
Description	Fichier Vérilog
Schematic entry	`Verilog`
Netlist entry	`X`
Type	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Propriétés	1
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File	sub.v	non	Nom du fichier Vérilog

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	simulation numérique
Description	simulation numérique
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Type	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Propriétés	3
Category	digital components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	TruthTable	oui	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	non	durée de la simulation TimeList
Modèle	VHDL	non	netlist format [VHDL, Verilog]

File Components¶

Spice Netlist¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	topologie Spice
Description	Fichier source Spice
Schematic entry	`SPICE`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	spicefile
Propriétés	4
Category	file components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File		oui	x
Ports		non	x
Sim	oui	non	x
Preprocessor	none	non	x

1-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fichier de paramètres s bipôle
Description	Fichier de paramètres s
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	spfile1
Propriétés	5
Category	file components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File	test.s1p	oui	nom du fichier de paramètres s
Données	rectangular	non	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linéaire	non	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	non	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	1	non	nombre de ports

2-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fichier de paramètres S quadripôle
Description	Fichier de paramètres s
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	spfile2
Propriétés	5
Category	file components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File	test.s2p	oui	nom du fichier de paramètres s
Données	rectangular	non	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linéaire	non	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	non	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	2	non	nombre de ports

N-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Fichier de paramètres S à n-pôle
Description	Fichier de paramètres s
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	spfile3
Propriétés	5
Category	file components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File	test.s3p	oui	nom du fichier de paramètres s
Données	rectangular	non	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linéaire	non	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	non	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	3	non	nombre de ports

Sous-circuit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Sous-circuit
Description	sous-circuit
Schematic entry	`Sub`
Netlist entry	`SUB`
Type	Composant
Bitmap file	sous-circuit
Propriétés	1
Category	file components

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
File		non	nom du schéma Qucs

Simulations¶

Dc Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Simulation du point de fonctionnement
Description	Simulation du point de fonctionnement
Schematic entry	`.DC`
Netlist entry	`DC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	dc
Propriétés	9
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Temp	26.85	non	température (°C)
reltol	0.001	non	erreur relative de convergence
abstol	1 pA	non	tolérance absolue pour les intensités
vntol	1 uV	non	tolérance absolue pour les tensions
saveOPs	non	non	put operating points into dataset [yes, no]
MaxIter	150	non	nombre maximum d’itérations
saveAll	non	non	save subcircuit nodes into dataset [yes, no]
convHelper	none	non	preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping]
Solver	CroutLU	non	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]

Transient Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Simulation en régime transitoire
Description	simulation en régime transitoire
Schematic entry	`.TR`
Netlist entry	`TR`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	tran
Propriétés	20
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	lin	oui	sweep type [lin, log, list, const]
Start	0	oui	début (secondes)
Stop	1 ms	oui	fin (secondes)
Points	11	non	nombre de pas de simulation
IntegrationMethod	Trapezoidal	non	integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton]
Order	2	non	order of integration method (1-6)
InitialStep	1 ns	non	pas initial en secondes
MinStep	1e-16	non	pas minimum en secondes
MaxIter	150	non	nombre maximum d’itérations
reltol	0.001	non	erreur relative de convergence
abstol	1 pA	non	tolérance absolue pour les intensités
vntol	1 uV	non	tolérance absolue pour les tensions
Temp	26.85	non	température (°C)
LTEreltol	1e-3	non	tolérance relative de l’erreur d’arrondi
LTEabstol	1e-6	non	tolérance absolue de l’erreur d’arrondi
LTEfactor	1	non	borne supérieure de l’erreur d’arrondi
Solver	CroutLU	non	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]
relaxTSR	non	non	relax time step raster [no, yes]
initialDC	oui	non	perform an initial DC analysis [yes, no]
MaxStep	0	non	Intervalle maximal en secondes

Ac Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Simulation en régime sinusoïdal
Description	Simulation en régime sinusoïdal
Schematic entry	`.AC`
Netlist entry	`AC`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	ac
Propriétés	5
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	lin	oui	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	oui	Fréquence mini (Hz)
Stop	10 GHz	oui	Fréquence maxi (Hz)
Points	19	oui	nombre de points à simuler
Noise	non	non	calculate noise voltages [yes, no]

S-Parameter Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Calcul des paramètres s
Description	calcul des paramètres s
Schematic entry	`.SP`
Netlist entry	`SP`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	sparameter
Propriétés	9
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	lin	oui	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	oui	Fréquence mini (Hz)
Stop	10 GHz	oui	Fréquence maxi (Hz)
Points	19	oui	nombre de points à simuler
Noise	non	non	calculate noise parameters [yes, no]
NoiseIP	1	non	port d’entrée pour le calcul du facteur de bruit
NoiseOP	2	non	port de sortie pour le calcul du facteur de bruit
saveCVs	non	non	put characteristic values into dataset [yes, no]
saveAll	non	non	save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no]

Harmonic Balance¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Équilibrage harmonique
Description	Équilibrage harmonique
Schematic entry	`.HB`
Netlist entry	`HB`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	hb
Propriétés	6
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
f	1 GHz	non	fréquence en hertz
n	4	oui	nombre d’harmoniques
iabstol	1 pA	non	tolérance absolue pour les intensités
vabstol	1 uV	non	tolérance absolue pour les tensions
reltol	0.001	non	erreur relative de convergence
MaxIter	150	non	nombre maximum d’itérations

Parameter Sweep¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	Variation paramètre
Description	Variation paramètre
Schematic entry	`.SW`
Netlist entry	`SW`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	sweep
Propriétés	6
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Sim		oui	simulation à laquelle appliquer la variation de paramètre
Type	lin	oui	sweep type [lin, log, list, const]
Param	R1	oui	Paramètre à faire varier
Start	5 Ohm	oui	Valeur initiale
Stop	50 Ohm	oui	Valeur finale
Points	20	oui	nombre de points à simuler

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	simulation numérique
Description	simulation numérique
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Type	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Propriétés	3
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Type	TruthTable	oui	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	non	durée de la simulation TimeList
Modèle	VHDL	non	netlist format [VHDL, Verilog]

Optimisation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valeur
Caption	optimisation
Description	Optimisation
Schematic entry	`.Opt`
Netlist entry	`Opt`
Type	AnalogComponent
Bitmap file	optimize
Propriétés	2
Category	simulations

Attributs du composant¶

Default Parameters
Nom	Valeur	Display	Description
Sim		non
DE	3\|50\|2\|20\|0.85\|1\|3\|1e-6\|10\|100	non