Component Reference¶

Lumped Components¶

Opornik¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Opornik
Opis	opornik
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	opornik
Właściwości	6
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
R	50 Ohm	tak	reystancja w Ohmach
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tc1	0.0	nie	współczynnik temperaturowy pierwszego rzędu
Tc2	0.0	nie	współczynnik temperaturowy drugiego rzędu
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Symbol	european	nie	schematic symbol [european, US]

Resistor Us¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Opornik US
Opis	opornik
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	resistor_us
Właściwości	6
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
R	50 Ohm	tak	reystancja w Ohmach
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tc1	0.0	nie	współczynnik temperaturowy pierwszego rzędu
Tc2	0.0	nie	współczynnik temperaturowy drugiego rzędu
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Symbol	US	nie	schematic symbol [european, US]

Kondensator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Kondensator
Opis	kondensator
Schematic entry	`C`
Netlist entry	`C`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	kondensator
Właściwości	3
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
C	1 pF	tak	pojemność w Faradach
V		nie	napięcie początkowe dla symulacji czasowej
Symbol	neutral	nie	schematic symbol [neutral, polar]

Cewka¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Cewka
Opis	cewka
Schematic entry	`L`
Netlist entry	`L`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cewka
Właściwości	2
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L	1 nH	tak	indukczjność w Henrach
I		nie	prąd początkowy dla symulacji czasowej

Masa¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Masa
Opis	masa (potencjał odniesienia)
Schematic entry	`GND`
Netlist entry
Typ	Element
Bitmap file	gnd
Właściwości	0
Category	lumped components

Port podukładu¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Port podukładu
Opis	port podukładu
Schematic entry	`Port`
Netlist entry	`P`
Typ	Element
Bitmap file	subport
Właściwości	2
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Num	1	tak	numer portu w podukładzie
Typ	analog	nie	type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout]

Transformator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Transformator
Opis	idealny transformator
Schematic entry	`Tr`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	transformer
Właściwości	1
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
T	1	tak	przekładnia napięciowa

Symmetric Transformer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	transformator symetryczny
Opis	idealny transformator symetryczny
Schematic entry	`sTr`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	symtrans
Właściwości	2
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
T1	1	tak	przekładnia napięciowa uzwojenia 1
T2	1	tak	przekładnia napięciowa uzwojenia 2

Dc Block¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Zapora dc
Opis	zapora dc
Schematic entry	`DCBlock`
Netlist entry	`C`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dcblock
Właściwości	1
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
C	1 uF	nie	dla symulacji czasowej: pojemność w Faradach

Dc Feed¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Dławik
Opis	dławik
Schematic entry	`DCFeed`
Netlist entry	`L`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dcfeed
Właściwości	1
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L	1 uH	nie	dla symulacji czasowej: indukcyjność w Henrach

Trójnik zasilający¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Trójnik zasilający
Opis	Trójnik zasilający
Schematic entry	`BiasT`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	biast
Właściwości	2
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L	1 uH	nie	dla symulacji czasowej: indukcyjność w Henrach
C	1 uF	nie	dla symulacji czasowej: pojemność w Faradach

Tłumik¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Tłumik
Opis	tłumik
Schematic entry	`Attenuator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tłumik
Właściwości	3
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L	10 dB	tak	tłumienie mocy
Zref	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Wzmacniacz¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Wzmacniacz
Opis	idealny wzmacniacz
Schematic entry	`Amp`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	amplifier
Właściwości	4
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
G	10	tak	wzmocnienie napięciowe
Z1	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia portu wejściowego
Z2	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia portu wyjściowego
NF	0 dB	nie	noise figure

Izolator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Izolator
Opis	izolator
Schematic entry	`Isolator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	izolator
Właściwości	3
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Z1	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia portu wejściowego
Z2	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia portu wyjściowego
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Cyrkulator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Cyrkulator
Opis	cyrkulator
Schematic entry	`Circulator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cyrkulator
Właściwości	3
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Z1	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia portu 1
Z2	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia portu 2
Z3	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia portu 3

Żyrator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Żyrator
Opis	żyrator (odwracacz impedancji)
Schematic entry	`Gyrator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	gyrator
Właściwości	2
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
R	50 Ohm	tak	przekładnia żyratora
Zref	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia

Przesuwnik fazy¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Przesuwnik fazy
Opis	przesuwnik fazy
Schematic entry	`PShift`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pshifter
Właściwości	2
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
phi	90	tak	przesuw fazy w stopniach
Zref	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia

sprzęgacz¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	sprzęgacz
Opis	sprzęgacz idealny
Schematic entry	`Coupler`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	coupler
Właściwości	3
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
k	0.7071	tak	współczynnik sprzeżenia
phi	180	tak	przesunięcie fazy odczepu w stopniach
Z	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia

Hybrid¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Hybrid
Opis	hybrid (unsymmetrical 3dB coupler)
Schematic entry	`Hybrid`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	hybrid
Właściwości	2
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
phi	90	tak	przesuw fazy w stopniach
Zref	50 Ohm	nie	impedancja odniesienia

Miernik prądu¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Miernik prądu
Opis	miernik prądu
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Właściwości	0
Category	lumped components

próbnik napięcia¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	próbnik napięcia
Opis	próbnik napięcia
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Właściwości	0
Category	lumped components

Indukcyjności wzajemnie sprzężone¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Indukcyjności wzajemnie sprzężone
Opis	dwie indukcyjności wzajemnie sprzężone
Schematic entry	`MUT`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mutual
Właściwości	3
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L1	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 1
L2	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 2
k	0.9	nie	współczynnik sprzężenie między 1 i 2

3 Indukcyjności wzajemnie sprzężone¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	3 Indukcyjności wzajemnie sprzężone
Opis	trzy indukcyjności wzajemnie sprzężone
Schematic entry	`MUT2`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mutual2
Właściwości	6
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L1	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 1
L2	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 2
L3	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 3
k12	0.9	nie	współczynnik sprzężenie między 1 i 2
k13	0.9	nie	współczynnik sprzężenie między 1 i 3
k23	0.9	nie	współczynnik sprzężenie między 2 i 3

N Mutual Inductors¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	N Mutual Inductors
Opis	several mutual inductors
Schematic entry	`MUTX`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mutualx
Właściwości	11
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
coils	4	nie	number of mutual inductances
L1	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 1
L2	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 2
L3	1 mH	nie	indukcyjnośc cewki 3
L4	1 mH	nie	inductance of coil 4
k12	0.9	nie	coupling factor between coil 1 and coil 2
k13	0.9	nie	coupling factor between coil 1 and coil 3
k14	0.9	nie	coupling factor between coil 1 and coil 4
k23	0.9	nie	coupling factor between coil 2 and coil 3
k24	0.9	nie	coupling factor between coil 2 and coil 4
k34	0.9	nie	coupling factor between coil 3 and coil 4

przełącznik¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	przełącznik
Opis	przełącznik (kontrolowany czasowo)
Schematic entry	`Switch`
Netlist entry	`S`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	switch
Właściwości	6
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
init	off	nie	initial state [on, off]
time	1 ms	nie	time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated)
Ron	0	nie	rezystancja stanu włączenia w Ohmach
Roff	1e12	nie	rezystancja stanu wyłączenia w Ohmach
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
MaxDuration	1e-6	nie	Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number)

przekaźnik¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	przekaźnik
Opis	przekażnik
Schematic entry	`Relais`
Netlist entry	`S`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	relais
Właściwości	5
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Vt	0.5 V	nie	napięcie progowe w Voltach
Vh	0.1 V	nie	napięcie histerezy w Voltach
Ron	0	nie	rezystancja stanu włączenia w Ohmach
Roff	1e12	nie	rezystancja stanu wyłączenia w Ohmach
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Equation Defined Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Equation Defined RF Device
Opis	equation defined RF device
Schematic entry	`RFEDD`
Netlist entry	`RF`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Właściwości	7
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	Y	nie	type of parameters [Y, Z, S]
Ports	2	nie	liczba portów
duringDC	open	nie	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	nie	parameter equation 11
P12	0	nie	parameter equation 12
P21	0	nie	parameter equation 21
P22	0	nie	parameter equation 22

Equation Defined 2-Port Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Equation Defined 2-port RF Device
Opis	equation defined 2-port RF device
Schematic entry	`RFEDD2P`
Netlist entry	`RF`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Właściwości	6
Category	lumped components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	Y	nie	type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T]
duringDC	open	nie	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	nie	parameter equation 11
P12	0	nie	parameter equation 12
P21	0	nie	parameter equation 21
P22	0	nie	parameter equation 22

Sources¶

Dc Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło napięciowe dc
Opis	idealne źródło napięciowe dc
Schematic entry	`Vdc`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dc_voltage
Właściwości	1
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
U	1 V	tak	napięcie w Voltach

Dc Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło prądowe dc
Opis	idealne źródło prądowe dc
Schematic entry	`Idc`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dc_current
Właściwości	1
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
I	1 mA	tak	prąd w Amperach

Ac Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło napięciowe ac
Opis	idealne źródło napięciowe ac
Schematic entry	`Vac`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ac_voltage
Właściwości	4
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
U	1 V	tak	napięcie szczytowe w Voltach
f	1 GHz	nie	częstotliwość w Hertz’ach
Phase	0	nie	faza początkowa w stopniach
Theta	0	nie	damping factor (transient simulation only)

Ac Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło prądowe ac
Opis	idealne źródło prądowe ac
Schematic entry	`Iac`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ac_current
Właściwości	4
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
I	1 mA	tak	prąd szczytowy w Amperach
f	1 GHz	nie	częstotliwość w Hertz’ach
Phase	0	nie	faza początkowa w stopniach
Theta	0	nie	damping factor (transient simulation only)

Źródło mocy¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło mocy
Opis	źródło mocy ac
Schematic entry	`Pac`
Netlist entry	`P`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	source
Właściwości	5
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Num	1	tak	numer portu
Z	50 Ohm	tak	impedancja portu
P	0 dBm	nie	moc dysponowana ac w Wattach
f	1 GHz	nie	częstotliwość w Hertz’ach
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

źródło napięcia szumów¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	źródło napięcia szumów
Opis	szumowe źródło napięcia
Schematic entry	`Vnoise`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_volt
Właściwości	4
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
u	1e-6	tak	gęstość widmowa napięcia w A^2/Hz
e	0	nie	wykładnik częstotliwości
c	1	nie	współczynnik częstotliwości
a	0	nie	dodatkowy składnik cęstotliwościowy

szumowe źródło prądowe¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	szumowe źródło prądowe
Opis	źródło prądów szumowych
Schematic entry	`Inoise`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_current
Właściwości	4
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
i	1e-6	tak	gęstość widmowa prądu w A^2/Hz
e	0	nie	wykładnik częstotliwości
c	1	nie	współczynnik częstotliwości
a	0	nie	dodatkowy składnik cęstotliwościowy

Źródło prądowe sterowane napięciem¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło prądowe sterowane napięciem
Opis	źródło prądowe sterowane napięciem
Schematic entry	`VCCS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vccs
Właściwości	2
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
G	1 S	tak	transkonduktancja w przód
T	0	nie	czas opóźnienia

Źródło prądowe sterowane prądem¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło prądowe sterowane prądem
Opis	źródło prądowe sterowane prądem
Schematic entry	`CCCS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cccs
Właściwości	2
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
G	1	tak	współczynnik transmisji w przód
T	0	nie	czas opóźnienia

Źródło napięciowe sterowane napięciem¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło napięciowe sterowane napięciem
Opis	źródło napięciowe sterowane napięciem
Schematic entry	`VCVS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vcvs
Właściwości	2
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
G	1	tak	współczynnik transmisji w przód
T	0	nie	czas opóźnienia

Źródło napięciowe sterowane prądem¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło napięciowe sterowane prądem
Opis	źródło napięciowe sterowane prądem
Schematic entry	`CCVS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ccvs
Właściwości	2
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
G	1 Ohm	tak	współczynnik transmisji w przód
T	0	nie	czas opóźnienia

Impuls Napięcia¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Impuls Napięcia
Opis	idealne napięciowe źródło impulsowe
Schematic entry	`Vpulse`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vpulse
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
U1	0 V	tak	napięcie po i przed impulsem
U2	1 V	tak	napięcie impulsu
T1	0	tak	czas początku impulsu
T2	1 ms	tak	czas końca impulsu
Tr	1 ns	nie	czas narastania pierwszego zbocza
Tf	1 ns	nie	czas opadania ogona

Impuls Prądu¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Impuls Prądu
Opis	idealne prądowe źródło impulsowe
Schematic entry	`Ipulse`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ipulse
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
I1	0	tak	prąd po i przed impulsem
I2	1 A	tak	prąd impulsu
T1	0	tak	czas początku impulsu
T2	1 ms	tak	czas końca impulsu
Tr	1 ns	nie	czas narastania pierwszego zbocza
Tf	1 ns	nie	czas opadania ogona

Źródło napięciowego przebiegu prostokątnego¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło napięciowego przebiegu prostokątnego
Opis	idealne prostokątne źródło napięciowe
Schematic entry	`Vrect`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vrect
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
U	1 V	tak	napięcie w stanie wysokim
TH	1 ms	tak	cyas trwania stanu wysokiego
TL	1 ms	tak	cyas trwania stanu niskiego
Tr	1 ns	nie	czas narastania pierwszego zbocza
Tf	1 ns	nie	czas opadania ogona
Td	0 ns	nie	początkowe opóźnienie

Źródło prądowego przebiegu prostokątnego¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Źródło prądowego przebiegu prostokątnego
Opis	idealne prostokątne źródło prądowe
Schematic entry	`Irect`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	irect
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
I	1 mA	tak	prąd w stanie wysokim
TH	1 ms	tak	cyas trwania stanu wysokiego
TL	1 ms	tak	cyas trwania stanu niskiego
Tr	1 ns	nie	czas narastania pierwszego zbocza
Tf	1 ns	nie	czas opadania ogona
Td	0 ns	nie	początkowe opóźnienie

Skorelowane źródła napięciowe¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Skorelowane źródła napięciowe
Opis	skorelowane źródła prądowe
Schematic entry	`IInoise`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_ii
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
i1	1e-6	tak	gęstość widmowa prądu źródła 1
i2	1e-6	tak	gęstość widmowa prądu źródła 2
C	0.5	tak	znormalizowany współczynnik korelacji
e	0	nie	wykładnik częstotliwości
c	1	nie	współczynnik częstotliwości
a	0	nie	dodatkowy składnik cęstotliwościowy

Skorelowane źródła napięciowe¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Skorelowane źródła napięciowe
Opis	skorelowane źródła prądowe
Schematic entry	`VVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_vv
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
v1	1e-6	tak	gęstość widmowa napięcia źródła 1
v2	1e-6	tak	gęstość widmowa napięcia źródła 2
C	0.5	tak	znormalizowany współczynnik korelacji
e	0	nie	wykładnik częstotliwości
c	1	nie	współczynnik częstotliwości
a	0	nie	dodatkowy składnik cęstotliwościowy

Skorelowane źródła napięciowe¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Skorelowane źródła napięciowe
Opis	skorelowane źródła prądowe
Schematic entry	`IVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_iv
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
i1	1e-6	tak	gęstość widmowa prądu źródła 1
v2	1e-6	tak	gęstość widmowa napięcia źródła 2
C	0.5	tak	znormalizowany współczynnik korelacji
e	0	nie	wykładnik częstotliwości
c	1	nie	współczynnik częstotliwości
a	0	nie	dodatkowy składnik cęstotliwościowy

Am Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	źródło modulowane AM
Opis	źródło napięcia AC z modulacją amplitudy
Schematic entry	`AM_Mod`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	am_mod
Właściwości	4
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
U	1 V	tak	napięcie szczytowe w Voltach
f	1 GHz	nie	częstotliwość w Hertz’ach
Phase	0	nie	faza początkowa w stopniach
m	1.0	nie	wskaźnik modulacji

Pm Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	źródło modulowane PM
Opis	źródło napięcia AC z modulacją fazy
Schematic entry	`PM_Mod`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pm_mod
Właściwości	4
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
U	1 V	tak	napięcie szczytowe w Voltach
f	1 GHz	nie	częstotliwość w Hertz’ach
Phase	0	nie	faza początkowa w stopniach
M	1.0	nie	indeks modulacji

Wykładniczy Impuls Prądu¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Wykładniczy Impuls Prądu
Opis	wykładniczne źródło prądowe
Schematic entry	`Iexp`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	iexp
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
I1	0	tak	prąd przed zboczem narastającym
I2	1 A	tak	maksymalny prąd impulsu
T1	0	tak	początek wykładniczego narastania zbocza
T2	1 ms	tak	początek wykładniczego opadania zbocza
Tr	1 ns	nie	stała czasowa zbocza narastającego
Tf	1 ns	nie	stała czasowa zbocza opadającego

Wykładniczy Impuls Napięcia¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Wykładniczy Impuls Napięcia
Opis	wykładnicze źródło napięciowe
Schematic entry	`Vexp`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vexp
Właściwości	6
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
U1	0 V	tak	napięcie przed zboczem narastającym
U2	1 V	tak	maksymalne napięcie impulsu
T1	0	tak	początek wykładniczego narastania zbocza
T2	1 ms	tak	początek wykładniczego opadania zbocza
Tr	1 ns	nie	czas narastania zbocza
Tf	1 ns	nie	czas opadania zbocza

File Based Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	File Based Voltage Source
Opis	file based voltage source
Schematic entry	`Vfile`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vfile
Właściwości	5
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File	vfile.dat	tak	name of the sample file
Interpolator	liniowo	nie	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	nie	nie	repeat waveform [no, yes]
G	1	nie	wzmocnienie napięciowe
T	0	nie	czas opóźnienia

File Based Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	File Based Current Source
Opis	file based current source
Schematic entry	`Ifile`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ifile
Właściwości	5
Category	sources

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File	ifile.dat	tak	name of the sample file
Interpolator	liniowo	nie	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	nie	nie	repeat waveform [no, yes]
G	1	nie	current gain
T	0	nie	czas opóźnienia

Probes¶

Miernik prądu¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Miernik prądu
Opis	miernik prądu
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Właściwości	0
Category	probes

próbnik napięcia¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	próbnik napięcia
Opis	próbnik napięcia
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Właściwości	0
Category	probes

Transmission Lines¶

Linia transmisyjna¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Linia transmisyjna
Opis	idealna linia transmisyjna
Schematic entry	`TLIN`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tline
Właściwości	4
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Z	50 Ohm	tak	impedancja charakterystyczna
L	1 mm	tak	długość elektryczna linii
Alpha	0 dB	nie	współćzynnik tłumienia na długość w 1/m
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

4-wrotowa linia transmisyjna¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4-wrotowa linia transmisyjna
Opis	idealna 4-wrotowa linia transmsyjna
Schematic entry	`TLIN4P`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tline_4port
Właściwości	4
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Z	50 Ohm	tak	impedancja charakterystyczna
L	1 mm	tak	długość elektryczna linii
Alpha	0 dB	nie	współćzynnik tłumienia na długość w 1/m
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Coupled Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Coupled Transmission Line
Opis	coupled transmission lines
Schematic entry	`CTLIN`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ctline
Właściwości	8
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Ze	50 Ohm	tak	characteristic impedance of even mode
Zo	50 Ohm	tak	characteristic impedance of odd mode
L	1 mm	tak	długość elektryczna linii
Ere	1	nie	relative dielectric constant of even mode
Ero	1	nie	relative dielectric constant of odd mode
Ae	0 dB	nie	attenuation factor per length of even mode
Ao	0 dB	nie	attenuation factor per length of odd mode
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Skrętka¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Skrętka
Opis	Linia transmisyjna - skrętka dwużyłowa
Schematic entry	`TWIST`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	twistedpair
Właściwości	9
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
d	0.5 mm	tak	średnica przewodnika
D	0.8 mm	tak	średnica przewodu (przewodnik z izolatorem)
L	1.5	tak	długość fizyczna linii
T	100	nie	liczba skręceń na 1/m
er	4	nie	stała dielektryczna dielektryka
mur	1	nie	wyględna przenikalność przewodnika
rho	0.022e-6	nie	rezystancja właściwa przewodnika
tand	4e-4	nie	tanges kąta stratności
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Linia koncentryczna¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Linia koncentryczna
Opis	koncentryczna linia transmisyjna
Schematic entry	`COAX`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	coaxial
Właściwości	8
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
er	2.29	tak	przenikalność elektryczna dielektryka
rho	0.022e-6	nie	rezystancja właściwa przewodnika
mur	1	nie	wyględna przenikalność przewodnika
D	2.95 mm	nie	wewnętryna średnica płaszcza
d	0.9 mm	nie	średnica wewnętrznego przewodnika
L	1500 mm	tak	fizyczna długość linii
tand	4e-4	nie	tanges kąta stratności
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Falowód prostokątny¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Falowód prostokątny
Opis	Falowód prostokątny
Schematic entry	`RECTLINE`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rectline
Właściwości	9
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
a	2.95 mm	tak	widest side
b	0.9 mm	tak	shortest side
L	1500 mm	tak	fizyczna długość linii
er	1	nie	przenikalność elektryczna dielektryka
mur	1	nie	wyględna przenikalność przewodnika
tand	0	nie	tanges kąta stratności
rho	0.022e-6	nie	rezystancja właściwa przewodnika
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Material	unspecified	nie	material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold]

Rlcg Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	RLCG Transmission Line
Opis	RLCG transmission line
Schematic entry	`RLCG`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rlcg
Właściwości	6
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
R	0.0	nie	resistive load (Ohm/m)
L	0.6e-6	tak	inductive load (H/m)
C	240e-12	tak	capacitive load (F/m)
G	0.0	nie	conductive load (S/m)
Długość	1 mm	tak	długość elektryczna linii
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Podłoże¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Podłoże
Opis	nazwa podłoża
Schematic entry	`SUBST`
Netlist entry	`Subst`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	podłoże
Właściwości	6
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
er	9.8	tak	przenikalność względna
h	1 mm	tak	grubość w metrach
t	35 um	tak	grubość metalizacji
tand	2e-4	tak	tanges kąta stratności
rho	0.022e-6	tak	reyastacja właściwa metalu
D	0.15e-6	tak	chropowatość podłoża (rms)

Linia mikropaskowa¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Linia mikropaskowa
Opis	linia mikropaskowa
Schematic entry	`MLIN`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msline
Właściwości	6
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
L	10 mm	tak	długość linii
Model	Hammerstad	nie	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
DispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Linia mikropaskowa sprzężona¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Linia mikropaskowa sprzężona
Opis	linia mikropaskowa sprzężona
Schematic entry	`MCOUPLED`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mscoupled
Właściwości	7
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
L	10 mm	tak	długość linii
S	1 mm	tak	odstęp pomiędzy liniami
Model	Kirschning	nie	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Microstrip Lange Coupler¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Microstrip Lange Coupler
Opis	microstrip lange coupler
Schematic entry	`MLANGE`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mslange
Właściwości	7
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
L	10 mm	tak	długość linii
S	1 mm	tak	odstęp pomiędzy liniami
Model	Kirschning	nie	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Narożnik mikropaskowy¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Narożnik mikropaskowy
Opis	narożnik mikropaskowy
Schematic entry	`MCORN`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mscorner
Właściwości	2
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	podłoże
W	1 mm	tak	szerokość linii

Fazowany narożnik mikropaskowy¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Fazowany narożnik mikropaskowy
Opis	fazowany narożnik mikropaskowy
Schematic entry	`MMBEND`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msmbend
Właściwości	2
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	podłoże
W	1 mm	tak	szerokość linii

Mikropaskowe przejście schodkowe¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Mikropaskowe przejście schodkowe
Opis	skok impedancji linii mikropaskowej
Schematic entry	`MSTEP`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msstep
Właściwości	5
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	podłoże
W1	2 mm	tak	1 szerokość linii
W2	1 mm	tak	2 szerokość linii
MSModel	Hammerstad	nie	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Trójnik mikropaskowy¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Trójnik mikropaskowy
Opis	trójnik mikropaskowy
Schematic entry	`MTEE`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mstee
Właściwości	8
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	podłoże
W1	1 mm	tak	szerokość linii 1
W2	1 mm	tak	szerokość linii 2
W3	2 mm	tak	szerokość linii 3
MSModel	Hammerstad	nie	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	nie	temperatura w stopniach Celcsjusza
Symbol	showNumbers	nie	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Mikropaskowe połączenie krzyżowe¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Mikropaskowe połączenie krzyżowe
Opis	mikropaskowe połączenie krzyżowe
Schematic entry	`MCROSS`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mscross
Właściwości	8
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	podłoże
W1	1 mm	tak	szerokość linii 1
W2	2 mm	tak	szerokość linii 2
W3	1 mm	tak	szerokość linii 3
W4	2 mm	tak	szerokość linii 4
MSModel	Hammerstad	nie	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Symbol	showNumbers	nie	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Rozwarcie mikropaskowe¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Rozwarcie mikropaskowe
Opis	rozwarcie mikropaskowe
Schematic entry	`MOPEN`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msopen
Właściwości	5
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
MSModel	Hammerstad	nie	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Model	Kirschning	nie	microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos]

Przerwa mikropaskowa¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Przerwa mikropaskowa
Opis	przerwa mikropaskowa
Schematic entry	`MGAP`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msgap
Właściwości	6
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W1	1 mm	tak	szerokość linii 1
W2	1 mm	tak	szerokość linii 2
S	1 mm	tak	odstęp pomiędzy końcami linii mikropaskowej
MSModel	Hammerstad	nie	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nie	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Przelotka linii mikropaskowej¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Przelotka linii mikropaskowej
Opis	przelotka linii mikropaskowej
Schematic entry	`MVIA`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msvia
Właściwości	3
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	podłoże
D	1 mm	tak	Średnica
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Microstrip Radial Stub¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Microstrip Radial Stub
Opis	microstrip radial stub
Schematic entry	`MRSTUB`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msrstub
Właściwości	4
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
ri	1 mm	nie	inner radius
ro	10 mm	tak	outer radius
alpha	90	tak	stub angle (degrees)

Linia koplanarna¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Linia koplanarna
Opis	linia koplanarna
Schematic entry	`CLIN`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	coplanar
Właściwości	6
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
S	1 mm	tak	szerokość odstępu
L	10 mm	tak	długość linii
Backside	Air	nie	material at the backside of the substrate [Metal, Air]
Approx	tak	nie	use approximation instead of precise equation [yes, no]

rozwarcie koplanarne¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	rozwarcie koplanarne
Opis	rozwarcie koplanarne
Schematic entry	`COPEN`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwopen
Właściwości	5
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
S	1 mm	tak	szerokość odstępu
G	5 mm	tak	szerokość przerwy na końcu linii
Backside	Air	nie	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

zwarcie koplanarne¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	zwarcie koplanarne
Opis	zwarcie koplanarne
Schematic entry	`CSHORT`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwshort
Właściwości	4
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
S	1 mm	tak	szerokość odstępu
Backside	Air	nie	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

przerwa koplanarna¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	przerwa koplanarna
Opis	przerwa koplanarna
Schematic entry	`CGAP`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwgap
Właściwości	4
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W	1 mm	tak	szerokość linii
S	1 mm	tak	szerokość odstępu
G	0.5 mm	tak	szerokość przerwy między liniami

koplanarna skokowa zmiana impedancji¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	koplanarna skokowa zmiana impedancji
Opis	koplanarna skokowa zmiana impedancji
Schematic entry	`CSTEP`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwstep
Właściwości	5
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Subst	Subst1	tak	nazwa podłoża
W1	1 mm	tak	szerokość linii 1
W2	2 mm	tak	szerokość linii 2
S	3 mm	tak	odstęp pomiędzy płaszczyznami masy
Backside	Air	nie	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Bond Wire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Bond Wire
Opis	bond wire
Schematic entry	`BOND`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bondwire
Właściwości	8
Category	transmission lines

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L	3 mm	tak	długość drutu
D	50 um	tak	średnica drutu
H	2 mm	tak	wzsokość ponad poziom masy
rho	0.022e-6	nie	rezystancja właściwa metalu
mur	1	nie	względna przenikalność metalu
Model	FREESPACE	nie	bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES]
Subst	Subst1	tak	podłoże
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza

Nonlinear Components¶

Dioda¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Dioda
Opis	dioda
Schematic entry	`Diode`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dioda
Właściwości	29
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Is	1e-15 A	tak	prąd nasycenia
N	1	tak	współczynnik emisji
Cj0	10 fF	tak	pojemność złączowa przy zerowym prądzie
M	0.5	nie	grading coefficient
Vj	0.7 V	nie	potencjał złączowy
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Cp	0.0 fF	nie	pojemność liniowa
Isr	0.0	nie	współczynnik prądu rekombinacji
Nr	2.0	nie	współczynnik emisji dla Isr
Rs	0.0 Ohm	nie	reyzstancja szeregowa w Ohmach
Tt	0.0 ps	nie	czas przelotu
Ikf	0	nie	high-injection knee current (0=infinity)
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Bv	0	nie	wsteczne napięcie przebicia
Ibv	1 mA	nie	prąd dla wstecznego napięcie przebicia
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Eg	1.11	nie	przerwa energetyczna w eV
Tbv	0.0	nie	Bv liniowy współczynnik temepraturowy
Trs	0.0	nie	Rs liniowy współczynnik temepraturowy
Ttt1	0.0	nie	Tt liniowy współczynnik temepraturowy
Ttt2	0.0	nie	Tt kwadratowy współczynnik temepraturowy
Tm1	0.0	nie	M liniowy współczynnik temepraturowy
Tm2	0.0	nie	M kwadratowy współczynnik temepraturowy
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Area	1.0	nie	domyślny obszar diody
Symbol	normal	nie	schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor]

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	tranzystor npn
Opis	tranzystor złączowy bipolarny
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npn
Właściwości	48
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	npn	tak	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	tak	prąd nasycenia
Nf	1	tak	współczynnik emisji w przód
Nr	1	nie	zaporowy współczynnik emisji
Ikf	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w przód
Ikr	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w tył
Vaf	0	tak	napięcie Earlyego w kierunku przewodzenia
Var	0	nie	zaporowe napięcie Earlyego
Ise	0	nie	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	nie	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	nie	base-collector leakage saturation current
Nc	2	nie	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	tak	beta w kierunku przewodzenia
Br	1	nie	beta w kierunku zaporowym
Rbm	0	nie	minimalna rezystancja bazy dla wielkich prądów
Irb	0	nie	prąd średniej reyzstancji bazy
Rc	0	nie	rezystancja ohmowa kolektora
Re	0	nie	rezystancja omowa emitera
Rb	0	nie	rezystancja bazy w warunkach zerowych (zależna od wielkich prądów)
Cje	0	nie	domieszkowana pojemność baza emiter przy zerowym prądzie
Vje	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza emiter
Mje	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza emiter
Cjc	0	nie	domieszkowana pojemność baza kolektor przy zerowym prądzie
Vjc	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza kolektor
Mjc	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza kolektor
Xcjc	1.0	nie	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	nie	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	nie	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nie	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nie	idealny czas przelotu w przód
Xtf	0.0	nie	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nie	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nie	high-current effect on Tf
Tr	0.0	nie	idealny czas przelotu w tył
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	nie	burst noise coefficient
Ab	1.0	nie	burst noise exponent
Fb	1.0	nie	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	nie	excess phase in degrees
Xtb	0.0	nie	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Eg	1.11	nie	przerwa energetyczna w eV
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Area	1.0	nie	domyślny obszar transystora bipolarnego

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	tranzystor pnp
Opis	tranzystor złączowy bipolarny
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnp
Właściwości	48
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pnp	tak	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	tak	prąd nasycenia
Nf	1	tak	współczynnik emisji w przód
Nr	1	nie	zaporowy współczynnik emisji
Ikf	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w przód
Ikr	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w tył
Vaf	0	tak	napięcie Earlyego w kierunku przewodzenia
Var	0	nie	zaporowe napięcie Earlyego
Ise	0	nie	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	nie	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	nie	base-collector leakage saturation current
Nc	2	nie	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	tak	beta w kierunku przewodzenia
Br	1	nie	beta w kierunku zaporowym
Rbm	0	nie	minimalna rezystancja bazy dla wielkich prądów
Irb	0	nie	prąd średniej reyzstancji bazy
Rc	0	nie	rezystancja ohmowa kolektora
Re	0	nie	rezystancja omowa emitera
Rb	0	nie	rezystancja bazy w warunkach zerowych (zależna od wielkich prądów)
Cje	0	nie	domieszkowana pojemność baza emiter przy zerowym prądzie
Vje	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza emiter
Mje	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza emiter
Cjc	0	nie	domieszkowana pojemność baza kolektor przy zerowym prądzie
Vjc	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza kolektor
Mjc	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza kolektor
Xcjc	1.0	nie	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	nie	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	nie	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nie	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nie	idealny czas przelotu w przód
Xtf	0.0	nie	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nie	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nie	high-current effect on Tf
Tr	0.0	nie	idealny czas przelotu w tył
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	nie	burst noise coefficient
Ab	1.0	nie	burst noise exponent
Fb	1.0	nie	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	nie	excess phase in degrees
Xtb	0.0	nie	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Eg	1.11	nie	przerwa energetyczna w eV
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Area	1.0	nie	domyślny obszar transystora bipolarnego

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	tranzystor npn
Opis	tranzystor złączowy bipolarny z podłożem
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub
Właściwości	48
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	npn	tak	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	tak	prąd nasycenia
Nf	1	tak	współczynnik emisji w przód
Nr	1	nie	zaporowy współczynnik emisji
Ikf	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w przód
Ikr	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w tył
Vaf	0	tak	napięcie Earlyego w kierunku przewodzenia
Var	0	nie	zaporowe napięcie Earlyego
Ise	0	nie	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	nie	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	nie	base-collector leakage saturation current
Nc	2	nie	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	tak	beta w kierunku przewodzenia
Br	1	nie	beta w kierunku zaporowym
Rbm	0	nie	minimalna rezystancja bazy dla wielkich prądów
Irb	0	nie	prąd średniej reyzstancji bazy
Rc	0	nie	rezystancja ohmowa kolektora
Re	0	nie	rezystancja omowa emitera
Rb	0	nie	rezystancja bazy w warunkach zerowych (zależna od wielkich prądów)
Cje	0	nie	domieszkowana pojemność baza emiter przy zerowym prądzie
Vje	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza emiter
Mje	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza emiter
Cjc	0	nie	domieszkowana pojemność baza kolektor przy zerowym prądzie
Vjc	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza kolektor
Mjc	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza kolektor
Xcjc	1.0	nie	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	nie	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	nie	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nie	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nie	idealny czas przelotu w przód
Xtf	0.0	nie	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nie	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nie	high-current effect on Tf
Tr	0.0	nie	idealny czas przelotu w tył
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	nie	burst noise coefficient
Ab	1.0	nie	burst noise exponent
Fb	1.0	nie	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	nie	excess phase in degrees
Xtb	0.0	nie	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Eg	1.11	nie	przerwa energetyczna w eV
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Area	1.0	nie	domyślny obszar transystora bipolarnego

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	tranzystor pnp
Opis	tranzystor złączowy bipolarny z podłożem
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub
Właściwości	48
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pnp	tak	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	tak	prąd nasycenia
Nf	1	tak	współczynnik emisji w przód
Nr	1	nie	zaporowy współczynnik emisji
Ikf	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w przód
Ikr	0	nie	współczynnik wielkoprądowy dla beta w tył
Vaf	0	tak	napięcie Earlyego w kierunku przewodzenia
Var	0	nie	zaporowe napięcie Earlyego
Ise	0	nie	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	nie	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	nie	base-collector leakage saturation current
Nc	2	nie	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	tak	beta w kierunku przewodzenia
Br	1	nie	beta w kierunku zaporowym
Rbm	0	nie	minimalna rezystancja bazy dla wielkich prądów
Irb	0	nie	prąd średniej reyzstancji bazy
Rc	0	nie	rezystancja ohmowa kolektora
Re	0	nie	rezystancja omowa emitera
Rb	0	nie	rezystancja bazy w warunkach zerowych (zależna od wielkich prądów)
Cje	0	nie	domieszkowana pojemność baza emiter przy zerowym prądzie
Vje	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza emiter
Mje	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza emiter
Cjc	0	nie	domieszkowana pojemność baza kolektor przy zerowym prądzie
Vjc	0.75	nie	wbudowany potencjał złączowy złącza baza kolektor
Mjc	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza kolektor
Xcjc	1.0	nie	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	nie	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	nie	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nie	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nie	idealny czas przelotu w przód
Xtf	0.0	nie	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nie	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nie	high-current effect on Tf
Tr	0.0	nie	idealny czas przelotu w tył
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	nie	burst noise coefficient
Ab	1.0	nie	burst noise exponent
Fb	1.0	nie	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	nie	excess phase in degrees
Xtb	0.0	nie	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Eg	1.11	nie	przerwa energetyczna w eV
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Area	1.0	nie	domyślny obszar transystora bipolarnego

N-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-JFET
Opis	tranyzstor polowy złączowy
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nfet
Właściwości	24
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	nfet	tak	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	tak	napięcie progowe
Beta	1e-4	tak	współczynnik transkonduktacji
Lambda	0.0	tak	współczynnik modulacji długości kanału
Rd	0.0	nie	pasożytnicza rezystancja drenu
Rs	0.0	nie	pasożytnicza rezystancja źródła
Is	1e-14	nie	prąd nasycenia złacza bramki
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza bramki
Isr	1e-14	nie	współcyznnik rekombinacji prądowej złącza bramki
Nr	2.0	nie	współczynnik emisji lsr
Cgs	0.0	nie	pojemność bramka źródło przy zerowym prądzie
Cgd	0.0	nie	pojemność bramka dren przy zerowym prądzie
Pb	1.0	nie	potencjał złącza bramki
Fc	0.5	nie	współczynnik prądu w przód pojemności złączowej
M	0.5	nie	współczynnik złącza P-N bramki
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Vt0tc	0.0	nie	Vt0 współczynnik temepraturowy
Betatce	0.0	nie	Beta exponential temperature coefficient
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Area	1.0	nie	domyślny obszar transystora JFET

P-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	p-JFET
Opis	tranyzstor polowy złączowy
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pfet
Właściwości	24
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pfet	tak	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	tak	napięcie progowe
Beta	1e-4	tak	współczynnik transkonduktacji
Lambda	0.0	tak	współczynnik modulacji długości kanału
Rd	0.0	nie	pasożytnicza rezystancja drenu
Rs	0.0	nie	pasożytnicza rezystancja źródła
Is	1e-14	nie	prąd nasycenia złacza bramki
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza bramki
Isr	1e-14	nie	współcyznnik rekombinacji prądowej złącza bramki
Nr	2.0	nie	współczynnik emisji lsr
Cgs	0.0	nie	pojemność bramka źródło przy zerowym prądzie
Cgd	0.0	nie	pojemność bramka dren przy zerowym prądzie
Pb	1.0	nie	potencjał złącza bramki
Fc	0.5	nie	współczynnik prądu w przód pojemności złączowej
M	0.5	nie	współczynnik złącza P-N bramki
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Vt0tc	0.0	nie	Vt0 współczynnik temepraturowy
Betatce	0.0	nie	Beta exponential temperature coefficient
Tnom	26.85	nie	temperatura ekstrakcji parametrów modelu
Area	1.0	nie	domyślny obszar transystora JFET

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-MOSFET
Opis	tranzystor polowy MOS
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet
Właściwości	44
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	nfet	nie	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	tak	napięcie progowe (zero-bias)
Kp	2e-5	tak	współczynnik transkonduktacji w A/V^2
Gamma	0.0	nie	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nie	potencjał powierzchniowy
Lambda	0.0	tak	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa drenu
Rs	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa źródła
Rg	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa bramki
Is	1e-14 A	nie	prąd nasycenia złącza podłożowego
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza podłożowego
W	1 um	nie	szerokość kanału
L	1 um	nie	długość kanału
Ld	0.0	nie	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	nie	grubość dielektryka
Cgso	0.0	nie	pojemność zakładu bramka źródło na metr szerokości kanału w F/m
Cgdo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka dren na metr szerokości kanału w F/m
Cgbo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka podłoże na metr szerokości kanału w F/m
Cbd	0.0 F	nie	pojemność podłoże dren przy zerowym prądzie
Cbs	0.0 F	nie	pojemność złącza podłoże źródło przy zerowym prądzie
Pb	0.8 V	nie	potencjał złącza podłoża
Mj	0.5	nie	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nie	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nie	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nie	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nie	czas przelotu przez podłoże
Nsub	0.0	nie	domieszkowanie podłoża w 1/cm^3
Nss	0.0	nie	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nie	materiał bramki: 0 = aluminium; -1 = identyczny jak podłoże; 1 = inny niż podłoże
Uo	600.0	nie	ruchliwość powierzchniowa w cm^2/Vs
Rsh	0.0	nie	dyfuzyjna rezystancja powierzchniowa drenu i źródła w Ohmach na kwadat
Nrd	1	nie	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nie	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nie	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nie	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nie	obszar dyfuzji drenu w m^2
As	0.0	nie	obszar dyfuzji źródła w m^2
Pd	0.0 m	nie	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nie	source junction perimeter
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tnom	26.85	nie	temperatura, przy której zmierzono parametry

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	p-MOSFET
Opis	tranzystor polowy MOS
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet
Właściwości	44
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pfet	nie	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	tak	napięcie progowe (zero-bias)
Kp	2e-5	tak	współczynnik transkonduktacji w A/V^2
Gamma	0.0	nie	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nie	potencjał powierzchniowy
Lambda	0.0	tak	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa drenu
Rs	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa źródła
Rg	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa bramki
Is	1e-14 A	nie	prąd nasycenia złącza podłożowego
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza podłożowego
W	1 um	nie	szerokość kanału
L	1 um	nie	długość kanału
Ld	0.0	nie	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	nie	grubość dielektryka
Cgso	0.0	nie	pojemność zakładu bramka źródło na metr szerokości kanału w F/m
Cgdo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka dren na metr szerokości kanału w F/m
Cgbo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka podłoże na metr szerokości kanału w F/m
Cbd	0.0 F	nie	pojemność podłoże dren przy zerowym prądzie
Cbs	0.0 F	nie	pojemność złącza podłoże źródło przy zerowym prądzie
Pb	0.8 V	nie	potencjał złącza podłoża
Mj	0.5	nie	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nie	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nie	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nie	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nie	czas przelotu przez podłoże
Nsub	0.0	nie	domieszkowanie podłoża w 1/cm^3
Nss	0.0	nie	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nie	materiał bramki: 0 = aluminium; -1 = identyczny jak podłoże; 1 = inny niż podłoże
Uo	600.0	nie	ruchliwość powierzchniowa w cm^2/Vs
Rsh	0.0	nie	dyfuzyjna rezystancja powierzchniowa drenu i źródła w Ohmach na kwadat
Nrd	1	nie	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nie	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nie	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nie	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nie	obszar dyfuzji drenu w m^2
As	0.0	nie	obszar dyfuzji źródła w m^2
Pd	0.0 m	nie	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nie	source junction perimeter
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tnom	26.85	nie	temperatura, przy której zmierzono parametry

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	zubażany MOSFET
Opis	tranzystor polowy MOS
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet
Właściwości	44
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	nfet	nie	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	tak	napięcie progowe (zero-bias)
Kp	2e-5	tak	współczynnik transkonduktacji w A/V^2
Gamma	0.0	nie	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nie	potencjał powierzchniowy
Lambda	0.0	tak	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa drenu
Rs	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa źródła
Rg	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa bramki
Is	1e-14 A	nie	prąd nasycenia złącza podłożowego
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza podłożowego
W	1 um	nie	szerokość kanału
L	1 um	nie	długość kanału
Ld	0.0	nie	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	nie	grubość dielektryka
Cgso	0.0	nie	pojemność zakładu bramka źródło na metr szerokości kanału w F/m
Cgdo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka dren na metr szerokości kanału w F/m
Cgbo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka podłoże na metr szerokości kanału w F/m
Cbd	0.0 F	nie	pojemność podłoże dren przy zerowym prądzie
Cbs	0.0 F	nie	pojemność złącza podłoże źródło przy zerowym prądzie
Pb	0.8 V	nie	potencjał złącza podłoża
Mj	0.5	nie	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nie	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nie	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nie	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nie	czas przelotu przez podłoże
Nsub	0.0	nie	domieszkowanie podłoża w 1/cm^3
Nss	0.0	nie	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nie	materiał bramki: 0 = aluminium; -1 = identyczny jak podłoże; 1 = inny niż podłoże
Uo	600.0	nie	ruchliwość powierzchniowa w cm^2/Vs
Rsh	0.0	nie	dyfuzyjna rezystancja powierzchniowa drenu i źródła w Ohmach na kwadat
Nrd	1	nie	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nie	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nie	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nie	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nie	obszar dyfuzji drenu w m^2
As	0.0	nie	obszar dyfuzji źródła w m^2
Pd	0.0 m	nie	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nie	source junction perimeter
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tnom	26.85	nie	temperatura, przy której zmierzono parametry

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-MOSFET
Opis	MOS tranzystor polowy z podłożem
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet_sub
Właściwości	44
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	nfet	nie	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	tak	napięcie progowe (zero-bias)
Kp	2e-5	tak	współczynnik transkonduktacji w A/V^2
Gamma	0.0	nie	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nie	potencjał powierzchniowy
Lambda	0.0	tak	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa drenu
Rs	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa źródła
Rg	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa bramki
Is	1e-14 A	nie	prąd nasycenia złącza podłożowego
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza podłożowego
W	1 um	nie	szerokość kanału
L	1 um	nie	długość kanału
Ld	0.0	nie	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	nie	grubość dielektryka
Cgso	0.0	nie	pojemność zakładu bramka źródło na metr szerokości kanału w F/m
Cgdo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka dren na metr szerokości kanału w F/m
Cgbo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka podłoże na metr szerokości kanału w F/m
Cbd	0.0 F	nie	pojemność podłoże dren przy zerowym prądzie
Cbs	0.0 F	nie	pojemność złącza podłoże źródło przy zerowym prądzie
Pb	0.8 V	nie	potencjał złącza podłoża
Mj	0.5	nie	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nie	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nie	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nie	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nie	czas przelotu przez podłoże
Nsub	0.0	nie	domieszkowanie podłoża w 1/cm^3
Nss	0.0	nie	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nie	materiał bramki: 0 = aluminium; -1 = identyczny jak podłoże; 1 = inny niż podłoże
Uo	600.0	nie	ruchliwość powierzchniowa w cm^2/Vs
Rsh	0.0	nie	dyfuzyjna rezystancja powierzchniowa drenu i źródła w Ohmach na kwadat
Nrd	1	nie	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nie	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nie	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nie	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nie	obszar dyfuzji drenu w m^2
As	0.0	nie	obszar dyfuzji źródła w m^2
Pd	0.0 m	nie	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nie	source junction perimeter
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tnom	26.85	nie	temperatura, przy której zmierzono parametry

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	p-MOSFET
Opis	MOS tranzystor polowy z podłożem
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet_sub
Właściwości	44
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pfet	nie	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	tak	napięcie progowe (zero-bias)
Kp	2e-5	tak	współczynnik transkonduktacji w A/V^2
Gamma	0.0	nie	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nie	potencjał powierzchniowy
Lambda	0.0	tak	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa drenu
Rs	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa źródła
Rg	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa bramki
Is	1e-14 A	nie	prąd nasycenia złącza podłożowego
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza podłożowego
W	1 um	nie	szerokość kanału
L	1 um	nie	długość kanału
Ld	0.0	nie	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	nie	grubość dielektryka
Cgso	0.0	nie	pojemność zakładu bramka źródło na metr szerokości kanału w F/m
Cgdo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka dren na metr szerokości kanału w F/m
Cgbo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka podłoże na metr szerokości kanału w F/m
Cbd	0.0 F	nie	pojemność podłoże dren przy zerowym prądzie
Cbs	0.0 F	nie	pojemność złącza podłoże źródło przy zerowym prądzie
Pb	0.8 V	nie	potencjał złącza podłoża
Mj	0.5	nie	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nie	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nie	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nie	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nie	czas przelotu przez podłoże
Nsub	0.0	nie	domieszkowanie podłoża w 1/cm^3
Nss	0.0	nie	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nie	materiał bramki: 0 = aluminium; -1 = identyczny jak podłoże; 1 = inny niż podłoże
Uo	600.0	nie	ruchliwość powierzchniowa w cm^2/Vs
Rsh	0.0	nie	dyfuzyjna rezystancja powierzchniowa drenu i źródła w Ohmach na kwadat
Nrd	1	nie	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nie	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nie	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nie	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nie	obszar dyfuzji drenu w m^2
As	0.0	nie	obszar dyfuzji źródła w m^2
Pd	0.0 m	nie	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nie	source junction perimeter
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tnom	26.85	nie	temperatura, przy której zmierzono parametry

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	zubażany MOSFET
Opis	MOS tranzystor polowy z podłożem
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet_sub
Właściwości	44
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	nfet	nie	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	tak	napięcie progowe (zero-bias)
Kp	2e-5	tak	współczynnik transkonduktacji w A/V^2
Gamma	0.0	nie	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nie	potencjał powierzchniowy
Lambda	0.0	tak	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa drenu
Rs	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa źródła
Rg	0.0 Ohm	nie	rezystancja omowa bramki
Is	1e-14 A	nie	prąd nasycenia złącza podłożowego
N	1.0	nie	współczynnik emisji złącza podłożowego
W	1 um	nie	szerokość kanału
L	1 um	nie	długość kanału
Ld	0.0	nie	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	nie	grubość dielektryka
Cgso	0.0	nie	pojemność zakładu bramka źródło na metr szerokości kanału w F/m
Cgdo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka dren na metr szerokości kanału w F/m
Cgbo	0.0	nie	pojemność zakładu bramka podłoże na metr szerokości kanału w F/m
Cbd	0.0 F	nie	pojemność podłoże dren przy zerowym prądzie
Cbs	0.0 F	nie	pojemność złącza podłoże źródło przy zerowym prądzie
Pb	0.8 V	nie	potencjał złącza podłoża
Mj	0.5	nie	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nie	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nie	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nie	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nie	czas przelotu przez podłoże
Nsub	0.0	nie	domieszkowanie podłoża w 1/cm^3
Nss	0.0	nie	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nie	materiał bramki: 0 = aluminium; -1 = identyczny jak podłoże; 1 = inny niż podłoże
Uo	600.0	nie	ruchliwość powierzchniowa w cm^2/Vs
Rsh	0.0	nie	dyfuzyjna rezystancja powierzchniowa drenu i źródła w Ohmach na kwadat
Nrd	1	nie	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nie	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nie	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nie	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nie	obszar dyfuzji drenu w m^2
As	0.0	nie	obszar dyfuzji źródła w m^2
Pd	0.0 m	nie	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nie	source junction perimeter
Kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Tnom	26.85	nie	temperatura, przy której zmierzono parametry

Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	OpAmp
Opis	wzmacniacz operacyjny
Schematic entry	`OpAmp`
Netlist entry	`OP`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	opamp
Właściwości	2
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
G	1e6	tak	wzmocnienie napięciowe
Umax	15 V	nie	moduł maksymalnej i minimalnej wartości napięcia wyjściowego

Element Opisany Równaniem¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Element Opisany Równaniem
Opis	element opisany równaniem
Schematic entry	`EDD`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	edd
Właściwości	4
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	explicit	nie	type of equations [explicit, implicit]
Branches	1	nie	number of branches
I1	0	tak	current equation 1
Q1	0	nie	charge equation 1

Diac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Diac
Opis	diac (bidirectional trigger diode)
Schematic entry	`Diac`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	diac
Właściwości	7
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Vbo	30 V	tak	(bidirectional) breakover voltage
Ibo	50 uA	nie	(bidirectional) breakover current
Cj0	10 pF	nie	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	nie	prąd nasycenia
N	2	nie	współczynnik emisji
Ri	10 Ohm	nie	intrinsic junction resistance
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Triac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Triac
Opis	triac (bidirectional thyristor)
Schematic entry	`Triac`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	triac
Właściwości	8
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Vbo	400 V	nie	(bidirectional) breakover voltage
Igt	50 uA	tak	(bidirectional) gate trigger current
Cj0	10 pF	nie	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	nie	prąd nasycenia
N	2	nie	współczynnik emisji
Ri	10 Ohm	nie	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	nie	gate resistance
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Thyristor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Thyristor
Opis	silicon controlled rectifier (SCR)
Schematic entry	`SCR`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	thyristor
Właściwości	8
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Vbo	400 V	nie	breakover voltage
Igt	50 uA	tak	gate trigger current
Cj0	10 pF	nie	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	nie	prąd nasycenia
N	2	nie	współczynnik emisji
Ri	10 Ohm	nie	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	nie	gate resistance
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Tunnel Diode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Tunnel Diode
Opis	resonance tunnel diode
Schematic entry	`RTD`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tunneldiode
Właściwości	16
Category	nonlinear components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Ip	4 mA	tak	peak current
Iv	0.6 mA	tak	valley current
Vv	0.8 V	tak	valley voltage
Wr	2.7e-20	nie	resonance energy in Ws
eta	1e-20	nie	Fermi energy in Ws
dW	4.5e-21	nie	resonance width in Ws
Tmax	0.95	nie	maximum of transmission
de	0.9	nie	fitting factor for electron density
dv	2.0	nie	fitting factor for voltage drop
nv	16	nie	fitting factor for diode current
Cj0	80 fF	nie	zero-bias depletion capacitance
M	0.5	nie	grading coefficient
Vj	0.5 V	nie	potencjał złączowy
te	0.6 ps	nie	life-time of electrons
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
Area	1.0	nie	domyślny obszar diody

Verilog-A Devices¶

Hicum L2 V2.1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	HICUM L2 v2.1
Opis	komponent HICUM Level 2 v2.1 veriloga
Schematic entry	`hicumL2V2p1`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Właściwości	101
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
c10	1.516E-31	nie	stała GICCR
qp0	5.939E-15	nie	ładunek dziury (zero-bias)
ich	1.0E11	nie	Korekcja wielkoprądowa dla efektów 2D i 3D
hfe	1.0	nie	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	0.03999	nie	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	0.435	nie	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	0.09477	nie	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	3.47E-20	nie	wewnętrzny prąd nasycenia B-E
mbei	1.025	nie	Internal B-E current ideality factor
ireis	390E-12	nie	Internal B-E recombination saturation current
mrei	3	nie	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	4.18321E-21	nie	Peripheral B-E saturation current
mbep	1.045	nie	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	1.02846E-14	nie	Peripheral B-E recombination saturation current
mrep	3	nie	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nie	Non-ideality factor for III-V HBTs
ibcis	3.02613E-18	nie	wewnętrzny prąd nasycenia B-C
mbci	1.0	nie	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	4.576E-29	nie	External B-C saturation current
mbcx	1.0	nie	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nie	B-E tunneling saturation current
abet	36.74	nie	Exponent factor for tunneling current
favl	14.97	nie	Avalanche current factor
qavl	7.2407E-14	nie	Exponent factor for avalanche current
alfav	0.0	nie	Relatywny TC dla FAVL
alqav	0.0	nie	Relatywny TC dla QAVL
rbi0	7.9	nie	wewnętrzna rezystancja bazy (zero-bias)
rbx	13.15	nie	zewnętrzna rezystancja bazy
fgeo	0.724	nie	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0	nie	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nie	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nie	Ration of internal to total minority charge
re	9.77	nie	Rezystancja szeregowa emitera
rcx	10	nie	zewnętrzna rezystancja szeregowa kolektora
itss	2.81242E-19	nie	Substrate transistor transfer saturation current
msf	1.0	nie	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	7.6376E-17	nie	prąd nasycenia diody C-S
msc	1.0	nie	Ideality factor of C-S diode current
tsf	1.733E-8	nie	Transit time for forward operation of substrate transistor
rsu	800	nie	Szeregowa rezystancja podłoża
csu	1.778E-14	nie	Pojemność podłoża (równoległa)
cjei0	5.24382E-14	nie	Internal B-E zero-bias depletion capacitance
vdei	0.9956	nie	Internal B-E built-in potential
zei	0.4	nie	Internal B-E grading coefficient
aljei	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	0	nie	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance
vdep	1	nie	Peripheral B-E built-in potential
zep	0.01	nie	Peripheral B-E grading coefficient
aljep	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	4.46887E-15	nie	Internal B-C zero-bias depletion capacitance
vdci	0.7	nie	Internal B-C built-in potential
zci	0.38	nie	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nie	Internal B-C punch-through voltage
cjcx0	1.55709E-14	nie	External B-C zero-bias depletion capacitance
vdcx	0.733	nie	External B-C built-in potential
zcx	0.34	nie	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nie	External B-C punch-through voltage
fbc	0.3487	nie	Partitioning factor of parasitic B-C capacitance
cjs0	17.68E-15	nie	C-S zero-bias depletion capacitance
vds	0.621625	nie	C-S built-in potential
zs	0.122136	nie	C-S grading coefficient
vpts	1000	nie	C-S punch-through voltage
t0	1.28E-12	nie	Low current forward transit time at VBC=0V
dt0h	260E-15	nie	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation
tbvl	2.0E-13	nie	Time constant for modelling carrier jam at low VCE
tef0	0.0	nie	Neutral emitter storage time
gtfe	1.0	nie	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	46E-15	nie	Saturation time constant at high current densities
alhc	0.08913	nie	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.8778	nie	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	50.4277	nie	Internal collector resistance at low electric field
vlim	0.9	nie	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime
vces	0.01	nie	Internal C-E saturation voltage
vpt	10	nie	Collector punch-through voltage
tr	1.0E-11	nie	Storage time for inverse operation
ceox	1.71992E-15	nie	Całkowita pojemnośc pasożytnicza B-E
ccox	4.9E-15	nie	Całkowita pojemnośc pasożytnicza B-C
alqf	0.1288	nie	Factor for additional delay time of minority charge
alit	1.0	nie	Factor for additional delay time of transfer current
kf	2.83667E-9	nie	współczynnik szumów migotania
af	2.0	nie	Flicker noise exponent factor
krbi	1.0	nie	Noise factor for internal base resistance
latb	10.479	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.300012	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.112	nie	Bandgap voltage extrapolated to 0 K
alt0	0.0017580	nie	First order relative TC of parameter T0
kt0	4.07E-6	nie	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.7	nie	Temperature exponent for RCI0
zetacx	1.0	nie	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
alvs	0.001	nie	Relative TC of saturation drift velocity
alces	0.000125	nie	Relatywny TC dla VCES
zetarbi	0.0	nie	wykładnik temperaturowy wewnętrznej rezystancji bazy
zetarbx	0.2	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji bazy
zetarcx	0.21	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji kolektora
zetare	0.7	nie	wykładnik temperaturowy rezystancji emitera
alb	0.007	nie	Relatywny TC wzmocnienia wprzód dla modelu V2.1
rth	1293.95	nie	Rezystancja termiczna
cth	7.22203E-11	nie	Pojemność termiczna
tnom	27.0	nie	temperatura dla której określono parametry modeli
dt	0.0	nie	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Fbh Hbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	FBH HBT
Opis	Model HBT, Ferdinand Braun Institut (FBH), Berlin
Schematic entry	`HBT_X`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npn_therm
Właściwości	80
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Mode	1	nie	Nieistotne
Noise	1	nie	Nieistotne
Debug	0	nie	Nieistotne
DebugPlus	0	nie	Nieistotne
Temp	25.0	nie	Temperatura pracy przyrządu, Celsjusz
Rth	0.1	nie	Rezystancja termiczna,K/W
Cth	700e-9	nie	Pojemność termiczna
N	1	nie	Współczynnik skalujący, liczba emiterów
L	30e-6	nie	Długość palca emitera, m
W	1e-6	nie	Szerokość palca emitera, m
Jsf	20e-24	nie	Gęstośc prądu nasycenia, A/um^2
nf	1.0	nie	Forward current emission coefficient
Vg	1.3	nie	Forward thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jse	0.0	nie	B-E leakage saturation current density, A/um^2
ne	0.0	nie	B-E leakage emission coefficient
Rbxx	1e6	nie	Rezystor ograniczający prąd upływu diody B-E, Ohm
Vgb	0.0	nie	B-E leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jsee	0.0	nie	2nd B-E leakage saturation current density, A/um^2
nee	0.0	nie	2nd B-E leakage emission coefficient
Rbbxx	1e6	nie	2nd Limiting resistor of B-E leakage diode, Ohm
Vgbb	0.0	nie	2nd B-E leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jsr	20e-18	nie	Reverse saturation current density, A/um^2
nr	1.0	nie	Reverse current emission coefficient
Vgr	0.0	nie	Reverse thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
XCjc	0.5	nie	Fraction of Cjc that goes to internal base node
Jsc	0.0	nie	B-C leakage saturation current density, A/um^2 (0. switches off diode)
nc	0.0	nie	B-C leakage emission coefficient (0. switches off diode)
Rcxx	1e6	nie	Rezystor ograniczający prąd upływu diody B-C, Ohm
Vgc	0.0	nie	B-C leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Bf	100.0	nie	Ideal forward beta
kBeta	0.0	nie	Współczynnik temperaturowy wzmocnienia prądowego wprzód, -1/K, (0 == brak zalezności)
Br	1.0	nie	Idealny współczynnik beta wtył
VAF	0.0	nie	Napięcie Earlyego wprzód, V, (0 == bez zjawiska)
VAR	0.0	nie	Napięcie Earlyego wtył, V, (0 == bez zjawiska)
IKF	0.0	nie	Forward high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect)
IKR	0.0	nie	Reverse high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect)
Mc	0.0	nie	C-E breakdown exponent, (0 == disables collector break-down)
BVceo	0.0	nie	napięcie przebicia C-E, V, (0 == bez zjawiska przebicia)
kc	0.0	nie	C-E breakdown factor, (0 == disables collector break-down)
BVebo	0.0	nie	napięcie przebicia B-E, V, (0 == bez zjawiska przebicia)
Tr	1.0e-15	nie	idealny czas przelotu w tył, s
Trx	1.0e-15	nie	Extrinsic BC diffusion capacitance, F
Tf	1.0e-12	nie	idealny czas przelotu wprzód, s
Tft	0.0	nie	Temperature coefficient of forward transit time
Thcs	0.0	nie	Excess transit time coefficient at base push-out
Ahc	0.0	nie	Smoothing parameter for Thcs
Cje	1.0e-15	nie	domieszkowana pojemność baza emiter przy zerowym prądzie, F/um^2
mje	0.5	nie	wykładnik potęgowy złącza B-E
Vje	1.3	nie	wbudowany potencjał złączowy B-E, V
Cjc	1.0e-15	nie	domieszkowana pojemność B-C przy zerowym prądzie, F/um^2
mjc	0.5	nie	wykładnik potęgowy złącza B-C
Vjc	1.3	nie	wbudowany potencjał złączowy B-C, V
kjc	1.0	nie	nie używane
Cmin	0.1e-15	nie	Minimum B-C depletion capacitance (Vbc dependence), F/um^2
J0	1e-3	nie	Prąd kolektora, dla którego Cbc osiąga Cmin, A/um^2 (0 == bez redukcji Cbc)
XJ0	1.0	nie	Fraction of Cmin, lower limit of BC capacitance (Ic dependence)
Rci0	1e-3	nie	Onset of base push-out at low voltages, Ohm*um^2 (0 == disables base push-out)
Jk	4e-4	nie	Onset of base push-out at high voltages, A/um^2, (0 == disables base push-out)
RJk	1e-3	nie	Slope of Jk at high currents , Ohm*um^2
Vces	1e-3	nie	Voltage shift of base push-out onset, V
Rc	1.0	nie	rezystancja kolektora, Ohm/palec
Re	1.0	nie	Rezystancja emitera, Ohm/palec
Rb	1.0	nie	Zewnętrzna rezystancja bazy, Ohm/palec
Rb2	1.0	nie	Wewnętrzna rezystancja bazy, Ohm/palec
Lc	0.0	nie	Indukcyjność kolektora, H
Le	0.0	nie	Indukcyjność emitera, H
Lb	0.0	nie	indukczjność bazy, H
Cq	0.0	nie	Zewnętrzna pojemność B-C, F
Cpb	0.0	nie	Zewnętrzna pojemność bazy, F
Cpc	0.0	nie	Zewnętrzna pojemność kolektora, F
Kfb	0.0	nie	Współczynnik szumów migotania
Afb	0.0	nie	Flicker-noise exponent
Ffeb	0.0	nie	Flicker-noise frequency exponent
Kb	0.0	nie	Burst noise coefficient
Ab	0.0	nie	Burst noise exponent
Fb	0.0	nie	Burst noise corner frequency, Hz
Kfe	0.0	nie	Współczynnik szumów migotania
Afe	0.0	nie	Flicker-noise exponent
Ffee	0.0	nie	Flicker-noise frequency exponent
Tnom	20.0	nie	Ambient temperature at which the parameters were determined

Modular Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Modular OpAmp
Opis	Modular Operational Amplifier verilog device
Schematic entry	`mod_amp`
Netlist entry	`OP`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mod_amp
Właściwości	17
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
GBP	1e6	nie	Gain bandwidth product (Hz)
AOLDC	106.0	nie	Open-loop differential gain at DC (dB)
FP2	3e6	nie	Second pole frequency (Hz)
RO	75	nie	Output resistance (Ohm)
CD	1e-12	nie	Differential input capacitance (F)
RD	2e6	nie	Differential input resistance (Ohm)
IOFF	20e-9	nie	Input offset current (A)
IB	80e-9	nie	Input bias current (A)
VOFF	7e-4	nie	Input offset voltage (V)
CMRRDC	90.0	nie	Common-mode rejection ratio at DC (dB)
FCM	200.0	nie	Common-mode zero corner frequency (Hz)
PSRT	5e5	nie	Positive slew rate (V/s)
NSRT	5e5	nie	Negative slew rate (V/s)
VLIMP	14	nie	Positive output voltage limit (V)
VLIMN	-14	nie	Negative output voltage limit (V)
ILMAX	35e-3	nie	Maximum DC output current (A)
CSCALE	50	nie	Current limit scale factor

Hicum L2 V2.22¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	HICUM L2 v2.22
Opis	HICUM Level 2 v2.22 verilog device
Schematic entry	`hic2_full`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Właściwości	114
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
c10	2.0E-30	nie	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nie	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nie	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	nie	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nie	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nie	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	nie	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nie	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nie	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nie	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nie	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nie	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nie	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nie	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nie	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nie	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nie	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nie	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nie	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nie	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nie	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nie	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nie	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nie	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nie	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nie	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nie	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nie	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nie	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nie	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nie	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nie	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nie	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nie	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nie	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nie	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nie	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nie	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nie	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nie	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nie	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nie	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nie	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nie	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nie	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nie	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nie	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nie	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nie	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nie	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nie	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nie	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nie	C-S grading coefficient
vpts	100	nie	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nie	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nie	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nie	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nie	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nie	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nie	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nie	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nie	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nie	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	nie	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nie	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	nie	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nie	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	nie	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	nie	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nie	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
af	2.0	nie	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nie	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nie	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nie	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nie	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nie	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nie	wykładnik temperaturowy wewnętrznej rezystancji bazy
zetarbx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji bazy
zetarcx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji kolektora
zetare	0.0	nie	wykładnik temperaturowy rezystancji emitera
zetacx	1.0	nie	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nie	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	nie	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nie	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nie	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nie	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Logarithmic Amplifier¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Logarithmic Amplifier
Opis	Logarithmic Amplifier verilog device
Schematic entry	`log_amp`
Netlist entry	`LA`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	log_amp
Właściwości	17
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Kv	1.0	nie	scale factor
Dk	0.3	nie	scale factor error (%)
Ib1	5e-12	nie	input I1 bias current (A)
Ibr	5e-12	nie	input reference bias current (A)
M	5	nie	number of decades
N	0.1	nie	conformity error (%)
Vosout	3e-3	nie	output offset error (V)
Rinp	1e6	nie	amplifier input resistance (Ohm)
Fc	1e3	nie	amplifier 3dB frequency (Hz)
Ro	1e-3	nie	amplifier output resistance (Ohm)
Ntc	0.002	nie	conformity error temperature coefficient (%/Celsius)
Vosouttc	80e-6	nie	offset temperature coefficient (V/Celsius)
Dktc	0.03	nie	scale factor error temperature coefficient (%/Celsius)
Ib1tc	0.5e-12	nie	input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Ibrtc	0.5e-12	nie	input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Tnom	26.85	nie	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Npn Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	npn HICUM L0 v1.12
Opis	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Właściwości	86
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	npn	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	nie	high-injection correction factor
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Pnp Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	pnp HICUM L0 v1.12
Opis	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Właściwości	86
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pnp	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	nie	high-injection correction factor
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Potentiometer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Potentiometer
Opis	Potentiometer verilog device
Schematic entry	`potentiometer`
Netlist entry	`POT`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	potentiometer
Właściwości	11
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
R_pot	1e4	nie	nominal device resistance (Ohm)
Rotation	120	nie	shaft/wiper arm rotation (degrees)
Taper_Coeff	0	nie	resistive law taper coefficient
LEVEL	1	nie	device type selector [1, 2, 3]
Max_Rotation	240.0	nie	maximum shaft/wiper rotation (degrees)
Conformity	0.2	nie	conformity error (%)
Linearity	0.2	nie	linearity error (%)
Contact_Res	1	nie	wiper arm contact resistance (Ohm)
Temp_Coeff	100	nie	resistance temperature coefficient (PPM/Celsius)
Tnom	26.85	nie	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Mesfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	MESFET
Opis	MESFET verilog device
Schematic entry	`MESFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	MESFET
Właściwości	52
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
LEVEL	1	nie	model selector
Vto	-1.8	nie	pinch-off voltage (V)
Beta	3e-3	nie	transconductance parameter (A/(V*V))
Alpha	2.25	nie	saturation voltage parameter (1/V)
Lambda	0.05	nie	channel length modulation parameter (1/V)
B	0.3	nie	doping profile parameter (1/V)
Qp	2.1	nie	power law exponent parameter
Delta	0.1	nie	power feedback parameter (1/W)
Vmax	0.5	nie	maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V)
Vdelta1	0.3	nie	capacitance saturation transition voltage (V)
Vdelta2	0.2	nie	capacitance threshold transition voltage (V)
Gamma	0.015	nie	dc drain pull coefficient
Nsc	1	nie	subthreshold conductance parameter
Is	1e-14	nie	diode saturation current (I)
N	1	nie	diode emission coefficient
Vbi	1.0	nie	built-in gate potential (V)
Bv	60	nie	gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V)
Xti	3.0	nie	diode saturation current temperature coefficient
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tau	1e-9	nie	transit time under gate (s)
Rin	1e-3	nie	channel resistance (Ohm)
Area	1	nie	area factor
Eg	1.11	nie	energy gap (eV)
M	0.5	nie	grading coefficient
Cgd	0.2e-12	nie	zero bias gate-drain junction capacitance (F)
Cgs	1e-12	nie	zero bias gate-source junction capacitance (F)
Cds	1e-12	nie	zero bias drain-source junction capacitance (F)
Betatc	0	nie	Beta temperature coefficient (%/Celsius)
Alphatc	0	nie	Alpha temperature coefficient (%/Celsius)
Gammatc	0	nie	Gamma temperature coefficient (%/Celsius)
Ng	2.65	nie	Subthreshold slope gate parameter
Nd	-0.19	nie	subthreshold drain pull parameter
ILEVELS	3	nie	gate-source current equation selector
ILEVELD	3	nie	gate-drain current equation selector
QLEVELS	2	nie	gate-source charge equation selector
QLEVELD	2	nie	gate-drain charge equation selector
QLEVELDS	2	nie	drain-source charge equation selector
Vtotc	0	nie	Vto temperature coefficient
Rg	5.1	nie	gate resistance (Ohms)
Rd	1.3	nie	drain resistance (Ohms)
Rs	1.3	nie	source resistance (Ohms)
Rgtc	0	nie	gate resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rdtc	0	nie	drain resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rstc	0	nie	source resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Ibv	1e-3	nie	gate reverse breakdown currrent (A)
Rf	10	nie	forward bias slope resistance (Ohms)
R1	10	nie	breakdown slope resistance (Ohms)
Af	1	nie	flicker noise exponent
Kf	0	nie	współczynnik szumów migotania
Gdsnoi	1	nie	shot noise coefficient
Tnom	26.85	nie	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Epfl-Ekv Nmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	EPFL-EKV NMOS 2.6
Opis	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26nMOS
Właściwości	55
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	nmos	tak	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	nie	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	nie	length parameter (m)
W	10e-6	nie	Width parameter (m)
Np	1.0	nie	parallel multiple device number
Ns	1.0	nie	series multiple device number
Cox	3.45e-3	nie	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	nie	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.02e-6	nie	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	nie	channel length correction (m)
Vto	0.6	nie	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.71	nie	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.97	nie	bulk Fermi potential (V)
Kp	150e-6	nie	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	nie	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	88.0e6	nie	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	4.5e6	nie	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	0.23	nie	depletion length coefficient
Weta	0.05	nie	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.28	nie	longitudinal critical field
Q0	280e-6	nie	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.5e-6	nie	characteristic length (m)
Tcv	1.5e-3	nie	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.5	nie	mobility temperature coefficient
Ucex	1.7	nie	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	nie	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	nie	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	510.0	nie	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	nie	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	nie	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	nie	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	nie	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	nie	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	2e8	nie	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.5e8	nie	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	nie	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-27	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Avto	0.0	nie	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	nie	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	nie	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	nie	współczynnik emisji
Is	1e-14	nie	saturation current (A)
Bv	100	nie	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	nie	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	nie	junction potential (V)
Cj0	300e-15	nie	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	nie	grading coefficient
Area	1.0	nie	diode relative area
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	0.1e-9	nie	transit time (s)
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Xpart	0.4	nie	charge partition parameter
Tnom	26.85	nie	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Epfl-Ekv Pmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	EPFL-EKV PMOS 2.6
Opis	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26pMOS
Właściwości	55
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pmos	tak	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	nie	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	nie	length parameter (m)
W	10e-6	nie	Width parameter (m)
Np	1.0	nie	parallel multiple device number
Ns	1.0	nie	series multiple device number
Cox	3.45e-3	nie	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	nie	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.03e-6	nie	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	nie	channel length correction (m)
Vto	-0.55	nie	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.69	nie	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.87	nie	bulk Fermi potential (V)
Kp	35e-6	nie	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	nie	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	51.0e6	nie	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	18.0e6	nie	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	1.1	nie	depletion length coefficient
Weta	0.0	nie	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.45	nie	longitudinal critical field
Q0	200e-6	nie	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.6e-6	nie	characteristic length (m)
Tcv	-1.4e-3	nie	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.4	nie	mobility temperature coefficient
Ucex	2.0	nie	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	nie	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	nie	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	990.0	nie	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	nie	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	nie	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	nie	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	nie	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	nie	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	0.0	nie	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.0e8	nie	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	nie	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-28	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Avto	0.0	nie	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	nie	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	nie	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	nie	współczynnik emisji
Is	1e-14	nie	saturation current (A)
Bv	100	nie	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	nie	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	nie	junction potential (V)
Cj0	300e-15	nie	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	nie	grading coefficient
Area	1.0	nie	diode relative area
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	0.1e-9	nie	transit time (s)
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Xpart	0.4	nie	charge partition parameter
Tnom	26.85	nie	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Bsim3V34Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	bsim3v34nMOS
Opis	bsim3v34nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34nMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34nMOS
Właściwości	408
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L	0.35e-6	nie	-
W	5.0e-6	nie	-
PS	8.0e-6	nie	-
PD	8.0e-6	nie	-
AS	12.0e-12	nie	-
AD	12.0e-12	nie	-
NRS	10.0	nie	-
NRD	10.0	nie	-
NQSMOD	0	nie	-
GMIN	1e-12	nie	-
VERSION	3.24	nie	-
PARAMCHK	0	nie	-
MOBMOD	1	nie	-
CAPMOD	3	nie	-
NOIMOD	4	nie	-
BINUNIT	1	nie	-
TOX	150.0e-10	nie	-
TOXM	150.0e-10	nie	-
CDSC	2.4e-4	nie	-
CDSCB	0.0	nie	-
CDSCD	0.0	nie	-
CIT	0.0	nie	-
NFACTOR	1	nie	-
XJ	0.15e-6	nie	-
VSAT	8.0e4	nie	-
AT	3.3e4	nie	-
A0	1.0	nie	-
AGS	0.0	nie	-
A1	0.0	nie	-
A2	1.0	nie	-
KETA	-0.047	nie	-
NSUB	-99.0	nie	-
NCH	-99.0	nie	-
NGATE	0	nie	-
GAMMA1	-99.0	nie	-
GAMMA2	-99.0	nie	-
VBX	-99.0	nie	-
VBM	-3.0	nie	-
XT	-99.0	nie	-
K1	-99.0	nie	-
KT1	-0.11	nie	-
KT1L	0.0	nie	-
KT2	0.022	nie	-
K2	-99.0	nie	-
K3	80.0	nie	-
K3B	0.0	nie	-
W0	2.5e-6	nie	-
NLX	1.74e-7	nie	-
DVT0	2.2	nie	-
DVT1	0.53	nie	-
DVT2	-0.032	nie	-
DVT0W	0.0	nie	-
DVT1W	5.3e6	nie	-
DVT2W	-0.032	nie	-
DROUT	0.56	nie	-
DSUB	0.56	nie	-
VTHO	0.7	nie	-
VTH0	0.7	nie	-
UA	2.25e-9	nie	-
UA1	4.31e-9	nie	-
UB	5.87e-19	nie	-
UB1	-7.61e-18	nie	-
UC	-99.0	nie	-
UC1	-99.0	nie	-
U0	-99.0	nie	-
UTE	-1.5	nie	-
VOFF	-0.08	nie	-
TNOM	26.85	nie	-
CGSO	-99.0	nie	-
CGDO	-99.0	nie	-
CGBO	-99.0	nie	-
XPART	0.4	nie	-
ELM	5.0	nie	-
DELTA	0.01	nie	-
RSH	0.0	nie	-
RDSW	0	nie	-
PRWG	0.0	nie	-
PRWB	0.0	nie	-
PRT	0.0	nie	-
ETA0	0.08	nie	-
ETAB	-0.07	nie	-
PCLM	1.3	nie	-
PDIBLC1	0.39	nie	-
PDIBLC2	0.0086	nie	-
PDIBLCB	0.0	nie	-
PSCBE1	4.24e8	nie	-
PSCBE2	1.0e-5	nie	-
PVAG	0.0	nie	-
JS	1.0E-4	nie	-
JSW	0.0	nie	-
PB	1.0	nie	-
NJ	1.0	nie	-
XTI	3.0	nie	-
MJ	0.5	nie	-
PBSW	1.0	nie	-
MJSW	0.33	nie	-
PBSWG	1.0	nie	-
MJSWG	0.33	nie	-
CJ	5.0E-4	nie	-
VFBCV	-1.0	nie	-
VFB	-99.0	nie	-
CJSW	5.0E-10	nie	-
CJSWG	5.0e-10	nie	-
TPB	0.0	nie	-
TCJ	0.0	nie	-
TPBSW	0.0	nie	-
TCJSW	0.0	nie	-
TPBSWG	0.0	nie	-
TCJSWG	0.0	nie	-
ACDE	1.0	nie	-
MOIN	15.0	nie	-
NOFF	1.0	nie	-
VOFFCV	0.0	nie	-
LINT	0.0	nie	-
LL	0.0	nie	-
LLC	0.0	nie	-
LLN	1.0	nie	-
LW	0.0	nie	-
LWC	0.0	nie	-
LWN	1.0	nie	-
LWL	0.0	nie	-
LWLC	0.0	nie	-
LMIN	0.0	nie	-
LMAX	1.0	nie	-
WR	1.0	nie	-
WINT	0.0	nie	-
DWG	0.0	nie	-
DWB	0.0	nie	-
WL	0.0	nie	-
WLC	0.0	nie	-
WLN	1.0	nie	-
WW	0.0	nie	-
WWC	0.0	nie	-
WWN	1.0	nie	-
WWL	0.0	nie	-
WWLC	0.0	nie	-
WMIN	0.0	nie	-
WMAX	1.0	nie	-
B0	0.0	nie	-
B1	0.0	nie	-
CGSL	0.0	nie	-
CGDL	0.0	nie	-
CKAPPA	0.6	nie	-
CF	-99.0	nie	-
CLC	0.1e-6	nie	-
CLE	0.6	nie	-
DWC	0.0	nie	-
DLC	-99.0	nie	-
ALPHA0	0.0	nie	-
ALPHA1	0.0	nie	-
BETA0	30.0	nie	-
IJTH	0.1	nie	-
LCDSC	0.0	nie	-
LCDSCB	0.0	nie	-
LCDSCD	0.0	nie	-
LCIT	0.0	nie	-
LNFACTOR	0.0	nie	-
LXJ	0.0	nie	-
LVSAT	0.0	nie	-
LAT	0.0	nie	-
LA0	0.0	nie	-
LAGS	0.0	nie	-
LA1	0.0	nie	-
LA2	0.0	nie	-
LKETA	0.0	nie	-
LNSUB	0.0	nie	-
LNCH	0.0	nie	-
LNGATE	0.0	nie	-
LGAMMA1	-99.0	nie	-
LGAMMA2	-99.0	nie	-
LVBX	-99.0	nie	-
LVBM	0.0	nie	-
LXT	0.0	nie	-
LK1	-99.0	nie	-
LKT1	0.0	nie	-
LKT1L	0.0	nie	-
LKT2	0.0	nie	-
LK2	-99.0	nie	-
LK3	0.0	nie	-
LK3B	0.0	nie	-
LW0	0.0	nie	-
LNLX	0.0	nie	-
LDVT0	0.0	nie	-
LDVT1	0.0	nie	-
LDVT2	0.0	nie	-
LDVT0W	0.0	nie	-
LDVT1W	0.0	nie	-
LDVT2W	0.0	nie	-
LDROUT	0.0	nie	-
LDSUB	0.0	nie	-
LVTH0	0.0	nie	-
LVTHO	0.0	nie	-
LUA	0.0	nie	-
LUA1	0.0	nie	-
LUB	0.0	nie	-
LUB1	0.0	nie	-
LUC	0.0	nie	-
LUC1	0.0	nie	-
LU0	0.0	nie	-
LUTE	0.0	nie	-
LVOFF	0.0	nie	-
LELM	0.0	nie	-
LDELTA	0.0	nie	-
LRDSW	0.0	nie	-
LPRWG	0.0	nie	-
LPRWB	0.0	nie	-
LPRT	0.0	nie	-
LETA0	0.0	nie	-
LETAB	0.0	nie	-
LPCLM	0.0	nie	-
LPDIBLC1	0.0	nie	-
LPDIBLC2	0.0	nie	-
LPDIBLCB	0.0	nie	-
LPSCBE1	0.0	nie	-
LPSCBE2	0.0	nie	-
LPVAG	0.0	nie	-
LWR	0.0	nie	-
LDWG	0.0	nie	-
LDWB	0.0	nie	-
LB0	0.0	nie	-
LB1	0.0	nie	-
LCGSL	0.0	nie	-
LCGDL	0.0	nie	-
LCKAPPA	0.0	nie	-
LCF	0.0	nie	-
LCLC	0.0	nie	-
LCLE	0.0	nie	-
LALPHA0	0.0	nie	-
LALPHA1	0.0	nie	-
LBETA0	0.0	nie	-
LVFBCV	0.0	nie	-
LVFB	0.0	nie	-
LACDE	0.0	nie	-
LMOIN	0.0	nie	-
LNOFF	0.0	nie	-
LVOFFCV	0.0	nie	-
WCDSC	0.0	nie	-
WCDSCB	0.0	nie	-
WCDSCD	0.0	nie	-
WCIT	0.0	nie	-
WNFACTOR	0.0	nie	-
WXJ	0.0	nie	-
WVSAT	0.0	nie	-
WAT	0.0	nie	-
WA0	0.0	nie	-
WAGS	0.0	nie	-
WA1	0.0	nie	-
WA2	0.0	nie	-
WKETA	0.0	nie	-
WNSUB	0.0	nie	-
WNCH	0.0	nie	-
WNGATE	0.0	nie	-
WGAMMA1	-99.0	nie	-
WGAMMA2	-99.0	nie	-
WVBX	-99.0	nie	-
WVBM	0.0	nie	-
WXT	0.0	nie	-
WK1	-99.0	nie	-
WKT1	0.0	nie	-
WKT1L	0.0	nie	-
WKT2	0.0	nie	-
WK2	-99.0	nie	-
WK3	0.0	nie	-
WK3B	0.0	nie	-
WW0	0.0	nie	-
WNLX	0.0	nie	-
WDVT0	0.0	nie	-
WDVT1	0.0	nie	-
WDVT2	0.0	nie	-
WDVT0W	0.0	nie	-
WDVT1W	0.0	nie	-
WDVT2W	0.0	nie	-
WDROUT	0.0	nie	-
WDSUB	0.0	nie	-
WVTH0	0.0	nie	-
WVTHO	0.0	nie	-
WUA	0.0	nie	-
WUA1	0.0	nie	-
WUB	0.0	nie	-
WUB1	0.0	nie	-
WUC	0.0	nie	-
WUC1	0.0	nie	-
WU0	0.0	nie	-
WUTE	0.0	nie	-
WVOFF	0.0	nie	-
WELM	0.0	nie	-
WDELTA	0.0	nie	-
WRDSW	0.0	nie	-
WPRWG	0.0	nie	-
WPRWB	0.0	nie	-
WPRT	0.0	nie	-
WETA0	0.0	nie	-
WETAB	0.0	nie	-
WPCLM	0.0	nie	-
WPDIBLC1	0.0	nie	-
WPDIBLC2	0.0	nie	-
WPDIBLCB	0.0	nie	-
WPSCBE1	0.0	nie	-
WPSCBE2	0.0	nie	-
WPVAG	0.0	nie	-
WWR	0.0	nie	-
WDWG	0.0	nie	-
WDWB	0.0	nie	-
WB0	0.0	nie	-
WB1	0.0	nie	-
WCGSL	0.0	nie	-
WCGDL	0.0	nie	-
WCKAPPA	0.0	nie	-
WCF	0.0	nie	-
WCLC	0.0	nie	-
WCLE	0.0	nie	-
WALPHA0	0.0	nie	-
WALPHA1	0.0	nie	-
WBETA0	0.0	nie	-
WVFBCV	0.0	nie	-
WVFB	0.0	nie	-
WACDE	0.0	nie	-
WMOIN	0.0	nie	-
WNOFF	0.0	nie	-
WVOFFCV	0.0	nie	-
PCDSC	0.0	nie	-
PCDSCB	0.0	nie	-
PCDSCD	0.0	nie	-
PCIT	0.0	nie	-
PNFACTOR	0.0	nie	-
PXJ	0.0	nie	-
PVSAT	0.0	nie	-
PAT	0.0	nie	-
PA0	0.0	nie	-
PAGS	0.0	nie	-
PA1	0.0	nie	-
PA2	0.0	nie	-
PKETA	0.0	nie	-
PNSUB	0.0	nie	-
PNCH	0.0	nie	-
PNGATE	0.0	nie	-
PGAMMA1	-99.0	nie	-
PGAMMA2	-99.0	nie	-
PVBX	-99.0	nie	-
PVBM	0.0	nie	-
PXT	0.0	nie	-
PK1	-99.0	nie	-
PKT1	0.0	nie	-
PKT1L	0.0	nie	-
PKT2	0.0	nie	-
PK2	-99.0	nie	-
PK3	0.0	nie	-
PK3B	0.0	nie	-
PW0	0.0	nie	-
PNLX	0.0	nie	-
PDVT0	0.0	nie	-
PDVT1	0.0	nie	-
PDVT2	0.0	nie	-
PDVT0W	0.0	nie	-
PDVT1W	0.0	nie	-
PDVT2W	0.0	nie	-
PDROUT	0.0	nie	-
PDSUB	0.0	nie	-
PVTH0	0.0	nie	-
PVTHO	0.0	nie	-
PUA	0.0	nie	-
PUA1	0.0	nie	-
PUB	0.0	nie	-
PUB1	0.0	nie	-
PUC	0.0	nie	-
PUC1	0.0	nie	-
PU0	0.0	nie	-
PUTE	0.0	nie	-
PVOFF	0.0	nie	-
PELM	0.0	nie	-
PDELTA	0.0	nie	-
PRDSW	0.0	nie	-
PPRWG	0.0	nie	-
PPRWB	0.0	nie	-
PPRT	0.0	nie	-
PETA0	0.0	nie	-
PETAB	0.0	nie	-
PPCLM	0.0	nie	-
PPDIBLC1	0.0	nie	-
PPDIBLC2	0.0	nie	-
PPDIBLCB	0.0	nie	-
PPSCBE1	0.0	nie	-
PPSCBE2	0.0	nie	-
PPVAG	0.0	nie	-
PWR	0.0	nie	-
PDWG	0.0	nie	-
PDWB	0.0	nie	-
PB0	0.0	nie	-
PB1	0.0	nie	-
PCGSL	0.0	nie	-
PCGDL	0.0	nie	-
PCKAPPA	0.0	nie	-
PCF	0.0	nie	-
PCLC	0.0	nie	-
PCLE	0.0	nie	-
PALPHA0	0.0	nie	-
PALPHA1	0.0	nie	-
PBETA0	0.0	nie	-
PVFBCV	0.0	nie	-
PVFB	0.0	nie	-
PACDE	0.0	nie	-
PMOIN	0.0	nie	-
PNOFF	0.0	nie	-
PVOFFCV	0.0	nie	-
KF	0.0	nie	-
AF	1.0	nie	-
EF	1.0	nie	-
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Bsim3V34Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	bsim3v34pMOS
Opis	bsim3v34pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34pMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34pMOS
Właściwości	408
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
L	3.5e-6	nie	-
W	5.0e-6	nie	-
PS	8.0e-6	nie	-
PD	8.0e-6	nie	-
AS	12.0e-12	nie	-
AD	12.0e-12	nie	-
NRS	10.0	nie	-
NRD	10.0	nie	-
NQSMOD	0	nie	-
GMIN	1e-12	nie	-
VERSION	3.24	nie	-
PARAMCHK	0	nie	-
MOBMOD	1	nie	-
CAPMOD	3	nie	-
NOIMOD	4	nie	-
BINUNIT	1	nie	-
TOX	150.0e-10	nie	-
TOXM	150.0e-10	nie	-
CDSC	2.4e-4	nie	-
CDSCB	0.0	nie	-
CDSCD	0.0	nie	-
CIT	0.0	nie	-
NFACTOR	1	nie	-
XJ	0.15e-6	nie	-
VSAT	8.0e4	nie	-
AT	3.3e4	nie	-
A0	1.0	nie	-
AGS	0.0	nie	-
A1	0.0	nie	-
A2	1.0	nie	-
KETA	-0.047	nie	-
NSUB	-99.0	nie	-
NCH	-99.0	nie	-
NGATE	0	nie	-
GAMMA1	-99.0	nie	-
GAMMA2	-99.0	nie	-
VBX	-99.0	nie	-
VBM	-3.0	nie	-
XT	-99.0	nie	-
K1	-99.0	nie	-
KT1	-0.11	nie	-
KT1L	0.0	nie	-
KT2	0.022	nie	-
K2	-99.0	nie	-
K3	80.0	nie	-
K3B	0.0	nie	-
W0	2.5e-6	nie	-
NLX	1.74e-7	nie	-
DVT0	2.2	nie	-
DVT1	0.53	nie	-
DVT2	-0.032	nie	-
DVT0W	0.0	nie	-
DVT1W	5.3e6	nie	-
DVT2W	-0.032	nie	-
DROUT	0.56	nie	-
DSUB	0.56	nie	-
VTHO	-0.7	nie	-
VTH0	-0.7	nie	-
UA	2.25e-9	nie	-
UA1	4.31e-9	nie	-
UB	5.87e-19	nie	-
UB1	-7.61e-18	nie	-
UC	-99.0	nie	-
UC1	-99.0	nie	-
U0	-99.0	nie	-
UTE	-1.5	nie	-
VOFF	-0.08	nie	-
TNOM	26.85	nie	-
CGSO	-99.0	nie	-
CGDO	-99.0	nie	-
CGBO	-99.0	nie	-
XPART	0.4	nie	-
ELM	5.0	nie	-
DELTA	0.01	nie	-
RSH	0.0	nie	-
RDSW	0	nie	-
PRWG	0.0	nie	-
PRWB	0.0	nie	-
PRT	0.0	nie	-
ETA0	0.08	nie	-
ETAB	-0.07	nie	-
PCLM	1.3	nie	-
PDIBLC1	0.39	nie	-
PDIBLC2	0.0086	nie	-
PDIBLCB	0.0	nie	-
PSCBE1	4.24e8	nie	-
PSCBE2	1.0e-5	nie	-
PVAG	0.0	nie	-
JS	1.0E-4	nie	-
JSW	0.0	nie	-
PB	1.0	nie	-
NJ	1.0	nie	-
XTI	3.0	nie	-
MJ	0.5	nie	-
PBSW	1.0	nie	-
MJSW	0.33	nie	-
PBSWG	1.0	nie	-
MJSWG	0.33	nie	-
CJ	5.0E-4	nie	-
VFBCV	-1.0	nie	-
VFB	-99.0	nie	-
CJSW	5.0E-10	nie	-
CJSWG	5.0e-10	nie	-
TPB	0.0	nie	-
TCJ	0.0	nie	-
TPBSW	0.0	nie	-
TCJSW	0.0	nie	-
TPBSWG	0.0	nie	-
TCJSWG	0.0	nie	-
ACDE	1.0	nie	-
MOIN	15.0	nie	-
NOFF	1.0	nie	-
VOFFCV	0.0	nie	-
LINT	0.0	nie	-
LL	0.0	nie	-
LLC	0.0	nie	-
LLN	1.0	nie	-
LW	0.0	nie	-
LWC	0.0	nie	-
LWN	1.0	nie	-
LWL	0.0	nie	-
LWLC	0.0	nie	-
LMIN	0.0	nie	-
LMAX	1.0	nie	-
WR	1.0	nie	-
WINT	0.0	nie	-
DWG	0.0	nie	-
DWB	0.0	nie	-
WL	0.0	nie	-
WLC	0.0	nie	-
WLN	1.0	nie	-
WW	0.0	nie	-
WWC	0.0	nie	-
WWN	1.0	nie	-
WWL	0.0	nie	-
WWLC	0.0	nie	-
WMIN	0.0	nie	-
WMAX	1.0	nie	-
B0	0.0	nie	-
B1	0.0	nie	-
CGSL	0.0	nie	-
CGDL	0.0	nie	-
CKAPPA	0.6	nie	-
CF	-99.0	nie	-
CLC	0.1e-6	nie	-
CLE	0.6	nie	-
DWC	0.0	nie	-
DLC	-99.0	nie	-
ALPHA0	0.0	nie	-
ALPHA1	0.0	nie	-
BETA0	30.0	nie	-
IJTH	0.1	nie	-
LCDSC	0.0	nie	-
LCDSCB	0.0	nie	-
LCDSCD	0.0	nie	-
LCIT	0.0	nie	-
LNFACTOR	0.0	nie	-
LXJ	0.0	nie	-
LVSAT	0.0	nie	-
LAT	0.0	nie	-
LA0	0.0	nie	-
LAGS	0.0	nie	-
LA1	0.0	nie	-
LA2	0.0	nie	-
LKETA	0.0	nie	-
LNSUB	0.0	nie	-
LNCH	0.0	nie	-
LNGATE	0.0	nie	-
LGAMMA1	-99.0	nie	-
LGAMMA2	-99.0	nie	-
LVBX	-99.0	nie	-
LVBM	0.0	nie	-
LXT	0.0	nie	-
LK1	-99.0	nie	-
LKT1	0.0	nie	-
LKT1L	0.0	nie	-
LKT2	0.0	nie	-
LK2	-99.0	nie	-
LK3	0.0	nie	-
LK3B	0.0	nie	-
LW0	0.0	nie	-
LNLX	0.0	nie	-
LDVT0	0.0	nie	-
LDVT1	0.0	nie	-
LDVT2	0.0	nie	-
LDVT0W	0.0	nie	-
LDVT1W	0.0	nie	-
LDVT2W	0.0	nie	-
LDROUT	0.0	nie	-
LDSUB	0.0	nie	-
LVTH0	0.0	nie	-
LVTHO	0.0	nie	-
LUA	0.0	nie	-
LUA1	0.0	nie	-
LUB	0.0	nie	-
LUB1	0.0	nie	-
LUC	0.0	nie	-
LUC1	0.0	nie	-
LU0	0.0	nie	-
LUTE	0.0	nie	-
LVOFF	0.0	nie	-
LELM	0.0	nie	-
LDELTA	0.0	nie	-
LRDSW	0.0	nie	-
LPRWG	0.0	nie	-
LPRWB	0.0	nie	-
LPRT	0.0	nie	-
LETA0	0.0	nie	-
LETAB	0.0	nie	-
LPCLM	0.0	nie	-
LPDIBLC1	0.0	nie	-
LPDIBLC2	0.0	nie	-
LPDIBLCB	0.0	nie	-
LPSCBE1	0.0	nie	-
LPSCBE2	0.0	nie	-
LPVAG	0.0	nie	-
LWR	0.0	nie	-
LDWG	0.0	nie	-
LDWB	0.0	nie	-
LB0	0.0	nie	-
LB1	0.0	nie	-
LCGSL	0.0	nie	-
LCGDL	0.0	nie	-
LCKAPPA	0.0	nie	-
LCF	0.0	nie	-
LCLC	0.0	nie	-
LCLE	0.0	nie	-
LALPHA0	0.0	nie	-
LALPHA1	0.0	nie	-
LBETA0	0.0	nie	-
LVFBCV	0.0	nie	-
LVFB	0.0	nie	-
LACDE	0.0	nie	-
LMOIN	0.0	nie	-
LNOFF	0.0	nie	-
LVOFFCV	0.0	nie	-
WCDSC	0.0	nie	-
WCDSCB	0.0	nie	-
WCDSCD	0.0	nie	-
WCIT	0.0	nie	-
WNFACTOR	0.0	nie	-
WXJ	0.0	nie	-
WVSAT	0.0	nie	-
WAT	0.0	nie	-
WA0	0.0	nie	-
WAGS	0.0	nie	-
WA1	0.0	nie	-
WA2	0.0	nie	-
WKETA	0.0	nie	-
WNSUB	0.0	nie	-
WNCH	0.0	nie	-
WNGATE	0.0	nie	-
WGAMMA1	-99.0	nie	-
WGAMMA2	-99.0	nie	-
WVBX	-99.0	nie	-
WVBM	0.0	nie	-
WXT	0.0	nie	-
WK1	-99.0	nie	-
WKT1	0.0	nie	-
WKT1L	0.0	nie	-
WKT2	0.0	nie	-
WK2	-99.0	nie	-
WK3	0.0	nie	-
WK3B	0.0	nie	-
WW0	0.0	nie	-
WNLX	0.0	nie	-
WDVT0	0.0	nie	-
WDVT1	0.0	nie	-
WDVT2	0.0	nie	-
WDVT0W	0.0	nie	-
WDVT1W	0.0	nie	-
WDVT2W	0.0	nie	-
WDROUT	0.0	nie	-
WDSUB	0.0	nie	-
WVTH0	0.0	nie	-
WVTHO	0.0	nie	-
WUA	0.0	nie	-
WUA1	0.0	nie	-
WUB	0.0	nie	-
WUB1	0.0	nie	-
WUC	0.0	nie	-
WUC1	0.0	nie	-
WU0	0.0	nie	-
WUTE	0.0	nie	-
WVOFF	0.0	nie	-
WELM	0.0	nie	-
WDELTA	0.0	nie	-
WRDSW	0.0	nie	-
WPRWG	0.0	nie	-
WPRWB	0.0	nie	-
WPRT	0.0	nie	-
WETA0	0.0	nie	-
WETAB	0.0	nie	-
WPCLM	0.0	nie	-
WPDIBLC1	0.0	nie	-
WPDIBLC2	0.0	nie	-
WPDIBLCB	0.0	nie	-
WPSCBE1	0.0	nie	-
WPSCBE2	0.0	nie	-
WPVAG	0.0	nie	-
WWR	0.0	nie	-
WDWG	0.0	nie	-
WDWB	0.0	nie	-
WB0	0.0	nie	-
WB1	0.0	nie	-
WCGSL	0.0	nie	-
WCGDL	0.0	nie	-
WCKAPPA	0.0	nie	-
WCF	0.0	nie	-
WCLC	0.0	nie	-
WCLE	0.0	nie	-
WALPHA0	0.0	nie	-
WALPHA1	0.0	nie	-
WBETA0	0.0	nie	-
WVFBCV	0.0	nie	-
WVFB	0.0	nie	-
WACDE	0.0	nie	-
WMOIN	0.0	nie	-
WNOFF	0.0	nie	-
WVOFFCV	0.0	nie	-
PCDSC	0.0	nie	-
PCDSCB	0.0	nie	-
PCDSCD	0.0	nie	-
PCIT	0.0	nie	-
PNFACTOR	0.0	nie	-
PXJ	0.0	nie	-
PVSAT	0.0	nie	-
PAT	0.0	nie	-
PA0	0.0	nie	-
PAGS	0.0	nie	-
PA1	0.0	nie	-
PA2	0.0	nie	-
PKETA	0.0	nie	-
PNSUB	0.0	nie	-
PNCH	0.0	nie	-
PNGATE	0.0	nie	-
PGAMMA1	-99.0	nie	-
PGAMMA2	-99.0	nie	-
PVBX	-99.0	nie	-
PVBM	0.0	nie	-
PXT	0.0	nie	-
PK1	-99.0	nie	-
PKT1	0.0	nie	-
PKT1L	0.0	nie	-
PKT2	0.0	nie	-
PK2	-99.0	nie	-
PK3	0.0	nie	-
PK3B	0.0	nie	-
PW0	0.0	nie	-
PNLX	0.0	nie	-
PDVT0	0.0	nie	-
PDVT1	0.0	nie	-
PDVT2	0.0	nie	-
PDVT0W	0.0	nie	-
PDVT1W	0.0	nie	-
PDVT2W	0.0	nie	-
PDROUT	0.0	nie	-
PDSUB	0.0	nie	-
PVTH0	0.0	nie	-
PVTHO	0.0	nie	-
PUA	0.0	nie	-
PUA1	0.0	nie	-
PUB	0.0	nie	-
PUB1	0.0	nie	-
PUC	0.0	nie	-
PUC1	0.0	nie	-
PU0	0.0	nie	-
PUTE	0.0	nie	-
PVOFF	0.0	nie	-
PELM	0.0	nie	-
PDELTA	0.0	nie	-
PRDSW	0.0	nie	-
PPRWG	0.0	nie	-
PPRWB	0.0	nie	-
PPRT	0.0	nie	-
PETA0	0.0	nie	-
PETAB	0.0	nie	-
PPCLM	0.0	nie	-
PPDIBLC1	0.0	nie	-
PPDIBLC2	0.0	nie	-
PPDIBLCB	0.0	nie	-
PPSCBE1	0.0	nie	-
PPSCBE2	0.0	nie	-
PPVAG	0.0	nie	-
PWR	0.0	nie	-
PDWG	0.0	nie	-
PDWB	0.0	nie	-
PB0	0.0	nie	-
PB1	0.0	nie	-
PCGSL	0.0	nie	-
PCGDL	0.0	nie	-
PCKAPPA	0.0	nie	-
PCF	0.0	nie	-
PCLC	0.0	nie	-
PCLE	0.0	nie	-
PALPHA0	0.0	nie	-
PALPHA1	0.0	nie	-
PBETA0	0.0	nie	-
PVFBCV	0.0	nie	-
PVFB	0.0	nie	-
PACDE	0.0	nie	-
PMOIN	0.0	nie	-
PNOFF	0.0	nie	-
PVOFFCV	0.0	nie	-
KF	0.0	nie	-
AF	1.0	nie	-
EF	1.0	nie	-
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Bsim4V30Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	bsim4v30nMOS
Opis	bsim4v30nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30nMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30nMOS
Właściwości	278
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
GMIN	1e-12	nie	-
PS	12e-6	nie	-
PD	12e-6	nie	-
AS	12e-12	nie	-
AD	12e-12	nie	-
CGBO	-99.0	nie	-
CGDO	-99.0	nie	-
CGSO	-99.0	nie	-
L	3e-6	nie	-
W	6e-6	nie	-
MOBMOD	-99.0	nie	-
RDSMOD	-99.0	nie	-
IGCMOD	0	nie	-
IGBMOD	0	nie	-
CAPMOD	2	nie	-
RGATEMOD	2	nie	-
RBODYMOD	0	nie	-
DIOMOD	1	nie	-
TEMPMOD	-99.0	nie	-
GEOMOD	0	nie	-
RGEOMOD	0	nie	-
PERMOD	1	nie	-
TNOIMOD	0	nie	-
FNOIMOD	0	nie	-
EPSROX	3.9	nie	-
TOXE	-99.0	nie	-
TOXP	-99.0	nie	-
TOXM	-99.0	nie	-
DTOX	0.0	nie	-
XJ	1.5e-7	nie	-
GAMMA1	-99.0	nie	-
GAMMA2	-99.0	nie	-
NDEP	-99.0	nie	-
NSUB	6.0e16	nie	-
NGATE	0.0	nie	-
NSD	1.0e20	nie	-
VBX	-99.0	nie	-
XT	1.55e-7	nie	-
RSH	0.0	nie	-
RSHG	0.0	nie	-
VTH0	0.6	nie	-
VFB	-99.0	nie	-
PHIN	0.0	nie	-
K1	-99.0	nie	-
K2	-99.0	nie	-
K3	80.0	nie	-
K3B	0.0	nie	-
W0	2.5e-6	nie	-
LPE0	1.74e-7	nie	-
LPEB	0.0	nie	-
VBM	-3.0	nie	-
DVT0	2.2	nie	-
DVT1	0.53	nie	-
DVT2	-0.032	nie	-
DVTP0	0.0	nie	-
DVTP1	0.0	nie	-
DVT0W	0.0	nie	-
DVT1W	5.3e6	nie	-
DVT2W	-0.032	nie	-
U0	-99.0	nie	-
UA	-99.0	nie	-
UB	1.0e-19	nie	-
UC	-99.0	nie	-
EU	-99.0	nie	-
VSAT	8.0e4	nie	-
A0	1.0	nie	-
AGS	0.0	nie	-
B0	0.0	nie	-
B1	0.0	nie	-
KETA	-0.047	nie	-
A1	0.0	nie	-
A2	1.0	nie	-
WINT	0.0	nie	-
LINT	0.0	nie	-
DWG	0.0	nie	-
DWB	0.0	nie	-
VOFF	-0.08	nie	-
VOFFL	0.0	nie	-
MINV	0.0	nie	-
NFACTOR	1.0	nie	-
ETA0	0.08	nie	-
ETAB	-0.07	nie	-
DROUT	0.56	nie	-
DSUB	0.56	nie	-
CIT	0.0	nie	-
CDSC	2.4e-4	nie	-
CDSCB	0.0	nie	-
CDSCD	0.0	nie	-
PCLM	1.3	nie	-
PDIBL1	0.39	nie	-
PDIBL2	0.0086	nie	-
PDIBLB	0.0	nie	-
PSCBE1	4.24e8	nie	-
PSCBE2	1.0e-5	nie	-
PVAG	0.0	nie	-
DELTA	0.01	nie	-
FPROUT	0.0	nie	-
PDITS	0.0	nie	-
PDITSD	0.0	nie	-
PDITSL	0.0	nie	-
LAMBDA	-99.0	nie	-
VTL	-99.0	nie	-
LC	5.0e-9	nie	-
XN	3.0	nie	-
RDSW	200.0	nie	-
RDSWMIN	0.0	nie	-
RDW	100.0	nie	-
RDWMIN	0.0	nie	-
RSW	100.0	nie	-
RSWMIN	0.0	nie	-
PRWG	1.0	nie	-
PRWB	0.0	nie	-
WR	1.0	nie	-
NRS	-99.0	nie	-
NRD	-99.0	nie	-
ALPHA0	0.0	nie	-
ALPHA1	0.0	nie	-
BETA0	30.0	nie	-
AGIDL	0.0	nie	-
BGIDL	2.3e9	nie	-
CGIDL	0.5	nie	-
EGIDL	0.8	nie	-
AIGBACC	0.43	nie	-
BIGBACC	0.054	nie	-
CIGBACC	0.075	nie	-
NIGBACC	1.0	nie	-
AIGBINV	0.35	nie	-
BIGBINV	0.03	nie	-
CIGBINV	0.006	nie	-
EIGBINV	1.1	nie	-
NIGBINV	3.0	nie	-
AIGC	-99.0	nie	-
BIGC	-99.0	nie	-
CIGC	-99.0	nie	-
AIGSD	-99.0	nie	-
BIGSD	-99.0	nie	-
CIGSD	-99.0	nie	-
DLCIG	0.0	nie	-
NIGC	1.0	nie	-
POXEDGE	1.0	nie	-
PIGCD	1.0	nie	-
NTOX	1.0	nie	-
TOXREF	3.0e-9	nie	-
XPART	0.4	nie	-
CGS0	0.0	nie	-
CGD0	0.0	nie	-
CGB0	0.0	nie	-
CGSL	0.0	nie	-
CGDL	0.0	nie	-
CKAPPAS	0.6	nie	-
CKAPPAD	0.6	nie	-
CF	-99.0	nie	-
CLC	1.0e-7	nie	-
CLE	0.6	nie	-
DLC	0.0	nie	-
DWC	0.0	nie	-
VFBCV	-1.0	nie	-
NOFF	1.0	nie	-
VOFFCV	0.0	nie	-
ACDE	1.0	nie	-
MOIN	15.0	nie	-
XRCRG1	12.0	nie	-
XRCRG2	1.0	nie	-
RBPB	50.0	nie	-
RBPD	50.0	nie	-
RBPS	50.0	nie	-
RBDB	50.0	nie	-
RBSB	50.0	nie	-
GBMIN	1.0e-12	nie	-
DMCG	0.0	nie	-
DMCI	0.0	nie	-
DMDG	0.0	nie	-
DMCGT	0.0	nie	-
NF	1.0	nie	-
DWJ	0.0	nie	-
MIN	0.0	nie	-
XGW	0.0	nie	-
XGL	0.0	nie	-
XL	0.0	nie	-
XW	0.0	nie	-
NGCON	1.0	nie	-
IJTHSREV	0.1	nie	-
IJTHDREV	0.1	nie	-
IJTHSFWD	0.1	nie	-
IJTHDFWD	0.1	nie	-
XJBVS	1.0	nie	-
XJBVD	1.0	nie	-
BVS	10.0	nie	-
BVD	10.0	nie	-
JSS	1.0e-4	nie	-
JSD	1.0e-4	nie	-
JSWS	0.0	nie	-
JSWD	0.0	nie	-
JSWGS	0.0	nie	-
JSWGD	0.0	nie	-
CJS	5.0e-4	nie	-
CJD	5.0e-4	nie	-
MJS	0.5	nie	-
MJD	0.5	nie	-
MJSWS	0.33	nie	-
MJSWD	0.33	nie	-
CJSWS	5.0e-10	nie	-
CJSWD	5.0e-10	nie	-
CJSWGS	5.0e-10	nie	-
CJSWGD	5.0e-10	nie	-
MJSWGS	0.33	nie	-
MJSWGD	0.33	nie	-
PBS	1.0	nie	-
PBD	1.0	nie	-
PBSWS	1.0	nie	-
PBSWD	1.0	nie	-
PBSWGS	1.0	nie	-
PBSWGD	1.0	nie	-
TNOM	27	nie	-
UTE	-1.5	nie	-
KT1	-0.11	nie	-
KT1L	0.0	nie	-
KT2	0.022	nie	-
UA1	1.0e-9	nie	-
UB1	-1.0e-18	nie	-
UC1	-99.0	nie	-
AT	3.3e4	nie	-
PRT	0.0	nie	-
NJS	1.0	nie	-
NJD	1.0	nie	-
XTIS	3.0	nie	-
XTID	3.0	nie	-
TPB	0.0	nie	-
TPBSW	0.0	nie	-
TPBSWG	0.0	nie	-
TCJ	0.0	nie	-
TCJSW	0.0	nie	-
TCJSWG	0.0	nie	-
SA	0.0	nie	-
SB	0.0	nie	-
SD	0.0	nie	-
SAREF	1e-6	nie	-
SBREF	1e-6	nie	-
WLOD	0.0	nie	-
KU0	0.0	nie	-
KVSAT	0.0	nie	-
TKU0	0.0	nie	-
LKU0	0.0	nie	-
WKU0	0.0	nie	-
PKU0	0.0	nie	-
LLODKU0	0.0	nie	-
WLODKU0	0.0	nie	-
KVTH0	0.0	nie	-
LKVTH0	0.0	nie	-
WKVTH0	0.0	nie	-
PKVTH0	0.0	nie	-
LLODVTH	0.0	nie	-
WLODVTH	0.0	nie	-
STK2	0.0	nie	-
LODK2	1.0	nie	-
STETA0	0.0	nie	-
LODETA0	1.0	nie	-
WL	0.0	nie	-
WLN	1.0	nie	-
WW	0.0	nie	-
WWN	1.0	nie	-
WWL	0.0	nie	-
LL	0.0	nie	-
LLN	1.0	nie	-
LW	0.0	nie	-
LWN	1.0	nie	-
LWL	0.0	nie	-
LLC	0.0	nie	-
LWC	0.0	nie	-
LWLC	0.0	nie	-
WLC	0.0	nie	-
WWC	0.0	nie	-
WWLC	0.0	nie	-
NTNOI	1.0	nie	-
KF	0.0	nie	-
AF	1.0	nie	-
EF	1.0	nie	-
TEMP	27	nie	-

Bsim4V30Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	bsim4v30pMOS
Opis	bsim4v30pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30pMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30pMOS
Właściwości	278
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
GMIN	1e-12	nie	-
PS	12e-6	nie	-
PD	12e-6	nie	-
AS	12e-12	nie	-
AD	12e-12	nie	-
CGBO	-99.0	nie	-
CGDO	-99.0	nie	-
CGSO	-99.0	nie	-
L	3e-6	nie	-
W	6e-6	nie	-
MOBMOD	-99.0	nie	-
RDSMOD	-99.0	nie	-
IGCMOD	0	nie	-
IGBMOD	0	nie	-
CAPMOD	2	nie	-
RGATEMOD	2	nie	-
RBODYMOD	0	nie	-
DIOMOD	1	nie	-
TEMPMOD	-99.0	nie	-
GEOMOD	0	nie	-
RGEOMOD	0	nie	-
PERMOD	1	nie	-
TNOIMOD	0	nie	-
FNOIMOD	0	nie	-
EPSROX	3.9	nie	-
TOXE	-99.0	nie	-
TOXP	-99.0	nie	-
TOXM	-99.0	nie	-
DTOX	0.0	nie	-
XJ	1.5e-7	nie	-
GAMMA1	-99.0	nie	-
GAMMA2	-99.0	nie	-
NDEP	-99.0	nie	-
NSUB	6.0e16	nie	-
NGATE	0.0	nie	-
NSD	1.0e20	nie	-
VBX	-99.0	nie	-
XT	1.55e-7	nie	-
RSH	0.0	nie	-
RSHG	0.0	nie	-
VTH0	-0.6	nie	-
VFB	-99.0	nie	-
PHIN	0.0	nie	-
K1	-99.0	nie	-
K2	-99.0	nie	-
K3	80.0	nie	-
K3B	0.0	nie	-
W0	2.5e-6	nie	-
LPE0	1.74e-7	nie	-
LPEB	0.0	nie	-
VBM	-3.0	nie	-
DVT0	2.2	nie	-
DVT1	0.53	nie	-
DVT2	-0.032	nie	-
DVTP0	0.0	nie	-
DVTP1	0.0	nie	-
DVT0W	0.0	nie	-
DVT1W	5.3e6	nie	-
DVT2W	-0.032	nie	-
U0	-99.0	nie	-
UA	-99.0	nie	-
UB	1.0e-19	nie	-
UC	-99.0	nie	-
EU	-99.0	nie	-
VSAT	8.0e4	nie	-
A0	1.0	nie	-
AGS	0.0	nie	-
B0	0.0	nie	-
B1	0.0	nie	-
KETA	-0.047	nie	-
A1	0.0	nie	-
A2	1.0	nie	-
WINT	0.0	nie	-
LINT	0.0	nie	-
DWG	0.0	nie	-
DWB	0.0	nie	-
VOFF	-0.08	nie	-
VOFFL	0.0	nie	-
MINV	0.0	nie	-
NFACTOR	1.0	nie	-
ETA0	0.08	nie	-
ETAB	-0.07	nie	-
DROUT	0.56	nie	-
DSUB	0.56	nie	-
CIT	0.0	nie	-
CDSC	2.4e-4	nie	-
CDSCB	0.0	nie	-
CDSCD	0.0	nie	-
PCLM	1.3	nie	-
PDIBL1	0.39	nie	-
PDIBL2	0.0086	nie	-
PDIBLB	0.0	nie	-
PSCBE1	4.24e8	nie	-
PSCBE2	1.0e-5	nie	-
PVAG	0.0	nie	-
DELTA	0.01	nie	-
FPROUT	0.0	nie	-
PDITS	0.0	nie	-
PDITSD	0.0	nie	-
PDITSL	0.0	nie	-
LAMBDA	-99.0	nie	-
VTL	-99.0	nie	-
LC	5.0e-9	nie	-
XN	3.0	nie	-
RDSW	200.0	nie	-
RDSWMIN	0.0	nie	-
RDW	100.0	nie	-
RDWMIN	0.0	nie	-
RSW	100.0	nie	-
RSWMIN	0.0	nie	-
PRWG	1.0	nie	-
PRWB	0.0	nie	-
WR	1.0	nie	-
NRS	-99.0	nie	-
NRD	-99.0	nie	-
ALPHA0	0.0	nie	-
ALPHA1	0.0	nie	-
BETA0	30.0	nie	-
AGIDL	0.0	nie	-
BGIDL	2.3e9	nie	-
CGIDL	0.5	nie	-
EGIDL	0.8	nie	-
AIGBACC	0.43	nie	-
BIGBACC	0.054	nie	-
CIGBACC	0.075	nie	-
NIGBACC	1.0	nie	-
AIGBINV	0.35	nie	-
BIGBINV	0.03	nie	-
CIGBINV	0.006	nie	-
EIGBINV	1.1	nie	-
NIGBINV	3.0	nie	-
AIGC	-99.0	nie	-
BIGC	-99.0	nie	-
CIGC	-99.0	nie	-
AIGSD	-99.0	nie	-
BIGSD	-99.0	nie	-
CIGSD	-99.0	nie	-
DLCIG	0.0	nie	-
NIGC	1.0	nie	-
POXEDGE	1.0	nie	-
PIGCD	1.0	nie	-
NTOX	1.0	nie	-
TOXREF	3.0e-9	nie	-
XPART	0.4	nie	-
CGS0	0.0	nie	-
CGD0	0.0	nie	-
CGB0	0.0	nie	-
CGSL	0.0	nie	-
CGDL	0.0	nie	-
CKAPPAS	0.6	nie	-
CKAPPAD	0.6	nie	-
CF	-99.0	nie	-
CLC	1.0e-7	nie	-
CLE	0.6	nie	-
DLC	0.0	nie	-
DWC	0.0	nie	-
VFBCV	-1.0	nie	-
NOFF	1.0	nie	-
VOFFCV	0.0	nie	-
ACDE	1.0	nie	-
MOIN	15.0	nie	-
XRCRG1	12.0	nie	-
XRCRG2	1.0	nie	-
RBPB	50.0	nie	-
RBPD	50.0	nie	-
RBPS	50.0	nie	-
RBDB	50.0	nie	-
RBSB	50.0	nie	-
GBMIN	1.0e-12	nie	-
DMCG	0.0	nie	-
DMCI	0.0	nie	-
DMDG	0.0	nie	-
DMCGT	0.0	nie	-
NF	1.0	nie	-
DWJ	0.0	nie	-
MIN	0.0	nie	-
XGW	0.0	nie	-
XGL	0.0	nie	-
XL	0.0	nie	-
XW	0.0	nie	-
NGCON	1.0	nie	-
IJTHSREV	0.1	nie	-
IJTHDREV	0.1	nie	-
IJTHSFWD	0.1	nie	-
IJTHDFWD	0.1	nie	-
XJBVS	1.0	nie	-
XJBVD	1.0	nie	-
BVS	10.0	nie	-
BVD	10.0	nie	-
JSS	1.0e-4	nie	-
JSD	1.0e-4	nie	-
JSWS	0.0	nie	-
JSWD	0.0	nie	-
JSWGS	0.0	nie	-
JSWGD	0.0	nie	-
CJS	5.0e-4	nie	-
CJD	5.0e-4	nie	-
MJS	0.5	nie	-
MJD	0.5	nie	-
MJSWS	0.33	nie	-
MJSWD	0.33	nie	-
CJSWS	5.0e-10	nie	-
CJSWD	5.0e-10	nie	-
CJSWGS	5.0e-10	nie	-
CJSWGD	5.0e-10	nie	-
MJSWGS	0.33	nie	-
MJSWGD	0.33	nie	-
PBS	1.0	nie	-
PBD	1.0	nie	-
PBSWS	1.0	nie	-
PBSWD	1.0	nie	-
PBSWGS	1.0	nie	-
PBSWGD	1.0	nie	-
TNOM	27	nie	-
UTE	-1.5	nie	-
KT1	-0.11	nie	-
KT1L	0.0	nie	-
KT2	0.022	nie	-
UA1	1.0e-9	nie	-
UB1	-1.0e-18	nie	-
UC1	-99.0	nie	-
AT	3.3e4	nie	-
PRT	0.0	nie	-
NJS	1.0	nie	-
NJD	1.0	nie	-
XTIS	3.0	nie	-
XTID	3.0	nie	-
TPB	0.0	nie	-
TPBSW	0.0	nie	-
TPBSWG	0.0	nie	-
TCJ	0.0	nie	-
TCJSW	0.0	nie	-
TCJSWG	0.0	nie	-
SA	0.0	nie	-
SB	0.0	nie	-
SD	0.0	nie	-
SAREF	1e-6	nie	-
SBREF	1e-6	nie	-
WLOD	0.0	nie	-
KU0	0.0	nie	-
KVSAT	0.0	nie	-
TKU0	0.0	nie	-
LKU0	0.0	nie	-
WKU0	0.0	nie	-
PKU0	0.0	nie	-
LLODKU0	0.0	nie	-
WLODKU0	0.0	nie	-
KVTH0	0.0	nie	-
LKVTH0	0.0	nie	-
WKVTH0	0.0	nie	-
PKVTH0	0.0	nie	-
LLODVTH	0.0	nie	-
WLODVTH	0.0	nie	-
STK2	0.0	nie	-
LODK2	1.0	nie	-
STETA0	0.0	nie	-
LODETA0	1.0	nie	-
WL	0.0	nie	-
WLN	1.0	nie	-
WW	0.0	nie	-
WWN	1.0	nie	-
WWL	0.0	nie	-
LL	0.0	nie	-
LLN	1.0	nie	-
LW	0.0	nie	-
LWN	1.0	nie	-
LWL	0.0	nie	-
LLC	0.0	nie	-
LWC	0.0	nie	-
LWLC	0.0	nie	-
WLC	0.0	nie	-
WWC	0.0	nie	-
WWLC	0.0	nie	-
NTNOI	1.0	nie	-
KF	0.0	nie	-
AF	1.0	nie	-
EF	1.0	nie	-
TEMP	27	nie	-

Npn Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	npn HICUM L0 v1.2
Opis	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Właściwości	94
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	npn	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nie	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nie	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nie	high-injection correction factor
ahq	0	nie	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nie	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nie	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nie	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nie	TC of iqf
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nie	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Pnp Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	pnp HICUM L0 v1.2
Opis	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Właściwości	94
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pnp	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nie	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nie	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nie	high-injection correction factor
ahq	0	nie	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nie	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nie	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nie	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nie	TC of iqf
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nie	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Npn Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	npn HICUM L0 v1.2g
Opis	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Właściwości	99
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	npn	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nie	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nie	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	nie	high-injection roll-off current
ahq	0.0	nie	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nie	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nie	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nie	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100.0	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100.0	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100.0	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nie	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	nie	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	nie	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	nie	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	nie	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	nie	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	nie	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Pnp Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	pnp HICUM L0 v1.2g
Opis	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Właściwości	99
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pnp	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nie	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nie	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	nie	high-injection roll-off current
ahq	0.0	nie	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nie	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nie	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nie	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100.0	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100.0	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100.0	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nie	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	nie	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	nie	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	nie	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	nie	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	nie	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	nie	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Npn Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	npn HICUM L0 v1.3
Opis	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Właściwości	102
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	npn	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	nie	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nie	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	nie	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nie	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nie	high-injection correction factor
ahq	0	nie	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nie	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nie	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nie	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nie	TC of iqf
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nie	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	nie	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	nie	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	nie	TC of AVER
dvgbe	0.0	nie	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	nie	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	nie	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Pnp Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	pnp HICUM L0 v1.3
Opis	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Właściwości	102
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	pnp	tak	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nie	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	nie	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	nie	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nie	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nie	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	nie	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	nie	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nie	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nie	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nie	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nie	high-injection correction factor
ahq	0	nie	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nie	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nie	BE non-ideality factor
ires	0.0	nie	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nie	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nie	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nie	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nie	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nie	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nie	BE exponent factor
aje	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nie	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nie	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nie	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nie	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nie	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nie	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nie	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nie	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nie	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nie	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nie	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nie	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nie	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nie	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nie	BC exponent factor
vptci	100	nie	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nie	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nie	External BC exponent factor
vptcx	100	nie	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nie	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nie	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nie	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nie	Geometry factor
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nie	SC saturation current (A)
msc	1.0	nie	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nie	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nie	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nie	External SC exponent factor
vpts	100	nie	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nie	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nie	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nie	Exponent factor
kavl	0.0	nie	Prefactor
kf	0.0	nie	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nie	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nie	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nie	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nie	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nie	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nie	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nie	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nie	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nie	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nie	TC of iqf
alkav	0.0	nie	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nie	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nie	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	nie	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	nie	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	nie	TC of AVER
dvgbe	0.0	nie	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	nie	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	nie	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	nie	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nie	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nie	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Hicum L2 V2.23¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	HICUM L2 v2.23
Opis	HICUM Level 2 v2.23 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p23`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Właściwości	114
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
c10	2.0E-30	nie	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nie	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nie	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	nie	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nie	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nie	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	nie	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nie	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nie	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nie	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nie	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nie	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nie	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nie	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nie	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nie	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nie	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nie	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nie	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nie	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nie	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nie	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nie	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nie	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nie	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nie	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nie	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nie	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nie	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nie	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nie	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nie	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nie	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nie	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nie	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nie	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nie	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nie	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nie	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nie	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nie	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nie	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nie	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nie	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nie	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nie	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nie	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nie	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nie	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nie	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nie	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nie	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nie	C-S grading coefficient
vpts	100	nie	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nie	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nie	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nie	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nie	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nie	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nie	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nie	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nie	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nie	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	nie	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nie	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	nie	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nie	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	nie	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	nie	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nie	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
af	2.0	nie	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nie	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nie	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nie	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nie	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nie	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nie	wykładnik temperaturowy wewnętrznej rezystancji bazy
zetarbx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji bazy
zetarcx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji kolektora
zetare	0.0	nie	wykładnik temperaturowy rezystancji emitera
zetacx	1.0	nie	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nie	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	nie	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nie	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nie	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nie	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	nie	temperatura symulacji

Hicum L2 V2.24¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	HICUM L2 v2.24
Opis	HICUM Level 2 v2.24 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p24`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Właściwości	114
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
c10	2.0E-30	nie	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nie	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nie	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	nie	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nie	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nie	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	nie	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nie	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nie	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nie	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nie	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nie	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nie	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nie	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nie	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nie	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nie	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nie	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nie	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nie	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nie	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nie	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nie	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nie	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nie	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nie	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nie	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nie	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nie	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nie	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nie	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nie	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nie	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nie	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nie	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nie	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nie	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nie	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nie	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nie	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nie	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nie	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nie	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nie	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nie	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nie	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nie	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nie	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nie	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nie	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nie	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nie	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nie	C-S grading coefficient
vpts	100	nie	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nie	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nie	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nie	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nie	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nie	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nie	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nie	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nie	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nie	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	nie	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nie	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	nie	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nie	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	nie	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	nie	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nie	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
af	2.0	nie	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nie	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nie	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nie	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nie	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nie	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nie	wykładnik temperaturowy wewnętrznej rezystancji bazy
zetarbx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji bazy
zetarcx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji kolektora
zetare	0.0	nie	wykładnik temperaturowy rezystancji emitera
zetacx	1.0	nie	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nie	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	nie	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nie	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nie	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nie	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	nie	temperatura symulacji

Hicum L2 V2.31¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	HICUM L2 V2.31
Opis	hicumL2V2p31n verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p31n`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	hicumL2V2p31n
Właściwości	129
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
c10	2.0E-30	nie	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nie	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nie	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hf0	1.0	nie	Weight factor for the low current minority charge
hfe	1.0	nie	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nie	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nie	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
ahjei	0.0	nie	Parameter describing the slope of hjEi(VBE)
rhjei	1.0	nie	Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage
hjci	1.0	nie	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nie	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nie	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nie	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nie	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nie	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nie	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nie	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nie	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nie	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nie	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nie	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nie	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nie	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nie	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nie	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nie	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nie	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nie	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nie	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nie	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nie	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nie	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nie	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nie	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nie	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nie	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nie	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nie	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nie	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nie	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nie	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nie	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nie	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nie	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nie	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nie	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nie	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nie	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nie	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nie	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nie	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nie	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nie	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nie	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nie	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nie	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nie	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nie	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nie	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nie	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nie	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nie	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nie	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nie	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nie	C-S grading coefficient
vpts	100	nie	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nie	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nie	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nie	Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nie	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nie	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nie	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nie	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nie	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nie	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nie	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nie	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	nie	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nie	Storage time for inverse operation (s)
vcbar	0.0	nie	Barrier voltage (V)
icbar	0.0	nie	Normalization parameter (A)
acbar	0.01	nie	Smoothing parameter for barrier voltage
delck	2.0	nie	fitting factor for critical current
cbepar	0.0	nie	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nie	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.167	nie	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.333	nie	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nie	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nie	współczynnik szumów migotania
af	2.0	nie	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nie	Flag for determining where to tag the flicker noise source
flcono	0	nie	Flag for turning on and off of correlated noise implementation
kfre	0.0	nie	Emitter resistance flicker noise coefficient
afre	2.0	nie	Emitter resistance flicker noise exponent factor
latb	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nie	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nie	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nie	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nie	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nie	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nie	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nie	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nie	wykładnik temperaturowy wewnętrznej rezystancji bazy
zetarbx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji bazy
zetarcx	0.0	nie	wykładnik temperaturowy zewnętrznej rezystancji kolektora
zetare	0.0	nie	wykładnik temperaturowy rezystancji emitera
zetacx	1.0	nie	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nie	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nie	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nie	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nie	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nie	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nie	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nie	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nie	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
dvgbe	0	nie	Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V)
zetahjei	1	nie	Temperature coefficient for ahjEi
zetavgbe	1	nie	Temperature coefficient for hjEi0
flsh	0	nie	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nie	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	nie	Temperature coefficient for Rth
alrth	0.0	nie	First order relative TC of parameter Rth (1/K)
cth	0.0	nie	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nie	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nie	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nie	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	nie	temperatura symulacji

Photodiode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Photodiode
Opis	Photodiode verilog device
Schematic entry	`photodiode`
Netlist entry	`PD`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	photodiode
Właściwości	23
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
N	1.35	nie	photodiode emission coefficient
Rseries	1e-3	nie	series lead resistance (Ohm)
Is	0.34e-12	nie	diode dark current (A)
Bv	60	nie	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	nie	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	0.7	nie	junction potential (V)
Cj0	60e-12	nie	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	nie	grading coefficient
Area	1.0	nie	diode relative area
Tnom	26.85	nie	parameter measurement temperature (Celsius)
Fc	0.5	nie	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	10e-9	nie	transit time (s)
Xti	3.0	nie	współćzynnik temepraturowy prądu nasycenia
Eg	1.16	nie	energy gap (eV)
Responsivity	0.5	nie	responsivity (A/W)
Rsh	5e8	nie	shunt resistance (Ohm)
QEpercent	80	nie	quantum efficiency (%)
Lambda	900	nie	light wavelength (nm)
LEVEL	1	nie	responsivity calculator selector
Kf	1e-12	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1.0	nie	flicker noise exponent
Ffe	1.0	nie	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Phototransistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Phototransistor
Opis	Phototransistor verilog device
Schematic entry	`phototransistor`
Netlist entry	`PT`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	phototransistor
Właściwości	30
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Bf	100	nie	beta w kierunku przewodzenia
Br	0.1	nie	beta w kierunku zaporowym
Is	1e-10	nie	dark current (A)
Nf	1	nie	współczynnik emisji w przód
Nr	1	nie	zaporowy współczynnik emisji
Vaf	100	nie	forward early voltage (V)
Var	100	nie	reverse early voltage (V)
Mje	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza emiter
Vje	0.75	nie	base-emitter junction built-in potential (V)
Cje	1e-12	nie	base-emitter zero-bias depletion capacitance (F)
Mjc	0.33	nie	wykładnik potęgowy złącza baza kolektor
Vjc	0.75	nie	base-collector junction built-in potential (V)
Cjc	2e-12	nie	base-collector zero-bias depletion capacitance (F)
Tr	100n	nie	ideal reverse transit time (s)
Tf	0.1n	nie	ideal forward transit time (s)
Ikf	10	nie	high current corner for forward beta (A)
Ikr	10	nie	high current corner for reverse beta (A)
Rc	10	nie	collector series resistance (Ohm)
Re	1	nie	emitter series resistance (Ohm)
Rb	100	nie	base series resistance (Ohm)
Kf	1e-12	nie	współczynnik szumów migotania
Ffe	1	nie	współczynnik szumów migotania
Af	1	nie	flicker noise exponent
Responsivity	1.5	nie	responsivity at relative selectivity=100% (A/W)
P0	2.6122e3	nie	relative selectivity polynomial coefficient
P1	-1.489e1	nie	relative selectivity polynomial coefficient
P2	3.0332e-2	nie	relative selectivity polynomial coefficient
P3	-2.5708e-5	nie	relative selectivity polynomial coefficient
P4	7.6923e-9	nie	relative selectivity polynomial coefficient
Temp	26.85	nie	temperatura symulacji

Nigbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	NIGBT
Opis	NIGBT verilog device
Schematic entry	`nigbt`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nigbt
Właściwości	19
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Agd	5.0e-6	nie	gate-drain overlap area (m**2)
Area	1.0e-5	nie	area of the device (m**2)
Kp	0.38	nie	MOS transconductance (A/V**2)
Tau	7.1e-6	nie	ambipolar recombination lifetime (s)
Wb	9.0e-5	nie	metallurgical base width (m)
BVf	1.0	nie	avalanche uniformity factor
BVn	4.0	nie	avalanche multiplication exponent
Cgs	1.24e-8	nie	gate-source capacitance per unit area (F/cm**2)
Coxd	3.5e-8	nie	gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2)
Jsne	6.5e-13	nie	emitter saturation current density (A/cm**2)
Kf	1.0	nie	triode region factor
Mun	1.5e-3	nie	electron mobility (cm**2/Vs)
Mup	4.5e-2	nie	hole mobility (cm**2/Vs)
Nb	2.0e14	nie	base doping (1/cm**3)
Theta	0.02	nie	transverse field factor (1/V)
Vt	4.7	nie	threshold voltage (V)
Vtd	1.0e-3	nie	gate-drain overlap depletion threshold (V)
Tnom	26.85	nie	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nie	simulation temperature (Celsius)

Voltage Controlled Resistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Voltage Controlled Resistor
Opis	źródło napięciowe sterowane napięciem
Schematic entry	`vcresistor`
Netlist entry	`VCR`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vcresistor
Właściwości	1
Category	verilog-a devices

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
gain	1	tak	resistance gain

Digital Components¶

Digital Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	źródło cyfrowe
Opis	źródło cyfrowe
Schematic entry	`DigiSource`
Netlist entry	`S`
Typ	Element
Bitmap file	digi_source
Właściwości	4
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Num	1	tak	numer portu
init	low	nie	initial output value [low, high]
times	1ns; 1ns	nie	lista czasów, dla których nastepuje zmiana wartości wyjściowej
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego

inwerter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	inwerter
Opis	inverter logiczny
Schematic entry	`Inv`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	inverter
Właściwości	4
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Or¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-wejściowa bramka OR
Opis	bramka OR
Schematic entry	`OR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	or
Właściwości	5
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
in	2	nie	liczba wejść
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-wejściowa bramka NOR
Opis	bramka NOR
Schematic entry	`NOR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	nor
Właściwości	5
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
in	2	nie	liczba wejść
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port And¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-wejściowa bramka AND
Opis	bramka AND
Schematic entry	`AND`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	and
Właściwości	5
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
in	2	nie	liczba wejść
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nand¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-wejściowa bramka NAND
Opis	bramka NAND
Schematic entry	`NAND`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	nand
Właściwości	5
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
in	2	nie	liczba wejść
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-wejściowa bramka XOR
Opis	bramka XOR
Schematic entry	`XOR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	xor
Właściwości	5
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
in	2	nie	liczba wejść
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xnor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	n-wejściowa bramka XNOR
Opis	bramka XNOR
Schematic entry	`XNOR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	xnor
Właściwości	5
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
in	2	nie	liczba wejść
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

Buffer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Buffer
Opis	logical buffer
Schematic entry	`Buf`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	buffer
Właściwości	4
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
V	1 V	nie	napięcie stanu wysokiego
t	0	nie	czas opóźnienia
TR	10	nie	transfer function scaling factor
Symbol	old	nie	schematic symbol [old, DIN40900]

4X2 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4x2 AndOr
Opis	4x2 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x2`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	andor4x2
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

4X3 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4x3 AndOr
Opis	4x3 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x3`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	andor4x3
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

4X4 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4x4 AndOr
Opis	4x4 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x4`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	andor4x4
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

2To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	2to1 Mux
Opis	2to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux2to1`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	mux2to1
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

4To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4to1 Mux
Opis	4to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux4to1`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	mux4to1
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

8To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	8to1 Mux
Opis	8to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux8to1`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	mux8to1
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

2To4 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	2to4 Demux
Opis	2to4 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux2to4`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	dmux2to4
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

3To8 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	3to8 Demux
Opis	3to8 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux3to8`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	dmux3to8
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

4To16 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4to16 Demux
Opis	4to16 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux4to16`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	dmux4to16
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

1Bit Halfadder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	1Bit HalfAdder
Opis	1bit half adder verilog device
Schematic entry	`ha1b`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	ha1b
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

1Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	1Bit FullAdder
Opis	1bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa1b`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	fa1b
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

2Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	2Bit FullAdder
Opis	2bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa2b`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	fa2b
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

Rs-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Przerzutnik RS
Opis	przerzutnik RS
Schematic entry	`RSFF`
Netlist entry	`Y`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	rsflipflop
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
t	0	nie	czas opóźnienia

D-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Przerzutnik D
Opis	przerzutnik D z asynchronicznym resetem
Schematic entry	`DFF`
Netlist entry	`Y`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	dflipflop
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
t	0	nie	czas opóźnienia

D-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	D-FlipFlop w/ SR
Opis	D flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`dff_SR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	dff_SR
Właściwości	3
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR_H	6	nie	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nie	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nie	cross coupled gate delay (s)

Jk-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Przerzutnik JK
Opis	przerzutnik JK z asynchronicznym resetem i wejściem ustawiania
Schematic entry	`JKFF`
Netlist entry	`Y`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	jkflipflop
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
t	0	nie	czas opóźnienia

Jk-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	JK-FlipFlop w/ SR
Opis	jk flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`jkff_SR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	jkff_SR
Właściwości	3
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR_H	6	nie	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nie	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nie	cross coupled gate delay (s)

T-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	T-FlipFlop w/ SR
Opis	T flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`tff_SR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	tff_SR
Właściwości	3
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR_H	6	nie	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nie	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nie	cross coupled gate delay (s)

Gated D-Latch¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Gated D-Latch
Opis	gated D latch verilog device
Schematic entry	`gatedDlatch`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	gatedDlatch
Właściwości	3
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR_H	6	nie	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nie	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nie	cross coupled gate delay (s)

Logic 0¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Logic 0
Opis	logic 0 verilog device
Schematic entry	`logic_0`
Netlist entry	`S`
Typ	Element
Bitmap file	logic_0
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
LEVEL	0	nie	logic 0 voltage level (V)

Logic 1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Logic 1
Opis	logic 1 verilog device
Schematic entry	`logic_1`
Netlist entry	`S`
Typ	Element
Bitmap file	logic_1
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
LEVEL	1	nie	logic 1 voltage level (V)

2Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	2Bit Pattern
Opis	2bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad2bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	pad2bit
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Number	0	nie	pad output value

3Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	3Bit Pattern
Opis	3bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad3bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	pad3bit
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Number	0	nie	pad output value

4Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4Bit Pattern
Opis	4bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	pad4bit
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Number	0	nie	pad output value

A2D Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	A2D Level Shifter
Opis	data voltage level shifter (analogue to digital) verilog device
Schematic entry	`DLS_nto1`
Netlist entry	`Y`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_nto1
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
LEVEL	5 V	nie	voltage level (V)
Delay	1 ns	nie	time delay (s)

D2A Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	D2A Level Shifter
Opis	data voltage level shifter (digital to analogue) verilog device
Schematic entry	`DLS_1ton`
Netlist entry	`Y`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_1ton
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
LEVEL	5 V	nie	voltage level
Delay	1 ns	nie	time delay (s)

4Bit Bin2Grey¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4Bit Bin2Grey
Opis	4bit binary to grey converter verilog device
Schematic entry	`binarytogrey4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	binarytogrey4bit
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

4Bit Grey2Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4Bit Grey2Bin
Opis	4bit grey to binary converter verilog device
Schematic entry	`greytobinary4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	greytobinary4bit
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

1Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	1Bit Comparator
Opis	1bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_1bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	comp_1bit
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

2Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	2Bit Comparator
Opis	2bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_2bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	comp_2bit
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

4Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4Bit Comparator
Opis	4bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	comp_4bit
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

4Bit Hpri-Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	4Bit HPRI-Bin
Opis	4bit highest priority encoder (binary form) verilog device
Schematic entry	`hpribin4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Element
Bitmap file	hpribin4bit
Właściwości	2
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
TR	6	nie	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	nie	output delay (s)

Vhdl File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Plik VHDL
Opis	Plik VHDL
Schematic entry	`VHDL`
Netlist entry	`X`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File	sub.vhdl	nie	Nazwa pliku VHDL

Verilog File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Plik Verliog
Opis	Plik Verliog
Schematic entry	`Verilog`
Netlist entry	`X`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Właściwości	1
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File	sub.v	nie	NBazwa pliku Verilog

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	symulacja cyfrowa
Opis	symulacja cyfrowa
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Właściwości	3
Category	digital components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	TruthTable	tak	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	nie	czas trwania symulacji TimeList
Model	VHDL	nie	netlist format [VHDL, Verilog]

File Components¶

Spice Netlist¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	netlista w formacie SPICE
Opis	plik netlisty SPICE
Schematic entry	`SPICE`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spicefile
Właściwości	4
Category	file components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File		tak	x
Ports		nie	x
Sim	tak	nie	x
Preprocessor	none	nie	x

1-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	plik z parameterami S jednowrotnika
Opis	plik z parametrami S
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spfile1
Właściwości	5
Category	file components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File	test.s1p	tak	nazwa pliku z parametrami S
Dane	rectangular	nie	data type [rectangular, polar]
Interpolator	liniowo	nie	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	nie	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	1	nie	liczba portów

2-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	plik z parameterami S dwuwrotnika
Opis	plik z parametrami S
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spfile2
Właściwości	5
Category	file components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File	test.s2p	tak	nazwa pliku z parametrami S
Dane	rectangular	nie	data type [rectangular, polar]
Interpolator	liniowo	nie	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	nie	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	2	nie	liczba portów

N-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	plik z parametrami S n-wrotnika
Opis	plik z parametrami S
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spfile3
Właściwości	5
Category	file components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File	test.s3p	tak	nazwa pliku z parametrami S
Dane	rectangular	nie	data type [rectangular, polar]
Interpolator	liniowo	nie	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	nie	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	3	nie	liczba portów

Podukład¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Podukład
Opis	podukład
Schematic entry	`Sub`
Netlist entry	`SUB`
Typ	Element
Bitmap file	podukład
Właściwości	1
Category	file components

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
File		nie	nazwa pliku ze schematem programu qucs

Simulations¶

Dc Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	symulacja dc
Opis	symulacja dc
Schematic entry	`.DC`
Netlist entry	`DC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dc
Właściwości	9
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
reltol	0.001	nie	tolerancja względna dla konwergencji
abstol	1 pA	nie	tolerancja absolutna dla prądów
vntol	1 uV	nie	tolerancja absolutna dla napięć
saveOPs	nie	nie	put operating points into dataset [yes, no]
MaxIter	150	nie	maksymalna liczba iteracji
saveAll	nie	nie	save subcircuit nodes into dataset [yes, no]
convHelper	none	nie	preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping]
Solver	CroutLU	nie	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]

Transient Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Symulacja czasowa
Opis	symulacja czasowa
Schematic entry	`.TR`
Netlist entry	`TR`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tran
Właściwości	20
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	lin	tak	sweep type [lin, log, list, const]
Start	0	tak	czas początkowy w sekundach
Stop	1 ms	tak	czas końcowy w sekundach
Points	11	nie	liczba kroków symulacji
IntegrationMethod	Trapezoidal	nie	integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton]
Order	2	nie	order of integration method (1-6)
InitialStep	1 ns	nie	krok początkowy w sekundach
MinStep	1e-16	nie	minimalny krok w sekundach
MaxIter	150	nie	maksymalna liczba iteracji
reltol	0.001	nie	tolerancja względna dla konwergencji
abstol	1 pA	nie	tolerancja absolutna dla prądów
vntol	1 uV	nie	tolerancja absolutna dla napięć
Temp	26.85	nie	temeperatura szmulacji w stopniach Celsjusza
LTEreltol	1e-3	nie	relatywna tolerancja błedu zaokragleń
LTEabstol	1e-6	nie	absolutna tolerancja błedu zaokragleń
LTEfactor	1	nie	przeszacowanie błedu zaokrąglenia
Solver	CroutLU	nie	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]
relaxTSR	nie	nie	relax time step raster [no, yes]
initialDC	tak	nie	perform an initial DC analysis [yes, no]
MaxStep	0	nie	maksymalny krok czasu w sekundach

Ac Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Symulacja ac
Opis	Symulacja ac
Schematic entry	`.AC`
Netlist entry	`AC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ac
Właściwości	5
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	lin	tak	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	tak	częstotliwość początkowa w Hertz’ach
Stop	10 GHz	tak	częstotliwość końcowa w Hertz’ach
Points	19	tak	liczba kroków symulacji
Noise	nie	nie	calculate noise voltages [yes, no]

S-Parameter Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Symulacja parametrów S
Opis	symulacja parametrów S
Schematic entry	`.SP`
Netlist entry	`SP`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	sparameter
Właściwości	9
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	lin	tak	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	tak	częstotliwość początkowa w Hertz’ach
Stop	10 GHz	tak	częstotliwość końcowa w Hertz’ach
Points	19	tak	liczba kroków symulacji
Noise	nie	nie	calculate noise parameters [yes, no]
NoiseIP	1	nie	podaj port wejściowy do wspołczynnika szumów
NoiseOP	2	nie	podaj port wyjściowy do wspołczynnika szumów
saveCVs	nie	nie	put characteristic values into dataset [yes, no]
saveAll	nie	nie	save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no]

Harmonic Balance¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Bilans harmonicznych
Opis	Symulacja bilansu harmonicznych
Schematic entry	`.HB`
Netlist entry	`HB`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	hb
Właściwości	6
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
f	1 GHz	nie	częstotliwość w Hertz’ach
n	4	tak	liczba harmonicznych
iabstol	1 pA	nie	tolerancja absolutna dla prądów
vabstol	1 uV	nie	tolerancja absolutna dla napięć
reltol	0.001	nie	tolerancja względna dla konwergencji
MaxIter	150	nie	maksymalna liczba iteracji

Parameter Sweep¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Przemiatanie parametrów
Opis	Przemiatanie parametrów
Schematic entry	`.SW`
Netlist entry	`SW`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	sweep
Właściwości	6
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Sim		tak	symulacja do wykonania przemiatania
Typ	lin	tak	sweep type [lin, log, list, const]
Param	R1	tak	parametr do przemiatania
Start	5 Ohm	tak	wartość początkowa przemiatania
Stop	50 Ohm	tak	wartość końcowa przemiatania
Points	20	tak	liczba kroków symulacji

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	symulacja cyfrowa
Opis	symulacja cyfrowa
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Właściwości	3
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Typ	TruthTable	tak	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	nie	czas trwania symulacji TimeList
Model	VHDL	nie	netlist format [VHDL, Verilog]

Optymalizacja¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Wartość
Caption	Optymalizacja
Opis	Optymalizacja
Schematic entry	`.Opt`
Netlist entry	`Opt`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	optimize
Właściwości	2
Category	simulations

Parametry elementu¶

Default Parameters
Nazwa	Wartość	Display	Opis
Sim		nie
DE	3\|50\|2\|20\|0.85\|1\|3\|1e-6\|10\|100	nie