Component Reference¶
Lumped Components¶
Resistore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Resistore |
Descrizione |
resistore |
| Schematic entry | R |
| Netlist entry | R |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | resistore |
Proprietà |
6 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| R | 50 Ohm | sì |
resistenza ohmica in Ohms |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tc1 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura del primo ordine |
| Tc2 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura del secondo ordine |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Symbol | european | no | schematic symbol [european, US] |
Resistor Us¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Resistore US |
Descrizione |
resistore |
| Schematic entry | R |
| Netlist entry | R |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | resistor_us |
Proprietà |
6 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| R | 50 Ohm | sì |
resistenza ohmica in Ohms |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tc1 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura del primo ordine |
| Tc2 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura del secondo ordine |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Symbol | US | no | schematic symbol [european, US] |
Condensatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Condensatore |
Descrizione |
condensatore |
| Schematic entry | C |
| Netlist entry | C |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | condensatore |
Proprietà |
3 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| C | 1 pF | sì |
capacità in Farad |
| V | no | tensione iniziale per la simulazione del transitorio |
|
| Symbol | neutral | no | schematic symbol [neutral, polar] |
Induttore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Induttore |
Descrizione |
induttore |
| Schematic entry | L |
| Netlist entry | L |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | induttore |
Proprietà |
2 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L | 1 nH | sì |
induttanza in Henry |
| I | no | corrente iniziale per la simulazione del transitorio |
Terra¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Terra |
Descrizione |
terra (potenziale di riferimento) |
| Schematic entry | GND |
| Netlist entry | |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | gnd |
Proprietà |
0 |
| Category | lumped components |
Porta Sottocircuito¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Porta Sottocircuito |
Descrizione |
porta di un sottocircuito |
| Schematic entry | Port |
| Netlist entry | P |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | subport |
Proprietà |
2 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Num | 1 | sì |
numero della porta nel sottocircuito |
Tipo |
analog | no | type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout] |
Trasformatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Trasformatore |
Descrizione |
trasformatore ideale |
| Schematic entry | Tr |
| Netlist entry | Tr |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | transformer |
Proprietà |
1 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| T | 1 | sì |
indice di trasformazione tensione |
Symmetric Transformer¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Trasformatore simmetrico |
Descrizione |
trasformatore simmetrico ideale |
| Schematic entry | sTr |
| Netlist entry | Tr |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | symtrans |
Proprietà |
2 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| T1 | 1 | sì |
rapporto di trasformazione tensione per l’induttore 1 |
| T2 | 1 | sì |
rapporto di trasformazione tensione per l’induttore 2 |
Dc Block¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | dc Block |
Descrizione |
blocco dc |
| Schematic entry | DCBlock |
| Netlist entry | C |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dcblock |
Proprietà |
1 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| C | 1 uF | no | per simulazione transitorio: capacità in Farad |
Dc Feed¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | dc Feed |
Descrizione |
dc feed |
| Schematic entry | DCFeed |
| Netlist entry | L |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dcfeed |
Proprietà |
1 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L | 1 uH | no | per simulazione transitorio: induttanza in Henry |
Bias T¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Bias T |
Descrizione |
bias T |
| Schematic entry | BiasT |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | biast |
Proprietà |
2 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L | 1 uH | no | per simulazione transitorio: induttanza in Henry |
| C | 1 uF | no | per simulazione transitorio: capacità in Farad |
Attenuatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Attenuatore |
Descrizione |
attenuatore |
| Schematic entry | Attenuator |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | attenuatore |
Proprietà |
3 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L | 10 dB | sì |
attenuazione di potenza |
| Zref | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Amplificatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Amplificatore |
Descrizione |
amplificatore ideale |
| Schematic entry | Amp |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | amplifier |
Proprietà |
4 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| G | 10 | sì |
guadagno di tensione |
| Z1 | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento della porta di input |
| Z2 | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento della porta di output |
| NF | 0 dB | no | noise figure |
Isolatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Isolatore |
Descrizione |
isolatore |
| Schematic entry | Isolator |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | isolatore |
Proprietà |
3 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Z1 | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento della porta di input |
| Z2 | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento della porta di output |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Circolatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Circolatore |
Descrizione |
circolatore |
| Schematic entry | Circulator |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | circolatore |
Proprietà |
3 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Z1 | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento della porta 1 |
| Z2 | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento della porta 2 |
| Z3 | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento della porta 3 |
Giratore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Giratore |
Descrizione |
giratore (invertitore di impedenza) |
| Schematic entry | Gyrator |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | gyrator |
Proprietà |
2 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| R | 50 Ohm | sì |
valore giratore |
| Zref | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento |
Sfasatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Sfasatore |
Descrizione |
sfasatore |
| Schematic entry | PShift |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pshifter |
Proprietà |
2 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| phi | 90 | sì |
sfasamento in gradi |
| Zref | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento |
Accoppiatore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Accoppiatore |
Descrizione |
accoppiatore ideale |
| Schematic entry | Coupler |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | coupler |
Proprietà |
3 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| k | 0.7071 | sì |
fattore di accoppiamento |
| phi | 180 | sì |
sfasamento dell’accoppiamento in gradi |
| Z | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento |
Hybrid¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Hybrid |
Descrizione |
hybrid (unsymmetrical 3dB coupler) |
| Schematic entry | Hybrid |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | hybrid |
Proprietà |
2 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| phi | 90 | sì |
sfasamento in gradi |
| Zref | 50 Ohm | no | impedenza di riferimento |
sonda di corrente¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | sonda di corrente |
Descrizione |
misuratore di corrente |
| Schematic entry | IProbe |
| Netlist entry | Pr |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | iprobe |
Proprietà |
0 |
| Category | lumped components |
Sonda di Tensione¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Sonda di Tensione |
Descrizione |
sonda di tensione |
| Schematic entry | VProbe |
| Netlist entry | Pr |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vprobe |
Proprietà |
0 |
| Category | lumped components |
Induttori accoppiati¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Induttori accoppiati |
Descrizione |
due induttori accoppiati |
| Schematic entry | MUT |
| Netlist entry | Tr |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mutual |
Proprietà |
3 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L1 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 1 |
| L2 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 2 |
| k | 0.9 | no | coefficiente di accoppiamento tra gli induttori 1 e 2 |
3 Induttori accoppiati¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 3 Induttori accoppiati |
Descrizione |
tre induttori accoppiati |
| Schematic entry | MUT2 |
| Netlist entry | Tr |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mutual2 |
Proprietà |
6 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L1 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 1 |
| L2 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 2 |
| L3 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 3 |
| k12 | 0.9 | no | coefficiente di accoppiamento tra gli induttori 1 e 2 |
| k13 | 0.9 | no | coefficiente di accoppiamento tra gli induttori 1 e 3 |
| k23 | 0.9 | no | coefficiente di accoppiamento tra gli induttori 2 e 3 |
N Mutual Inductors¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | N Mutual Inductors |
Descrizione |
several mutual inductors |
| Schematic entry | MUTX |
| Netlist entry | Tr |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mutualx |
Proprietà |
11 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| coils | 4 | no | number of mutual inductances |
| L1 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 1 |
| L2 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 2 |
| L3 | 1 mH | no | induttanza dell’induttore 3 |
| L4 | 1 mH | no | inductance of coil 4 |
| k12 | 0.9 | no | coupling factor between coil 1 and coil 2 |
| k13 | 0.9 | no | coupling factor between coil 1 and coil 3 |
| k14 | 0.9 | no | coupling factor between coil 1 and coil 4 |
| k23 | 0.9 | no | coupling factor between coil 2 and coil 3 |
| k24 | 0.9 | no | coupling factor between coil 2 and coil 4 |
| k34 | 0.9 | no | coupling factor between coil 3 and coil 4 |
Interruttore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Interruttore |
Descrizione |
interruttore (controllato temporalmente) |
| Schematic entry | Switch |
| Netlist entry | S |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | switch |
Proprietà |
6 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| init | off | no | initial state [on, off] |
| time | 1 ms | no | time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated) |
| Ron | 0 | no | resistenza nello stato chiuso in ohms |
| Roff | 1e12 | no | resistenza nello stato aperto in ohms |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| MaxDuration | 1e-6 | no | Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number) |
Relè¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Relè |
Descrizione |
relè |
| Schematic entry | Relais |
| Netlist entry | S |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | relais |
Proprietà |
5 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Vt | 0.5 V | no | tensione di soglia in volt |
| Vh | 0.1 V | no | isteresi in volt |
| Ron | 0 | no | resistenza nello stato chiuso in ohms |
| Roff | 1e12 | no | resistenza nello stato aperto in ohms |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Equation Defined Rf Device¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Equation Defined RF Device |
Descrizione |
equation defined RF device |
| Schematic entry | RFEDD |
| Netlist entry | RF |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rfedd |
Proprietà |
7 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
Y | no | type of parameters [Y, Z, S] |
| Ports | 2 | no | numero di porte |
| duringDC | open | no | representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency] |
| P11 | 0 | no | parameter equation 11 |
| P12 | 0 | no | parameter equation 12 |
| P21 | 0 | no | parameter equation 21 |
| P22 | 0 | no | parameter equation 22 |
Equation Defined 2-Port Rf Device¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Equation Defined 2-port RF Device |
Descrizione |
equation defined 2-port RF device |
| Schematic entry | RFEDD2P |
| Netlist entry | RF |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rfedd |
Proprietà |
6 |
| Category | lumped components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
Y | no | type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T] |
| duringDC | open | no | representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency] |
| P11 | 0 | no | parameter equation 11 |
| P12 | 0 | no | parameter equation 12 |
| P21 | 0 | no | parameter equation 21 |
| P22 | 0 | no | parameter equation 22 |
Sources¶
Dc Voltage Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Tensione dc |
Descrizione |
generatore ideale di tensione dc |
| Schematic entry | Vdc |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dc_voltage |
Proprietà |
1 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | sì |
tensione in Volts |
Dc Current Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Corrente dc |
Descrizione |
generatore ideale di corrente dc |
| Schematic entry | Idc |
| Netlist entry | I |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dc_current |
Proprietà |
1 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| I | 1 mA | sì |
corrente in Ampere |
Ac Voltage Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Tensione ac |
Descrizione |
generatore ideale di tensione ac |
| Schematic entry | Vac |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ac_voltage |
Proprietà |
4 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | sì |
tensione di picco in Volts |
| f | 1 GHz | no | frequenza in Hertz |
| Phase | 0 | no | fase iniziale in gradi |
| Theta | 0 | no | fattore di smorzamento (solo simulazione transitorio) |
Ac Current Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Corrente ac |
Descrizione |
generatore ideale di corrente alternata |
| Schematic entry | Iac |
| Netlist entry | I |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ac_current |
Proprietà |
4 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| I | 1 mA | sì |
corrente di picco in Ampere |
| f | 1 GHz | no | frequenza in Hertz |
| Phase | 0 | no | fase iniziale in gradi |
| Theta | 0 | no | fattore di smorzamento (solo simulazione transitorio) |
Generatore di Potenza¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Potenza |
Descrizione |
generatore di potenza ac |
| Schematic entry | Pac |
| Netlist entry | P |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | source |
Proprietà |
5 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Num | 1 | sì |
numero della porta |
| Z | 50 Ohm | sì |
impedenza della porta |
| P | 0 dBm | no | potenza (disponibile) AC in Watt |
| f | 1 GHz | no | frequenza in Hertz |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Generatore di Tensione di Rumore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Tensione di Rumore |
Descrizione |
generatore di tensione di rumore |
| Schematic entry | Vnoise |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_volt |
Proprietà |
4 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| u | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza per la tensione in V^2/Hz |
| e | 0 | no | esponente frequenza |
| c | 1 | no | coefficiente frequenza |
| a | 0 | no | termine additivo frequenza |
Generatore di Corrente di Rumore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Corrente di Rumore |
Descrizione |
generatore di corrente di rumore |
| Schematic entry | Inoise |
| Netlist entry | I |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_current |
Proprietà |
4 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| i | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza per la corrente in A^2/Hz |
| e | 0 | no | esponente frequenza |
| c | 1 | no | coefficiente frequenza |
| a | 0 | no | termine additivo frequenza |
Generatore di Corrente Controllato in Tensione¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Corrente Controllato in Tensione |
Descrizione |
generatore di corrente controllato in tensione |
| Schematic entry | VCCS |
| Netlist entry | SRC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vccs |
Proprietà |
2 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| G | 1 S | sì |
transconduttanza |
| T | 0 | no | tempo di ritardo |
Generatore di Corrente Controllato in Corrente¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Corrente Controllato in Corrente |
Descrizione |
generatore di corrente controllato in corrente |
| Schematic entry | CCCS |
| Netlist entry | SRC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cccs |
Proprietà |
2 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| G | 1 | sì |
fattore di trasferimento |
| T | 0 | no | tempo di ritardo |
Generatore di Tensione Controllato in Tensione¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Tensione Controllato in Tensione |
Descrizione |
generatore di tensione controllato in tensione |
| Schematic entry | VCVS |
| Netlist entry | SRC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vcvs |
Proprietà |
2 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| G | 1 | sì |
fattore di trasferimento |
| T | 0 | no | tempo di ritardo |
Generatore di Tensione Controllato in Corrente¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Tensione Controllato in Corrente |
Descrizione |
generatore di tensione controllato in corrente |
| Schematic entry | CCVS |
| Netlist entry | SRC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ccvs |
Proprietà |
2 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| G | 1 Ohm | sì |
fattore di trasferimento |
| T | 0 | no | tempo di ritardo |
Impulso di Tensione¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Impulso di Tensione |
Descrizione |
Generatore impulsivo di tensione ideale |
| Schematic entry | Vpulse |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vpulse |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| U1 | 0 V | sì |
tensione prima e dopo l’impulso |
| U2 | 1 V | sì |
tensione dell’impulso |
| T1 | 0 | sì |
tempo di inizio dell’impulso |
| T2 | 1 ms | sì |
tempo di fine dell’impulso |
| Tr | 1 ns | no | tempo di salita del fronte ascendente |
| Tf | 1 ns | no | tempo di discesa del fronte discendente |
Impulso di Corrente¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Impulso di Corrente |
Descrizione |
Generatore impulsivo di corrente ideale |
| Schematic entry | Ipulse |
| Netlist entry | I |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ipulse |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| I1 | 0 | sì |
corrente prima e dopo l’impulso |
| I2 | 1 A | sì |
corrente dell’impulso |
| T1 | 0 | sì |
tempo di inizio dell’impulso |
| T2 | 1 ms | sì |
tempo di fine dell’impulso |
| Tr | 1 ns | no | tempo di salita del fronte ascendente |
| Tf | 1 ns | no | tempo di discesa del fronte discendente |
Tensione Rettangolare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Tensione Rettangolare |
Descrizione |
Generatore di tensione rettangolare ideale |
| Schematic entry | Vrect |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vrect |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | sì |
tensione dell’impulso alto |
| TH | 1 ms | sì |
durata degli impulsi alti |
| TL | 1 ms | sì |
durata degli impulsi bassi |
| Tr | 1 ns | no | tempo di salita del fronte ascendente |
| Tf | 1 ns | no | tempo di discesa del fronte discendente |
| Td | 0 ns | no | tempo di ritardo iniziale |
Corrente Rettangolare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Corrente Rettangolare |
Descrizione |
Generatore di corrente rettangolare ideale |
| Schematic entry | Irect |
| Netlist entry | I |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | irect |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| I | 1 mA | sì |
corrente durante l’impulso alto |
| TH | 1 ms | sì |
durata degli impulsi alti |
| TL | 1 ms | sì |
durata degli impulsi bassi |
| Tr | 1 ns | no | tempo di salita del fronte ascendente |
| Tf | 1 ns | no | tempo di discesa del fronte discendente |
| Td | 0 ns | no | tempo di ritardo iniziale |
Generatori di Rumore Correlati¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatori di Rumore Correlati |
Descrizione |
generatori di corrente correlati |
| Schematic entry | IInoise |
| Netlist entry | SRC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_ii |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| i1 | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza della corrente per il generatore 1 |
| i2 | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza della corrente per il generatore 2 |
| C | 0.5 | sì |
coefficiente di correlazione normalizzato |
| e | 0 | no | esponente frequenza |
| c | 1 | no | coefficiente frequenza |
| a | 0 | no | termine additivo frequenza |
Generatori di Rumore Correlati¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatori di Rumore Correlati |
Descrizione |
generatori di corrente correlati |
| Schematic entry | VVnoise |
| Netlist entry | SRC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_vv |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| v1 | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza della tensione per il generatore 1 |
| v2 | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza della tensione per il generatore 2 |
| C | 0.5 | sì |
coefficiente di correlazione normalizzato |
| e | 0 | no | esponente frequenza |
| c | 1 | no | coefficiente frequenza |
| a | 0 | no | termine additivo frequenza |
Generatori di Rumore Correlati¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatori di Rumore Correlati |
Descrizione |
generatori di corrente correlati |
| Schematic entry | IVnoise |
| Netlist entry | SRC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_iv |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| i1 | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza della corrente per il generatore 1 |
| v2 | 1e-6 | sì |
densità spettrale di potenza della tensione per il generatore 2 |
| C | 0.5 | sì |
coefficiente di correlazione normalizzato |
| e | 0 | no | esponente frequenza |
| c | 1 | no | coefficiente frequenza |
| a | 0 | no | termine additivo frequenza |
Am Modulated Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore modulato AM |
Descrizione |
generatore di tensione ac con modulatore di ampiezza |
| Schematic entry | AM_Mod |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | am_mod |
Proprietà |
4 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | sì |
tensione di picco in Volts |
| f | 1 GHz | no | frequenza in Hertz |
| Phase | 0 | no | fase iniziale in gradi |
| m | 1.0 | no | livello modulazione |
Pm Modulated Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore modulato PM |
Descrizione |
generatore di tensione ac con modulatore di fase |
| Schematic entry | PM_Mod |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pm_mod |
Proprietà |
4 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | sì |
tensione di picco in Volts |
| f | 1 GHz | no | frequenza in Hertz |
| Phase | 0 | no | fase iniziale in gradi |
| M | 1.0 | no | indice di modulazione |
Impulso di Corrente Esponenziale¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Impulso di Corrente Esponenziale |
Descrizione |
generatore di corrente esponenziale |
| Schematic entry | Iexp |
| Netlist entry | I |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | iexp |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| I1 | 0 | sì |
corrente prima del fronte di salita |
| I2 | 1 A | sì |
corrrente massima dell’impulso |
| T1 | 0 | sì |
tempo di inizio del fronte di salita esponenziale |
| T2 | 1 ms | sì |
inizio della discesa esponenziale |
| Tr | 1 ns | no | costante di tempo del fronte di salita |
| Tf | 1 ns | no | costante di tempo del fronte di discesa |
Impulso di Tensione Esponenziale¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Impulso di Tensione Esponenziale |
Descrizione |
generatore di tensione esponenziale |
| Schematic entry | Vexp |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vexp |
Proprietà |
6 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| U1 | 0 V | sì |
tensione prima del fronte di salita |
| U2 | 1 V | sì |
tensione massima dell’impulso |
| T1 | 0 | sì |
tempo di inizio del fronte di salita esponenziale |
| T2 | 1 ms | sì |
inizio della discesa esponenziale |
| Tr | 1 ns | no | tempo di salita del fronte di salita |
| Tf | 1 ns | no | tempo di discesa del fronte di discesa |
Generatore di Tensione descritto da File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Tensione descritto da File |
Descrizione |
generatore di tensione descritto da file |
| Schematic entry | Vfile |
| Netlist entry | V |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vfile |
Proprietà |
5 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | vfile.dat | sì |
nome del file di esempio |
| Interpolator | lineare |
no | interpolation type [hold, linear, cubic] |
| Repeat | no | no | repeat waveform [no, yes] |
| G | 1 | no | guadagno di tensione |
| T | 0 | no | tempo di ritardo |
Generatore di Corrente descritto da File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Generatore di Corrente descritto da File |
Descrizione |
generatore di corrente descritto da file |
| Schematic entry | Ifile |
| Netlist entry | I |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ifile |
Proprietà |
5 |
| Category | sources |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | ifile.dat | sì |
nome del file di esempio |
| Interpolator | lineare |
no | interpolation type [hold, linear, cubic] |
| Repeat | no | no | repeat waveform [no, yes] |
| G | 1 | no | guadagno in corrente |
| T | 0 | no | tempo di ritardo |
Probes¶
Transmission Lines¶
Linea di Trasmissione¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Linea di Trasmissione |
Descrizione |
linea di trasmissione ideale |
| Schematic entry | TLIN |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tline |
Proprietà |
4 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Z | 50 Ohm | sì |
impedenza caratteristica |
| L | 1 mm | sì |
lunghezza elettrica della linea |
| Alpha | 0 dB | no | fattore di attenuazione per unità di lunghezza in 1/m |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Linea di Trasmissione a 4 Terminali¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Linea di Trasmissione a 4 Terminali |
Descrizione |
linea di trasmissione ideale a 4 terminali |
| Schematic entry | TLIN4P |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tline_4port |
Proprietà |
4 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Z | 50 Ohm | sì |
impedenza caratteristica |
| L | 1 mm | sì |
lunghezza elettrica della linea |
| Alpha | 0 dB | no | fattore di attenuazione per unità di lunghezza in 1/m |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Coupled Transmission Line¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Coupled Transmission Line |
Descrizione |
coupled transmission lines |
| Schematic entry | CTLIN |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ctline |
Proprietà |
8 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Ze | 50 Ohm | sì |
characteristic impedance of even mode |
| Zo | 50 Ohm | sì |
characteristic impedance of odd mode |
| L | 1 mm | sì |
lunghezza elettrica della linea |
| Ere | 1 | no | relative dielectric constant of even mode |
| Ero | 1 | no | relative dielectric constant of odd mode |
| Ae | 0 dB | no | attenuation factor per length of even mode |
| Ao | 0 dB | no | attenuation factor per length of odd mode |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Coppia Ritorta¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Coppia Ritorta |
Descrizione |
linea di trasmissione a coppia ritorta |
| Schematic entry | TWIST |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | twistedpair |
Proprietà |
9 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| d | 0.5 mm | sì |
diametro del conduttore |
| D | 0.8 mm | sì |
diametro del filo (conduttore con isolamento) |
| L | 1.5 | sì |
lunghezza fisica della linea |
| T | 100 | no | torture per unità di lunghezza in 1/m |
| er | 4 | no | costante dielettrica dell’isolamento |
| mur | 1 | no | permeabilità relativa del conduttore |
| rho | 0.022e-6 | no | resistenza specifica del conduttore |
| tand | 4e-4 | no | fattore di dissipazione (tan d) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Linea Coassiale¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Linea Coassiale |
Descrizione |
linea di trasmissione coassiale |
| Schematic entry | COAX |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | coaxial |
Proprietà |
8 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| er | 2.29 | sì |
permittività relativa del dielettrico |
| rho | 0.022e-6 | no | resistenza specifica del conduttore |
| mur | 1 | no | permeabilità relativa del conduttore |
| D | 2.95 mm | no | diametro interno dello schermo |
| d | 0.9 mm | no | diametro del conduttore interno |
| L | 1500 mm | sì |
lunghezza meccanica della linea |
| tand | 4e-4 | no | fattore di dissipazione (tan d) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Guida d’onda Rettangolare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Guida d’onda Rettangolare |
Descrizione |
Guida d’onda Rettangolare |
| Schematic entry | RECTLINE |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rectline |
Proprietà |
9 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| a | 2.95 mm | sì |
widest side |
| b | 0.9 mm | sì |
shortest side |
| L | 1500 mm | sì |
lunghezza meccanica della linea |
| er | 1 | no | permittività relativa del dielettrico |
| mur | 1 | no | permeabilità relativa del conduttore |
| tand | 0 | no | fattore di dissipazione (tan d) |
| rho | 0.022e-6 | no | resistenza specifica del conduttore |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Material | unspecified | no | material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold] |
Rlcg Transmission Line¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | RLCG Transmission Line |
Descrizione |
RLCG transmission line |
| Schematic entry | RLCG |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rlcg |
Proprietà |
6 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| R | 0.0 | no | resistive load (Ohm/m) |
| L | 0.6e-6 | sì |
inductive load (H/m) |
| C | 240e-12 | sì |
capacitive load (F/m) |
| G | 0.0 | no | conductive load (S/m) |
Lunghezza |
1 mm | sì |
lunghezza elettrica della linea |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Substrato¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Substrato |
Descrizione |
definizione substrato |
| Schematic entry | SUBST |
| Netlist entry | Subst |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | substrato |
Proprietà |
6 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| er | 9.8 | sì |
permittivit�relativa |
| h | 1 mm | sì |
spessore in metri |
| t | 35 um | sì |
spessore della metallizzazione |
| tand | 2e-4 | sì |
fattore di dissipazione (tan d) |
| rho | 0.022e-6 | sì |
resistenza specifica del metallo |
| D | 0.15e-6 | sì |
rugosità efficace substrato |
Linea Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Linea Microstrip |
Descrizione |
linea microstrip |
| Schematic entry | MLIN |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msline |
Proprietà |
6 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| L | 10 mm | sì |
lunghezza della linea |
Modello |
Hammerstad | no | quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| DispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Linea Microstrip Accoppiata¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Linea Microstrip Accoppiata |
Descrizione |
linea microstrip accoppiata |
| Schematic entry | MCOUPLED |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mscoupled |
Proprietà |
7 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| L | 10 mm | sì |
lunghezza della linea |
| S | 1 mm | sì |
spazio fra le linee |
Modello |
Kirschning | no | microstrip model [Kirschning, Hammerstad] |
| DispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger] |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Microstrip Lange Coupler¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Microstrip Lange Coupler |
Descrizione |
microstrip lange coupler |
| Schematic entry | MLANGE |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mslange |
Proprietà |
7 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| L | 10 mm | sì |
lunghezza della linea |
| S | 1 mm | sì |
spazio fra le linee |
Modello |
Kirschning | no | microstrip model [Kirschning, Hammerstad] |
| DispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger] |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Angolo Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Angolo Microstrip |
Descrizione |
angolo microstrip |
| Schematic entry | MCORN |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mscorner |
Proprietà |
2 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
Angolo Smussato Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Angolo Smussato Microstrip |
Descrizione |
angolo smussato microstrip |
| Schematic entry | MMBEND |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msmbend |
Proprietà |
2 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
Salto di Impedenza Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Salto di Impedenza Microstrip |
Descrizione |
salto di impedenza microstrip |
| Schematic entry | MSTEP |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msstep |
Proprietà |
5 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
substrato |
| W1 | 2 mm | sì |
larghezza 1 della linea |
| W2 | 1 mm | sì |
larghezza 2 della linea |
| MSModel | Hammerstad | no | quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Microstrip T¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Microstrip T |
Descrizione |
microstrip T |
| Schematic entry | MTEE |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mstee |
Proprietà |
8 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
substrato |
| W1 | 1 mm | sì |
larghezza della linea 1 |
| W2 | 1 mm | sì |
larghezza della linea 2 |
| W3 | 2 mm | sì |
larghezza della linea 3 |
| MSModel | Hammerstad | no | quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
| Temp | 26.85 | no | temperatura in gradi Celsius |
| Symbol | showNumbers | no | show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers] |
Incrocio Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Incrocio Microstrip |
Descrizione |
incrocio microstrip |
| Schematic entry | MCROSS |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mscross |
Proprietà |
8 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
substrato |
| W1 | 1 mm | sì |
larghezza della linea 1 |
| W2 | 2 mm | sì |
larghezza della linea 2 |
| W3 | 1 mm | sì |
larghezza della linea 3 |
| W4 | 2 mm | sì |
larghezza della linea 4 |
| MSModel | Hammerstad | no | quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
| Symbol | showNumbers | no | show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers] |
Circuito Aperto Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Circuito Aperto Microstrip |
Descrizione |
circuito aperto microstrip |
| Schematic entry | MOPEN |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msopen |
Proprietà |
5 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| MSModel | Hammerstad | no | quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Modello |
Kirschning | no | microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos] |
Interruzione Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Interruzione Microstrip |
Descrizione |
interruzione microstrip |
| Schematic entry | MGAP |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msgap |
Proprietà |
6 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W1 | 1 mm | sì |
larghezza della linea 1 |
| W2 | 1 mm | sì |
larghezza della linea 2 |
| S | 1 mm | sì |
spazio tra le estremità della microstrip |
| MSModel | Hammerstad | no | quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | no | microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Foro Passante Microstrip¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Foro Passante Microstrip |
Descrizione |
foro passante microstrip |
| Schematic entry | MVIA |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msvia |
Proprietà |
3 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
substrato |
| D | 1 mm | sì |
diametro del conduttore nel foro passante |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Microstrip Radial Stub¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Microstrip Radial Stub |
Descrizione |
microstrip radial stub |
| Schematic entry | MRSTUB |
| Netlist entry | MS |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msrstub |
Proprietà |
4 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| ri | 1 mm | no | inner radius |
| ro | 10 mm | sì |
outer radius |
| alpha | 90 | sì |
stub angle (degrees) |
Linea coplanare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Linea coplanare |
Descrizione |
linea coplanare |
| Schematic entry | CLIN |
| Netlist entry | CL |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | coplanar |
Proprietà |
6 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| S | 1 mm | sì |
larghezza di un’interruzione |
| L | 10 mm | sì |
lunghezza della linea |
| Backside | Air | no | material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
| Approx | sì |
no | use approximation instead of precise equation [yes, no] |
Circuito Aperto Coplanare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Circuito Aperto Coplanare |
Descrizione |
circuito aperto coplanare |
| Schematic entry | COPEN |
| Netlist entry | CL |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwopen |
Proprietà |
5 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| S | 1 mm | sì |
larghezza di un’interruzione |
| G | 5 mm | sì |
larghezza interruzione a fine linea |
| Backside | Air | no | material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Corto Circuito Coplanare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Corto Circuito Coplanare |
Descrizione |
corto circuito coplanare |
| Schematic entry | CSHORT |
| Netlist entry | CL |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwshort |
Proprietà |
4 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| S | 1 mm | sì |
larghezza di un’interruzione |
| Backside | Air | no | material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Interruzione Coplanare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Interruzione Coplanare |
Descrizione |
interruzione coplanare |
| Schematic entry | CGAP |
| Netlist entry | CL |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwgap |
Proprietà |
4 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W | 1 mm | sì |
larghezza della linea |
| S | 1 mm | sì |
larghezza di un’interruzione |
| G | 0.5 mm | sì |
larghezza dell’interruzione tra le due linee |
Salto Impedenza Coplanare¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Salto Impedenza Coplanare |
Descrizione |
salto impedenza coplanare |
| Schematic entry | CSTEP |
| Netlist entry | CL |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwstep |
Proprietà |
5 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | sì |
nome della definizione del substrato |
| W1 | 1 mm | sì |
larghezza della linea 1 |
| W2 | 2 mm | sì |
larghezza della linea 2 |
| S | 3 mm | sì |
distanza tra piani di massa |
| Backside | Air | no | material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Bond Wire¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Bond Wire |
Descrizione |
bond wire |
| Schematic entry | BOND |
| Netlist entry | Line |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bondwire |
Proprietà |
8 |
| Category | transmission lines |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L | 3 mm | sì |
lunghezza del filo |
| D | 50 um | sì |
diametro del filo |
| H | 2 mm | sì |
distanza dal piano di massa |
| rho | 0.022e-6 | no | resistenza specifica del metallo |
| mur | 1 | no | permeabilità relativa del metallo |
Modello |
FREESPACE | no | bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES] |
| Subst | Subst1 | sì |
substrato |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
Nonlinear Components¶
Diodo¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Diodo |
Descrizione |
diodo |
| Schematic entry | Diode |
| Netlist entry | D |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | diodo |
Proprietà |
29 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Is | 1e-15 A | sì |
corrente di saturazione |
| N | 1 | sì |
coefficiente di emissione |
| Cj0 | 10 fF | sì |
capacità giunzione con polarizzazione zero |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità |
| Vj | 0.7 V | no | potenziale giunzione |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Cp | 0.0 fF | no | capacità lineare |
| Isr | 0.0 | no | parametro della corrente di ricombinazione |
| Nr | 2.0 | no | coefficiente di emissione per Isr |
| Rs | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica serie |
| Tt | 0.0 ps | no | tempo di transito |
| Ikf | 0 | no | high-injection knee current (0=infinity) |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Bv | 0 | no | tensione di rottura inversa |
| Ibv | 1 mA | no | corrente alla tensione di rottura inversa |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Eg | 1.11 | no | energy bandgap in eV |
| Tbv | 0.0 | no | coefficiente di temperatura lineare per Bv |
| Trs | 0.0 | no | coefficiente di temperatura lineare per Rs |
| Ttt1 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura lineare per Tt |
| Ttt2 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura quadratico per Tt |
| Tm1 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura lineare per M |
| Tm2 | 0.0 | no | coefficiente di temperatura quadratico per M |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per il diodo |
| Symbol | normal | no | schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor] |
Npn Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | transistor npn |
Descrizione |
transistore a giunzione bipolare |
| Schematic entry | _BJT |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npn |
Proprietà |
48 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
npn | sì |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | sì |
corrente di saturazione |
| Nf | 1 | sì |
coefficiente di emissione diretto |
| Nr | 1 | no | coefficiente di emissione inverso |
| Ikf | 0 | no | angolo di alta corrente per beta diretto |
| Ikr | 0 | no | angolo di alta corrente per beta inverso |
| Vaf | 0 | sì |
tensione di Early diretta |
| Var | 0 | no | tensione di Early inversa |
| Ise | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-emettitore |
| Ne | 1.5 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-emettitore |
| Isc | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-collettore |
| Nc | 2 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-collettore |
| Bf | 100 | sì |
beta diretto |
| Br | 1 | no | beta inverso |
| Rbm | 0 | no | resistenza di base minima per correnti elevate |
| Irb | 0 | no | corrente per resistenza di base media |
| Rc | 0 | no | resistenza ohmica collettore |
| Re | 0 | no | resistenza ohmica emettitore |
| Rb | 0 | no | resistenza di base con polarizzazione zero (può variare a corrente elevata) |
| Cje | 0 | no | capacità di svuotamento base-emettitore con polarizzazione zero |
| Vje | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-emettitore |
| Mje | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-emettitore |
| Cjc | 0 | no | capacità di svuotamento base-collettore con polarizzazione zero |
| Vjc | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-collettore |
| Mjc | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-collettore |
| Xcjc | 1.0 | no | frazione di Cjc che va al nodo di base interno |
| Cjs | 0 | no | capacità collettore-substrato con polarizzazione zero |
| Vjs | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione di substrato |
| Mjs | 0 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione di substrato |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tf | 0.0 | no | tempo di transito diretto ideale |
| Xtf | 0.0 | no | coefficiente della dipendenza dalla polarizzazione per Tf |
| Vtf | 0.0 | no | dipendenza di Tf dalla tensione base-collettore |
| Itf | 0.0 | no | effetto corrente elevata su Tf |
| Tr | 0.0 | no | tempo di transito inverso ideale |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Kb | 0.0 | no | coefficiente rumore burst |
| Ab | 1.0 | no | esponente rumore burst |
| Fb | 1.0 | no | corner frequency in Hertz per il rumore burst |
| Ptf | 0.0 | no | sfasamento aggiuntivo in gradi |
| Xtb | 0.0 | no | esponente della temperatura per beta diretto e inverso |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Eg | 1.11 | no | energy bandgap in eV |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per il transistore bipolare |
Pnp Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | transistor pnp |
Descrizione |
transistore a giunzione bipolare |
| Schematic entry | _BJT |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnp |
Proprietà |
48 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pnp | sì |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | sì |
corrente di saturazione |
| Nf | 1 | sì |
coefficiente di emissione diretto |
| Nr | 1 | no | coefficiente di emissione inverso |
| Ikf | 0 | no | angolo di alta corrente per beta diretto |
| Ikr | 0 | no | angolo di alta corrente per beta inverso |
| Vaf | 0 | sì |
tensione di Early diretta |
| Var | 0 | no | tensione di Early inversa |
| Ise | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-emettitore |
| Ne | 1.5 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-emettitore |
| Isc | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-collettore |
| Nc | 2 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-collettore |
| Bf | 100 | sì |
beta diretto |
| Br | 1 | no | beta inverso |
| Rbm | 0 | no | resistenza di base minima per correnti elevate |
| Irb | 0 | no | corrente per resistenza di base media |
| Rc | 0 | no | resistenza ohmica collettore |
| Re | 0 | no | resistenza ohmica emettitore |
| Rb | 0 | no | resistenza di base con polarizzazione zero (può variare a corrente elevata) |
| Cje | 0 | no | capacità di svuotamento base-emettitore con polarizzazione zero |
| Vje | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-emettitore |
| Mje | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-emettitore |
| Cjc | 0 | no | capacità di svuotamento base-collettore con polarizzazione zero |
| Vjc | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-collettore |
| Mjc | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-collettore |
| Xcjc | 1.0 | no | frazione di Cjc che va al nodo di base interno |
| Cjs | 0 | no | capacità collettore-substrato con polarizzazione zero |
| Vjs | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione di substrato |
| Mjs | 0 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione di substrato |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tf | 0.0 | no | tempo di transito diretto ideale |
| Xtf | 0.0 | no | coefficiente della dipendenza dalla polarizzazione per Tf |
| Vtf | 0.0 | no | dipendenza di Tf dalla tensione base-collettore |
| Itf | 0.0 | no | effetto corrente elevata su Tf |
| Tr | 0.0 | no | tempo di transito inverso ideale |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Kb | 0.0 | no | coefficiente rumore burst |
| Ab | 1.0 | no | esponente rumore burst |
| Fb | 1.0 | no | corner frequency in Hertz per il rumore burst |
| Ptf | 0.0 | no | sfasamento aggiuntivo in gradi |
| Xtb | 0.0 | no | esponente della temperatura per beta diretto e inverso |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Eg | 1.11 | no | energy bandgap in eV |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per il transistore bipolare |
Npn Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | transistor npn |
Descrizione |
transistore a giunzione bipolare con substrato |
| Schematic entry | BJT |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub |
Proprietà |
48 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
npn | sì |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | sì |
corrente di saturazione |
| Nf | 1 | sì |
coefficiente di emissione diretto |
| Nr | 1 | no | coefficiente di emissione inverso |
| Ikf | 0 | no | angolo di alta corrente per beta diretto |
| Ikr | 0 | no | angolo di alta corrente per beta inverso |
| Vaf | 0 | sì |
tensione di Early diretta |
| Var | 0 | no | tensione di Early inversa |
| Ise | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-emettitore |
| Ne | 1.5 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-emettitore |
| Isc | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-collettore |
| Nc | 2 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-collettore |
| Bf | 100 | sì |
beta diretto |
| Br | 1 | no | beta inverso |
| Rbm | 0 | no | resistenza di base minima per correnti elevate |
| Irb | 0 | no | corrente per resistenza di base media |
| Rc | 0 | no | resistenza ohmica collettore |
| Re | 0 | no | resistenza ohmica emettitore |
| Rb | 0 | no | resistenza di base con polarizzazione zero (può variare a corrente elevata) |
| Cje | 0 | no | capacità di svuotamento base-emettitore con polarizzazione zero |
| Vje | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-emettitore |
| Mje | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-emettitore |
| Cjc | 0 | no | capacità di svuotamento base-collettore con polarizzazione zero |
| Vjc | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-collettore |
| Mjc | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-collettore |
| Xcjc | 1.0 | no | frazione di Cjc che va al nodo di base interno |
| Cjs | 0 | no | capacità collettore-substrato con polarizzazione zero |
| Vjs | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione di substrato |
| Mjs | 0 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione di substrato |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tf | 0.0 | no | tempo di transito diretto ideale |
| Xtf | 0.0 | no | coefficiente della dipendenza dalla polarizzazione per Tf |
| Vtf | 0.0 | no | dipendenza di Tf dalla tensione base-collettore |
| Itf | 0.0 | no | effetto corrente elevata su Tf |
| Tr | 0.0 | no | tempo di transito inverso ideale |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Kb | 0.0 | no | coefficiente rumore burst |
| Ab | 1.0 | no | esponente rumore burst |
| Fb | 1.0 | no | corner frequency in Hertz per il rumore burst |
| Ptf | 0.0 | no | sfasamento aggiuntivo in gradi |
| Xtb | 0.0 | no | esponente della temperatura per beta diretto e inverso |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Eg | 1.11 | no | energy bandgap in eV |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per il transistore bipolare |
Pnp Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | transistor pnp |
Descrizione |
transistore a giunzione bipolare con substrato |
| Schematic entry | BJT |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub |
Proprietà |
48 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pnp | sì |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | sì |
corrente di saturazione |
| Nf | 1 | sì |
coefficiente di emissione diretto |
| Nr | 1 | no | coefficiente di emissione inverso |
| Ikf | 0 | no | angolo di alta corrente per beta diretto |
| Ikr | 0 | no | angolo di alta corrente per beta inverso |
| Vaf | 0 | sì |
tensione di Early diretta |
| Var | 0 | no | tensione di Early inversa |
| Ise | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-emettitore |
| Ne | 1.5 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-emettitore |
| Isc | 0 | no | corrente di saturazione per il leakage base-collettore |
| Nc | 2 | no | coefficiente di emissione per il leakage base-collettore |
| Bf | 100 | sì |
beta diretto |
| Br | 1 | no | beta inverso |
| Rbm | 0 | no | resistenza di base minima per correnti elevate |
| Irb | 0 | no | corrente per resistenza di base media |
| Rc | 0 | no | resistenza ohmica collettore |
| Re | 0 | no | resistenza ohmica emettitore |
| Rb | 0 | no | resistenza di base con polarizzazione zero (può variare a corrente elevata) |
| Cje | 0 | no | capacità di svuotamento base-emettitore con polarizzazione zero |
| Vje | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-emettitore |
| Mje | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-emettitore |
| Cjc | 0 | no | capacità di svuotamento base-collettore con polarizzazione zero |
| Vjc | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione base-collettore |
| Mjc | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-collettore |
| Xcjc | 1.0 | no | frazione di Cjc che va al nodo di base interno |
| Cjs | 0 | no | capacità collettore-substrato con polarizzazione zero |
| Vjs | 0.75 | no | potenziale di built-in della giunzione di substrato |
| Mjs | 0 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione di substrato |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tf | 0.0 | no | tempo di transito diretto ideale |
| Xtf | 0.0 | no | coefficiente della dipendenza dalla polarizzazione per Tf |
| Vtf | 0.0 | no | dipendenza di Tf dalla tensione base-collettore |
| Itf | 0.0 | no | effetto corrente elevata su Tf |
| Tr | 0.0 | no | tempo di transito inverso ideale |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Kb | 0.0 | no | coefficiente rumore burst |
| Ab | 1.0 | no | esponente rumore burst |
| Fb | 1.0 | no | corner frequency in Hertz per il rumore burst |
| Ptf | 0.0 | no | sfasamento aggiuntivo in gradi |
| Xtb | 0.0 | no | esponente della temperatura per beta diretto e inverso |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Eg | 1.11 | no | energy bandgap in eV |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per il transistore bipolare |
N-Jfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | n-JFET |
Descrizione |
transistore a giunzione a effetto di campo |
| Schematic entry | JFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nfet |
Proprietà |
24 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
nfet | sì |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -2.0 V | sì |
tensione di soglia |
| Beta | 1e-4 | sì |
parametro transconduttanza |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale |
| Rd | 0.0 | no | resistenza parassita drain |
| Rs | 0.0 | no | resistenza parassita source |
| Is | 1e-14 | no | corrente di saturazione della giunzione di gate |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di gate |
| Isr | 1e-14 | no | parametro della corrente di ricombinazione della giunzione di gate |
| Nr | 2.0 | no | coefficiente di emissione Isr |
| Cgs | 0.0 | no | capacità giunzione gate-source con polarizzazione zero |
| Cgd | 0.0 | no | capacità giunzione gate-drain con polarizzazione zero |
| Pb | 1.0 | no | potenziale giunzione di gate |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità giunzione con polarizzazione diretta |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità P-N di gate |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Vt0tc | 0.0 | no | coefficiente di temperatura per Vt0 |
| Betatce | 0.0 | no | esponente della temperatura per Beta |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per JFET |
P-Jfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | p-JFET |
Descrizione |
transistore a giunzione a effetto di campo |
| Schematic entry | JFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pfet |
Proprietà |
24 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pfet | sì |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -2.0 V | sì |
tensione di soglia |
| Beta | 1e-4 | sì |
parametro transconduttanza |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale |
| Rd | 0.0 | no | resistenza parassita drain |
| Rs | 0.0 | no | resistenza parassita source |
| Is | 1e-14 | no | corrente di saturazione della giunzione di gate |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di gate |
| Isr | 1e-14 | no | parametro della corrente di ricombinazione della giunzione di gate |
| Nr | 2.0 | no | coefficiente di emissione Isr |
| Cgs | 0.0 | no | capacità giunzione gate-source con polarizzazione zero |
| Cgd | 0.0 | no | capacità giunzione gate-drain con polarizzazione zero |
| Pb | 1.0 | no | potenziale giunzione di gate |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità giunzione con polarizzazione diretta |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità P-N di gate |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Vt0tc | 0.0 | no | coefficiente di temperatura per Vt0 |
| Betatce | 0.0 | no | esponente della temperatura per Beta |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura alla quale i parametri sono stati estratti |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per JFET |
N-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | n-MOSFET |
Descrizione |
transistore MOS a effetto di campo |
| Schematic entry | _MOSFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nmosfet |
Proprietà |
44 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
nfet | no | polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | 1.0 V | sì |
tensione di soglia con polarizzazione zero |
| Kp | 2e-5 | sì |
coefficiente transconduttanza in A/V^2 |
| Gamma | 0.0 | no | soglia bulk in sqrt(V) |
| Phi | 0.6 V | no | potenziale di superfice |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale in 1/V |
| Rd | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica drain |
| Rs | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica source |
| Rg | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica gate |
| Is | 1e-14 A | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di bulk |
| W | 1 um | no | larghezza canale |
| L | 1 um | no | lunghezza canale |
| Ld | 0.0 | no | lunghezza diffusione laterale |
| Tox | 0.1 um | no | spessore ossido |
| Cgso | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-source per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgdo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-drain per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgbo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-bulk per metro di lunghezza di canale in F/m |
| Cbd | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-drain con polarizzazione zero |
| Cbs | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-source con polarizzazione zero |
| Pb | 0.8 V | no | potenziale giunzione di bulk |
| Mj | 0.5 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk inferiore |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento della giunzione di bulk con polarizzazione diretta |
| Cjsw | 0.0 | no | capacità del perimetro della giunzione di bulk per metro di perimetro con polarizzazione zero in F/m |
| Mjsw | 0.33 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk di periferia |
| Tt | 0.0 ps | no | tempo di transito di bulk |
| Nsub | 0.0 | no | densità drogaggio bulk substrato in 1/cm^3 |
| Nss | 0.0 | no | densità stati superficiali in 1/cm^2 |
| Tpg | 1 | no | tipo materiale gate: 0 = allumina; -1 = stesso del bulk; 1 = opposito del bulk |
| Uo | 600.0 | no | mobilità superficiale in cm^2/Vs |
| Rsh | 0.0 | no | resistenza di diffusione drain e source in Ohm/square |
| Nrd | 1 | no | numero di quadrati equivalenti drain |
| Nrs | 1 | no | numero di quadrati equivalenti source |
| Cj | 0.0 | no | capacità inferiore della giunzione di bulk con polarizzazione zero per metro quadro di area di giunzione in F/m^2 |
| Js | 0.0 | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk per metro quadro di area di giunzione in A/m^2 |
| Ad | 0.0 | no | area diffusione drain in m^2 |
| As | 0.0 | no | area diffusione source in m^2 |
| Pd | 0.0 m | no | perimetro giunzione di drain |
| Ps | 0.0 m | no | perimetro giunzione di source |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura di misura dei parametri |
P-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | p-MOSFET |
Descrizione |
transistore MOS a effetto di campo |
| Schematic entry | _MOSFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pmosfet |
Proprietà |
44 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pfet | no | polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | sì |
tensione di soglia con polarizzazione zero |
| Kp | 2e-5 | sì |
coefficiente transconduttanza in A/V^2 |
| Gamma | 0.0 | no | soglia bulk in sqrt(V) |
| Phi | 0.6 V | no | potenziale di superfice |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale in 1/V |
| Rd | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica drain |
| Rs | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica source |
| Rg | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica gate |
| Is | 1e-14 A | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di bulk |
| W | 1 um | no | larghezza canale |
| L | 1 um | no | lunghezza canale |
| Ld | 0.0 | no | lunghezza diffusione laterale |
| Tox | 0.1 um | no | spessore ossido |
| Cgso | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-source per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgdo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-drain per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgbo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-bulk per metro di lunghezza di canale in F/m |
| Cbd | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-drain con polarizzazione zero |
| Cbs | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-source con polarizzazione zero |
| Pb | 0.8 V | no | potenziale giunzione di bulk |
| Mj | 0.5 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk inferiore |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento della giunzione di bulk con polarizzazione diretta |
| Cjsw | 0.0 | no | capacità del perimetro della giunzione di bulk per metro di perimetro con polarizzazione zero in F/m |
| Mjsw | 0.33 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk di periferia |
| Tt | 0.0 ps | no | tempo di transito di bulk |
| Nsub | 0.0 | no | densità drogaggio bulk substrato in 1/cm^3 |
| Nss | 0.0 | no | densità stati superficiali in 1/cm^2 |
| Tpg | 1 | no | tipo materiale gate: 0 = allumina; -1 = stesso del bulk; 1 = opposito del bulk |
| Uo | 600.0 | no | mobilità superficiale in cm^2/Vs |
| Rsh | 0.0 | no | resistenza di diffusione drain e source in Ohm/square |
| Nrd | 1 | no | numero di quadrati equivalenti drain |
| Nrs | 1 | no | numero di quadrati equivalenti source |
| Cj | 0.0 | no | capacità inferiore della giunzione di bulk con polarizzazione zero per metro quadro di area di giunzione in F/m^2 |
| Js | 0.0 | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk per metro quadro di area di giunzione in A/m^2 |
| Ad | 0.0 | no | area diffusione drain in m^2 |
| As | 0.0 | no | area diffusione source in m^2 |
| Pd | 0.0 m | no | perimetro giunzione di drain |
| Ps | 0.0 m | no | perimetro giunzione di source |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura di misura dei parametri |
Depletion Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | MOSFET a svuotamento |
Descrizione |
transistore MOS a effetto di campo |
| Schematic entry | _MOSFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dmosfet |
Proprietà |
44 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
nfet | no | polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | sì |
tensione di soglia con polarizzazione zero |
| Kp | 2e-5 | sì |
coefficiente transconduttanza in A/V^2 |
| Gamma | 0.0 | no | soglia bulk in sqrt(V) |
| Phi | 0.6 V | no | potenziale di superfice |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale in 1/V |
| Rd | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica drain |
| Rs | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica source |
| Rg | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica gate |
| Is | 1e-14 A | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di bulk |
| W | 1 um | no | larghezza canale |
| L | 1 um | no | lunghezza canale |
| Ld | 0.0 | no | lunghezza diffusione laterale |
| Tox | 0.1 um | no | spessore ossido |
| Cgso | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-source per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgdo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-drain per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgbo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-bulk per metro di lunghezza di canale in F/m |
| Cbd | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-drain con polarizzazione zero |
| Cbs | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-source con polarizzazione zero |
| Pb | 0.8 V | no | potenziale giunzione di bulk |
| Mj | 0.5 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk inferiore |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento della giunzione di bulk con polarizzazione diretta |
| Cjsw | 0.0 | no | capacità del perimetro della giunzione di bulk per metro di perimetro con polarizzazione zero in F/m |
| Mjsw | 0.33 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk di periferia |
| Tt | 0.0 ps | no | tempo di transito di bulk |
| Nsub | 0.0 | no | densità drogaggio bulk substrato in 1/cm^3 |
| Nss | 0.0 | no | densità stati superficiali in 1/cm^2 |
| Tpg | 1 | no | tipo materiale gate: 0 = allumina; -1 = stesso del bulk; 1 = opposito del bulk |
| Uo | 600.0 | no | mobilità superficiale in cm^2/Vs |
| Rsh | 0.0 | no | resistenza di diffusione drain e source in Ohm/square |
| Nrd | 1 | no | numero di quadrati equivalenti drain |
| Nrs | 1 | no | numero di quadrati equivalenti source |
| Cj | 0.0 | no | capacità inferiore della giunzione di bulk con polarizzazione zero per metro quadro di area di giunzione in F/m^2 |
| Js | 0.0 | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk per metro quadro di area di giunzione in A/m^2 |
| Ad | 0.0 | no | area diffusione drain in m^2 |
| As | 0.0 | no | area diffusione source in m^2 |
| Pd | 0.0 m | no | perimetro giunzione di drain |
| Ps | 0.0 m | no | perimetro giunzione di source |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura di misura dei parametri |
N-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | n-MOSFET |
Descrizione |
transistore MOS a effetto di campo con substrato |
| Schematic entry | MOSFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nmosfet_sub |
Proprietà |
44 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
nfet | no | polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | 1.0 V | sì |
tensione di soglia con polarizzazione zero |
| Kp | 2e-5 | sì |
coefficiente transconduttanza in A/V^2 |
| Gamma | 0.0 | no | soglia bulk in sqrt(V) |
| Phi | 0.6 V | no | potenziale di superfice |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale in 1/V |
| Rd | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica drain |
| Rs | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica source |
| Rg | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica gate |
| Is | 1e-14 A | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di bulk |
| W | 1 um | no | larghezza canale |
| L | 1 um | no | lunghezza canale |
| Ld | 0.0 | no | lunghezza diffusione laterale |
| Tox | 0.1 um | no | spessore ossido |
| Cgso | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-source per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgdo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-drain per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgbo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-bulk per metro di lunghezza di canale in F/m |
| Cbd | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-drain con polarizzazione zero |
| Cbs | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-source con polarizzazione zero |
| Pb | 0.8 V | no | potenziale giunzione di bulk |
| Mj | 0.5 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk inferiore |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento della giunzione di bulk con polarizzazione diretta |
| Cjsw | 0.0 | no | capacità del perimetro della giunzione di bulk per metro di perimetro con polarizzazione zero in F/m |
| Mjsw | 0.33 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk di periferia |
| Tt | 0.0 ps | no | tempo di transito di bulk |
| Nsub | 0.0 | no | densità drogaggio bulk substrato in 1/cm^3 |
| Nss | 0.0 | no | densità stati superficiali in 1/cm^2 |
| Tpg | 1 | no | tipo materiale gate: 0 = allumina; -1 = stesso del bulk; 1 = opposito del bulk |
| Uo | 600.0 | no | mobilità superficiale in cm^2/Vs |
| Rsh | 0.0 | no | resistenza di diffusione drain e source in Ohm/square |
| Nrd | 1 | no | numero di quadrati equivalenti drain |
| Nrs | 1 | no | numero di quadrati equivalenti source |
| Cj | 0.0 | no | capacità inferiore della giunzione di bulk con polarizzazione zero per metro quadro di area di giunzione in F/m^2 |
| Js | 0.0 | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk per metro quadro di area di giunzione in A/m^2 |
| Ad | 0.0 | no | area diffusione drain in m^2 |
| As | 0.0 | no | area diffusione source in m^2 |
| Pd | 0.0 m | no | perimetro giunzione di drain |
| Ps | 0.0 m | no | perimetro giunzione di source |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura di misura dei parametri |
P-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | p-MOSFET |
Descrizione |
transistore MOS a effetto di campo con substrato |
| Schematic entry | MOSFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pmosfet_sub |
Proprietà |
44 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pfet | no | polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | sì |
tensione di soglia con polarizzazione zero |
| Kp | 2e-5 | sì |
coefficiente transconduttanza in A/V^2 |
| Gamma | 0.0 | no | soglia bulk in sqrt(V) |
| Phi | 0.6 V | no | potenziale di superfice |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale in 1/V |
| Rd | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica drain |
| Rs | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica source |
| Rg | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica gate |
| Is | 1e-14 A | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di bulk |
| W | 1 um | no | larghezza canale |
| L | 1 um | no | lunghezza canale |
| Ld | 0.0 | no | lunghezza diffusione laterale |
| Tox | 0.1 um | no | spessore ossido |
| Cgso | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-source per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgdo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-drain per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgbo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-bulk per metro di lunghezza di canale in F/m |
| Cbd | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-drain con polarizzazione zero |
| Cbs | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-source con polarizzazione zero |
| Pb | 0.8 V | no | potenziale giunzione di bulk |
| Mj | 0.5 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk inferiore |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento della giunzione di bulk con polarizzazione diretta |
| Cjsw | 0.0 | no | capacità del perimetro della giunzione di bulk per metro di perimetro con polarizzazione zero in F/m |
| Mjsw | 0.33 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk di periferia |
| Tt | 0.0 ps | no | tempo di transito di bulk |
| Nsub | 0.0 | no | densità drogaggio bulk substrato in 1/cm^3 |
| Nss | 0.0 | no | densità stati superficiali in 1/cm^2 |
| Tpg | 1 | no | tipo materiale gate: 0 = allumina; -1 = stesso del bulk; 1 = opposito del bulk |
| Uo | 600.0 | no | mobilità superficiale in cm^2/Vs |
| Rsh | 0.0 | no | resistenza di diffusione drain e source in Ohm/square |
| Nrd | 1 | no | numero di quadrati equivalenti drain |
| Nrs | 1 | no | numero di quadrati equivalenti source |
| Cj | 0.0 | no | capacità inferiore della giunzione di bulk con polarizzazione zero per metro quadro di area di giunzione in F/m^2 |
| Js | 0.0 | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk per metro quadro di area di giunzione in A/m^2 |
| Ad | 0.0 | no | area diffusione drain in m^2 |
| As | 0.0 | no | area diffusione source in m^2 |
| Pd | 0.0 m | no | perimetro giunzione di drain |
| Ps | 0.0 m | no | perimetro giunzione di source |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura di misura dei parametri |
Depletion Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | MOSFET a svuotamento |
Descrizione |
transistore MOS a effetto di campo con substrato |
| Schematic entry | MOSFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dmosfet_sub |
Proprietà |
44 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
nfet | no | polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | sì |
tensione di soglia con polarizzazione zero |
| Kp | 2e-5 | sì |
coefficiente transconduttanza in A/V^2 |
| Gamma | 0.0 | no | soglia bulk in sqrt(V) |
| Phi | 0.6 V | no | potenziale di superfice |
| Lambda | 0.0 | sì |
parametro di modulazione della lunghezza di canale in 1/V |
| Rd | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica drain |
| Rs | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica source |
| Rg | 0.0 Ohm | no | resistenza ohmica gate |
| Is | 1e-14 A | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione della giunzione di bulk |
| W | 1 um | no | larghezza canale |
| L | 1 um | no | lunghezza canale |
| Ld | 0.0 | no | lunghezza diffusione laterale |
| Tox | 0.1 um | no | spessore ossido |
| Cgso | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-source per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgdo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-drain per metro di larghezza di canale in F/m |
| Cgbo | 0.0 | no | capacità di sovrapposizione gate-bulk per metro di lunghezza di canale in F/m |
| Cbd | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-drain con polarizzazione zero |
| Cbs | 0.0 F | no | capacità giunzione bulk-source con polarizzazione zero |
| Pb | 0.8 V | no | potenziale giunzione di bulk |
| Mj | 0.5 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk inferiore |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento della giunzione di bulk con polarizzazione diretta |
| Cjsw | 0.0 | no | capacità del perimetro della giunzione di bulk per metro di perimetro con polarizzazione zero in F/m |
| Mjsw | 0.33 | no | coefficiente di gradualità della giunzione di bulk di periferia |
| Tt | 0.0 ps | no | tempo di transito di bulk |
| Nsub | 0.0 | no | densità drogaggio bulk substrato in 1/cm^3 |
| Nss | 0.0 | no | densità stati superficiali in 1/cm^2 |
| Tpg | 1 | no | tipo materiale gate: 0 = allumina; -1 = stesso del bulk; 1 = opposito del bulk |
| Uo | 600.0 | no | mobilità superficiale in cm^2/Vs |
| Rsh | 0.0 | no | resistenza di diffusione drain e source in Ohm/square |
| Nrd | 1 | no | numero di quadrati equivalenti drain |
| Nrs | 1 | no | numero di quadrati equivalenti source |
| Cj | 0.0 | no | capacità inferiore della giunzione di bulk con polarizzazione zero per metro quadro di area di giunzione in F/m^2 |
| Js | 0.0 | no | corrente di saturazione della giunzione di bulk per metro quadro di area di giunzione in A/m^2 |
| Ad | 0.0 | no | area diffusione drain in m^2 |
| As | 0.0 | no | area diffusione source in m^2 |
| Pd | 0.0 m | no | perimetro giunzione di drain |
| Ps | 0.0 m | no | perimetro giunzione di source |
| Kf | 0.0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Tnom | 26.85 | no | temperatura di misura dei parametri |
Opamp¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Amplificatore Operazionale |
Descrizione |
amplificatore operazionale |
| Schematic entry | OpAmp |
| Netlist entry | OP |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | opamp |
Proprietà |
2 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| G | 1e6 | sì |
guadagno di tensione |
| Umax | 15 V | no | valore assoluto della tensione di uscita minima e massima |
Equation Defined Device¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Equation Defined Device |
Descrizione |
equation defined device |
| Schematic entry | EDD |
| Netlist entry | D |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | edd |
Proprietà |
4 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
explicit | no | type of equations [explicit, implicit] |
| Branches | 1 | no | number of branches |
| I1 | 0 | sì |
current equation 1 |
| Q1 | 0 | no | charge equation 1 |
Diac¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Diac |
Descrizione |
diac (bidirectional trigger diode) |
| Schematic entry | Diac |
| Netlist entry | D |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | diac |
Proprietà |
7 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Vbo | 30 V | sì |
(bidirectional) breakover voltage |
| Ibo | 50 uA | no | (bidirectional) breakover current |
| Cj0 | 10 pF | no | parasitic capacitance |
| Is | 1e-10 A | no | corrente di saturazione |
| N | 2 | no | coefficiente di emissione |
| Ri | 10 Ohm | no | intrinsic junction resistance |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Triac¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Triac |
Descrizione |
triac (bidirectional thyristor) |
| Schematic entry | Triac |
| Netlist entry | D |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | triac |
Proprietà |
8 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Vbo | 400 V | no | (bidirectional) breakover voltage |
| Igt | 50 uA | sì |
(bidirectional) gate trigger current |
| Cj0 | 10 pF | no | parasitic capacitance |
| Is | 1e-10 A | no | corrente di saturazione |
| N | 2 | no | coefficiente di emissione |
| Ri | 10 Ohm | no | intrinsic junction resistance |
| Rg | 5 Ohm | no | gate resistance |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Thyristor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Thyristor |
Descrizione |
silicon controlled rectifier (SCR) |
| Schematic entry | SCR |
| Netlist entry | D |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | thyristor |
Proprietà |
8 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Vbo | 400 V | no | breakover voltage |
| Igt | 50 uA | sì |
gate trigger current |
| Cj0 | 10 pF | no | parasitic capacitance |
| Is | 1e-10 A | no | corrente di saturazione |
| N | 2 | no | coefficiente di emissione |
| Ri | 10 Ohm | no | intrinsic junction resistance |
| Rg | 5 Ohm | no | gate resistance |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Tunnel Diode¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Tunnel Diode |
Descrizione |
resonance tunnel diode |
| Schematic entry | RTD |
| Netlist entry | D |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tunneldiode |
Proprietà |
16 |
| Category | nonlinear components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Ip | 4 mA | sì |
peak current |
| Iv | 0.6 mA | sì |
valley current |
| Vv | 0.8 V | sì |
valley voltage |
| Wr | 2.7e-20 | no | resonance energy in Ws |
| eta | 1e-20 | no | Fermi energy in Ws |
| dW | 4.5e-21 | no | resonance width in Ws |
| Tmax | 0.95 | no | maximum of transmission |
| de | 0.9 | no | fitting factor for electron density |
| dv | 2.0 | no | fitting factor for voltage drop |
| nv | 16 | no | fitting factor for diode current |
| Cj0 | 80 fF | no | zero-bias depletion capacitance |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità |
| Vj | 0.5 V | no | potenziale giunzione |
| te | 0.6 ps | no | life-time of electrons |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| Area | 1.0 | no | area predefinita per il diodo |
Verilog-A Devices¶
Hicum L2 V2.1¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.1 |
Descrizione |
Dispositivo verilog HICUM Level 2 v2.1 |
| Schematic entry | hicumL2V2p1 |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Proprietà |
101 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| c10 | 1.516E-31 | no | Costante GICCR |
| qp0 | 5.939E-15 | no | Carica lacuna a zero bias |
| ich | 1.0E11 | no | Correzione per correnti elevate per gli effetti 2D e 3D |
| hfe | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di emettitore negli HBT |
| hfc | 0.03999 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di collettore negli HBT |
| hjei | 0.435 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-E negli HBT |
| hjci | 0.09477 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-C negli HBT |
| ibeis | 3.47E-20 | no | Corrente di saturazione B-E interna |
| mbei | 1.025 | no | Fattore di idealità della corrente B-E interna |
| ireis | 390E-12 | no | Corrente di saturazione della ricombinazione B-E interna |
| mrei | 3 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E interna |
| ibeps | 4.18321E-21 | no | Corrente di saturazione B-E periferica |
| mbep | 1.045 | no | Fattore di idealità della corrente B-E periferica |
| ireps | 1.02846E-14 | no | Corrente di saturazione della ricombinazione B-E periferica |
| mrep | 3 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E periferica |
| mcf | 1.0 | no | Fattore di non idealità per HBT III-V |
| ibcis | 3.02613E-18 | no | Corrente di saturazione B-C interna |
| mbci | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C interna |
| ibcxs | 4.576E-29 | no | Corrente di saturazione B-C esterna |
| mbcx | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C esterna |
| ibets | 0.0 | no | Corrente di saturazione tunneling B-E |
| abet | 36.74 | no | Fattore esponenziale per la corrente di tunneling |
| favl | 14.97 | no | Fattore corrente di valanga |
| qavl | 7.2407E-14 | no | Fattore esponenziale per la corrente di valanga |
| alfav | 0.0 | no | Coefficiente temperatura relativo per FAVL |
| alqav | 0.0 | no | Coefficiente temperatura relativo per QAVL |
| rbi0 | 7.9 | no | Resistenza di base interna a polarizzazione zero |
| rbx | 13.15 | no | Resistenza serie di base esterna |
| fgeo | 0.724 | no | Fattore per la dipendenza dalla geometria dell’addensamento della corrente di collettore |
| fdqr0 | 0 | no | Fattore di correzione per la modulazione dallo strato di carica spaziale B-E e B-C |
| fcrbi | 0.0 | no | Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect) |
| fqi | 1.0 | no | Rapporto carica interna rispetto alla carica minoritaria totale |
| re | 9.77 | no | Resistenza serie emettitore |
| rcx | 10 | no | Resistenza serie di collettore esterna |
| itss | 2.81242E-19 | no | Substrate transistor transfer saturation current |
| msf | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente di trasferimento di substrato |
| iscs | 7.6376E-17 | no | Corrente di saturazione diodo C-S |
| msc | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente per il diodo C-S |
| tsf | 1.733E-8 | no | Tempo di transito per il funzionamento in zona diretta del transistore di substrato |
| rsu | 800 | no | Resistenza serie substrato |
| csu | 1.778E-14 | no | Capacità parallelo del substrato |
| cjei0 | 5.24382E-14 | no | Capacità di svuotamento B-E interna con polarizzazione zero |
| vdei | 0.9956 | no | Potenziale di built-in giunzione B-E interna |
| zei | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-E interno |
| aljei | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E interna |
| cjep0 | 0 | no | Capacità di svuotamento B-E periferica con polarizzazione zero |
| vdep | 1 | no | Potenziale di built-in giunzione B-E periferica |
| zep | 0.01 | no | Coefficiente di gradualità B-E periferico |
| aljep | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E periferica |
| cjci0 | 4.46887E-15 | no | Capacità di svuotamento B-C interna con polarizzazione zero |
| vdci | 0.7 | no | Potenziale di built-in giunzione B-C interna |
| zci | 0.38 | no | coefficiente di gradualità B-C interno |
| vptci | 100 | no | Internal B-C punch-through voltage |
| cjcx0 | 1.55709E-14 | no | Capacità di svuotamento B-C esterna con polarizzazione zero |
| vdcx | 0.733 | no | Potenziale di built-in giunzione B-C esterna |
| zcx | 0.34 | no | coefficiente di gradualità B-C esterno |
| vptcx | 100 | no | External B-C punch-through voltage |
| fbc | 0.3487 | no | Fattore di partizionamento della capacità parassita B-C |
| cjs0 | 17.68E-15 | no | Capacità di svuotamento a zero bias C-S |
| vds | 0.621625 | no | Potenziale di built-in C-S |
| zs | 0.122136 | no | Coefficiente di gradualità C-S |
| vpts | 1000 | no | C-S punch-through voltage |
| t0 | 1.28E-12 | no | Tempo di transito diretto per basse correnti a VBC=0V |
| dt0h | 260E-15 | no | Costante di tempo della modulazione dello strato di carica spaziale per la base e B-C |
| tbvl | 2.0E-13 | no | Time constant for modelling carrier jam at low VCE |
| tef0 | 0.0 | no | Neutral emitter storage time |
| gtfe | 1.0 | no | Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time |
| thcs | 46E-15 | no | Costante di tempo della saturazione ad alte densità di corrente |
| alhc | 0.08913 | no | Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time |
| fthc | 0.8778 | no | Fattore di partizione per le parti di base e collettore |
| rci0 | 50.4277 | no | resistenza di collettore interna per basso campo elettrico |
| vlim | 0.9 | no | Tensione di confine regime ohmico / regime di saturazione della velocità |
| vces | 0.01 | no | Tensione di saturazione C-E interna |
| vpt | 10 | no | Collector punch-through voltage |
| tr | 1.0E-11 | no | Storage time for inverse operation |
| ceox | 1.71992E-15 | no | Capacità parassita totale B-E |
| ccox | 4.9E-15 | no | Capacità parassita totale B-C |
| alqf | 0.1288 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della carica minoritaria |
| alit | 1.0 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della corrente di trasferimento |
| kf | 2.83667E-9 | no | Coefficiente rumore flicker |
| af | 2.0 | no | Fattore esponenziale rumore flicker |
| krbi | 1.0 | no | Fattore di rumore per la resistenza di base interna |
| latb | 10.479 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width |
| latl | 0.300012 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length |
| vgb | 1.112 | no | Tensione di bandgap estrapolata a 0 K |
| alt0 | 0.0017580 | no | Coefficiente di temperatura del prim’ordine del parametro T0 |
| kt0 | 4.07E-6 | no | Coefficiente di temperatura del second’ordine del parametro T0 |
| zetaci | 0.7 | no | Esponente della temperatura per RCI0 |
| zetacx | 1.0 | no | Esponente della temperatura per la mobilità nel tempo di transito per il transistore di substrato |
| alvs | 0.001 | no | CT relativo della velocità di deriva di saturazione |
| alces | 0.000125 | no | CT relativo di VCES |
| zetarbi | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base interna |
| zetarbx | 0.2 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base esterna |
| zetarcx | 0.21 | no | Esponente della temperatura della resistenza di collettore esterna |
| zetare | 0.7 | no | Esponente della temperatura della resistenza di emetttore |
| alb | 0.007 | no | CT relativo del guadagno in corrente diretto per modello V2.1 |
| rth | 1293.95 | no | Resistenza termica |
| cth | 7.22203E-11 | no | Capacità termica |
| tnom | 27.0 | no | temperatura alla quale i parametri sono specificati |
| dt | 0.0 | no | Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Fbh Hbt¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | FBH HBT |
Descrizione |
Modello HBT del Ferdinand-Braun-Institut (FBH), Berlino |
| Schematic entry | HBT_X |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npn_therm |
Proprietà |
80 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Mode | 1 | no | Ignorato |
| Noise | 1 | no | Ignorato |
| Debug | 0 | no | Ignorato |
| DebugPlus | 0 | no | Ignorato |
| Temp | 25.0 | no | Temperatura di lavoro del dispositivo, Celsius |
| Rth | 0.1 | no | Resistenza termica, K/W |
| Cth | 700e-9 | no | Capacità termica |
| N | 1 | no | Fattore di scala, numero di emettitori |
| L | 30e-6 | no | Lunghezza di ogni emettitore, m |
| W | 1e-6 | no | Larghezza di ogni emettitore, m |
| Jsf | 20e-24 | no | corrente di saturazione diretta, A/um^2 |
| nf | 1.0 | no | coefficiente di emissione diretta |
| Vg | 1.3 | no | Energia di attivazione termica diretta, V, (0 == disabilita la dipendenza dalla temperatura) |
| Jse | 0.0 | no | Densità di corrente di saturazione del leakage B-E, A/um^2 |
| ne | 0.0 | no | coefficiente di emissione del leakage B-E |
| Rbxx | 1e6 | no | Resistenza di limitazione del diodo di leakage B-E, Ohm |
| Vgb | 0.0 | no | Energia di attivazione termica del leakage B-E, V, (0 == disabilita la dipendenza dalla temperatura) |
| Jsee | 0.0 | no | Densità di corrente di saturazione del leakage B-E (2), A/um^2 |
| nee | 0.0 | no | coefficiente di emissione del leakage B-E (2) |
| Rbbxx | 1e6 | no | Resistenza di limitazione del diodo di leakage B-E, Ohm (2) |
| Vgbb | 0.0 | no | Energia di attivazione termica del leakage B-E (2), V, (0 == disabilita la dipendenza dalla temperatura) |
| Jsr | 20e-18 | no | corrente di saturazione inversa, A/um^2 |
| nr | 1.0 | no | coefficiente di emissione inversa |
| Vgr | 0.0 | no | Energia di attivazione termica inversa, V, (0 == disabilita la dipendenza dalla temperatura) |
| XCjc | 0.5 | no | Frazione di Cjc affluente al nodo di base interno |
| Jsc | 0.0 | no | Densità di corrente di saturazione del leakage B-C, A/um^2 (0. spegne il diodo) |
| nc | 0.0 | no | coefficiente di emissione per il leakage B-C (0. spegne il diodo) |
| Rcxx | 1e6 | no | Resistenza di limitazione del diodo di leakage B-C, Ohm |
| Vgc | 0.0 | no | Energia di attivazione termica del leakage B-C, V, (0 == disabilita la dipendenza dalla temperatura) |
| Bf | 100.0 | no | Beta ideale diretto |
| kBeta | 0.0 | no | Coefficiente di temperatura del guadagno di corrente diretto, -1/K, (0 == disabilita la dipendenza dalla temperatura) |
| Br | 1.0 | no | Beta ideale inverso |
| VAF | 0.0 | no | Tensione di Early diretta, V, (0 == disabilita effetto Early) |
| VAR | 0.0 | no | Tensione di Early inversa, V, (0 == disabilita effetto Early) |
| IKF | 0.0 | no | Forward high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect) |
| IKR | 0.0 | no | Reverse high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect) |
| Mc | 0.0 | no | Esponente di breakdown C-E, (0 == disabilita breakdown di collettore) |
| BVceo | 0.0 | no | Tensione di breakdown C-E, V, (0 == disabilita breakdown di collettore) |
| kc | 0.0 | no | Fattore di breakdown C-E, (0 == disabilita breakdown di collettore) |
| BVebo | 0.0 | no | Tensione di breakdown B-E, (0 == disabilita breakdown di emettitore) |
| Tr | 1.0e-15 | no | Tempo di transito ideale inverso, s |
| Trx | 1.0e-15 | no | Capacità di diffusione estrinseca BC, F |
| Tf | 1.0e-12 | no | tempo di transito diretto ideale, s |
| Tft | 0.0 | no | Coefficiente di temperatura del tempo di transito diretto |
| Thcs | 0.0 | no | Excess transit time coefficient at base push-out |
| Ahc | 0.0 | no | Smoothing parameter for Thcs |
| Cje | 1.0e-15 | no | Capacità di svuotamento a zero bias B-E, F/um^2 |
| mje | 0.5 | no | Fattore esponenziale giunzione B-E |
| Vje | 1.3 | no | Potenziale di built-in giunzione B-E, V |
| Cjc | 1.0e-15 | no | Capacità di svuotamento a zero bias B-C, F/um^2 |
| mjc | 0.5 | no | Fattore esponenziale giunzione B-C |
| Vjc | 1.3 | no | Potenziale di built-in giunzione B-C, V |
| kjc | 1.0 | no | non usato |
| Cmin | 0.1e-15 | no | Capacità di svuotamento B-C minima (dipendenza da Vbc), F/um^2 |
| J0 | 1e-3 | no | Corrente di collettore alla quale Cbc è paria Cmin, A/um^2 (0 == disabilita riduzione Cbc) |
| XJ0 | 1.0 | no | Frazione di Cmin, limite inferiore della capacità BC (dipendeza da Ic) |
| Rci0 | 1e-3 | no | Onset of base push-out at low voltages, Ohm*um^2 (0 == disables base push-out) |
| Jk | 4e-4 | no | Onset of base push-out at high voltages, A/um^2, (0 == disables base push-out) |
| RJk | 1e-3 | no | Pendenza di jk a correnti elevate , Ohm*um^2 |
| Vces | 1e-3 | no | Voltage shift of base push-out onset, V |
| Rc | 1.0 | no | Resistenza di collettore, Ohm/finger |
| Re | 1.0 | no | Resistenza di emettitore, Ohm/finger |
| Rb | 1.0 | no | Resistenza di base estrinseca, Ohm/finger |
| Rb2 | 1.0 | no | Resistenza ohmica di base interna, Ohm/finger |
| Lc | 0.0 | no | Induttanza di collettore, H |
| Le | 0.0 | no | Induttanza di emettitore, H |
| Lb | 0.0 | no | Induttanza di base, H |
| Cq | 0.0 | no | Capacità estrinseca B-C, F |
| Cpb | 0.0 | no | Capacità estrinseca di base, F |
| Cpc | 0.0 | no | Capacità estrinseca di collettore, F |
| Kfb | 0.0 | no | Coefficiente rumore flicker |
| Afb | 0.0 | no | Esponente rumore flicker |
| Ffeb | 0.0 | no | Esponente frequenziale rumore flicker |
| Kb | 0.0 | no | Coefficiente rumore burst |
| Ab | 0.0 | no | Esponente rumore burst |
| Fb | 0.0 | no | Corner frequency per il rumore burst, Hz |
| Kfe | 0.0 | no | Coefficiente rumore flicker |
| Afe | 0.0 | no | Esponente rumore flicker |
| Ffee | 0.0 | no | Esponente frequenziale rumore flicker |
| Tnom | 20.0 | no | Temperatura ambiente alla quale i parametri sono stati determinati |
Modular Opamp¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Modular OpAmp |
Descrizione |
Modular Operational Amplifier verilog device |
| Schematic entry | mod_amp |
| Netlist entry | OP |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mod_amp |
Proprietà |
17 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| GBP | 1e6 | no | Gain bandwidth product (Hz) |
| AOLDC | 106.0 | no | Open-loop differential gain at DC (dB) |
| FP2 | 3e6 | no | Second pole frequency (Hz) |
| RO | 75 | no | Output resistance (Ohm) |
| CD | 1e-12 | no | Differential input capacitance (F) |
| RD | 2e6 | no | Differential input resistance (Ohm) |
| IOFF | 20e-9 | no | Input offset current (A) |
| IB | 80e-9 | no | Input bias current (A) |
| VOFF | 7e-4 | no | Input offset voltage (V) |
| CMRRDC | 90.0 | no | Common-mode rejection ratio at DC (dB) |
| FCM | 200.0 | no | Common-mode zero corner frequency (Hz) |
| PSRT | 5e5 | no | Positive slew rate (V/s) |
| NSRT | 5e5 | no | Negative slew rate (V/s) |
| VLIMP | 14 | no | Positive output voltage limit (V) |
| VLIMN | -14 | no | Negative output voltage limit (V) |
| ILMAX | 35e-3 | no | Maximum DC output current (A) |
| CSCALE | 50 | no | Current limit scale factor |
Hicum L2 V2.22¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.22 |
Descrizione |
HICUM Level 2 v2.22 verilog device |
| Schematic entry | hic2_full |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Proprietà |
114 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | no | GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | no | Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | no | High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hfe | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di emettitore negli HBT |
| hfc | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di collettore negli HBT |
| hjei | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-E negli HBT |
| hjci | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-C negli HBT |
| ibeis | 1.0E-18 | no | Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E interna |
| ireis | 0.0 | no | Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E interna |
| ibeps | 0.0 | no | Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E periferica |
| ireps | 0.0 | no | Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E periferica |
| mcf | 1.0 | no | Fattore di non idealità per HBT III-V |
| tbhrec | 0.0 | no | Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | no | Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C interna |
| ibcxs | 0.0 | no | External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C esterna |
| ibets | 0.0 | no | B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | no | Fattore esponenziale per la corrente di tunneling |
| tunode | 1 | no | Specifies the base node connection for the tunneling current |
| favl | 0.0 | no | Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | no | Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | no | Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | no | Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | no | Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | no | Fattore per la dipendenza dalla geometria dell’addensamento della corrente di collettore |
| fdqr0 | 0.0 | no | Fattore di correzione per la modulazione dallo strato di carica spaziale B-E e B-C |
| fcrbi | 0.0 | no | Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect) |
| fqi | 1.0 | no | Rapporto carica interna rispetto alla carica minoritaria totale |
| re | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente di trasferimento di substrato |
| iscs | 0.0 | no | C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente per il diodo C-S |
| tsf | 0.0 | no | Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | no | Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | no | Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | no | Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | no | Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | no | coefficiente di gradualità B-E interno |
| ajei | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E interna |
| cjep0 | 1.0E-20 | no | Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | no | Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità B-E periferico |
| ajep | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E periferica |
| cjci0 | 1.0E-20 | no | Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C interno |
| vptci | 100 | no | Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | no | External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C esterno |
| vptcx | 100 | no | External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-C cap |
| fbepar | 1.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-E cap |
| cjs0 | 0.0 | no | C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | no | C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità C-S |
| vpts | 100 | no | C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | no | Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | no | Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | no | Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time |
| fthc | 0.0 | no | Fattore di partizione per le parti di base e collettore |
| rci0 | 150 | no | Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | no | Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 0.0 | no | Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | no | Storage time for inverse operation (s) |
| cbepar | 0.0 | no | Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | no | Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.0 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della carica minoritaria |
| alit | 0.0 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della corrente di trasferimento |
| flnqs | 0 | no | Flag for turning on and off of vertical NQS effect |
| kf | 0.0 | no | Coefficiente rumore flicker |
| af | 2.0 | no | Fattore esponenziale rumore flicker |
| cfbe | -1 | no | Flag for determining where to tag the flicker noise source |
| latb | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width |
| latl | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length |
| vgb | 1.17 | no | Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | no | First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Coefficiente di temperatura del second’ordine del parametro T0 |
| zetaci | 0.0 | no | Esponente della temperatura per RCI0 |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base interna |
| zetarbx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base esterna |
| zetarcx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di collettore esterna |
| zetare | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di emetttore |
| zetacx | 1.0 | no | Esponente della temperatura per la mobilità nel tempo di transito per il transistore di substrato |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence |
| alb | 0.0 | no | Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| flsh | 0 | no | Flag for turning on and off self-heating effect |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | no | Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | no | Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Logarithmic Amplifier¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Logarithmic Amplifier |
Descrizione |
Logarithmic Amplifier verilog device |
| Schematic entry | log_amp |
| Netlist entry | LA |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | log_amp |
Proprietà |
17 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Kv | 1.0 | no | scale factor |
| Dk | 0.3 | no | scale factor error (%) |
| Ib1 | 5e-12 | no | input I1 bias current (A) |
| Ibr | 5e-12 | no | input reference bias current (A) |
| M | 5 | no | number of decades |
| N | 0.1 | no | conformity error (%) |
| Vosout | 3e-3 | no | output offset error (V) |
| Rinp | 1e6 | no | amplifier input resistance (Ohm) |
| Fc | 1e3 | no | amplifier 3dB frequency (Hz) |
| Ro | 1e-3 | no | amplifier output resistance (Ohm) |
| Ntc | 0.002 | no | conformity error temperature coefficient (%/Celsius) |
| Vosouttc | 80e-6 | no | offset temperature coefficient (V/Celsius) |
| Dktc | 0.03 | no | scale factor error temperature coefficient (%/Celsius) |
| Ib1tc | 0.5e-12 | no | input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius) |
| Ibrtc | 0.5e-12 | no | input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius) |
| Tnom | 26.85 | no | parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Npn Hicum L0 V1.12¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.12 |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.12 verilog device |
| Schematic entry | hic0_full |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Proprietà |
86 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
npn | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| tfh | 1.0e6 | no | high-injection correction factor |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Pnp Hicum L0 V1.12¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.12 |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.12 verilog device |
| Schematic entry | hic0_full |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Proprietà |
86 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pnp | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| tfh | 1.0e6 | no | high-injection correction factor |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Potentiometer¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Potentiometer |
Descrizione |
Potentiometer verilog device |
| Schematic entry | potentiometer |
| Netlist entry | POT |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | potentiometer |
Proprietà |
11 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| R_pot | 1e4 | no | nominal device resistance (Ohm) |
| Rotation | 120 | no | shaft/wiper arm rotation (degrees) |
| Taper_Coeff | 0 | no | resistive law taper coefficient |
| LEVEL | 1 | no | device type selector [1, 2, 3] |
| Max_Rotation | 240.0 | no | maximum shaft/wiper rotation (degrees) |
| Conformity | 0.2 | no | conformity error (%) |
| Linearity | 0.2 | no | linearity error (%) |
| Contact_Res | 1 | no | wiper arm contact resistance (Ohm) |
| Temp_Coeff | 100 | no | resistance temperature coefficient (PPM/Celsius) |
| Tnom | 26.85 | no | parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Mesfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | MESFET |
Descrizione |
MESFET verilog device |
| Schematic entry | MESFET |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | MESFET |
Proprietà |
52 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 1 | no | model selector |
| Vto | -1.8 | no | pinch-off voltage (V) |
| Beta | 3e-3 | no | transconductance parameter (A/(V*V)) |
| Alpha | 2.25 | no | saturation voltage parameter (1/V) |
| Lambda | 0.05 | no | channel length modulation parameter (1/V) |
| B | 0.3 | no | doping profile parameter (1/V) |
| Qp | 2.1 | no | power law exponent parameter |
| Delta | 0.1 | no | power feedback parameter (1/W) |
| Vmax | 0.5 | no | maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V) |
| Vdelta1 | 0.3 | no | capacitance saturation transition voltage (V) |
| Vdelta2 | 0.2 | no | capacitance threshold transition voltage (V) |
| Gamma | 0.015 | no | dc drain pull coefficient |
| Nsc | 1 | no | subthreshold conductance parameter |
| Is | 1e-14 | no | diode saturation current (I) |
| N | 1 | no | diode emission coefficient |
| Vbi | 1.0 | no | built-in gate potential (V) |
| Bv | 60 | no | gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V) |
| Xti | 3.0 | no | diode saturation current temperature coefficient |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tau | 1e-9 | no | transit time under gate (s) |
| Rin | 1e-3 | no | channel resistance (Ohm) |
| Area | 1 | no | area factor |
| Eg | 1.11 | no | energy gap (eV) |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità |
| Cgd | 0.2e-12 | no | zero bias gate-drain junction capacitance (F) |
| Cgs | 1e-12 | no | zero bias gate-source junction capacitance (F) |
| Cds | 1e-12 | no | zero bias drain-source junction capacitance (F) |
| Betatc | 0 | no | Beta temperature coefficient (%/Celsius) |
| Alphatc | 0 | no | Alpha temperature coefficient (%/Celsius) |
| Gammatc | 0 | no | Gamma temperature coefficient (%/Celsius) |
| Ng | 2.65 | no | Subthreshold slope gate parameter |
| Nd | -0.19 | no | subthreshold drain pull parameter |
| ILEVELS | 3 | no | gate-source current equation selector |
| ILEVELD | 3 | no | gate-drain current equation selector |
| QLEVELS | 2 | no | gate-source charge equation selector |
| QLEVELD | 2 | no | gate-drain charge equation selector |
| QLEVELDS | 2 | no | drain-source charge equation selector |
| Vtotc | 0 | no | Vto temperature coefficient |
| Rg | 5.1 | no | gate resistance (Ohms) |
| Rd | 1.3 | no | drain resistance (Ohms) |
| Rs | 1.3 | no | source resistance (Ohms) |
| Rgtc | 0 | no | gate resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
| Rdtc | 0 | no | drain resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
| Rstc | 0 | no | source resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
| Ibv | 1e-3 | no | gate reverse breakdown currrent (A) |
| Rf | 10 | no | forward bias slope resistance (Ohms) |
| R1 | 10 | no | breakdown slope resistance (Ohms) |
| Af | 1 | no | esponente rumore flicker |
| Kf | 0 | no | coefficiente rumore flicker |
| Gdsnoi | 1 | no | shot noise coefficient |
| Tnom | 26.85 | no | parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Epfl-Ekv Nmos 2.6¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | EPFL-EKV NMOS 2.6 |
Descrizione |
EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device |
| Schematic entry | EKV26MOS |
| Netlist entry | M |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | EKV26nMOS |
Proprietà |
55 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
nmos | sì |
polarity [nmos, pmos] |
| LEVEL | 1 | no | long = 1, short = 2 |
| L | 0.5e-6 | no | length parameter (m) |
| W | 10e-6 | no | Width parameter (m) |
| Np | 1.0 | no | parallel multiple device number |
| Ns | 1.0 | no | series multiple device number |
| Cox | 3.45e-3 | no | gate oxide capacitance per unit area (F/m**2) |
| Xj | 0.15e-6 | no | metallurgical junction depth (m) |
| Dw | -0.02e-6 | no | channel width correction (m) |
| Dl | -0.05e-6 | no | channel length correction (m) |
| Vto | 0.6 | no | long channel threshold voltage (V) |
| Gamma | 0.71 | no | body effect parameter (V**(1/2)) |
| Phi | 0.97 | no | bulk Fermi potential (V) |
| Kp | 150e-6 | no | transconductance parameter (A/V**2) |
| Theta | 50e-3 | no | mobility reduction coefficient (1/V) |
| EO | 88.0e6 | no | mobility coefficient (V/m) |
| Ucrit | 4.5e6 | no | longitudinal critical field (V/m) |
| Lambda | 0.23 | no | depletion length coefficient |
| Weta | 0.05 | no | narrow-channel effect coefficient |
| Leta | 0.28 | no | longitudinal critical field |
| Q0 | 280e-6 | no | reverse short channel charge density (A*s/m**2) |
| Lk | 0.5e-6 | no | characteristic length (m) |
| Tcv | 1.5e-3 | no | threshold voltage temperature coefficient (V/K) |
| Bex | -1.5 | no | mobility temperature coefficient |
| Ucex | 1.7 | no | Longitudinal critical field temperature exponent |
| Ibbt | 0.0 | no | Ibb temperature coefficient (1/K) |
| Hdif | 0.9e-6 | no | heavily doped diffusion length (m) |
| Rsh | 510.0 | no | drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square) |
| Rsc | 0.0 | no | source contact resistance (Ohm) |
| Rdc | 0.0 | no | drain contact resistance (Ohm) |
| Cgso | 1.5e-10 | no | gate to source overlap capacitance (F/m) |
| Cgdo | 1.5e-10 | no | gate to drain overlap capacitance (F/m) |
| Cgbo | 4.0e-10 | no | gate to bulk overlap capacitance (F/m) |
| Iba | 2e8 | no | first impact ionization coefficient (1/m) |
| Ibb | 3.5e8 | no | second impact ionization coefficient (V/m) |
| Ibn | 1.0 | no | saturation voltage factor for impact ionization |
| Kf | 1.0e-27 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Avto | 0.0 | no | area related theshold voltage mismatch parameter (V*m) |
| Akp | 0.0 | no | area related gain mismatch parameter (m) |
| Agamma | 0.0 | no | area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m) |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione |
| Is | 1e-14 | no | saturation current (A) |
| Bv | 100 | no | reverse breakdown voltage (V) |
| Ibv | 1e-3 | no | current at reverse breakdown voltage (A) |
| Vj | 1.0 | no | junction potential (V) |
| Cj0 | 300e-15 | no | zero-bias junction capacitance (F) |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità |
| Area | 1.0 | no | diode relative area |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tt | 0.1e-9 | no | transit time (s) |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Xpart | 0.4 | no | charge partition parameter |
| Tnom | 26.85 | no | parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Epfl-Ekv Pmos 2.6¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | EPFL-EKV PMOS 2.6 |
Descrizione |
EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device |
| Schematic entry | EKV26MOS |
| Netlist entry | M |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | EKV26pMOS |
Proprietà |
55 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pmos | sì |
polarity [nmos, pmos] |
| LEVEL | 1 | no | long = 1, short = 2 |
| L | 0.5e-6 | no | length parameter (m) |
| W | 10e-6 | no | Width parameter (m) |
| Np | 1.0 | no | parallel multiple device number |
| Ns | 1.0 | no | series multiple device number |
| Cox | 3.45e-3 | no | gate oxide capacitance per unit area (F/m**2) |
| Xj | 0.15e-6 | no | metallurgical junction depth (m) |
| Dw | -0.03e-6 | no | channel width correction (m) |
| Dl | -0.05e-6 | no | channel length correction (m) |
| Vto | -0.55 | no | long channel threshold voltage (V) |
| Gamma | 0.69 | no | body effect parameter (V**(1/2)) |
| Phi | 0.87 | no | bulk Fermi potential (V) |
| Kp | 35e-6 | no | transconductance parameter (A/V**2) |
| Theta | 50e-3 | no | mobility reduction coefficient (1/V) |
| EO | 51.0e6 | no | mobility coefficient (V/m) |
| Ucrit | 18.0e6 | no | longitudinal critical field (V/m) |
| Lambda | 1.1 | no | depletion length coefficient |
| Weta | 0.0 | no | narrow-channel effect coefficient |
| Leta | 0.45 | no | longitudinal critical field |
| Q0 | 200e-6 | no | reverse short channel charge density (A*s/m**2) |
| Lk | 0.6e-6 | no | characteristic length (m) |
| Tcv | -1.4e-3 | no | threshold voltage temperature coefficient (V/K) |
| Bex | -1.4 | no | mobility temperature coefficient |
| Ucex | 2.0 | no | Longitudinal critical field temperature exponent |
| Ibbt | 0.0 | no | Ibb temperature coefficient (1/K) |
| Hdif | 0.9e-6 | no | heavily doped diffusion length (m) |
| Rsh | 990.0 | no | drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square) |
| Rsc | 0.0 | no | source contact resistance (Ohm) |
| Rdc | 0.0 | no | drain contact resistance (Ohm) |
| Cgso | 1.5e-10 | no | gate to source overlap capacitance (F/m) |
| Cgdo | 1.5e-10 | no | gate to drain overlap capacitance (F/m) |
| Cgbo | 4.0e-10 | no | gate to bulk overlap capacitance (F/m) |
| Iba | 0.0 | no | first impact ionization coefficient (1/m) |
| Ibb | 3.0e8 | no | second impact ionization coefficient (V/m) |
| Ibn | 1.0 | no | saturation voltage factor for impact ionization |
| Kf | 1.0e-28 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Avto | 0.0 | no | area related theshold voltage mismatch parameter (V*m) |
| Akp | 0.0 | no | area related gain mismatch parameter (m) |
| Agamma | 0.0 | no | area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m) |
| N | 1.0 | no | coefficiente di emissione |
| Is | 1e-14 | no | saturation current (A) |
| Bv | 100 | no | reverse breakdown voltage (V) |
| Ibv | 1e-3 | no | current at reverse breakdown voltage (A) |
| Vj | 1.0 | no | junction potential (V) |
| Cj0 | 300e-15 | no | zero-bias junction capacitance (F) |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità |
| Area | 1.0 | no | diode relative area |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tt | 0.1e-9 | no | transit time (s) |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Xpart | 0.4 | no | charge partition parameter |
| Tnom | 26.85 | no | parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Bsim3V34Nmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | bsim3v34nMOS |
Descrizione |
bsim3v34nMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim3v34nMOS |
| Netlist entry | BSIM3_ |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim3v34nMOS |
Proprietà |
408 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L | 0.35e-6 | no | - |
| W | 5.0e-6 | no | - |
| PS | 8.0e-6 | no | - |
| PD | 8.0e-6 | no | - |
| AS | 12.0e-12 | no | - |
| AD | 12.0e-12 | no | - |
| NRS | 10.0 | no | - |
| NRD | 10.0 | no | - |
| NQSMOD | 0 | no | - |
| GMIN | 1e-12 | no | - |
| VERSION | 3.24 | no | - |
| PARAMCHK | 0 | no | - |
| MOBMOD | 1 | no | - |
| CAPMOD | 3 | no | - |
| NOIMOD | 4 | no | - |
| BINUNIT | 1 | no | - |
| TOX | 150.0e-10 | no | - |
| TOXM | 150.0e-10 | no | - |
| CDSC | 2.4e-4 | no | - |
| CDSCB | 0.0 | no | - |
| CDSCD | 0.0 | no | - |
| CIT | 0.0 | no | - |
| NFACTOR | 1 | no | - |
| XJ | 0.15e-6 | no | - |
| VSAT | 8.0e4 | no | - |
| AT | 3.3e4 | no | - |
| A0 | 1.0 | no | - |
| AGS | 0.0 | no | - |
| A1 | 0.0 | no | - |
| A2 | 1.0 | no | - |
| KETA | -0.047 | no | - |
| NSUB | -99.0 | no | - |
| NCH | -99.0 | no | - |
| NGATE | 0 | no | - |
| GAMMA1 | -99.0 | no | - |
| GAMMA2 | -99.0 | no | - |
| VBX | -99.0 | no | - |
| VBM | -3.0 | no | - |
| XT | -99.0 | no | - |
| K1 | -99.0 | no | - |
| KT1 | -0.11 | no | - |
| KT1L | 0.0 | no | - |
| KT2 | 0.022 | no | - |
| K2 | -99.0 | no | - |
| K3 | 80.0 | no | - |
| K3B | 0.0 | no | - |
| W0 | 2.5e-6 | no | - |
| NLX | 1.74e-7 | no | - |
| DVT0 | 2.2 | no | - |
| DVT1 | 0.53 | no | - |
| DVT2 | -0.032 | no | - |
| DVT0W | 0.0 | no | - |
| DVT1W | 5.3e6 | no | - |
| DVT2W | -0.032 | no | - |
| DROUT | 0.56 | no | - |
| DSUB | 0.56 | no | - |
| VTHO | 0.7 | no | - |
| VTH0 | 0.7 | no | - |
| UA | 2.25e-9 | no | - |
| UA1 | 4.31e-9 | no | - |
| UB | 5.87e-19 | no | - |
| UB1 | -7.61e-18 | no | - |
| UC | -99.0 | no | - |
| UC1 | -99.0 | no | - |
| U0 | -99.0 | no | - |
| UTE | -1.5 | no | - |
| VOFF | -0.08 | no | - |
| TNOM | 26.85 | no | - |
| CGSO | -99.0 | no | - |
| CGDO | -99.0 | no | - |
| CGBO | -99.0 | no | - |
| XPART | 0.4 | no | - |
| ELM | 5.0 | no | - |
| DELTA | 0.01 | no | - |
| RSH | 0.0 | no | - |
| RDSW | 0 | no | - |
| PRWG | 0.0 | no | - |
| PRWB | 0.0 | no | - |
| PRT | 0.0 | no | - |
| ETA0 | 0.08 | no | - |
| ETAB | -0.07 | no | - |
| PCLM | 1.3 | no | - |
| PDIBLC1 | 0.39 | no | - |
| PDIBLC2 | 0.0086 | no | - |
| PDIBLCB | 0.0 | no | - |
| PSCBE1 | 4.24e8 | no | - |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | no | - |
| PVAG | 0.0 | no | - |
| JS | 1.0E-4 | no | - |
| JSW | 0.0 | no | - |
| PB | 1.0 | no | - |
| NJ | 1.0 | no | - |
| XTI | 3.0 | no | - |
| MJ | 0.5 | no | - |
| PBSW | 1.0 | no | - |
| MJSW | 0.33 | no | - |
| PBSWG | 1.0 | no | - |
| MJSWG | 0.33 | no | - |
| CJ | 5.0E-4 | no | - |
| VFBCV | -1.0 | no | - |
| VFB | -99.0 | no | - |
| CJSW | 5.0E-10 | no | - |
| CJSWG | 5.0e-10 | no | - |
| TPB | 0.0 | no | - |
| TCJ | 0.0 | no | - |
| TPBSW | 0.0 | no | - |
| TCJSW | 0.0 | no | - |
| TPBSWG | 0.0 | no | - |
| TCJSWG | 0.0 | no | - |
| ACDE | 1.0 | no | - |
| MOIN | 15.0 | no | - |
| NOFF | 1.0 | no | - |
| VOFFCV | 0.0 | no | - |
| LINT | 0.0 | no | - |
| LL | 0.0 | no | - |
| LLC | 0.0 | no | - |
| LLN | 1.0 | no | - |
| LW | 0.0 | no | - |
| LWC | 0.0 | no | - |
| LWN | 1.0 | no | - |
| LWL | 0.0 | no | - |
| LWLC | 0.0 | no | - |
| LMIN | 0.0 | no | - |
| LMAX | 1.0 | no | - |
| WR | 1.0 | no | - |
| WINT | 0.0 | no | - |
| DWG | 0.0 | no | - |
| DWB | 0.0 | no | - |
| WL | 0.0 | no | - |
| WLC | 0.0 | no | - |
| WLN | 1.0 | no | - |
| WW | 0.0 | no | - |
| WWC | 0.0 | no | - |
| WWN | 1.0 | no | - |
| WWL | 0.0 | no | - |
| WWLC | 0.0 | no | - |
| WMIN | 0.0 | no | - |
| WMAX | 1.0 | no | - |
| B0 | 0.0 | no | - |
| B1 | 0.0 | no | - |
| CGSL | 0.0 | no | - |
| CGDL | 0.0 | no | - |
| CKAPPA | 0.6 | no | - |
| CF | -99.0 | no | - |
| CLC | 0.1e-6 | no | - |
| CLE | 0.6 | no | - |
| DWC | 0.0 | no | - |
| DLC | -99.0 | no | - |
| ALPHA0 | 0.0 | no | - |
| ALPHA1 | 0.0 | no | - |
| BETA0 | 30.0 | no | - |
| IJTH | 0.1 | no | - |
| LCDSC | 0.0 | no | - |
| LCDSCB | 0.0 | no | - |
| LCDSCD | 0.0 | no | - |
| LCIT | 0.0 | no | - |
| LNFACTOR | 0.0 | no | - |
| LXJ | 0.0 | no | - |
| LVSAT | 0.0 | no | - |
| LAT | 0.0 | no | - |
| LA0 | 0.0 | no | - |
| LAGS | 0.0 | no | - |
| LA1 | 0.0 | no | - |
| LA2 | 0.0 | no | - |
| LKETA | 0.0 | no | - |
| LNSUB | 0.0 | no | - |
| LNCH | 0.0 | no | - |
| LNGATE | 0.0 | no | - |
| LGAMMA1 | -99.0 | no | - |
| LGAMMA2 | -99.0 | no | - |
| LVBX | -99.0 | no | - |
| LVBM | 0.0 | no | - |
| LXT | 0.0 | no | - |
| LK1 | -99.0 | no | - |
| LKT1 | 0.0 | no | - |
| LKT1L | 0.0 | no | - |
| LKT2 | 0.0 | no | - |
| LK2 | -99.0 | no | - |
| LK3 | 0.0 | no | - |
| LK3B | 0.0 | no | - |
| LW0 | 0.0 | no | - |
| LNLX | 0.0 | no | - |
| LDVT0 | 0.0 | no | - |
| LDVT1 | 0.0 | no | - |
| LDVT2 | 0.0 | no | - |
| LDVT0W | 0.0 | no | - |
| LDVT1W | 0.0 | no | - |
| LDVT2W | 0.0 | no | - |
| LDROUT | 0.0 | no | - |
| LDSUB | 0.0 | no | - |
| LVTH0 | 0.0 | no | - |
| LVTHO | 0.0 | no | - |
| LUA | 0.0 | no | - |
| LUA1 | 0.0 | no | - |
| LUB | 0.0 | no | - |
| LUB1 | 0.0 | no | - |
| LUC | 0.0 | no | - |
| LUC1 | 0.0 | no | - |
| LU0 | 0.0 | no | - |
| LUTE | 0.0 | no | - |
| LVOFF | 0.0 | no | - |
| LELM | 0.0 | no | - |
| LDELTA | 0.0 | no | - |
| LRDSW | 0.0 | no | - |
| LPRWG | 0.0 | no | - |
| LPRWB | 0.0 | no | - |
| LPRT | 0.0 | no | - |
| LETA0 | 0.0 | no | - |
| LETAB | 0.0 | no | - |
| LPCLM | 0.0 | no | - |
| LPDIBLC1 | 0.0 | no | - |
| LPDIBLC2 | 0.0 | no | - |
| LPDIBLCB | 0.0 | no | - |
| LPSCBE1 | 0.0 | no | - |
| LPSCBE2 | 0.0 | no | - |
| LPVAG | 0.0 | no | - |
| LWR | 0.0 | no | - |
| LDWG | 0.0 | no | - |
| LDWB | 0.0 | no | - |
| LB0 | 0.0 | no | - |
| LB1 | 0.0 | no | - |
| LCGSL | 0.0 | no | - |
| LCGDL | 0.0 | no | - |
| LCKAPPA | 0.0 | no | - |
| LCF | 0.0 | no | - |
| LCLC | 0.0 | no | - |
| LCLE | 0.0 | no | - |
| LALPHA0 | 0.0 | no | - |
| LALPHA1 | 0.0 | no | - |
| LBETA0 | 0.0 | no | - |
| LVFBCV | 0.0 | no | - |
| LVFB | 0.0 | no | - |
| LACDE | 0.0 | no | - |
| LMOIN | 0.0 | no | - |
| LNOFF | 0.0 | no | - |
| LVOFFCV | 0.0 | no | - |
| WCDSC | 0.0 | no | - |
| WCDSCB | 0.0 | no | - |
| WCDSCD | 0.0 | no | - |
| WCIT | 0.0 | no | - |
| WNFACTOR | 0.0 | no | - |
| WXJ | 0.0 | no | - |
| WVSAT | 0.0 | no | - |
| WAT | 0.0 | no | - |
| WA0 | 0.0 | no | - |
| WAGS | 0.0 | no | - |
| WA1 | 0.0 | no | - |
| WA2 | 0.0 | no | - |
| WKETA | 0.0 | no | - |
| WNSUB | 0.0 | no | - |
| WNCH | 0.0 | no | - |
| WNGATE | 0.0 | no | - |
| WGAMMA1 | -99.0 | no | - |
| WGAMMA2 | -99.0 | no | - |
| WVBX | -99.0 | no | - |
| WVBM | 0.0 | no | - |
| WXT | 0.0 | no | - |
| WK1 | -99.0 | no | - |
| WKT1 | 0.0 | no | - |
| WKT1L | 0.0 | no | - |
| WKT2 | 0.0 | no | - |
| WK2 | -99.0 | no | - |
| WK3 | 0.0 | no | - |
| WK3B | 0.0 | no | - |
| WW0 | 0.0 | no | - |
| WNLX | 0.0 | no | - |
| WDVT0 | 0.0 | no | - |
| WDVT1 | 0.0 | no | - |
| WDVT2 | 0.0 | no | - |
| WDVT0W | 0.0 | no | - |
| WDVT1W | 0.0 | no | - |
| WDVT2W | 0.0 | no | - |
| WDROUT | 0.0 | no | - |
| WDSUB | 0.0 | no | - |
| WVTH0 | 0.0 | no | - |
| WVTHO | 0.0 | no | - |
| WUA | 0.0 | no | - |
| WUA1 | 0.0 | no | - |
| WUB | 0.0 | no | - |
| WUB1 | 0.0 | no | - |
| WUC | 0.0 | no | - |
| WUC1 | 0.0 | no | - |
| WU0 | 0.0 | no | - |
| WUTE | 0.0 | no | - |
| WVOFF | 0.0 | no | - |
| WELM | 0.0 | no | - |
| WDELTA | 0.0 | no | - |
| WRDSW | 0.0 | no | - |
| WPRWG | 0.0 | no | - |
| WPRWB | 0.0 | no | - |
| WPRT | 0.0 | no | - |
| WETA0 | 0.0 | no | - |
| WETAB | 0.0 | no | - |
| WPCLM | 0.0 | no | - |
| WPDIBLC1 | 0.0 | no | - |
| WPDIBLC2 | 0.0 | no | - |
| WPDIBLCB | 0.0 | no | - |
| WPSCBE1 | 0.0 | no | - |
| WPSCBE2 | 0.0 | no | - |
| WPVAG | 0.0 | no | - |
| WWR | 0.0 | no | - |
| WDWG | 0.0 | no | - |
| WDWB | 0.0 | no | - |
| WB0 | 0.0 | no | - |
| WB1 | 0.0 | no | - |
| WCGSL | 0.0 | no | - |
| WCGDL | 0.0 | no | - |
| WCKAPPA | 0.0 | no | - |
| WCF | 0.0 | no | - |
| WCLC | 0.0 | no | - |
| WCLE | 0.0 | no | - |
| WALPHA0 | 0.0 | no | - |
| WALPHA1 | 0.0 | no | - |
| WBETA0 | 0.0 | no | - |
| WVFBCV | 0.0 | no | - |
| WVFB | 0.0 | no | - |
| WACDE | 0.0 | no | - |
| WMOIN | 0.0 | no | - |
| WNOFF | 0.0 | no | - |
| WVOFFCV | 0.0 | no | - |
| PCDSC | 0.0 | no | - |
| PCDSCB | 0.0 | no | - |
| PCDSCD | 0.0 | no | - |
| PCIT | 0.0 | no | - |
| PNFACTOR | 0.0 | no | - |
| PXJ | 0.0 | no | - |
| PVSAT | 0.0 | no | - |
| PAT | 0.0 | no | - |
| PA0 | 0.0 | no | - |
| PAGS | 0.0 | no | - |
| PA1 | 0.0 | no | - |
| PA2 | 0.0 | no | - |
| PKETA | 0.0 | no | - |
| PNSUB | 0.0 | no | - |
| PNCH | 0.0 | no | - |
| PNGATE | 0.0 | no | - |
| PGAMMA1 | -99.0 | no | - |
| PGAMMA2 | -99.0 | no | - |
| PVBX | -99.0 | no | - |
| PVBM | 0.0 | no | - |
| PXT | 0.0 | no | - |
| PK1 | -99.0 | no | - |
| PKT1 | 0.0 | no | - |
| PKT1L | 0.0 | no | - |
| PKT2 | 0.0 | no | - |
| PK2 | -99.0 | no | - |
| PK3 | 0.0 | no | - |
| PK3B | 0.0 | no | - |
| PW0 | 0.0 | no | - |
| PNLX | 0.0 | no | - |
| PDVT0 | 0.0 | no | - |
| PDVT1 | 0.0 | no | - |
| PDVT2 | 0.0 | no | - |
| PDVT0W | 0.0 | no | - |
| PDVT1W | 0.0 | no | - |
| PDVT2W | 0.0 | no | - |
| PDROUT | 0.0 | no | - |
| PDSUB | 0.0 | no | - |
| PVTH0 | 0.0 | no | - |
| PVTHO | 0.0 | no | - |
| PUA | 0.0 | no | - |
| PUA1 | 0.0 | no | - |
| PUB | 0.0 | no | - |
| PUB1 | 0.0 | no | - |
| PUC | 0.0 | no | - |
| PUC1 | 0.0 | no | - |
| PU0 | 0.0 | no | - |
| PUTE | 0.0 | no | - |
| PVOFF | 0.0 | no | - |
| PELM | 0.0 | no | - |
| PDELTA | 0.0 | no | - |
| PRDSW | 0.0 | no | - |
| PPRWG | 0.0 | no | - |
| PPRWB | 0.0 | no | - |
| PPRT | 0.0 | no | - |
| PETA0 | 0.0 | no | - |
| PETAB | 0.0 | no | - |
| PPCLM | 0.0 | no | - |
| PPDIBLC1 | 0.0 | no | - |
| PPDIBLC2 | 0.0 | no | - |
| PPDIBLCB | 0.0 | no | - |
| PPSCBE1 | 0.0 | no | - |
| PPSCBE2 | 0.0 | no | - |
| PPVAG | 0.0 | no | - |
| PWR | 0.0 | no | - |
| PDWG | 0.0 | no | - |
| PDWB | 0.0 | no | - |
| PB0 | 0.0 | no | - |
| PB1 | 0.0 | no | - |
| PCGSL | 0.0 | no | - |
| PCGDL | 0.0 | no | - |
| PCKAPPA | 0.0 | no | - |
| PCF | 0.0 | no | - |
| PCLC | 0.0 | no | - |
| PCLE | 0.0 | no | - |
| PALPHA0 | 0.0 | no | - |
| PALPHA1 | 0.0 | no | - |
| PBETA0 | 0.0 | no | - |
| PVFBCV | 0.0 | no | - |
| PVFB | 0.0 | no | - |
| PACDE | 0.0 | no | - |
| PMOIN | 0.0 | no | - |
| PNOFF | 0.0 | no | - |
| PVOFFCV | 0.0 | no | - |
| KF | 0.0 | no | - |
| AF | 1.0 | no | - |
| EF | 1.0 | no | - |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Bsim3V34Pmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | bsim3v34pMOS |
Descrizione |
bsim3v34pMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim3v34pMOS |
| Netlist entry | BSIM3_ |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim3v34pMOS |
Proprietà |
408 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| L | 3.5e-6 | no | - |
| W | 5.0e-6 | no | - |
| PS | 8.0e-6 | no | - |
| PD | 8.0e-6 | no | - |
| AS | 12.0e-12 | no | - |
| AD | 12.0e-12 | no | - |
| NRS | 10.0 | no | - |
| NRD | 10.0 | no | - |
| NQSMOD | 0 | no | - |
| GMIN | 1e-12 | no | - |
| VERSION | 3.24 | no | - |
| PARAMCHK | 0 | no | - |
| MOBMOD | 1 | no | - |
| CAPMOD | 3 | no | - |
| NOIMOD | 4 | no | - |
| BINUNIT | 1 | no | - |
| TOX | 150.0e-10 | no | - |
| TOXM | 150.0e-10 | no | - |
| CDSC | 2.4e-4 | no | - |
| CDSCB | 0.0 | no | - |
| CDSCD | 0.0 | no | - |
| CIT | 0.0 | no | - |
| NFACTOR | 1 | no | - |
| XJ | 0.15e-6 | no | - |
| VSAT | 8.0e4 | no | - |
| AT | 3.3e4 | no | - |
| A0 | 1.0 | no | - |
| AGS | 0.0 | no | - |
| A1 | 0.0 | no | - |
| A2 | 1.0 | no | - |
| KETA | -0.047 | no | - |
| NSUB | -99.0 | no | - |
| NCH | -99.0 | no | - |
| NGATE | 0 | no | - |
| GAMMA1 | -99.0 | no | - |
| GAMMA2 | -99.0 | no | - |
| VBX | -99.0 | no | - |
| VBM | -3.0 | no | - |
| XT | -99.0 | no | - |
| K1 | -99.0 | no | - |
| KT1 | -0.11 | no | - |
| KT1L | 0.0 | no | - |
| KT2 | 0.022 | no | - |
| K2 | -99.0 | no | - |
| K3 | 80.0 | no | - |
| K3B | 0.0 | no | - |
| W0 | 2.5e-6 | no | - |
| NLX | 1.74e-7 | no | - |
| DVT0 | 2.2 | no | - |
| DVT1 | 0.53 | no | - |
| DVT2 | -0.032 | no | - |
| DVT0W | 0.0 | no | - |
| DVT1W | 5.3e6 | no | - |
| DVT2W | -0.032 | no | - |
| DROUT | 0.56 | no | - |
| DSUB | 0.56 | no | - |
| VTHO | -0.7 | no | - |
| VTH0 | -0.7 | no | - |
| UA | 2.25e-9 | no | - |
| UA1 | 4.31e-9 | no | - |
| UB | 5.87e-19 | no | - |
| UB1 | -7.61e-18 | no | - |
| UC | -99.0 | no | - |
| UC1 | -99.0 | no | - |
| U0 | -99.0 | no | - |
| UTE | -1.5 | no | - |
| VOFF | -0.08 | no | - |
| TNOM | 26.85 | no | - |
| CGSO | -99.0 | no | - |
| CGDO | -99.0 | no | - |
| CGBO | -99.0 | no | - |
| XPART | 0.4 | no | - |
| ELM | 5.0 | no | - |
| DELTA | 0.01 | no | - |
| RSH | 0.0 | no | - |
| RDSW | 0 | no | - |
| PRWG | 0.0 | no | - |
| PRWB | 0.0 | no | - |
| PRT | 0.0 | no | - |
| ETA0 | 0.08 | no | - |
| ETAB | -0.07 | no | - |
| PCLM | 1.3 | no | - |
| PDIBLC1 | 0.39 | no | - |
| PDIBLC2 | 0.0086 | no | - |
| PDIBLCB | 0.0 | no | - |
| PSCBE1 | 4.24e8 | no | - |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | no | - |
| PVAG | 0.0 | no | - |
| JS | 1.0E-4 | no | - |
| JSW | 0.0 | no | - |
| PB | 1.0 | no | - |
| NJ | 1.0 | no | - |
| XTI | 3.0 | no | - |
| MJ | 0.5 | no | - |
| PBSW | 1.0 | no | - |
| MJSW | 0.33 | no | - |
| PBSWG | 1.0 | no | - |
| MJSWG | 0.33 | no | - |
| CJ | 5.0E-4 | no | - |
| VFBCV | -1.0 | no | - |
| VFB | -99.0 | no | - |
| CJSW | 5.0E-10 | no | - |
| CJSWG | 5.0e-10 | no | - |
| TPB | 0.0 | no | - |
| TCJ | 0.0 | no | - |
| TPBSW | 0.0 | no | - |
| TCJSW | 0.0 | no | - |
| TPBSWG | 0.0 | no | - |
| TCJSWG | 0.0 | no | - |
| ACDE | 1.0 | no | - |
| MOIN | 15.0 | no | - |
| NOFF | 1.0 | no | - |
| VOFFCV | 0.0 | no | - |
| LINT | 0.0 | no | - |
| LL | 0.0 | no | - |
| LLC | 0.0 | no | - |
| LLN | 1.0 | no | - |
| LW | 0.0 | no | - |
| LWC | 0.0 | no | - |
| LWN | 1.0 | no | - |
| LWL | 0.0 | no | - |
| LWLC | 0.0 | no | - |
| LMIN | 0.0 | no | - |
| LMAX | 1.0 | no | - |
| WR | 1.0 | no | - |
| WINT | 0.0 | no | - |
| DWG | 0.0 | no | - |
| DWB | 0.0 | no | - |
| WL | 0.0 | no | - |
| WLC | 0.0 | no | - |
| WLN | 1.0 | no | - |
| WW | 0.0 | no | - |
| WWC | 0.0 | no | - |
| WWN | 1.0 | no | - |
| WWL | 0.0 | no | - |
| WWLC | 0.0 | no | - |
| WMIN | 0.0 | no | - |
| WMAX | 1.0 | no | - |
| B0 | 0.0 | no | - |
| B1 | 0.0 | no | - |
| CGSL | 0.0 | no | - |
| CGDL | 0.0 | no | - |
| CKAPPA | 0.6 | no | - |
| CF | -99.0 | no | - |
| CLC | 0.1e-6 | no | - |
| CLE | 0.6 | no | - |
| DWC | 0.0 | no | - |
| DLC | -99.0 | no | - |
| ALPHA0 | 0.0 | no | - |
| ALPHA1 | 0.0 | no | - |
| BETA0 | 30.0 | no | - |
| IJTH | 0.1 | no | - |
| LCDSC | 0.0 | no | - |
| LCDSCB | 0.0 | no | - |
| LCDSCD | 0.0 | no | - |
| LCIT | 0.0 | no | - |
| LNFACTOR | 0.0 | no | - |
| LXJ | 0.0 | no | - |
| LVSAT | 0.0 | no | - |
| LAT | 0.0 | no | - |
| LA0 | 0.0 | no | - |
| LAGS | 0.0 | no | - |
| LA1 | 0.0 | no | - |
| LA2 | 0.0 | no | - |
| LKETA | 0.0 | no | - |
| LNSUB | 0.0 | no | - |
| LNCH | 0.0 | no | - |
| LNGATE | 0.0 | no | - |
| LGAMMA1 | -99.0 | no | - |
| LGAMMA2 | -99.0 | no | - |
| LVBX | -99.0 | no | - |
| LVBM | 0.0 | no | - |
| LXT | 0.0 | no | - |
| LK1 | -99.0 | no | - |
| LKT1 | 0.0 | no | - |
| LKT1L | 0.0 | no | - |
| LKT2 | 0.0 | no | - |
| LK2 | -99.0 | no | - |
| LK3 | 0.0 | no | - |
| LK3B | 0.0 | no | - |
| LW0 | 0.0 | no | - |
| LNLX | 0.0 | no | - |
| LDVT0 | 0.0 | no | - |
| LDVT1 | 0.0 | no | - |
| LDVT2 | 0.0 | no | - |
| LDVT0W | 0.0 | no | - |
| LDVT1W | 0.0 | no | - |
| LDVT2W | 0.0 | no | - |
| LDROUT | 0.0 | no | - |
| LDSUB | 0.0 | no | - |
| LVTH0 | 0.0 | no | - |
| LVTHO | 0.0 | no | - |
| LUA | 0.0 | no | - |
| LUA1 | 0.0 | no | - |
| LUB | 0.0 | no | - |
| LUB1 | 0.0 | no | - |
| LUC | 0.0 | no | - |
| LUC1 | 0.0 | no | - |
| LU0 | 0.0 | no | - |
| LUTE | 0.0 | no | - |
| LVOFF | 0.0 | no | - |
| LELM | 0.0 | no | - |
| LDELTA | 0.0 | no | - |
| LRDSW | 0.0 | no | - |
| LPRWG | 0.0 | no | - |
| LPRWB | 0.0 | no | - |
| LPRT | 0.0 | no | - |
| LETA0 | 0.0 | no | - |
| LETAB | 0.0 | no | - |
| LPCLM | 0.0 | no | - |
| LPDIBLC1 | 0.0 | no | - |
| LPDIBLC2 | 0.0 | no | - |
| LPDIBLCB | 0.0 | no | - |
| LPSCBE1 | 0.0 | no | - |
| LPSCBE2 | 0.0 | no | - |
| LPVAG | 0.0 | no | - |
| LWR | 0.0 | no | - |
| LDWG | 0.0 | no | - |
| LDWB | 0.0 | no | - |
| LB0 | 0.0 | no | - |
| LB1 | 0.0 | no | - |
| LCGSL | 0.0 | no | - |
| LCGDL | 0.0 | no | - |
| LCKAPPA | 0.0 | no | - |
| LCF | 0.0 | no | - |
| LCLC | 0.0 | no | - |
| LCLE | 0.0 | no | - |
| LALPHA0 | 0.0 | no | - |
| LALPHA1 | 0.0 | no | - |
| LBETA0 | 0.0 | no | - |
| LVFBCV | 0.0 | no | - |
| LVFB | 0.0 | no | - |
| LACDE | 0.0 | no | - |
| LMOIN | 0.0 | no | - |
| LNOFF | 0.0 | no | - |
| LVOFFCV | 0.0 | no | - |
| WCDSC | 0.0 | no | - |
| WCDSCB | 0.0 | no | - |
| WCDSCD | 0.0 | no | - |
| WCIT | 0.0 | no | - |
| WNFACTOR | 0.0 | no | - |
| WXJ | 0.0 | no | - |
| WVSAT | 0.0 | no | - |
| WAT | 0.0 | no | - |
| WA0 | 0.0 | no | - |
| WAGS | 0.0 | no | - |
| WA1 | 0.0 | no | - |
| WA2 | 0.0 | no | - |
| WKETA | 0.0 | no | - |
| WNSUB | 0.0 | no | - |
| WNCH | 0.0 | no | - |
| WNGATE | 0.0 | no | - |
| WGAMMA1 | -99.0 | no | - |
| WGAMMA2 | -99.0 | no | - |
| WVBX | -99.0 | no | - |
| WVBM | 0.0 | no | - |
| WXT | 0.0 | no | - |
| WK1 | -99.0 | no | - |
| WKT1 | 0.0 | no | - |
| WKT1L | 0.0 | no | - |
| WKT2 | 0.0 | no | - |
| WK2 | -99.0 | no | - |
| WK3 | 0.0 | no | - |
| WK3B | 0.0 | no | - |
| WW0 | 0.0 | no | - |
| WNLX | 0.0 | no | - |
| WDVT0 | 0.0 | no | - |
| WDVT1 | 0.0 | no | - |
| WDVT2 | 0.0 | no | - |
| WDVT0W | 0.0 | no | - |
| WDVT1W | 0.0 | no | - |
| WDVT2W | 0.0 | no | - |
| WDROUT | 0.0 | no | - |
| WDSUB | 0.0 | no | - |
| WVTH0 | 0.0 | no | - |
| WVTHO | 0.0 | no | - |
| WUA | 0.0 | no | - |
| WUA1 | 0.0 | no | - |
| WUB | 0.0 | no | - |
| WUB1 | 0.0 | no | - |
| WUC | 0.0 | no | - |
| WUC1 | 0.0 | no | - |
| WU0 | 0.0 | no | - |
| WUTE | 0.0 | no | - |
| WVOFF | 0.0 | no | - |
| WELM | 0.0 | no | - |
| WDELTA | 0.0 | no | - |
| WRDSW | 0.0 | no | - |
| WPRWG | 0.0 | no | - |
| WPRWB | 0.0 | no | - |
| WPRT | 0.0 | no | - |
| WETA0 | 0.0 | no | - |
| WETAB | 0.0 | no | - |
| WPCLM | 0.0 | no | - |
| WPDIBLC1 | 0.0 | no | - |
| WPDIBLC2 | 0.0 | no | - |
| WPDIBLCB | 0.0 | no | - |
| WPSCBE1 | 0.0 | no | - |
| WPSCBE2 | 0.0 | no | - |
| WPVAG | 0.0 | no | - |
| WWR | 0.0 | no | - |
| WDWG | 0.0 | no | - |
| WDWB | 0.0 | no | - |
| WB0 | 0.0 | no | - |
| WB1 | 0.0 | no | - |
| WCGSL | 0.0 | no | - |
| WCGDL | 0.0 | no | - |
| WCKAPPA | 0.0 | no | - |
| WCF | 0.0 | no | - |
| WCLC | 0.0 | no | - |
| WCLE | 0.0 | no | - |
| WALPHA0 | 0.0 | no | - |
| WALPHA1 | 0.0 | no | - |
| WBETA0 | 0.0 | no | - |
| WVFBCV | 0.0 | no | - |
| WVFB | 0.0 | no | - |
| WACDE | 0.0 | no | - |
| WMOIN | 0.0 | no | - |
| WNOFF | 0.0 | no | - |
| WVOFFCV | 0.0 | no | - |
| PCDSC | 0.0 | no | - |
| PCDSCB | 0.0 | no | - |
| PCDSCD | 0.0 | no | - |
| PCIT | 0.0 | no | - |
| PNFACTOR | 0.0 | no | - |
| PXJ | 0.0 | no | - |
| PVSAT | 0.0 | no | - |
| PAT | 0.0 | no | - |
| PA0 | 0.0 | no | - |
| PAGS | 0.0 | no | - |
| PA1 | 0.0 | no | - |
| PA2 | 0.0 | no | - |
| PKETA | 0.0 | no | - |
| PNSUB | 0.0 | no | - |
| PNCH | 0.0 | no | - |
| PNGATE | 0.0 | no | - |
| PGAMMA1 | -99.0 | no | - |
| PGAMMA2 | -99.0 | no | - |
| PVBX | -99.0 | no | - |
| PVBM | 0.0 | no | - |
| PXT | 0.0 | no | - |
| PK1 | -99.0 | no | - |
| PKT1 | 0.0 | no | - |
| PKT1L | 0.0 | no | - |
| PKT2 | 0.0 | no | - |
| PK2 | -99.0 | no | - |
| PK3 | 0.0 | no | - |
| PK3B | 0.0 | no | - |
| PW0 | 0.0 | no | - |
| PNLX | 0.0 | no | - |
| PDVT0 | 0.0 | no | - |
| PDVT1 | 0.0 | no | - |
| PDVT2 | 0.0 | no | - |
| PDVT0W | 0.0 | no | - |
| PDVT1W | 0.0 | no | - |
| PDVT2W | 0.0 | no | - |
| PDROUT | 0.0 | no | - |
| PDSUB | 0.0 | no | - |
| PVTH0 | 0.0 | no | - |
| PVTHO | 0.0 | no | - |
| PUA | 0.0 | no | - |
| PUA1 | 0.0 | no | - |
| PUB | 0.0 | no | - |
| PUB1 | 0.0 | no | - |
| PUC | 0.0 | no | - |
| PUC1 | 0.0 | no | - |
| PU0 | 0.0 | no | - |
| PUTE | 0.0 | no | - |
| PVOFF | 0.0 | no | - |
| PELM | 0.0 | no | - |
| PDELTA | 0.0 | no | - |
| PRDSW | 0.0 | no | - |
| PPRWG | 0.0 | no | - |
| PPRWB | 0.0 | no | - |
| PPRT | 0.0 | no | - |
| PETA0 | 0.0 | no | - |
| PETAB | 0.0 | no | - |
| PPCLM | 0.0 | no | - |
| PPDIBLC1 | 0.0 | no | - |
| PPDIBLC2 | 0.0 | no | - |
| PPDIBLCB | 0.0 | no | - |
| PPSCBE1 | 0.0 | no | - |
| PPSCBE2 | 0.0 | no | - |
| PPVAG | 0.0 | no | - |
| PWR | 0.0 | no | - |
| PDWG | 0.0 | no | - |
| PDWB | 0.0 | no | - |
| PB0 | 0.0 | no | - |
| PB1 | 0.0 | no | - |
| PCGSL | 0.0 | no | - |
| PCGDL | 0.0 | no | - |
| PCKAPPA | 0.0 | no | - |
| PCF | 0.0 | no | - |
| PCLC | 0.0 | no | - |
| PCLE | 0.0 | no | - |
| PALPHA0 | 0.0 | no | - |
| PALPHA1 | 0.0 | no | - |
| PBETA0 | 0.0 | no | - |
| PVFBCV | 0.0 | no | - |
| PVFB | 0.0 | no | - |
| PACDE | 0.0 | no | - |
| PMOIN | 0.0 | no | - |
| PNOFF | 0.0 | no | - |
| PVOFFCV | 0.0 | no | - |
| KF | 0.0 | no | - |
| AF | 1.0 | no | - |
| EF | 1.0 | no | - |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Bsim4V30Nmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | bsim4v30nMOS |
Descrizione |
bsim4v30nMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim4v30nMOS |
| Netlist entry | BSIM4_ |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim4v30nMOS |
Proprietà |
278 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| GMIN | 1e-12 | no | - |
| PS | 12e-6 | no | - |
| PD | 12e-6 | no | - |
| AS | 12e-12 | no | - |
| AD | 12e-12 | no | - |
| CGBO | -99.0 | no | - |
| CGDO | -99.0 | no | - |
| CGSO | -99.0 | no | - |
| L | 3e-6 | no | - |
| W | 6e-6 | no | - |
| MOBMOD | -99.0 | no | - |
| RDSMOD | -99.0 | no | - |
| IGCMOD | 0 | no | - |
| IGBMOD | 0 | no | - |
| CAPMOD | 2 | no | - |
| RGATEMOD | 2 | no | - |
| RBODYMOD | 0 | no | - |
| DIOMOD | 1 | no | - |
| TEMPMOD | -99.0 | no | - |
| GEOMOD | 0 | no | - |
| RGEOMOD | 0 | no | - |
| PERMOD | 1 | no | - |
| TNOIMOD | 0 | no | - |
| FNOIMOD | 0 | no | - |
| EPSROX | 3.9 | no | - |
| TOXE | -99.0 | no | - |
| TOXP | -99.0 | no | - |
| TOXM | -99.0 | no | - |
| DTOX | 0.0 | no | - |
| XJ | 1.5e-7 | no | - |
| GAMMA1 | -99.0 | no | - |
| GAMMA2 | -99.0 | no | - |
| NDEP | -99.0 | no | - |
| NSUB | 6.0e16 | no | - |
| NGATE | 0.0 | no | - |
| NSD | 1.0e20 | no | - |
| VBX | -99.0 | no | - |
| XT | 1.55e-7 | no | - |
| RSH | 0.0 | no | - |
| RSHG | 0.0 | no | - |
| VTH0 | 0.6 | no | - |
| VFB | -99.0 | no | - |
| PHIN | 0.0 | no | - |
| K1 | -99.0 | no | - |
| K2 | -99.0 | no | - |
| K3 | 80.0 | no | - |
| K3B | 0.0 | no | - |
| W0 | 2.5e-6 | no | - |
| LPE0 | 1.74e-7 | no | - |
| LPEB | 0.0 | no | - |
| VBM | -3.0 | no | - |
| DVT0 | 2.2 | no | - |
| DVT1 | 0.53 | no | - |
| DVT2 | -0.032 | no | - |
| DVTP0 | 0.0 | no | - |
| DVTP1 | 0.0 | no | - |
| DVT0W | 0.0 | no | - |
| DVT1W | 5.3e6 | no | - |
| DVT2W | -0.032 | no | - |
| U0 | -99.0 | no | - |
| UA | -99.0 | no | - |
| UB | 1.0e-19 | no | - |
| UC | -99.0 | no | - |
| EU | -99.0 | no | - |
| VSAT | 8.0e4 | no | - |
| A0 | 1.0 | no | - |
| AGS | 0.0 | no | - |
| B0 | 0.0 | no | - |
| B1 | 0.0 | no | - |
| KETA | -0.047 | no | - |
| A1 | 0.0 | no | - |
| A2 | 1.0 | no | - |
| WINT | 0.0 | no | - |
| LINT | 0.0 | no | - |
| DWG | 0.0 | no | - |
| DWB | 0.0 | no | - |
| VOFF | -0.08 | no | - |
| VOFFL | 0.0 | no | - |
| MINV | 0.0 | no | - |
| NFACTOR | 1.0 | no | - |
| ETA0 | 0.08 | no | - |
| ETAB | -0.07 | no | - |
| DROUT | 0.56 | no | - |
| DSUB | 0.56 | no | - |
| CIT | 0.0 | no | - |
| CDSC | 2.4e-4 | no | - |
| CDSCB | 0.0 | no | - |
| CDSCD | 0.0 | no | - |
| PCLM | 1.3 | no | - |
| PDIBL1 | 0.39 | no | - |
| PDIBL2 | 0.0086 | no | - |
| PDIBLB | 0.0 | no | - |
| PSCBE1 | 4.24e8 | no | - |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | no | - |
| PVAG | 0.0 | no | - |
| DELTA | 0.01 | no | - |
| FPROUT | 0.0 | no | - |
| PDITS | 0.0 | no | - |
| PDITSD | 0.0 | no | - |
| PDITSL | 0.0 | no | - |
| LAMBDA | -99.0 | no | - |
| VTL | -99.0 | no | - |
| LC | 5.0e-9 | no | - |
| XN | 3.0 | no | - |
| RDSW | 200.0 | no | - |
| RDSWMIN | 0.0 | no | - |
| RDW | 100.0 | no | - |
| RDWMIN | 0.0 | no | - |
| RSW | 100.0 | no | - |
| RSWMIN | 0.0 | no | - |
| PRWG | 1.0 | no | - |
| PRWB | 0.0 | no | - |
| WR | 1.0 | no | - |
| NRS | -99.0 | no | - |
| NRD | -99.0 | no | - |
| ALPHA0 | 0.0 | no | - |
| ALPHA1 | 0.0 | no | - |
| BETA0 | 30.0 | no | - |
| AGIDL | 0.0 | no | - |
| BGIDL | 2.3e9 | no | - |
| CGIDL | 0.5 | no | - |
| EGIDL | 0.8 | no | - |
| AIGBACC | 0.43 | no | - |
| BIGBACC | 0.054 | no | - |
| CIGBACC | 0.075 | no | - |
| NIGBACC | 1.0 | no | - |
| AIGBINV | 0.35 | no | - |
| BIGBINV | 0.03 | no | - |
| CIGBINV | 0.006 | no | - |
| EIGBINV | 1.1 | no | - |
| NIGBINV | 3.0 | no | - |
| AIGC | -99.0 | no | - |
| BIGC | -99.0 | no | - |
| CIGC | -99.0 | no | - |
| AIGSD | -99.0 | no | - |
| BIGSD | -99.0 | no | - |
| CIGSD | -99.0 | no | - |
| DLCIG | 0.0 | no | - |
| NIGC | 1.0 | no | - |
| POXEDGE | 1.0 | no | - |
| PIGCD | 1.0 | no | - |
| NTOX | 1.0 | no | - |
| TOXREF | 3.0e-9 | no | - |
| XPART | 0.4 | no | - |
| CGS0 | 0.0 | no | - |
| CGD0 | 0.0 | no | - |
| CGB0 | 0.0 | no | - |
| CGSL | 0.0 | no | - |
| CGDL | 0.0 | no | - |
| CKAPPAS | 0.6 | no | - |
| CKAPPAD | 0.6 | no | - |
| CF | -99.0 | no | - |
| CLC | 1.0e-7 | no | - |
| CLE | 0.6 | no | - |
| DLC | 0.0 | no | - |
| DWC | 0.0 | no | - |
| VFBCV | -1.0 | no | - |
| NOFF | 1.0 | no | - |
| VOFFCV | 0.0 | no | - |
| ACDE | 1.0 | no | - |
| MOIN | 15.0 | no | - |
| XRCRG1 | 12.0 | no | - |
| XRCRG2 | 1.0 | no | - |
| RBPB | 50.0 | no | - |
| RBPD | 50.0 | no | - |
| RBPS | 50.0 | no | - |
| RBDB | 50.0 | no | - |
| RBSB | 50.0 | no | - |
| GBMIN | 1.0e-12 | no | - |
| DMCG | 0.0 | no | - |
| DMCI | 0.0 | no | - |
| DMDG | 0.0 | no | - |
| DMCGT | 0.0 | no | - |
| NF | 1.0 | no | - |
| DWJ | 0.0 | no | - |
| MIN | 0.0 | no | - |
| XGW | 0.0 | no | - |
| XGL | 0.0 | no | - |
| XL | 0.0 | no | - |
| XW | 0.0 | no | - |
| NGCON | 1.0 | no | - |
| IJTHSREV | 0.1 | no | - |
| IJTHDREV | 0.1 | no | - |
| IJTHSFWD | 0.1 | no | - |
| IJTHDFWD | 0.1 | no | - |
| XJBVS | 1.0 | no | - |
| XJBVD | 1.0 | no | - |
| BVS | 10.0 | no | - |
| BVD | 10.0 | no | - |
| JSS | 1.0e-4 | no | - |
| JSD | 1.0e-4 | no | - |
| JSWS | 0.0 | no | - |
| JSWD | 0.0 | no | - |
| JSWGS | 0.0 | no | - |
| JSWGD | 0.0 | no | - |
| CJS | 5.0e-4 | no | - |
| CJD | 5.0e-4 | no | - |
| MJS | 0.5 | no | - |
| MJD | 0.5 | no | - |
| MJSWS | 0.33 | no | - |
| MJSWD | 0.33 | no | - |
| CJSWS | 5.0e-10 | no | - |
| CJSWD | 5.0e-10 | no | - |
| CJSWGS | 5.0e-10 | no | - |
| CJSWGD | 5.0e-10 | no | - |
| MJSWGS | 0.33 | no | - |
| MJSWGD | 0.33 | no | - |
| PBS | 1.0 | no | - |
| PBD | 1.0 | no | - |
| PBSWS | 1.0 | no | - |
| PBSWD | 1.0 | no | - |
| PBSWGS | 1.0 | no | - |
| PBSWGD | 1.0 | no | - |
| TNOM | 27 | no | - |
| UTE | -1.5 | no | - |
| KT1 | -0.11 | no | - |
| KT1L | 0.0 | no | - |
| KT2 | 0.022 | no | - |
| UA1 | 1.0e-9 | no | - |
| UB1 | -1.0e-18 | no | - |
| UC1 | -99.0 | no | - |
| AT | 3.3e4 | no | - |
| PRT | 0.0 | no | - |
| NJS | 1.0 | no | - |
| NJD | 1.0 | no | - |
| XTIS | 3.0 | no | - |
| XTID | 3.0 | no | - |
| TPB | 0.0 | no | - |
| TPBSW | 0.0 | no | - |
| TPBSWG | 0.0 | no | - |
| TCJ | 0.0 | no | - |
| TCJSW | 0.0 | no | - |
| TCJSWG | 0.0 | no | - |
| SA | 0.0 | no | - |
| SB | 0.0 | no | - |
| SD | 0.0 | no | - |
| SAREF | 1e-6 | no | - |
| SBREF | 1e-6 | no | - |
| WLOD | 0.0 | no | - |
| KU0 | 0.0 | no | - |
| KVSAT | 0.0 | no | - |
| TKU0 | 0.0 | no | - |
| LKU0 | 0.0 | no | - |
| WKU0 | 0.0 | no | - |
| PKU0 | 0.0 | no | - |
| LLODKU0 | 0.0 | no | - |
| WLODKU0 | 0.0 | no | - |
| KVTH0 | 0.0 | no | - |
| LKVTH0 | 0.0 | no | - |
| WKVTH0 | 0.0 | no | - |
| PKVTH0 | 0.0 | no | - |
| LLODVTH | 0.0 | no | - |
| WLODVTH | 0.0 | no | - |
| STK2 | 0.0 | no | - |
| LODK2 | 1.0 | no | - |
| STETA0 | 0.0 | no | - |
| LODETA0 | 1.0 | no | - |
| WL | 0.0 | no | - |
| WLN | 1.0 | no | - |
| WW | 0.0 | no | - |
| WWN | 1.0 | no | - |
| WWL | 0.0 | no | - |
| LL | 0.0 | no | - |
| LLN | 1.0 | no | - |
| LW | 0.0 | no | - |
| LWN | 1.0 | no | - |
| LWL | 0.0 | no | - |
| LLC | 0.0 | no | - |
| LWC | 0.0 | no | - |
| LWLC | 0.0 | no | - |
| WLC | 0.0 | no | - |
| WWC | 0.0 | no | - |
| WWLC | 0.0 | no | - |
| NTNOI | 1.0 | no | - |
| KF | 0.0 | no | - |
| AF | 1.0 | no | - |
| EF | 1.0 | no | - |
| TEMP | 27 | no | - |
Bsim4V30Pmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | bsim4v30pMOS |
Descrizione |
bsim4v30pMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim4v30pMOS |
| Netlist entry | BSIM4_ |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim4v30pMOS |
Proprietà |
278 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| GMIN | 1e-12 | no | - |
| PS | 12e-6 | no | - |
| PD | 12e-6 | no | - |
| AS | 12e-12 | no | - |
| AD | 12e-12 | no | - |
| CGBO | -99.0 | no | - |
| CGDO | -99.0 | no | - |
| CGSO | -99.0 | no | - |
| L | 3e-6 | no | - |
| W | 6e-6 | no | - |
| MOBMOD | -99.0 | no | - |
| RDSMOD | -99.0 | no | - |
| IGCMOD | 0 | no | - |
| IGBMOD | 0 | no | - |
| CAPMOD | 2 | no | - |
| RGATEMOD | 2 | no | - |
| RBODYMOD | 0 | no | - |
| DIOMOD | 1 | no | - |
| TEMPMOD | -99.0 | no | - |
| GEOMOD | 0 | no | - |
| RGEOMOD | 0 | no | - |
| PERMOD | 1 | no | - |
| TNOIMOD | 0 | no | - |
| FNOIMOD | 0 | no | - |
| EPSROX | 3.9 | no | - |
| TOXE | -99.0 | no | - |
| TOXP | -99.0 | no | - |
| TOXM | -99.0 | no | - |
| DTOX | 0.0 | no | - |
| XJ | 1.5e-7 | no | - |
| GAMMA1 | -99.0 | no | - |
| GAMMA2 | -99.0 | no | - |
| NDEP | -99.0 | no | - |
| NSUB | 6.0e16 | no | - |
| NGATE | 0.0 | no | - |
| NSD | 1.0e20 | no | - |
| VBX | -99.0 | no | - |
| XT | 1.55e-7 | no | - |
| RSH | 0.0 | no | - |
| RSHG | 0.0 | no | - |
| VTH0 | -0.6 | no | - |
| VFB | -99.0 | no | - |
| PHIN | 0.0 | no | - |
| K1 | -99.0 | no | - |
| K2 | -99.0 | no | - |
| K3 | 80.0 | no | - |
| K3B | 0.0 | no | - |
| W0 | 2.5e-6 | no | - |
| LPE0 | 1.74e-7 | no | - |
| LPEB | 0.0 | no | - |
| VBM | -3.0 | no | - |
| DVT0 | 2.2 | no | - |
| DVT1 | 0.53 | no | - |
| DVT2 | -0.032 | no | - |
| DVTP0 | 0.0 | no | - |
| DVTP1 | 0.0 | no | - |
| DVT0W | 0.0 | no | - |
| DVT1W | 5.3e6 | no | - |
| DVT2W | -0.032 | no | - |
| U0 | -99.0 | no | - |
| UA | -99.0 | no | - |
| UB | 1.0e-19 | no | - |
| UC | -99.0 | no | - |
| EU | -99.0 | no | - |
| VSAT | 8.0e4 | no | - |
| A0 | 1.0 | no | - |
| AGS | 0.0 | no | - |
| B0 | 0.0 | no | - |
| B1 | 0.0 | no | - |
| KETA | -0.047 | no | - |
| A1 | 0.0 | no | - |
| A2 | 1.0 | no | - |
| WINT | 0.0 | no | - |
| LINT | 0.0 | no | - |
| DWG | 0.0 | no | - |
| DWB | 0.0 | no | - |
| VOFF | -0.08 | no | - |
| VOFFL | 0.0 | no | - |
| MINV | 0.0 | no | - |
| NFACTOR | 1.0 | no | - |
| ETA0 | 0.08 | no | - |
| ETAB | -0.07 | no | - |
| DROUT | 0.56 | no | - |
| DSUB | 0.56 | no | - |
| CIT | 0.0 | no | - |
| CDSC | 2.4e-4 | no | - |
| CDSCB | 0.0 | no | - |
| CDSCD | 0.0 | no | - |
| PCLM | 1.3 | no | - |
| PDIBL1 | 0.39 | no | - |
| PDIBL2 | 0.0086 | no | - |
| PDIBLB | 0.0 | no | - |
| PSCBE1 | 4.24e8 | no | - |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | no | - |
| PVAG | 0.0 | no | - |
| DELTA | 0.01 | no | - |
| FPROUT | 0.0 | no | - |
| PDITS | 0.0 | no | - |
| PDITSD | 0.0 | no | - |
| PDITSL | 0.0 | no | - |
| LAMBDA | -99.0 | no | - |
| VTL | -99.0 | no | - |
| LC | 5.0e-9 | no | - |
| XN | 3.0 | no | - |
| RDSW | 200.0 | no | - |
| RDSWMIN | 0.0 | no | - |
| RDW | 100.0 | no | - |
| RDWMIN | 0.0 | no | - |
| RSW | 100.0 | no | - |
| RSWMIN | 0.0 | no | - |
| PRWG | 1.0 | no | - |
| PRWB | 0.0 | no | - |
| WR | 1.0 | no | - |
| NRS | -99.0 | no | - |
| NRD | -99.0 | no | - |
| ALPHA0 | 0.0 | no | - |
| ALPHA1 | 0.0 | no | - |
| BETA0 | 30.0 | no | - |
| AGIDL | 0.0 | no | - |
| BGIDL | 2.3e9 | no | - |
| CGIDL | 0.5 | no | - |
| EGIDL | 0.8 | no | - |
| AIGBACC | 0.43 | no | - |
| BIGBACC | 0.054 | no | - |
| CIGBACC | 0.075 | no | - |
| NIGBACC | 1.0 | no | - |
| AIGBINV | 0.35 | no | - |
| BIGBINV | 0.03 | no | - |
| CIGBINV | 0.006 | no | - |
| EIGBINV | 1.1 | no | - |
| NIGBINV | 3.0 | no | - |
| AIGC | -99.0 | no | - |
| BIGC | -99.0 | no | - |
| CIGC | -99.0 | no | - |
| AIGSD | -99.0 | no | - |
| BIGSD | -99.0 | no | - |
| CIGSD | -99.0 | no | - |
| DLCIG | 0.0 | no | - |
| NIGC | 1.0 | no | - |
| POXEDGE | 1.0 | no | - |
| PIGCD | 1.0 | no | - |
| NTOX | 1.0 | no | - |
| TOXREF | 3.0e-9 | no | - |
| XPART | 0.4 | no | - |
| CGS0 | 0.0 | no | - |
| CGD0 | 0.0 | no | - |
| CGB0 | 0.0 | no | - |
| CGSL | 0.0 | no | - |
| CGDL | 0.0 | no | - |
| CKAPPAS | 0.6 | no | - |
| CKAPPAD | 0.6 | no | - |
| CF | -99.0 | no | - |
| CLC | 1.0e-7 | no | - |
| CLE | 0.6 | no | - |
| DLC | 0.0 | no | - |
| DWC | 0.0 | no | - |
| VFBCV | -1.0 | no | - |
| NOFF | 1.0 | no | - |
| VOFFCV | 0.0 | no | - |
| ACDE | 1.0 | no | - |
| MOIN | 15.0 | no | - |
| XRCRG1 | 12.0 | no | - |
| XRCRG2 | 1.0 | no | - |
| RBPB | 50.0 | no | - |
| RBPD | 50.0 | no | - |
| RBPS | 50.0 | no | - |
| RBDB | 50.0 | no | - |
| RBSB | 50.0 | no | - |
| GBMIN | 1.0e-12 | no | - |
| DMCG | 0.0 | no | - |
| DMCI | 0.0 | no | - |
| DMDG | 0.0 | no | - |
| DMCGT | 0.0 | no | - |
| NF | 1.0 | no | - |
| DWJ | 0.0 | no | - |
| MIN | 0.0 | no | - |
| XGW | 0.0 | no | - |
| XGL | 0.0 | no | - |
| XL | 0.0 | no | - |
| XW | 0.0 | no | - |
| NGCON | 1.0 | no | - |
| IJTHSREV | 0.1 | no | - |
| IJTHDREV | 0.1 | no | - |
| IJTHSFWD | 0.1 | no | - |
| IJTHDFWD | 0.1 | no | - |
| XJBVS | 1.0 | no | - |
| XJBVD | 1.0 | no | - |
| BVS | 10.0 | no | - |
| BVD | 10.0 | no | - |
| JSS | 1.0e-4 | no | - |
| JSD | 1.0e-4 | no | - |
| JSWS | 0.0 | no | - |
| JSWD | 0.0 | no | - |
| JSWGS | 0.0 | no | - |
| JSWGD | 0.0 | no | - |
| CJS | 5.0e-4 | no | - |
| CJD | 5.0e-4 | no | - |
| MJS | 0.5 | no | - |
| MJD | 0.5 | no | - |
| MJSWS | 0.33 | no | - |
| MJSWD | 0.33 | no | - |
| CJSWS | 5.0e-10 | no | - |
| CJSWD | 5.0e-10 | no | - |
| CJSWGS | 5.0e-10 | no | - |
| CJSWGD | 5.0e-10 | no | - |
| MJSWGS | 0.33 | no | - |
| MJSWGD | 0.33 | no | - |
| PBS | 1.0 | no | - |
| PBD | 1.0 | no | - |
| PBSWS | 1.0 | no | - |
| PBSWD | 1.0 | no | - |
| PBSWGS | 1.0 | no | - |
| PBSWGD | 1.0 | no | - |
| TNOM | 27 | no | - |
| UTE | -1.5 | no | - |
| KT1 | -0.11 | no | - |
| KT1L | 0.0 | no | - |
| KT2 | 0.022 | no | - |
| UA1 | 1.0e-9 | no | - |
| UB1 | -1.0e-18 | no | - |
| UC1 | -99.0 | no | - |
| AT | 3.3e4 | no | - |
| PRT | 0.0 | no | - |
| NJS | 1.0 | no | - |
| NJD | 1.0 | no | - |
| XTIS | 3.0 | no | - |
| XTID | 3.0 | no | - |
| TPB | 0.0 | no | - |
| TPBSW | 0.0 | no | - |
| TPBSWG | 0.0 | no | - |
| TCJ | 0.0 | no | - |
| TCJSW | 0.0 | no | - |
| TCJSWG | 0.0 | no | - |
| SA | 0.0 | no | - |
| SB | 0.0 | no | - |
| SD | 0.0 | no | - |
| SAREF | 1e-6 | no | - |
| SBREF | 1e-6 | no | - |
| WLOD | 0.0 | no | - |
| KU0 | 0.0 | no | - |
| KVSAT | 0.0 | no | - |
| TKU0 | 0.0 | no | - |
| LKU0 | 0.0 | no | - |
| WKU0 | 0.0 | no | - |
| PKU0 | 0.0 | no | - |
| LLODKU0 | 0.0 | no | - |
| WLODKU0 | 0.0 | no | - |
| KVTH0 | 0.0 | no | - |
| LKVTH0 | 0.0 | no | - |
| WKVTH0 | 0.0 | no | - |
| PKVTH0 | 0.0 | no | - |
| LLODVTH | 0.0 | no | - |
| WLODVTH | 0.0 | no | - |
| STK2 | 0.0 | no | - |
| LODK2 | 1.0 | no | - |
| STETA0 | 0.0 | no | - |
| LODETA0 | 1.0 | no | - |
| WL | 0.0 | no | - |
| WLN | 1.0 | no | - |
| WW | 0.0 | no | - |
| WWN | 1.0 | no | - |
| WWL | 0.0 | no | - |
| LL | 0.0 | no | - |
| LLN | 1.0 | no | - |
| LW | 0.0 | no | - |
| LWN | 1.0 | no | - |
| LWL | 0.0 | no | - |
| LLC | 0.0 | no | - |
| LWC | 0.0 | no | - |
| LWLC | 0.0 | no | - |
| WLC | 0.0 | no | - |
| WWC | 0.0 | no | - |
| WWLC | 0.0 | no | - |
| NTNOI | 1.0 | no | - |
| KF | 0.0 | no | - |
| AF | 1.0 | no | - |
| EF | 1.0 | no | - |
| TEMP | 27 | no | - |
Npn Hicum L0 V1.2¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.2 |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.2 verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p2 |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Proprietà |
94 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
npn | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | no | reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | no | flag for turning on base related critical current |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | no | high-injection correction factor |
| ahq | 0 | no | Smoothing factor for the d.c. injection width |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| vdedc | 0.9 | no | BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | no | charge BE exponent factor for d.c. transfer current |
| ajedc | 2.5 | no | BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| zetaiqf | 0.0 | no | TC of iqf |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | no | Exponent factor for temperature dependent thermal resistance |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Pnp Hicum L0 V1.2¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.2 |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.2 verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p2 |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Proprietà |
94 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pnp | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | no | reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | no | flag for turning on base related critical current |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | no | high-injection correction factor |
| ahq | 0 | no | Smoothing factor for the d.c. injection width |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| vdedc | 0.9 | no | BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | no | charge BE exponent factor for d.c. transfer current |
| ajedc | 2.5 | no | BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| zetaiqf | 0.0 | no | TC of iqf |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | no | Exponent factor for temperature dependent thermal resistance |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Npn Hicum L0 V1.2G¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.2g |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.2g verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p2g |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Proprietà |
99 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
npn | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | no | reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | no | flag for turning on base related critical current |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| iqfe | 0.0 | no | high-injection roll-off current |
| ahq | 0.0 | no | Smoothing factor for the d.c. injection width |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| vdedc | 0.9 | no | BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | no | charge BE exponent factor for d.c. transfer current |
| ajedc | 2.5 | no | BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100.0 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100.0 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100.0 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100.0 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| zetaiqf | 0.0 | no | TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge) |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K) |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| zetarth | 0.0 | no | Exponent factor for temperature dependent thermal resistance |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| delte | 0.0 | no | Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| deltc | 0.0 | no | Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| zetaver | 0.0 | no | Bandgap TC parameter of ver |
| zetavef | 0.0 | no | Bandgap TC parameter of vef |
| ibhrec | 0.0 | no | Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Pnp Hicum L0 V1.2G¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.2g |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.2g verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p2g |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Proprietà |
99 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pnp | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | no | reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | no | flag for turning on base related critical current |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| iqfe | 0.0 | no | high-injection roll-off current |
| ahq | 0.0 | no | Smoothing factor for the d.c. injection width |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| vdedc | 0.9 | no | BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | no | charge BE exponent factor for d.c. transfer current |
| ajedc | 2.5 | no | BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100.0 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100.0 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100.0 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100.0 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| zetaiqf | 0.0 | no | TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge) |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K) |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| zetarth | 0.0 | no | Exponent factor for temperature dependent thermal resistance |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| delte | 0.0 | no | Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| deltc | 0.0 | no | Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| zetaver | 0.0 | no | Bandgap TC parameter of ver |
| zetavef | 0.0 | no | Bandgap TC parameter of vef |
| ibhrec | 0.0 | no | Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Npn Hicum L0 V1.3¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.3 |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.3 verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p3 |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Proprietà |
102 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
npn | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| it_mod | 0 | no | Flag for using third order solution for transfer current |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | no | reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| aver | 0.0 | no | bias dependence for reverse Early voltage |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | no | flag for turning on base related critical current |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | no | high-injection correction factor |
| ahq | 0 | no | Smoothing factor for the d.c. injection width |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| vdedc | 0.9 | no | BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | no | charge BE exponent factor for d.c. transfer current |
| ajedc | 2.5 | no | BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| zetaiqf | 0.0 | no | TC of iqf |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | no | Exponent factor for temperature dependent thermal resistance |
| tef_temp | 1 | no | Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off |
| zetaver | -1.0 | no | TC of Reverse Early voltage |
| zetavgbe | 1.0 | no | TC of AVER |
| dvgbe | 0.0 | no | Bandgap difference between base and BE-junction |
| aliqfh | 0 | no | Frist-order TC of iqfh (1/K) |
| kiqfh | 0 | no | Second-order TC of iqfh (1/K^2) |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Pnp Hicum L0 V1.3¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.3 |
Descrizione |
HICUM Level 0 v1.3 verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p3 |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Proprietà |
102 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
pnp | sì |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | no | (Modified) saturation current (A) |
| it_mod | 0 | no | Flag for using third order solution for transfer current |
| mcf | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of forward collector current |
| mcr | 1.00 | no | Non-ideality coefficient of reverse collector current |
| vef | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | no | reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| aver | 0.0 | no | bias dependence for reverse Early voltage |
| iqf | 1.0e6 | no | forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | no | flag for turning on base related critical current |
| iqr | 1.0e6 | no | inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | no | high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | no | high-injection correction factor |
| ahq | 0 | no | Smoothing factor for the d.c. injection width |
| ibes | 1e-18 | no | BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | no | BE non-ideality factor |
| ires | 0.0 | no | BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | no | BE recombination non-ideality factor |
| ibcs | 0.0 | no | BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | no | BC non-ideality factor |
| cje0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | no | BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | no | BE exponent factor |
| aje | 2.5 | no | Ratio of maximum to zero-bias value |
| vdedc | 0.9 | no | BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | no | charge BE exponent factor for d.c. transfer current |
| ajedc | 2.5 | no | BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current |
| t0 | 0.0 | no | low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | no | SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | no | Exponent factor for emitter transit time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence |
| tr | 0.0 | no | Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | no | Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | no | Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | no | Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | no | BC exponent factor |
| vptci | 100 | no | Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | no | External BC exponent factor |
| vptcx | 100 | no | Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | no | Split factor = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | no | Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | no | forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | no | Geometry factor |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Substrate transistor transfer current non-ideality factor |
| iscs | 0.0 | no | SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | SC non-ideality factor |
| cjs0 | 1.0e-20 | no | Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | no | SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | no | External SC exponent factor |
| vpts | 100 | no | SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | no | Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | no | Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | no | Exponent factor |
| kavl | 0.0 | no | Prefactor |
| kf | 0.0 | no | flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | no | flicker noise exponent factor |
| vgb | 1.2 | no | Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | no | Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence |
| zetaci | 0.0 | no | TC of epi-collector diffusivity |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | TC of internal base resistance |
| zetarbx | 0.0 | no | TC of external base resistance |
| zetarcx | 0.0 | no | TC of external collector resistance |
| zetare | 0.0 | no | TC of emitter resistances |
| zetaiqf | 0.0 | no | TC of iqf |
| alkav | 0.0 | no | TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | no | TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | no | Exponent factor for temperature dependent thermal resistance |
| tef_temp | 1 | no | Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off |
| zetaver | -1.0 | no | TC of Reverse Early voltage |
| zetavgbe | 1.0 | no | TC of AVER |
| dvgbe | 0.0 | no | Bandgap difference between base and BE-junction |
| aliqfh | 0 | no | Frist-order TC of iqfh (1/K) |
| kiqfh | 0 | no | Second-order TC of iqfh (1/K^2) |
| flsh | 0 | no | Flag for self-heating calculation |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | no | Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Hicum L2 V2.23¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.23 |
Descrizione |
HICUM Level 2 v2.23 verilog device |
| Schematic entry | hicumL2V2p23 |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Proprietà |
114 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | no | GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | no | Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | no | High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hfe | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di emettitore negli HBT |
| hfc | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di collettore negli HBT |
| hjei | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-E negli HBT |
| hjci | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-C negli HBT |
| ibeis | 1.0E-18 | no | Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E interna |
| ireis | 0.0 | no | Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E interna |
| ibeps | 0.0 | no | Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E periferica |
| ireps | 0.0 | no | Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E periferica |
| mcf | 1.0 | no | Fattore di non idealità per HBT III-V |
| tbhrec | 0.0 | no | Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | no | Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C interna |
| ibcxs | 0.0 | no | External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C esterna |
| ibets | 0.0 | no | B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | no | Fattore esponenziale per la corrente di tunneling |
| tunode | 1 | no | Specifies the base node connection for the tunneling current |
| favl | 0.0 | no | Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | no | Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | no | Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | no | Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | no | Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | no | Fattore per la dipendenza dalla geometria dell’addensamento della corrente di collettore |
| fdqr0 | 0.0 | no | Fattore di correzione per la modulazione dallo strato di carica spaziale B-E e B-C |
| fcrbi | 0.0 | no | Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect) |
| fqi | 1.0 | no | Rapporto carica interna rispetto alla carica minoritaria totale |
| re | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente di trasferimento di substrato |
| iscs | 0.0 | no | C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente per il diodo C-S |
| tsf | 0.0 | no | Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | no | Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | no | Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | no | Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | no | Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | no | coefficiente di gradualità B-E interno |
| ajei | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E interna |
| cjep0 | 1.0E-20 | no | Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | no | Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità B-E periferico |
| ajep | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E periferica |
| cjci0 | 1.0E-20 | no | Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C interno |
| vptci | 100 | no | Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | no | External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C esterno |
| vptcx | 100 | no | External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-C cap |
| fbepar | 1.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-E cap |
| cjs0 | 0.0 | no | C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | no | C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità C-S |
| vpts | 100 | no | C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | no | Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | no | Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | no | Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time |
| fthc | 0.0 | no | Fattore di partizione per le parti di base e collettore |
| rci0 | 150 | no | Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | no | Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 0.0 | no | Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | no | Storage time for inverse operation (s) |
| cbepar | 0.0 | no | Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | no | Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.0 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della carica minoritaria |
| alit | 0.0 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della corrente di trasferimento |
| flnqs | 0 | no | Flag for turning on and off of vertical NQS effect |
| kf | 0.0 | no | Coefficiente rumore flicker |
| af | 2.0 | no | Fattore esponenziale rumore flicker |
| cfbe | -1 | no | Flag for determining where to tag the flicker noise source |
| latb | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width |
| latl | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length |
| vgb | 1.17 | no | Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | no | First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Coefficiente di temperatura del second’ordine del parametro T0 |
| zetaci | 0.0 | no | Esponente della temperatura per RCI0 |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base interna |
| zetarbx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base esterna |
| zetarcx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di collettore esterna |
| zetare | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di emetttore |
| zetacx | 1.0 | no | Esponente della temperatura per la mobilità nel tempo di transito per il transistore di substrato |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence |
| alb | 0.0 | no | Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| flsh | 0 | no | Flag for turning on and off self-heating effect |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | no | Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | no | Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | no | temperatura di simulazione |
Hicum L2 V2.24¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.24 |
Descrizione |
HICUM Level 2 v2.24 verilog device |
| Schematic entry | hicumL2V2p24 |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Proprietà |
114 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | no | GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | no | Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | no | High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hfe | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di emettitore negli HBT |
| hfc | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di collettore negli HBT |
| hjei | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-E negli HBT |
| hjci | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-C negli HBT |
| ibeis | 1.0E-18 | no | Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E interna |
| ireis | 0.0 | no | Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E interna |
| ibeps | 0.0 | no | Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E periferica |
| ireps | 0.0 | no | Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E periferica |
| mcf | 1.0 | no | Fattore di non idealità per HBT III-V |
| tbhrec | 0.0 | no | Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | no | Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C interna |
| ibcxs | 0.0 | no | External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C esterna |
| ibets | 0.0 | no | B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | no | Fattore esponenziale per la corrente di tunneling |
| tunode | 1 | no | Specifies the base node connection for the tunneling current |
| favl | 0.0 | no | Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | no | Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | no | Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | no | Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | no | Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | no | Fattore per la dipendenza dalla geometria dell’addensamento della corrente di collettore |
| fdqr0 | 0.0 | no | Fattore di correzione per la modulazione dallo strato di carica spaziale B-E e B-C |
| fcrbi | 0.0 | no | Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect) |
| fqi | 1.0 | no | Rapporto carica interna rispetto alla carica minoritaria totale |
| re | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente di trasferimento di substrato |
| iscs | 0.0 | no | C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente per il diodo C-S |
| tsf | 0.0 | no | Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | no | Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | no | Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | no | Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | no | Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | no | coefficiente di gradualità B-E interno |
| ajei | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E interna |
| cjep0 | 1.0E-20 | no | Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | no | Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità B-E periferico |
| ajep | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E periferica |
| cjci0 | 1.0E-20 | no | Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C interno |
| vptci | 100 | no | Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | no | External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C esterno |
| vptcx | 100 | no | External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-C cap |
| fbepar | 1.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-E cap |
| cjs0 | 0.0 | no | C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | no | C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità C-S |
| vpts | 100 | no | C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | no | Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | no | Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | no | Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time |
| fthc | 0.0 | no | Fattore di partizione per le parti di base e collettore |
| rci0 | 150 | no | Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | no | Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 100.0 | no | Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | no | Storage time for inverse operation (s) |
| cbepar | 0.0 | no | Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | no | Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.0 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della carica minoritaria |
| alit | 0.0 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della corrente di trasferimento |
| flnqs | 0 | no | Flag for turning on and off of vertical NQS effect |
| kf | 0.0 | no | Coefficiente rumore flicker |
| af | 2.0 | no | Fattore esponenziale rumore flicker |
| cfbe | -1 | no | Flag for determining where to tag the flicker noise source |
| latb | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width |
| latl | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length |
| vgb | 1.17 | no | Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | no | First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Coefficiente di temperatura del second’ordine del parametro T0 |
| zetaci | 0.0 | no | Esponente della temperatura per RCI0 |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base interna |
| zetarbx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base esterna |
| zetarcx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di collettore esterna |
| zetare | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di emetttore |
| zetacx | 1.0 | no | Esponente della temperatura per la mobilità nel tempo di transito per il transistore di substrato |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence |
| alb | 0.0 | no | Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| flsh | 0 | no | Flag for turning on and off self-heating effect |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | no | Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | no | Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27.0 | no | temperatura di simulazione |
Hicum L2 V2.31¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 V2.31 |
Descrizione |
hicumL2V2p31n verilog device |
| Schematic entry | hicumL2V2p31n |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | hicumL2V2p31n |
Proprietà |
129 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | no | GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | no | Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | no | High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hf0 | 1.0 | no | Weight factor for the low current minority charge |
| hfe | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di emettitore negli HBT |
| hfc | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica minoritaria di collettore negli HBT |
| hjei | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-E negli HBT |
| ahjei | 0.0 | no | Parameter describing the slope of hjEi(VBE) |
| rhjei | 1.0 | no | Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage |
| hjci | 1.0 | no | Fattore di pesatura della carica di svuotamento B-C negli HBT |
| ibeis | 1.0E-18 | no | Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E interna |
| ireis | 0.0 | no | Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E interna |
| ibeps | 0.0 | no | Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-E periferica |
| ireps | 0.0 | no | Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | no | Fattore di idealità della ricombinazione B-E periferica |
| mcf | 1.0 | no | Fattore di non idealità per HBT III-V |
| tbhrec | 0.0 | no | Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | no | Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C interna |
| ibcxs | 0.0 | no | External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente B-C esterna |
| ibets | 0.0 | no | B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | no | Fattore esponenziale per la corrente di tunneling |
| tunode | 1 | no | Specifies the base node connection for the tunneling current |
| favl | 0.0 | no | Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | no | Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | no | Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | no | Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | no | Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | no | External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | no | Fattore per la dipendenza dalla geometria dell’addensamento della corrente di collettore |
| fdqr0 | 0.0 | no | Fattore di correzione per la modulazione dallo strato di carica spaziale B-E e B-C |
| fcrbi | 0.0 | no | Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect) |
| fqi | 1.0 | no | Rapporto carica interna rispetto alla carica minoritaria totale |
| re | 0.0 | no | Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | no | External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | no | Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente di trasferimento di substrato |
| iscs | 0.0 | no | C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | no | Fattore di idealità della corrente per il diodo C-S |
| tsf | 0.0 | no | Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | no | Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | no | Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | no | Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | no | Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | no | coefficiente di gradualità B-E interno |
| ajei | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E interna |
| cjep0 | 1.0E-20 | no | Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | no | Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità B-E periferico |
| ajep | 2.5 | no | Rapporto capacità massima rispetto alla capacità con polarizzazione zero per B-E periferica |
| cjci0 | 1.0E-20 | no | Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | no | Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C interno |
| vptci | 100 | no | Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | no | External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | no | External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | no | coefficiente di gradualità B-C esterno |
| vptcx | 100 | no | External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-C cap |
| fbepar | 1.0 | no | Partitioning factor of parasitic B-E cap |
| cjs0 | 0.0 | no | C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | no | C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | no | Coefficiente di gradualità C-S |
| vpts | 100 | no | C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | no | Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | no | Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | no | Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | no | Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | no | Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time |
| thcs | 0.0 | no | Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | no | Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time |
| fthc | 0.0 | no | Fattore di partizione per le parti di base e collettore |
| rci0 | 150 | no | Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | no | Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | no | Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 100.0 | no | Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | no | Storage time for inverse operation (s) |
| vcbar | 0.0 | no | Barrier voltage (V) |
| icbar | 0.0 | no | Normalization parameter (A) |
| acbar | 0.01 | no | Smoothing parameter for barrier voltage |
| delck | 2.0 | no | fitting factor for critical current |
| cbepar | 0.0 | no | Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | no | Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.167 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della carica minoritaria |
| alit | 0.333 | no | Fattore per tempo di ritardo addizionale della corrente di trasferimento |
| flnqs | 0 | no | Flag for turning on and off of vertical NQS effect |
| kf | 0.0 | no | Coefficiente rumore flicker |
| af | 2.0 | no | Fattore esponenziale rumore flicker |
| cfbe | -1 | no | Flag for determining where to tag the flicker noise source |
| flcono | 0 | no | Flag for turning on and off of correlated noise implementation |
| kfre | 0.0 | no | Emitter resistance flicker noise coefficient |
| afre | 2.0 | no | Emitter resistance flicker noise exponent factor |
| latb | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width |
| latl | 0.0 | no | Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length |
| vgb | 1.17 | no | Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | no | First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | no | Coefficiente di temperatura del second’ordine del parametro T0 |
| zetaci | 0.0 | no | Esponente della temperatura per RCI0 |
| alvs | 0.0 | no | Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | no | Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base interna |
| zetarbx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di base esterna |
| zetarcx | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di collettore esterna |
| zetare | 0.0 | no | Esponente della temperatura della resistenza di emetttore |
| zetacx | 1.0 | no | Esponente della temperatura per la mobilità nel tempo di transito per il transistore di substrato |
| vge | 1.17 | no | Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | no | Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | no | Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | no | Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation |
| f2vg | 4.3215e-4 | no | Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation |
| zetact | 3.0 | no | Exponent coefficient in transfer current temperature dependence |
| zetabet | 3.5 | no | Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence |
| alb | 0.0 | no | Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| dvgbe | 0 | no | Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V) |
| zetahjei | 1 | no | Temperature coefficient for ahjEi |
| zetavgbe | 1 | no | Temperature coefficient for hjEi0 |
| flsh | 0 | no | Flag for turning on and off self-heating effect |
| rth | 0.0 | no | Thermal resistance (K/W) |
| zetarth | 0.0 | no | Temperature coefficient for Rth |
| alrth | 0.0 | no | First order relative TC of parameter Rth (1/K) |
| cth | 0.0 | no | Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | no | Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | no | Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | no | Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27.0 | no | temperatura di simulazione |
Photodiode¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Photodiode |
Descrizione |
Photodiode verilog device |
| Schematic entry | photodiode |
| Netlist entry | PD |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | photodiode |
Proprietà |
23 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| N | 1.35 | no | photodiode emission coefficient |
| Rseries | 1e-3 | no | series lead resistance (Ohm) |
| Is | 0.34e-12 | no | diode dark current (A) |
| Bv | 60 | no | reverse breakdown voltage (V) |
| Ibv | 1e-3 | no | current at reverse breakdown voltage (A) |
| Vj | 0.7 | no | junction potential (V) |
| Cj0 | 60e-12 | no | zero-bias junction capacitance (F) |
| M | 0.5 | no | coefficiente di gradualità |
| Area | 1.0 | no | diode relative area |
| Tnom | 26.85 | no | parameter measurement temperature (Celsius) |
| Fc | 0.5 | no | coefficiente capacità di svuotamento con polarizzazione diretta |
| Tt | 10e-9 | no | transit time (s) |
| Xti | 3.0 | no | esponente della temperatura per la corrente di saturazione |
| Eg | 1.16 | no | energy gap (eV) |
| Responsivity | 0.5 | no | responsivity (A/W) |
| Rsh | 5e8 | no | shunt resistance (Ohm) |
| QEpercent | 80 | no | quantum efficiency (%) |
| Lambda | 900 | no | light wavelength (nm) |
| LEVEL | 1 | no | responsivity calculator selector |
| Kf | 1e-12 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1.0 | no | esponente rumore flicker |
| Ffe | 1.0 | no | esponente frequenziale rumore flicker |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Phototransistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Phototransistor |
Descrizione |
Phototransistor verilog device |
| Schematic entry | phototransistor |
| Netlist entry | PT |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | phototransistor |
Proprietà |
30 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Bf | 100 | no | beta diretto |
| Br | 0.1 | no | beta inverso |
| Is | 1e-10 | no | dark current (A) |
| Nf | 1 | no | coefficiente di emissione diretto |
| Nr | 1 | no | coefficiente di emissione inverso |
| Vaf | 100 | no | forward early voltage (V) |
| Var | 100 | no | reverse early voltage (V) |
| Mje | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-emettitore |
| Vje | 0.75 | no | base-emitter junction built-in potential (V) |
| Cje | 1e-12 | no | base-emitter zero-bias depletion capacitance (F) |
| Mjc | 0.33 | no | fattore dell’esponenziale per la giunzione base-collettore |
| Vjc | 0.75 | no | base-collector junction built-in potential (V) |
| Cjc | 2e-12 | no | base-collector zero-bias depletion capacitance (F) |
| Tr | 100n | no | ideal reverse transit time (s) |
| Tf | 0.1n | no | ideal forward transit time (s) |
| Ikf | 10 | no | high current corner for forward beta (A) |
| Ikr | 10 | no | high current corner for reverse beta (A) |
| Rc | 10 | no | collector series resistance (Ohm) |
| Re | 1 | no | emitter series resistance (Ohm) |
| Rb | 100 | no | base series resistance (Ohm) |
| Kf | 1e-12 | no | coefficiente rumore flicker |
| Ffe | 1 | no | coefficiente rumore flicker |
| Af | 1 | no | esponente rumore flicker |
| Responsivity | 1.5 | no | responsivity at relative selectivity=100% (A/W) |
| P0 | 2.6122e3 | no | relative selectivity polynomial coefficient |
| P1 | -1.489e1 | no | relative selectivity polynomial coefficient |
| P2 | 3.0332e-2 | no | relative selectivity polynomial coefficient |
| P3 | -2.5708e-5 | no | relative selectivity polynomial coefficient |
| P4 | 7.6923e-9 | no | relative selectivity polynomial coefficient |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione |
Nigbt¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | NIGBT |
Descrizione |
NIGBT verilog device |
| Schematic entry | nigbt |
| Netlist entry | T |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nigbt |
Proprietà |
19 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Agd | 5.0e-6 | no | gate-drain overlap area (m**2) |
| Area | 1.0e-5 | no | area of the device (m**2) |
| Kp | 0.38 | no | MOS transconductance (A/V**2) |
| Tau | 7.1e-6 | no | ambipolar recombination lifetime (s) |
| Wb | 9.0e-5 | no | metallurgical base width (m) |
| BVf | 1.0 | no | avalanche uniformity factor |
| BVn | 4.0 | no | avalanche multiplication exponent |
| Cgs | 1.24e-8 | no | gate-source capacitance per unit area (F/cm**2) |
| Coxd | 3.5e-8 | no | gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2) |
| Jsne | 6.5e-13 | no | emitter saturation current density (A/cm**2) |
| Kf | 1.0 | no | triode region factor |
| Mun | 1.5e-3 | no | electron mobility (cm**2/Vs) |
| Mup | 4.5e-2 | no | hole mobility (cm**2/Vs) |
| Nb | 2.0e14 | no | base doping (1/cm**3) |
| Theta | 0.02 | no | transverse field factor (1/V) |
| Vt | 4.7 | no | threshold voltage (V) |
| Vtd | 1.0e-3 | no | gate-drain overlap depletion threshold (V) |
| Tnom | 26.85 | no | parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | no | simulation temperature (Celsius) |
Voltage Controlled Resistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Voltage Controlled Resistor |
Descrizione |
generatore di tensione controllato in tensione |
| Schematic entry | vcresistor |
| Netlist entry | VCR |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vcresistor |
Proprietà |
1 |
| Category | verilog-a devices |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| gain | 1 | sì |
resistance gain |
Digital Components¶
Digital Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | generatore digitale |
Descrizione |
generatore digitale |
| Schematic entry | DigiSource |
| Netlist entry | S |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | digi_source |
Proprietà |
4 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Num | 1 | sì |
numero della porta |
| init | low | no | initial output value [low, high] |
| times | 1ns; 1ns | no | Elenco istanti di cambiamento dell’uscita |
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
Invertitore¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Invertitore |
Descrizione |
invertitore logico |
| Schematic entry | Inv |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | inverter |
Proprietà |
4 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Or¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | OR a n porte |
Descrizione |
OR logico |
| Schematic entry | OR |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | or |
Proprietà |
5 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| in | 2 | no | numero di porte di ingresso |
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Nor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | NOR a n porte |
Descrizione |
NOR logico |
| Schematic entry | NOR |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | nor |
Proprietà |
5 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| in | 2 | no | numero di porte di ingresso |
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port And¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | AND a n porte |
Descrizione |
AND logico |
| Schematic entry | AND |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | and |
Proprietà |
5 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| in | 2 | no | numero di porte di ingresso |
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Nand¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | NAND a n porte |
Descrizione |
NAND logico |
| Schematic entry | NAND |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | nand |
Proprietà |
5 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| in | 2 | no | numero di porte di ingresso |
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Xor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | XOR a n porte |
Descrizione |
XOR logico |
| Schematic entry | XOR |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | xor |
Proprietà |
5 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| in | 2 | no | numero di porte di ingresso |
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Xnor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | XNOR a n porte |
Descrizione |
XNOR logico |
| Schematic entry | XNOR |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | xnor |
Proprietà |
5 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| in | 2 | no | numero di porte di ingresso |
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
Buffer¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Buffer |
Descrizione |
logical buffer |
| Schematic entry | Buf |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | buffer |
Proprietà |
4 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| V | 1 V | no | tensione del livello alto |
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
| TR | 10 | no | transfer function scaling factor |
| Symbol | old | no | schematic symbol [old, DIN40900] |
4X2 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4x2 AndOr |
Descrizione |
4x2 andor verilog device |
| Schematic entry | andor4x2 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | andor4x2 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
4X3 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4x3 AndOr |
Descrizione |
4x3 andor verilog device |
| Schematic entry | andor4x3 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | andor4x3 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
4X4 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4x4 AndOr |
Descrizione |
4x4 andor verilog device |
| Schematic entry | andor4x4 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | andor4x4 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
2To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 2to1 Mux |
Descrizione |
2to1 multiplexer verilog device |
| Schematic entry | mux2to1 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | mux2to1 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
4To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4to1 Mux |
Descrizione |
4to1 multiplexer verilog device |
| Schematic entry | mux4to1 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | mux4to1 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
8To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 8to1 Mux |
Descrizione |
8to1 multiplexer verilog device |
| Schematic entry | mux8to1 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | mux8to1 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
2To4 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 2to4 Demux |
Descrizione |
2to4 demultiplexer verilog device |
| Schematic entry | dmux2to4 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | dmux2to4 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
3To8 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 3to8 Demux |
Descrizione |
3to8 demultiplexer verilog device |
| Schematic entry | dmux3to8 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | dmux3to8 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
4To16 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4to16 Demux |
Descrizione |
4to16 demultiplexer verilog device |
| Schematic entry | dmux4to16 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | dmux4to16 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
1Bit Halfadder¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 1Bit HalfAdder |
Descrizione |
1bit half adder verilog device |
| Schematic entry | ha1b |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | ha1b |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
1Bit Fulladder¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 1Bit FullAdder |
Descrizione |
1bit full adder verilog device |
| Schematic entry | fa1b |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | fa1b |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
2Bit Fulladder¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 2Bit FullAdder |
Descrizione |
2bit full adder verilog device |
| Schematic entry | fa2b |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | fa2b |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
Rs-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | FlipFlop RS |
Descrizione |
flip flop RS |
| Schematic entry | RSFF |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
DigitalComponent |
| Bitmap file | rsflipflop |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
D-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | FlipFlop D |
Descrizione |
flip flop D con reset asincrono |
| Schematic entry | DFF |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
DigitalComponent |
| Bitmap file | dflipflop |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
D-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | D-FlipFlop w/ SR |
Descrizione |
D flip flop with set and reset verilog device |
| Schematic entry | dff_SR |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | dff_SR |
Proprietà |
3 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | no | cross coupled gate transfer function high scaling factor |
| TR_L | 5 | no | cross coupled gate transfer function low scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | cross coupled gate delay (s) |
Jk-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | FlipFlop JK |
Descrizione |
flip flop JK con set e reset asincroni |
| Schematic entry | JKFF |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
DigitalComponent |
| Bitmap file | jkflipflop |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| t | 0 | no | tempo di ritardo |
Jk-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | JK-FlipFlop w/ SR |
Descrizione |
jk flip flop with set and reset verilog device |
| Schematic entry | jkff_SR |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | jkff_SR |
Proprietà |
3 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | no | cross coupled gate transfer function high scaling factor |
| TR_L | 5 | no | cross coupled gate transfer function low scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | cross coupled gate delay (s) |
T-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | T-FlipFlop w/ SR |
Descrizione |
T flip flop with set and reset verilog device |
| Schematic entry | tff_SR |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | tff_SR |
Proprietà |
3 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | no | cross coupled gate transfer function high scaling factor |
| TR_L | 5 | no | cross coupled gate transfer function low scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | cross coupled gate delay (s) |
Gated D-Latch¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Gated D-Latch |
Descrizione |
gated D latch verilog device |
| Schematic entry | gatedDlatch |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | gatedDlatch |
Proprietà |
3 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | no | cross coupled gate transfer function high scaling factor |
| TR_L | 5 | no | cross coupled gate transfer function low scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | cross coupled gate delay (s) |
Logic 0¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Logic 0 |
Descrizione |
logic 0 verilog device |
| Schematic entry | logic_0 |
| Netlist entry | S |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | logic_0 |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 0 | no | logic 0 voltage level (V) |
Logic 1¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Logic 1 |
Descrizione |
logic 1 verilog device |
| Schematic entry | logic_1 |
| Netlist entry | S |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | logic_1 |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 1 | no | logic 1 voltage level (V) |
2Bit Pattern¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 2Bit Pattern |
Descrizione |
2bit pattern generator verilog device |
| Schematic entry | pad2bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | pad2bit |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Number | 0 | no | pad output value |
3Bit Pattern¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 3Bit Pattern |
Descrizione |
3bit pattern generator verilog device |
| Schematic entry | pad3bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | pad3bit |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Number | 0 | no | pad output value |
4Bit Pattern¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4Bit Pattern |
Descrizione |
4bit pattern generator verilog device |
| Schematic entry | pad4bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | pad4bit |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Number | 0 | no | pad output value |
A2D Level Shifter¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | A2D Level Shifter |
Descrizione |
data voltage level shifter (analogue to digital) verilog device |
| Schematic entry | DLS_nto1 |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | DLS_nto1 |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 5 V | no | voltage level (V) |
| Delay | 1 ns | no | time delay (s) |
D2A Level Shifter¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | D2A Level Shifter |
Descrizione |
data voltage level shifter (digital to analogue) verilog device |
| Schematic entry | DLS_1ton |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | DLS_1ton |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 5 V | no | voltage level |
| Delay | 1 ns | no | time delay (s) |
4Bit Bin2Grey¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4Bit Bin2Grey |
Descrizione |
4bit binary to grey converter verilog device |
| Schematic entry | binarytogrey4bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | binarytogrey4bit |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
4Bit Grey2Bin¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4Bit Grey2Bin |
Descrizione |
4bit grey to binary converter verilog device |
| Schematic entry | greytobinary4bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | greytobinary4bit |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
1Bit Comparator¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 1Bit Comparator |
Descrizione |
1bit comparator verilog device |
| Schematic entry | comp_1bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | comp_1bit |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
2Bit Comparator¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 2Bit Comparator |
Descrizione |
2bit comparator verilog device |
| Schematic entry | comp_2bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | comp_2bit |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
4Bit Comparator¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4Bit Comparator |
Descrizione |
4bit comparator verilog device |
| Schematic entry | comp_4bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | comp_4bit |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function high scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
4Bit Hpri-Bin¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | 4Bit HPRI-Bin |
Descrizione |
4bit highest priority encoder (binary form) verilog device |
| Schematic entry | hpribin4bit |
| Netlist entry | Y |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | hpribin4bit |
Proprietà |
2 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | no | transfer function scaling factor |
| Delay | 1 ns | no | output delay (s) |
Vhdl File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | File VHDL |
Descrizione |
File VHDL |
| Schematic entry | VHDL |
| Netlist entry | X |
Tipo |
DigitalComponent |
| Bitmap file | vhdlfile |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | sub.vhdl | no | Nome del file VHDL |
Verilog File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | File Verilog |
Descrizione |
File Verilog |
| Schematic entry | Verilog |
| Netlist entry | X |
Tipo |
DigitalComponent |
| Bitmap file | vhdlfile |
Proprietà |
1 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | sub.v | no | Nome del file Verilog |
Digital Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | simulazione digitale |
Descrizione |
simulazione digitale |
| Schematic entry | .Digi |
| Netlist entry | Digi |
Tipo |
DigitalComponent |
| Bitmap file | digi |
Proprietà |
3 |
| Category | digital components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
TruthTable | sì |
type of simulation [TruthTable, TimeList] |
| time | 10 ns | no | durata della simulazione TimeList |
Modello |
VHDL | no | netlist format [VHDL, Verilog] |
File Components¶
Spice Netlist¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | netlist SPICE |
Descrizione |
file netlist SPICE |
| Schematic entry | SPICE |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spicefile |
Proprietà |
4 |
| Category | file components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | sì |
x | |
| Ports | no | x | |
| Sim | sì |
no | x |
| Preprocessor | none | no | x |
1-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | file parametri S a 1 porta |
Descrizione |
file parametri S |
| Schematic entry | SPfile |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spfile1 |
Proprietà |
5 |
| Category | file components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | test.s1p | sì |
nome del file dei parametri S |
Dati |
rectangular | no | data type [rectangular, polar] |
| Interpolator | lineare |
no | interpolation type [linear, cubic] |
| duringDC | open | no | representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
| Ports | 1 | no | numero di porte |
2-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | file parametri S a 2 porte |
Descrizione |
file parametri S |
| Schematic entry | SPfile |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spfile2 |
Proprietà |
5 |
| Category | file components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | test.s2p | sì |
nome del file dei parametri S |
Dati |
rectangular | no | data type [rectangular, polar] |
| Interpolator | lineare |
no | interpolation type [linear, cubic] |
| duringDC | open | no | representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
| Ports | 2 | no | numero di porte |
N-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | file parametri S a n porte |
Descrizione |
file parametri S |
| Schematic entry | SPfile |
| Netlist entry | X |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spfile3 |
Proprietà |
5 |
| Category | file components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | test.s3p | sì |
nome del file dei parametri S |
Dati |
rectangular | no | data type [rectangular, polar] |
| Interpolator | lineare |
no | interpolation type [linear, cubic] |
| duringDC | open | no | representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
| Ports | 3 | no | numero di porte |
Sottocircuito¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Sottocircuito |
Descrizione |
sottocircuito |
| Schematic entry | Sub |
| Netlist entry | SUB |
Tipo |
Componente |
| Bitmap file | sottocircuito |
Proprietà |
1 |
| Category | file components |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| File | no | nome del file schema di qucs |
Simulations¶
Dc Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | simulazione dc |
Descrizione |
simulazione dc |
| Schematic entry | .DC |
| Netlist entry | DC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dc |
Proprietà |
9 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| reltol | 0.001 | no | tolleranza relativa per la convergenza |
| abstol | 1 pA | no | tolleranza assoluta per correnti |
| vntol | 1 uV | no | tolleranza assoluta per tensioni |
| saveOPs | no | no | put operating points into dataset [yes, no] |
| MaxIter | 150 | no | massimo numero di iterazioni |
| saveAll | no | no | save subcircuit nodes into dataset [yes, no] |
| convHelper | none | no | preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping] |
| Solver | CroutLU | no | method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD] |
Transient Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Simulazione transitorio |
Descrizione |
simulazione transitorio |
| Schematic entry | .TR |
| Netlist entry | TR |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tran |
Proprietà |
20 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
lin | sì |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Start | 0 | sì |
tempo di inizio in secondi |
| Stop | 1 ms | sì |
tempo di fine in secondi |
| Points | 11 | no | numero passi temporali della simulazione |
| IntegrationMethod | Trapezoidal | no | integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton] |
| Order | 2 | no | order of integration method (1-6) |
| InitialStep | 1 ns | no | passo iniziale in secondi |
| MinStep | 1e-16 | no | passo minimo in secondi |
| MaxIter | 150 | no | massimo numero di iterazioni |
| reltol | 0.001 | no | tolleranza relativa per la convergenza |
| abstol | 1 pA | no | tolleranza assoluta per correnti |
| vntol | 1 uV | no | tolleranza assoluta per tensioni |
| Temp | 26.85 | no | temperatura di simulazione in gradi Celsius |
| LTEreltol | 1e-3 | no | tolleranza relativa dell’errore di troncamento locale |
| LTEabstol | 1e-6 | no | tolleranza assoluta dell’errore di troncamento locale |
| LTEfactor | 1 | no | sovrastima dell’errore di troncamento locale |
| Solver | CroutLU | no | method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD] |
| relaxTSR | no | no | relax time step raster [no, yes] |
| initialDC | sì |
no | perform an initial DC analysis [yes, no] |
| MaxStep | 0 | no | passo massimo in secondi |
Ac Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | simulazione ac |
Descrizione |
simulazione ac |
| Schematic entry | .AC |
| Netlist entry | AC |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ac |
Proprietà |
5 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
lin | sì |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Start | 1 GHz | sì |
frequenza d’inizio in Hertz |
| Stop | 10 GHz | sì |
frequenza di fine in Hertz |
| Points | 19 | sì |
numero di passi della simulazione |
| Noise | no | no | calculate noise voltages [yes, no] |
S-Parameter Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | simulazione parametri S |
Descrizione |
simulazione parametri S |
| Schematic entry | .SP |
| Netlist entry | SP |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | sparameter |
Proprietà |
9 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
lin | sì |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Start | 1 GHz | sì |
frequenza d’inizio in Hertz |
| Stop | 10 GHz | sì |
frequenza di fine in Hertz |
| Points | 19 | sì |
numero di passi della simulazione |
| Noise | no | no | calculate noise parameters [yes, no] |
| NoiseIP | 1 | no | porta di ingresso per il fattore di rumore |
| NoiseOP | 2 | no | porta di uscita per il fattore di rumore |
| saveCVs | no | no | put characteristic values into dataset [yes, no] |
| saveAll | no | no | save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no] |
Harmonic Balance¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Harmonic balance |
Descrizione |
Simulazione Harmonic Balance |
| Schematic entry | .HB |
| Netlist entry | HB |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | hb |
Proprietà |
6 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| f | 1 GHz | no | frequenza in Hertz |
| n | 4 | sì |
numero di armoniche |
| iabstol | 1 pA | no | tolleranza assoluta per correnti |
| vabstol | 1 uV | no | tolleranza assoluta per tensioni |
| reltol | 0.001 | no | tolleranza relativa per la convergenza |
| MaxIter | 150 | no | massimo numero di iterazioni |
Parameter Sweep¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | Parametro sweep |
Descrizione |
Parametro sweep |
| Schematic entry | .SW |
| Netlist entry | SW |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | sweep |
Proprietà |
6 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Sim | sì |
simulazione sulla quale effettuare la variazione di parametro |
|
Tipo |
lin | sì |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Param | R1 | sì |
parametro da variare |
| Start | 5 Ohm | sì |
valore iniziale |
| Stop | 50 Ohm | sì |
valore finale |
| Points | 20 | sì |
numero di passi della simulazione |
Digital Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | simulazione digitale |
Descrizione |
simulazione digitale |
| Schematic entry | .Digi |
| Netlist entry | Digi |
Tipo |
DigitalComponent |
| Bitmap file | digi |
Proprietà |
3 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
Tipo |
TruthTable | sì |
type of simulation [TruthTable, TimeList] |
| time | 10 ns | no | durata della simulazione TimeList |
Modello |
VHDL | no | netlist format [VHDL, Verilog] |
Ottimizzazione¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Valore |
|---|---|
| Caption | ottimizzazione |
Descrizione |
Ottimizzazione |
| Schematic entry | .Opt |
| Netlist entry | Opt |
Tipo |
AnalogComponent |
| Bitmap file | optimize |
Proprietà |
2 |
| Category | simulations |
Parametri Componente¶
Nome |
Valore |
Display | Descrizione |
|---|---|---|---|
| Sim | no | ||
| DE | 3|50|2|20|0.85|1|3|1e-6|10|100 | no |