Component Reference¶

Lumped Components¶

Resistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Resistor
Descrição	resistor
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	resistor
Propriedades	6
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
R	50 Ohm	sim	resistência ôhmica em Ohms
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tc1	0.0	não	first order temperature coefficient
Tc2	0.0	não	second order temperature coefficient
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Symbol	european	não	schematic symbol [european, US]

Resistor Us¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Resistor US
Descrição	resistor
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	resistor_us
Propriedades	6
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
R	50 Ohm	sim	resistência ôhmica em Ohms
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tc1	0.0	não	first order temperature coefficient
Tc2	0.0	não	second order temperature coefficient
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Symbol	US	não	schematic symbol [european, US]

Capacitor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Capacitor
Descrição	capacitor
Schematic entry	`C`
Netlist entry	`C`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	capacitor
Propriedades	3
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
C	1 pF	sim	capacitância em Farad
V		não	tensão inicial para simulação transiente
Symbol	neutral	não	schematic symbol [neutral, polar]

Indutor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Indutor
Descrição	indutor
Schematic entry	`L`
Netlist entry	`L`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	indutor
Propriedades	2
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L	1 nH	sim	indutância em Henry
I		não	corrente inicial para simulação transiente

Terra¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Terra
Descrição	terra (potencial de referência)
Schematic entry	`GND`
Netlist entry
Tipo	Componente
Bitmap file	gnd
Propriedades	0
Category	componentes agrupados

Porta do Subcircuito¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Porta do Subcircuito
Descrição	porta de um subcircuito
Schematic entry	`Port`
Netlist entry	`P`
Tipo	Componente
Bitmap file	subport
Propriedades	2
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Num	1	sim	número de portas dentro do subcircuito
Tipo	analog	não	type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout]

Transformador¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Transformador
Descrição	transformador ideal
Schematic entry	`Tr`
Netlist entry	`Tr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	transformer
Propriedades	1
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
T	1	sim	relação de transformação de tensão

Symmetric Transformer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	symmetric Transformer
Descrição	transformador simétrico ideal
Schematic entry	`sTr`
Netlist entry	`Tr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	symtrans
Propriedades	2
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
T1	1	sim	voltage transformation ratio of coil 1
T2	1	sim	voltage transformation ratio of coil 2

Dc Block¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	dc Block
Descrição	dc block
Schematic entry	`DCBlock`
Netlist entry	`C`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	dcblock
Propriedades	1
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
C	1 uF	não	para simulação transiente: capacitância em Farad

Dc Feed¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	dc Feed
Descrição	dc feed
Schematic entry	`DCFeed`
Netlist entry	`L`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	dcfeed
Propriedades	1
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L	1 uH	não	para simulação transiente: indutância em Henry

Bias T¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Bias T
Descrição	bias t
Schematic entry	`BiasT`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	biast
Propriedades	2
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L	1 uH	não	para simulação transiente: indutância em Henry
C	1 uF	não	para simulação transiente: capacitância em Farad

Atenuador¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Atenuador
Descrição	atenuador
Schematic entry	`Attenuator`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	atenuador
Propriedades	3
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L	10 dB	sim	atenuação de potência
Zref	50 Ohm	não	mpedância de referência
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Amplificador¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Amplificador
Descrição	amplificador ideal
Schematic entry	`Amp`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	amplifier
Propriedades	4
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
G	10	sim	ganho de tensão
Z1	50 Ohm	não	impedância de referência da porta de entrada
Z2	50 Ohm	não	impedância de referência da porta de saída
NF	0 dB	não	figura de ruído

Isolador¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Isolador
Descrição	isolador
Schematic entry	`Isolator`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	isolador
Propriedades	3
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Z1	50 Ohm	não	impedância de referência da porta de entrada
Z2	50 Ohm	não	impedância de referência da porta de saída
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Circulador¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Circulador
Descrição	circulador
Schematic entry	`Circulator`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	circulador
Propriedades	3
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Z1	50 Ohm	não	impedância de referência da porta 1
Z2	50 Ohm	não	impedância de referência da porta 2
Z3	50 Ohm	não	impedância de referência da porta 3

Gyrator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Gyrator
Descrição	gyrator (inversor de impedância)
Schematic entry	`Gyrator`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	gyrator
Propriedades	2
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
R	50 Ohm	sim	razão do gyrator
Zref	50 Ohm	não	mpedância de referência

Deslocador de Fase¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Deslocador de Fase
Descrição	deslocador de fase
Schematic entry	`PShift`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pshifter
Propriedades	2
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
phi	90	sim	deslocador de fase em graus
Zref	50 Ohm	não	mpedância de referência

Acoplador¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Acoplador
Descrição	acoplador ideal
Schematic entry	`Coupler`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	coupler
Propriedades	3
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
k	0.7071	sim	fator de acoplamento
phi	180	sim	mudança de fase do caminho de acoplamento em grau
Z	50 Ohm	não	mpedância de referência

Hybrid¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Hybrid
Descrição	hybrid (unsymmetrical 3dB coupler)
Schematic entry	`Hybrid`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	hybrid
Propriedades	2
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
phi	90	sim	deslocador de fase em graus
Zref	50 Ohm	não	mpedância de referência

Ponteira de Corrente¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Ponteira de Corrente
Descrição	ponteira de corrente
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Propriedades	0
Category	componentes agrupados

Ponteira de Tensão¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Ponteira de Tensão
Descrição	ponteira de tensão
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Propriedades	0
Category	componentes agrupados

Mutual Inductors¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Mutual Inductors
Descrição	two mutual inductors
Schematic entry	`MUT`
Netlist entry	`Tr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mutual
Propriedades	3
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L1	1 mH	não	inductance of coil 1
L2	1 mH	não	inductance of coil 2
k	0.9	não	coupling factor between coil 1 and 2

3 Mutual Inductors¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	3 Mutual Inductors
Descrição	three mutual inductors
Schematic entry	`MUT2`
Netlist entry	`Tr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mutual2
Propriedades	6
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L1	1 mH	não	inductance of coil 1
L2	1 mH	não	inductance of coil 2
L3	1 mH	não	inductance of coil 3
k12	0.9	não	coupling factor between coil 1 and 2
k13	0.9	não	coupling factor between coil 1 and 3
k23	0.9	não	coupling factor between coil 2 and 3

N Mutual Inductors¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	N Mutual Inductors
Descrição	several mutual inductors
Schematic entry	`MUTX`
Netlist entry	`Tr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mutualx
Propriedades	11
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
coils	4	não	number of mutual inductances
L1	1 mH	não	inductance of coil 1
L2	1 mH	não	inductance of coil 2
L3	1 mH	não	inductance of coil 3
L4	1 mH	não	inductance of coil 4
k12	0.9	não	coupling factor between coil 1 and coil 2
k13	0.9	não	coupling factor between coil 1 and coil 3
k14	0.9	não	coupling factor between coil 1 and coil 4
k23	0.9	não	coupling factor between coil 2 and coil 3
k24	0.9	não	coupling factor between coil 2 and coil 4
k34	0.9	não	coupling factor between coil 3 and coil 4

Switch¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Switch
Descrição	switch (time controlled)
Schematic entry	`Switch`
Netlist entry	`S`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	switch
Propriedades	6
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
init	off	não	initial state [on, off]
time	1 ms	não	time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated)
Ron	0	não	resistance of “on” state in ohms
Roff	1e12	não	resistance of “off” state in ohms
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
MaxDuration	1e-6	não	Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number)

Relay¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Relay
Descrição	relay
Schematic entry	`Relais`
Netlist entry	`S`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	relais
Propriedades	5
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Vt	0.5 V	não	threshold voltage in Volts
Vh	0.1 V	não	hysteresis voltage in Volts
Ron	0	não	resistance of “on” state in Ohms
Roff	1e12	não	resistance of “off” state in Ohms
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Equation Defined Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Equation Defined RF Device
Descrição	equation defined RF device
Schematic entry	`RFEDD`
Netlist entry	`RF`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Propriedades	7
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	Y	não	type of parameters [Y, Z, S]
Ports	2	não	number of ports
duringDC	open	não	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	não	parameter equation 11
P12	0	não	parameter equation 12
P21	0	não	parameter equation 21
P22	0	não	parameter equation 22

Equation Defined 2-Port Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Equation Defined 2-port RF Device
Descrição	equation defined 2-port RF device
Schematic entry	`RFEDD2P`
Netlist entry	`RF`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Propriedades	6
Category	componentes agrupados

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	Y	não	type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T]
duringDC	open	não	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	não	parameter equation 11
P12	0	não	parameter equation 12
P21	0	não	parameter equation 21
P22	0	não	parameter equation 22

Sources¶

Dc Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Tensão cc
Descrição	fonte ideal de tensão cc
Schematic entry	`Vdc`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	dc_voltage
Propriedades	1
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
U	1 V	sim	tensão em Volts

Dc Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Corrente dc
Descrição	fonte ideal de corrente dc
Schematic entry	`Idc`
Netlist entry	`I`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	dc_current
Propriedades	1
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
I	1 mA	sim	corrente em Amperes

Ac Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Tensão ca
Descrição	fonte ideal de tensão ca
Schematic entry	`Vac`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	ac_voltage
Propriedades	4
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
U	1 V	sim	tensão pico em Volts
f	1 GHz	não	freqüência em Hertz
Phase	0	não	fase initial em graus
Theta	0	não	fator de amortecimento (simulação transitória apenas)

Ac Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Corrente ca
Descrição	fonte de corrente ca ideal
Schematic entry	`Iac`
Netlist entry	`I`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	ac_current
Propriedades	4
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
I	1 mA	sim	corrente pico em Ampere
f	1 GHz	não	freqüência em Hertz
Phase	0	não	fase initial em graus
Theta	0	não	fator de amortecimento (simulação transitória apenas)

Fonte de Potência¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Potência
Descrição	fonte de potência ca
Schematic entry	`Pac`
Netlist entry	`P`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	source
Propriedades	5
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Num	1	sim	número de portas
Z	50 Ohm	sim	impedância da porta
P	0 dBm	não	(available) ac power in Watts
f	1 GHz	não	freqüência em Hertz
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Fonte de Tensão de Ruído¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Tensão de Ruído
Descrição	fonte de tensão de ruído
Schematic entry	`Vnoise`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	noise_volt
Propriedades	4
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
u	1e-6	sim	voltage power spectral density in V^2/Hz
e	0	não	Expoente freqüência
c	1	não	Coeficiente freqüência
a	0	não	Termo aditivo freqüência

Fonte the Corrente de Ruído¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte the Corrente de Ruído
Descrição	fonte de corrente de ruído
Schematic entry	`Inoise`
Netlist entry	`I`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	noise_current
Propriedades	4
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
i	1e-6	sim	densidade espectral de potência de corrente em A^2/Hz
e	0	não	Expoente freqüência
c	1	não	Coeficiente freqüência
a	0	não	Termo aditivo freqüência

Fonte de Corrente Controlada por Tensão¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Corrente Controlada por Tensão
Descrição	fonte de corrente controlada por tensão
Schematic entry	`VCCS`
Netlist entry	`SRC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vccs
Propriedades	2
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
G	1 S	sim	forward transconductance
T	0	não	tempo de atraso

Fonte de Corrente Controlada por Corrente¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Corrente Controlada por Corrente
Descrição	fonte de corrente controlada por corrente
Schematic entry	`CCCS`
Netlist entry	`SRC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	cccs
Propriedades	2
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
G	1	sim	fator de transferência direta
T	0	não	tempo de atraso

Fonte de Tensão Controlada por Tensão¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Tensão Controlada por Tensão
Descrição	fonte de tensão controlada por tensão
Schematic entry	`VCVS`
Netlist entry	`SRC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vcvs
Propriedades	2
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
G	1	sim	fator de transferência direta
T	0	não	tempo de atraso

Fonte de Tensão Controlada por Corrente¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Tensão Controlada por Corrente
Descrição	fonte de tensão controlada por corrente
Schematic entry	`CCVS`
Netlist entry	`SRC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	ccvs
Propriedades	2
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
G	1 Ohm	sim	fator de transferência direta
T	0	não	tempo de atraso

Pulso de Tensão¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Pulso de Tensão
Descrição	ideal voltage pulse source
Schematic entry	`Vpulse`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vpulse
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
U1	0 V	sim	voltage before and after the pulse
U2	1 V	sim	voltage of the pulse
T1	0	sim	start time of the pulse
T2	1 ms	sim	ending time of the pulse
Tr	1 ns	não	rise time of the leading edge
Tf	1 ns	não	fall time of the trailing edge

Pulso de Corrente¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Pulso de Corrente
Descrição	fonte de pulso de corrente ideal
Schematic entry	`Ipulse`
Netlist entry	`I`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	ipulse
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
I1	0	sim	corrente antes e depois do pulso
I2	1 A	sim	corrente durante pulso
T1	0	sim	start time of the pulse
T2	1 ms	sim	ending time of the pulse
Tr	1 ns	não	rise time of the leading edge
Tf	1 ns	não	fall time of the trailing edge

Rectangle Voltage¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Rectangle Voltage
Descrição	ideal rectangle voltage source
Schematic entry	`Vrect`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vrect
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
U	1 V	sim	voltage of high signal
TH	1 ms	sim	duração dos pulsos altos
TL	1 ms	sim	duração dos pulsos baixos
Tr	1 ns	não	rise time of the leading edge
Tf	1 ns	não	fall time of the trailing edge
Td	0 ns	não	tempo de atraso inicial

Rectangle Current¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Rectangle Current
Descrição	fonte de corrente ideal retangular
Schematic entry	`Irect`
Netlist entry	`I`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	irect
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
I	1 mA	sim	corrente em pulso alto
TH	1 ms	sim	duração dos pulsos altos
TL	1 ms	sim	duração dos pulsos baixos
Tr	1 ns	não	rise time of the leading edge
Tf	1 ns	não	fall time of the trailing edge
Td	0 ns	não	tempo de atraso inicial

Correlated Noise Sources¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Correlated Noise Sources
Descrição	correlated current sources
Schematic entry	`IInoise`
Netlist entry	`SRC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	noise_ii
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
i1	1e-6	sim	current power spectral density of source 1
i2	1e-6	sim	current power spectral density of source 2
C	0.5	sim	normalized correlation coefficient
e	0	não	Expoente freqüência
c	1	não	Coeficiente freqüência
a	0	não	Termo aditivo freqüência

Correlated Noise Sources¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Correlated Noise Sources
Descrição	correlated current sources
Schematic entry	`VVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	noise_vv
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
v1	1e-6	sim	voltage power spectral density of source 1
v2	1e-6	sim	voltage power spectral density of source 2
C	0.5	sim	normalized correlation coefficient
e	0	não	Expoente freqüência
c	1	não	Coeficiente freqüência
a	0	não	Termo aditivo freqüência

Correlated Noise Sources¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Correlated Noise Sources
Descrição	correlated current sources
Schematic entry	`IVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	noise_iv
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
i1	1e-6	sim	current power spectral density of source 1
v2	1e-6	sim	voltage power spectral density of source 2
C	0.5	sim	normalized correlation coefficient
e	0	não	Expoente freqüência
c	1	não	Coeficiente freqüência
a	0	não	Termo aditivo freqüência

Am Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte modulada AM
Descrição	fonte de tensão ca com modulador de amplitude
Schematic entry	`AM_Mod`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	am_mod
Propriedades	4
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
U	1 V	sim	tensão pico em Volts
f	1 GHz	não	freqüência em Hertz
Phase	0	não	fase initial em graus
m	1.0	não	nível de modulação

Pm Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	PM modulated Source
Descrição	ac voltage source with phase modulator
Schematic entry	`PM_Mod`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pm_mod
Propriedades	4
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
U	1 V	sim	tensão pico em Volts
f	1 GHz	não	freqüência em Hertz
Phase	0	não	fase initial em graus
M	1.0	não	índice de modulação

Exponential Current Pulse¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Exponential Current Pulse
Descrição	exponential current source
Schematic entry	`Iexp`
Netlist entry	`I`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	iexp
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
I1	0	sim	current before rising edge
I2	1 A	sim	maximum current of the pulse
T1	0	sim	start time of the exponentially rising edge
T2	1 ms	sim	start of exponential decay
Tr	1 ns	não	time constant of the rising edge
Tf	1 ns	não	time constant of the falling edge

Pulso de Tensão Exponencial¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Pulso de Tensão Exponencial
Descrição	fonte de tensão exponencial
Schematic entry	`Vexp`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vexp
Propriedades	6
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
U1	0 V	sim	voltage before rising edge
U2	1 V	sim	maximum voltage of the pulse
T1	0	sim	start time of the exponentially rising edge
T2	1 ms	sim	start of exponential decay
Tr	1 ns	não	rise time of the rising edge
Tf	1 ns	não	fall time of the falling edge

File Based Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	File Based Voltage Source
Descrição	file based voltage source
Schematic entry	`Vfile`
Netlist entry	`V`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vfile
Propriedades	5
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo	vfile.dat	sim	nome do arquivo de exemplo
Interpolator	linear	não	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	não	não	repeat waveform [no, yes]
G	1	não	ganho de tensão
T	0	não	tempo de atraso

Fonte de Corrente Baseda em Arquivo¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Fonte de Corrente Baseda em Arquivo
Descrição	file based current source
Schematic entry	`Ifile`
Netlist entry	`I`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	ifile
Propriedades	5
Category	fontes

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo	ifile.dat	sim	nome do arquivo de exemplo
Interpolator	linear	não	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	não	não	repeat waveform [no, yes]
G	1	não	ganho de corrente
T	0	não	tempo de atraso

Probes¶

Ponteira de Corrente¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Ponteira de Corrente
Descrição	ponteira de corrente
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Propriedades	0
Category	ponteiras

Ponteira de Tensão¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Ponteira de Tensão
Descrição	ponteira de tensão
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Propriedades	0
Category	ponteiras

Transmission Lines¶

Linha de Transmissão¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Linha de Transmissão
Descrição	linha de transmissão ideal
Schematic entry	`TLIN`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	tline
Propriedades	4
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Z	50 Ohm	sim	impedância característica
L	1 mm	sim	comprimento elétrico da linha
Alpha	0 dB	não	attenuation factor per length in 1/m
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

4-Terminal Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4-Terminal Transmission Line
Descrição	ideal 4-terminal transmission line
Schematic entry	`TLIN4P`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	tline_4port
Propriedades	4
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Z	50 Ohm	sim	impedância característica
L	1 mm	sim	comprimento elétrico da linha
Alpha	0 dB	não	attenuation factor per length in 1/m
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Coupled Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Coupled Transmission Line
Descrição	coupled transmission lines
Schematic entry	`CTLIN`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	ctline
Propriedades	8
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Ze	50 Ohm	sim	characteristic impedance of even mode
Zo	50 Ohm	sim	characteristic impedance of odd mode
L	1 mm	sim	comprimento elétrico da linha
Ere	1	não	relative dielectric constant of even mode
Ero	1	não	relative dielectric constant of odd mode
Ae	0 dB	não	attenuation factor per length of even mode
Ao	0 dB	não	attenuation factor per length of odd mode
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Par Trançado¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Par Trançado
Descrição	twisted pair transmission line
Schematic entry	`TWIST`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	twistedpair
Propriedades	9
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
d	0.5 mm	sim	diameter of conductor
D	0.8 mm	sim	diameter of wire (conductor and insulator)
L	1.5	sim	physical length of the line
T	100	não	twists per length in 1/m
er	4	não	dielectric constant of insulator
mur	1	não	permeabilidade relativa do condutor
rho	0.022e-6	não	resistência específica do condutor
tand	4e-4	não	tangente de perda
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Linha Coaxial¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Linha Coaxial
Descrição	linha de transmissão coaxial
Schematic entry	`COAX`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	coaxial
Propriedades	8
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
er	2.29	sim	permitividade relativa do dielétrico
rho	0.022e-6	não	resistência específica do condutor
mur	1	não	permeabilidade relativa do condutor
D	2.95 mm	não	diâmetro interno da blindagem
d	0.9 mm	não	diâmetro do condutor interno
L	1500 mm	sim	comprimento mecânico da linha
tand	4e-4	não	tangente de perda
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Guia de Onda Retangular¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Guia de Onda Retangular
Descrição	Guia de Onda Retangular
Schematic entry	`RECTLINE`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	rectline
Propriedades	9
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
a	2.95 mm	sim	widest side
b	0.9 mm	sim	shortest side
L	1500 mm	sim	comprimento mecânico da linha
er	1	não	permitividade relativa do dielétrico
mur	1	não	permeabilidade relativa do condutor
tand	0	não	tangente de perda
rho	0.022e-6	não	resistência específica do condutor
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Material	unspecified	não	material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold]

Rlcg Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	RLCG Transmission Line
Descrição	RLCG transmission line
Schematic entry	`RLCG`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	rlcg
Propriedades	6
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
R	0.0	não	resistive load (Ohm/m)
L	0.6e-6	sim	inductive load (H/m)
C	240e-12	sim	capacitive load (F/m)
G	0.0	não	conductive load (S/m)
Comprimento	1 mm	sim	comprimento elétrico da linha
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Substrato¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Substrato
Descrição	definição do substrato
Schematic entry	`SUBST`
Netlist entry	`Subst`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	substrato
Propriedades	6
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
er	9.8	sim	permissividade relativa
h	1 mm	sim	espessura em metros
t	35 um	sim	espessira da metalização
tand	2e-4	sim	tangente de perda
rho	0.022e-6	sim	resistência específica do metal
D	0.15e-6	sim	rugosidade quadrática do substrato

Linha Microstrip¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Linha Microstrip
Descrição	microstrip line
Schematic entry	`MLIN`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	msline
Propriedades	6
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
L	10 mm	sim	comprimento da linha
Modelo	Hammerstad	não	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
DispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Coupled Microstrip Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Coupled Microstrip Line
Descrição	coupled microstrip line
Schematic entry	`MCOUPLED`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mscoupled
Propriedades	7
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
L	10 mm	sim	comprimento da linha
S	1 mm	sim	spacing between the lines
Modelo	Kirschning	não	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Microstrip Lange Coupler¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Lange Coupler
Descrição	microstrip lange coupler
Schematic entry	`MLANGE`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mslange
Propriedades	7
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
L	10 mm	sim	comprimento da linha
S	1 mm	sim	spacing between the lines
Modelo	Kirschning	não	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Microstrip Corner¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Corner
Descrição	microstrip corner
Schematic entry	`MCORN`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mscorner
Propriedades	2
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	substrato
W	1 mm	sim	largura de linha

Microstrip Mitered Bend¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Mitered Bend
Descrição	microstrip mitered bend
Schematic entry	`MMBEND`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	msmbend
Propriedades	2
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	substrato
W	1 mm	sim	largura de linha

Microstrip Step¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Step
Descrição	microstrip impedance step
Schematic entry	`MSTEP`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	msstep
Propriedades	5
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	substrato
W1	2 mm	sim	largura 1 da linha
W2	1 mm	sim	largura 2 da linha
MSModel	Hammerstad	não	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Microstrip Tee¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Tee
Descrição	microstrip tee
Schematic entry	`MTEE`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mstee
Propriedades	8
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	substrato
W1	1 mm	sim	largura de linha 1
W2	1 mm	sim	largura de linha 2
W3	2 mm	sim	largura de linha 3
MSModel	Hammerstad	não	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	não	temperature in degree Celsius
Symbol	showNumbers	não	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Microstrip Cross¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Cross
Descrição	microstrip cross
Schematic entry	`MCROSS`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mscross
Propriedades	8
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	substrato
W1	1 mm	sim	largura de linha 1
W2	2 mm	sim	largura de linha 2
W3	1 mm	sim	largura de linha 3
W4	2 mm	sim	largura de linha 4
MSModel	Hammerstad	não	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Symbol	showNumbers	não	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Microstrip Open¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Open
Descrição	microstrip open
Schematic entry	`MOPEN`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	msopen
Propriedades	5
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
MSModel	Hammerstad	não	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Modelo	Kirschning	não	microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos]

Microstrip Gap¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Gap
Descrição	microstrip gap
Schematic entry	`MGAP`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	msgap
Propriedades	6
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W1	1 mm	sim	largura da linha 1
W2	1 mm	sim	largura da linha 2
S	1 mm	sim	spacing between the microstrip ends
MSModel	Hammerstad	não	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	não	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Microstrip Via¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Via
Descrição	microstrip via
Schematic entry	`MVIA`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	msvia
Propriedades	3
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	substrato
D	1 mm	sim	diameter of round via conductor
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Microstrip Radial Stub¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Microstrip Radial Stub
Descrição	microstrip radial stub
Schematic entry	`MRSTUB`
Netlist entry	`MS`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	msrstub
Propriedades	4
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
ri	1 mm	não	inner radius
ro	10 mm	sim	outer radius
alpha	90	sim	stub angle (degrees)

Linha Coplanar¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Linha Coplanar
Descrição	linha coplanar
Schematic entry	`CLIN`
Netlist entry	`CL`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	coplanar
Propriedades	6
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
S	1 mm	sim	largura da lacuna
L	10 mm	sim	comprimento da linha
Backside	Air	não	material at the backside of the substrate [Metal, Air]
Approx	sim	não	use approximation instead of precise equation [yes, no]

Coplanar Open¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Coplanar Open
Descrição	coplanar open
Schematic entry	`COPEN`
Netlist entry	`CL`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	cpwopen
Propriedades	5
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
S	1 mm	sim	largura da lacuna
G	5 mm	sim	width of gap at end of line
Backside	Air	não	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Coplanar Short¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Coplanar Short
Descrição	coplanar short
Schematic entry	`CSHORT`
Netlist entry	`CL`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	cpwshort
Propriedades	4
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
S	1 mm	sim	largura da lacuna
Backside	Air	não	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Coplanar Gap¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Coplanar Gap
Descrição	coplanar gap
Schematic entry	`CGAP`
Netlist entry	`CL`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	cpwgap
Propriedades	4
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W	1 mm	sim	largura da linha
S	1 mm	sim	largura da lacuna
G	0.5 mm	sim	width of gap between the two lines

Coplanar Step¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Coplanar Step
Descrição	coplanar step
Schematic entry	`CSTEP`
Netlist entry	`CL`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	cpwstep
Propriedades	5
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Subst	Subst1	sim	nome da definição do substrato
W1	1 mm	sim	largura de linha 1
W2	2 mm	sim	largura de linha 2
S	3 mm	sim	distance between ground planes
Backside	Air	não	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Bond Wire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Bond Wire
Descrição	bond wire
Schematic entry	`BOND`
Netlist entry	`Line`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	bondwire
Propriedades	8
Category	linhas de transmissão

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L	3 mm	sim	length of the wire
D	50 um	sim	diameter of the wire
H	2 mm	sim	height above ground plane
rho	0.022e-6	não	specific resistance of the metal
mur	1	não	relative permeability of the metal
Modelo	FREESPACE	não	bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES]
Subst	Subst1	sim	substrato
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius

Nonlinear Components¶

Diodo¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Diodo
Descrição	diodo
Schematic entry	`Diode`
Netlist entry	`D`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	diodo
Propriedades	29
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Is	1e-15 A	sim	corrente de saturação
N	1	sim	coeficiente de emissão
Cj0	10 fF	sim	capacitância da junção com zero polarização
M	0.5	não	coeficiente do gradiente da junção
Vj	0.7 V	não	potencial de junção
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Cp	0.0 fF	não	capacitância linear
Isr	0.0	não	parametro de corrente de recombinação
Nr	2.0	não	coeficiente de emissão para lsr
Rs	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica série
Tt	0.0 ps	não	tempo de transitório
Ikf	0	não	high-injection knee current (0=infinity)
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Bv	0	não	reverse breakdown voltage
Ibv	1 mA	não	current at reverse breakdown voltage
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Eg	1.11	não	energy bandgap in eV
Tbv	0.0	não	Bv linear temperature coefficient
Trs	0.0	não	Rs linear temperature coefficient
Ttt1	0.0	não	Tt linear temperature coefficient
Ttt2	0.0	não	Tt quadratic temperature coefficient
Tm1	0.0	não	M linear temperature coefficient
Tm2	0.0	não	M quadratic temperature coefficient
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Area	1.0	não	default area for diode
Symbol	normal	não	schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor]

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	transistor npn
Descrição	transistor de junção bipolar
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npn
Propriedades	48
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	npn	sim	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	sim	corrente de saturação
Nf	1	sim	coeficiente de emissão direta
Nr	1	não	coeficiente de emissão reversa
Ikf	0	não	high current corner for forward beta
Ikr	0	não	high current corner for reverse beta
Vaf	0	sim	forward early voltage
Var	0	não	reverse early voltage
Ise	0	não	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	não	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	não	base-collector leakage saturation current
Nc	2	não	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	sim	beta direto
Br	1	não	beta reverso
Rbm	0	não	mínima resistência de base para altas correntes
Irb	0	não	corrente para ponto médio da base
Rc	0	não	coletor resistência ôhmica
Re	0	não	emissor resistência ôhmica
Rb	0	não	resistência de base com zero polarização (pode ser dependente de alta corrente)
Cje	0	não	base-emissor capacitância de depleção com zero polarização
Vje	0.75	não	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	não	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	não	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	não	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	não	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	não	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	não	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	não	substrate junction built-in potential
Mjs	0	não	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	não	ideal forward transit time
Xtf	0.0	não	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	não	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	não	high-current effect on Tf
Tr	0.0	não	ideal reverse transit time
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	não	burst noise coefficient
Ab	1.0	não	burst noise exponent
Fb	1.0	não	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	não	excess phase in degrees
Xtb	0.0	não	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Eg	1.11	não	energy bandgap in eV
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Area	1.0	não	default area for bipolar transistor

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	transistor pnp
Descrição	transistor de junção bipolar
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pnp
Propriedades	48
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pnp	sim	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	sim	corrente de saturação
Nf	1	sim	coeficiente de emissão direta
Nr	1	não	coeficiente de emissão reversa
Ikf	0	não	high current corner for forward beta
Ikr	0	não	high current corner for reverse beta
Vaf	0	sim	forward early voltage
Var	0	não	reverse early voltage
Ise	0	não	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	não	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	não	base-collector leakage saturation current
Nc	2	não	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	sim	beta direto
Br	1	não	beta reverso
Rbm	0	não	mínima resistência de base para altas correntes
Irb	0	não	corrente para ponto médio da base
Rc	0	não	coletor resistência ôhmica
Re	0	não	emissor resistência ôhmica
Rb	0	não	resistência de base com zero polarização (pode ser dependente de alta corrente)
Cje	0	não	base-emissor capacitância de depleção com zero polarização
Vje	0.75	não	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	não	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	não	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	não	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	não	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	não	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	não	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	não	substrate junction built-in potential
Mjs	0	não	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	não	ideal forward transit time
Xtf	0.0	não	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	não	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	não	high-current effect on Tf
Tr	0.0	não	ideal reverse transit time
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	não	burst noise coefficient
Ab	1.0	não	burst noise exponent
Fb	1.0	não	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	não	excess phase in degrees
Xtb	0.0	não	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Eg	1.11	não	energy bandgap in eV
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Area	1.0	não	default area for bipolar transistor

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	transistor npn
Descrição	transistor de junção bipolar com substrato
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub
Propriedades	48
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	npn	sim	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	sim	corrente de saturação
Nf	1	sim	coeficiente de emissão direta
Nr	1	não	coeficiente de emissão reversa
Ikf	0	não	high current corner for forward beta
Ikr	0	não	high current corner for reverse beta
Vaf	0	sim	forward early voltage
Var	0	não	reverse early voltage
Ise	0	não	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	não	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	não	base-collector leakage saturation current
Nc	2	não	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	sim	beta direto
Br	1	não	beta reverso
Rbm	0	não	mínima resistência de base para altas correntes
Irb	0	não	corrente para ponto médio da base
Rc	0	não	coletor resistência ôhmica
Re	0	não	emissor resistência ôhmica
Rb	0	não	resistência de base com zero polarização (pode ser dependente de alta corrente)
Cje	0	não	base-emissor capacitância de depleção com zero polarização
Vje	0.75	não	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	não	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	não	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	não	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	não	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	não	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	não	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	não	substrate junction built-in potential
Mjs	0	não	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	não	ideal forward transit time
Xtf	0.0	não	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	não	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	não	high-current effect on Tf
Tr	0.0	não	ideal reverse transit time
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	não	burst noise coefficient
Ab	1.0	não	burst noise exponent
Fb	1.0	não	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	não	excess phase in degrees
Xtb	0.0	não	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Eg	1.11	não	energy bandgap in eV
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Area	1.0	não	default area for bipolar transistor

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	transistor pnp
Descrição	transistor de junção bipolar com substrato
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub
Propriedades	48
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pnp	sim	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	sim	corrente de saturação
Nf	1	sim	coeficiente de emissão direta
Nr	1	não	coeficiente de emissão reversa
Ikf	0	não	high current corner for forward beta
Ikr	0	não	high current corner for reverse beta
Vaf	0	sim	forward early voltage
Var	0	não	reverse early voltage
Ise	0	não	base-emitter leakage saturation current
Ne	1.5	não	base-emitter leakage emission coefficient
Isc	0	não	base-collector leakage saturation current
Nc	2	não	base-collector leakage emission coefficient
Bf	100	sim	beta direto
Br	1	não	beta reverso
Rbm	0	não	mínima resistência de base para altas correntes
Irb	0	não	corrente para ponto médio da base
Rc	0	não	coletor resistência ôhmica
Re	0	não	emissor resistência ôhmica
Rb	0	não	resistência de base com zero polarização (pode ser dependente de alta corrente)
Cje	0	não	base-emissor capacitância de depleção com zero polarização
Vje	0.75	não	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	não	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	não	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	não	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	não	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	não	fraction of Cjc that goes to internal base pin
Cjs	0	não	zero-bias collector-substrate capacitance
Vjs	0.75	não	substrate junction built-in potential
Mjs	0	não	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	não	ideal forward transit time
Xtf	0.0	não	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	não	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	não	high-current effect on Tf
Tr	0.0	não	ideal reverse transit time
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Kb	0.0	não	burst noise coefficient
Ab	1.0	não	burst noise exponent
Fb	1.0	não	burst noise corner frequency in Hertz
Ptf	0.0	não	excess phase in degrees
Xtb	0.0	não	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Eg	1.11	não	energy bandgap in eV
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Area	1.0	não	default area for bipolar transistor

N-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	JFET tipo n
Descrição	transistor de junção de efeito de campo
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	nfet
Propriedades	24
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	nfet	sim	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	sim	tensão limiar
Beta	1e-4	sim	parâmetro de transcondutância
Lambda	0.0	sim	parâmetros de modulação em comprimento de canal
Rd	0.0	não	resistência parasita de dreno
Rs	0.0	não	resistência parasita de fonte
Is	1e-14	não	corrente de saturação da junção gate
N	1.0	não	coeficiente de emissão da junção gate
Isr	1e-14	não	gate-junction recombination current parameter
Nr	2.0	não	Isr emission coefficient
Cgs	0.0	não	zero-bias gate-source junction capacitance
Cgd	0.0	não	zero-bias gate-drain junction capacitance
Pb	1.0	não	gate-junction potential
Fc	0.5	não	forward-bias junction capacitance coefficient
M	0.5	não	gate P-N grading coefficient
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Vt0tc	0.0	não	Vt0 temperature coefficient
Betatce	0.0	não	Beta exponential temperature coefficient
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Area	1.0	não	default area for JFET

P-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	JFET tipo p
Descrição	transistor de junção de efeito de campo
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pfet
Propriedades	24
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pfet	sim	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	sim	tensão limiar
Beta	1e-4	sim	parâmetro de transcondutância
Lambda	0.0	sim	parâmetros de modulação em comprimento de canal
Rd	0.0	não	resistência parasita de dreno
Rs	0.0	não	resistência parasita de fonte
Is	1e-14	não	corrente de saturação da junção gate
N	1.0	não	coeficiente de emissão da junção gate
Isr	1e-14	não	gate-junction recombination current parameter
Nr	2.0	não	Isr emission coefficient
Cgs	0.0	não	zero-bias gate-source junction capacitance
Cgd	0.0	não	zero-bias gate-drain junction capacitance
Pb	1.0	não	gate-junction potential
Fc	0.5	não	forward-bias junction capacitance coefficient
M	0.5	não	gate P-N grading coefficient
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Vt0tc	0.0	não	Vt0 temperature coefficient
Betatce	0.0	não	Beta exponential temperature coefficient
Tnom	26.85	não	temperature at which parameters were extracted
Area	1.0	não	default area for JFET

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-MOSFET
Descrição	transistor MOS de efeito de campo
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet
Propriedades	44
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	nfet	não	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	sim	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	sim	transconductance coefficient in A/V^2
Gamma	0.0	não	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	não	potencial de superfície
Lambda	0.0	sim	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de dreno
Rs	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de fonte
Rg	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de gate
Is	1e-14 A	não	bulk junction saturation current
N	1.0	não	bulk junction emission coefficient
W	1 um	não	largura do canal
L	1 um	não	comprimento do canal
Ld	0.0	não	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	não	oxide thickness
Cgso	0.0	não	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	não	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	não	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	não	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	não	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	não	bulk junction potential
Mj	0.5	não	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	não	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	não	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	não	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	não	bulk transit time
Nsub	0.0	não	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	não	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	não	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	não	surface mobility in cm^2/Vs
Rsh	0.0	não	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	não	number of equivalent drain squares
Nrs	1	não	number of equivalent source squares
Cj	0.0	não	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	não	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	não	drain diffusion area in m^2
As	0.0	não	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	não	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	não	source junction perimeter
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	p-MOSFET
Descrição	transistor MOS de efeito de campo
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet
Propriedades	44
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pfet	não	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	sim	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	sim	transconductance coefficient in A/V^2
Gamma	0.0	não	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	não	potencial de superfície
Lambda	0.0	sim	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de dreno
Rs	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de fonte
Rg	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de gate
Is	1e-14 A	não	bulk junction saturation current
N	1.0	não	bulk junction emission coefficient
W	1 um	não	largura do canal
L	1 um	não	comprimento do canal
Ld	0.0	não	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	não	oxide thickness
Cgso	0.0	não	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	não	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	não	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	não	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	não	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	não	bulk junction potential
Mj	0.5	não	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	não	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	não	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	não	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	não	bulk transit time
Nsub	0.0	não	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	não	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	não	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	não	surface mobility in cm^2/Vs
Rsh	0.0	não	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	não	number of equivalent drain squares
Nrs	1	não	number of equivalent source squares
Cj	0.0	não	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	não	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	não	drain diffusion area in m^2
As	0.0	não	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	não	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	não	source junction perimeter
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	MOSFET depleção
Descrição	transistor MOS de efeito de campo
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet
Propriedades	44
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	nfet	não	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	sim	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	sim	transconductance coefficient in A/V^2
Gamma	0.0	não	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	não	potencial de superfície
Lambda	0.0	sim	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de dreno
Rs	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de fonte
Rg	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de gate
Is	1e-14 A	não	bulk junction saturation current
N	1.0	não	bulk junction emission coefficient
W	1 um	não	largura do canal
L	1 um	não	comprimento do canal
Ld	0.0	não	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	não	oxide thickness
Cgso	0.0	não	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	não	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	não	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	não	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	não	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	não	bulk junction potential
Mj	0.5	não	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	não	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	não	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	não	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	não	bulk transit time
Nsub	0.0	não	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	não	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	não	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	não	surface mobility in cm^2/Vs
Rsh	0.0	não	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	não	number of equivalent drain squares
Nrs	1	não	number of equivalent source squares
Cj	0.0	não	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	não	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	não	drain diffusion area in m^2
As	0.0	não	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	não	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	não	source junction perimeter
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-MOSFET
Descrição	MOS field-effect transistor with substrate
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet_sub
Propriedades	44
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	nfet	não	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	sim	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	sim	transconductance coefficient in A/V^2
Gamma	0.0	não	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	não	potencial de superfície
Lambda	0.0	sim	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de dreno
Rs	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de fonte
Rg	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de gate
Is	1e-14 A	não	bulk junction saturation current
N	1.0	não	bulk junction emission coefficient
W	1 um	não	largura do canal
L	1 um	não	comprimento do canal
Ld	0.0	não	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	não	oxide thickness
Cgso	0.0	não	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	não	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	não	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	não	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	não	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	não	bulk junction potential
Mj	0.5	não	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	não	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	não	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	não	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	não	bulk transit time
Nsub	0.0	não	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	não	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	não	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	não	surface mobility in cm^2/Vs
Rsh	0.0	não	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	não	number of equivalent drain squares
Nrs	1	não	number of equivalent source squares
Cj	0.0	não	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	não	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	não	drain diffusion area in m^2
As	0.0	não	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	não	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	não	source junction perimeter
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	p-MOSFET
Descrição	MOS field-effect transistor with substrate
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet_sub
Propriedades	44
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pfet	não	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	sim	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	sim	transconductance coefficient in A/V^2
Gamma	0.0	não	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	não	potencial de superfície
Lambda	0.0	sim	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de dreno
Rs	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de fonte
Rg	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de gate
Is	1e-14 A	não	bulk junction saturation current
N	1.0	não	bulk junction emission coefficient
W	1 um	não	largura do canal
L	1 um	não	comprimento do canal
Ld	0.0	não	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	não	oxide thickness
Cgso	0.0	não	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	não	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	não	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	não	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	não	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	não	bulk junction potential
Mj	0.5	não	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	não	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	não	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	não	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	não	bulk transit time
Nsub	0.0	não	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	não	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	não	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	não	surface mobility in cm^2/Vs
Rsh	0.0	não	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	não	number of equivalent drain squares
Nrs	1	não	number of equivalent source squares
Cj	0.0	não	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	não	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	não	drain diffusion area in m^2
As	0.0	não	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	não	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	não	source junction perimeter
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	MOSFET depleção
Descrição	MOS field-effect transistor with substrate
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet_sub
Propriedades	44
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	nfet	não	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	sim	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	sim	transconductance coefficient in A/V^2
Gamma	0.0	não	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	não	potencial de superfície
Lambda	0.0	sim	channel-length modulation parameter in 1/V
Rd	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de dreno
Rs	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de fonte
Rg	0.0 Ohm	não	resistência ôhmica de gate
Is	1e-14 A	não	bulk junction saturation current
N	1.0	não	bulk junction emission coefficient
W	1 um	não	largura do canal
L	1 um	não	comprimento do canal
Ld	0.0	não	lateral diffusion length
Tox	0.1 um	não	oxide thickness
Cgso	0.0	não	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	não	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	não	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	não	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	não	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	não	bulk junction potential
Mj	0.5	não	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	não	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	não	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	não	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	não	bulk transit time
Nsub	0.0	não	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	não	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	não	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	não	surface mobility in cm^2/Vs
Rsh	0.0	não	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	não	number of equivalent drain squares
Nrs	1	não	number of equivalent source squares
Cj	0.0	não	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	não	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	não	drain diffusion area in m^2
As	0.0	não	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	não	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	não	source junction perimeter
Kf	0.0	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature

Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	OpAmp
Descrição	operational amplifier
Schematic entry	`OpAmp`
Netlist entry	`OP`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	opamp
Propriedades	2
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
G	1e6	sim	ganho de tensão
Umax	15 V	não	absolute value of maximum and minimum output voltage

Equation Defined Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Equation Defined Device
Descrição	equation defined device
Schematic entry	`EDD`
Netlist entry	`D`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	edd
Propriedades	4
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	explicit	não	type of equations [explicit, implicit]
Branches	1	não	number of branches
I1	0	sim	current equation 1
Q1	0	não	charge equation 1

Diac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Diac
Descrição	diac (diodo trigger bidirecional)
Schematic entry	`Diac`
Netlist entry	`D`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	diac
Propriedades	7
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Vbo	30 V	sim	tensão de ruptura (bidirecional)
Ibo	50 uA	não	corrente de ruptura (bidirecional)
Cj0	10 pF	não	capacitância parasita
Is	1e-10 A	não	corrente de saturação
N	2	não	coeficiente de emissão
Ri	10 Ohm	não	resistência de junção intrínseca
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Triac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Triac
Descrição	triac (bidirectional thyristor)
Schematic entry	`Triac`
Netlist entry	`D`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	triac
Propriedades	8
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Vbo	400 V	não	tensão de ruptura (bidirecional)
Igt	50 uA	sim	(bidirectional) gate trigger current
Cj0	10 pF	não	capacitância parasita
Is	1e-10 A	não	corrente de saturação
N	2	não	coeficiente de emissão
Ri	10 Ohm	não	resistência de junção intrínseca
Rg	5 Ohm	não	gate resistance
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Thyristor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Thyristor
Descrição	silicon controlled rectifier (SCR)
Schematic entry	`SCR`
Netlist entry	`D`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	thyristor
Propriedades	8
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Vbo	400 V	não	breakover voltage
Igt	50 uA	sim	gate trigger current
Cj0	10 pF	não	capacitância parasita
Is	1e-10 A	não	corrente de saturação
N	2	não	coeficiente de emissão
Ri	10 Ohm	não	resistência de junção intrínseca
Rg	5 Ohm	não	gate resistance
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Tunnel Diode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Tunnel Diode
Descrição	resonance tunnel diode
Schematic entry	`RTD`
Netlist entry	`D`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	tunneldiode
Propriedades	16
Category	componentes não-lineares

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Ip	4 mA	sim	peak current
Iv	0.6 mA	sim	valley current
Vv	0.8 V	sim	valley voltage
Wr	2.7e-20	não	resonance energy in Ws
eta	1e-20	não	Fermi energy in Ws
dW	4.5e-21	não	resonance width in Ws
Tmax	0.95	não	maximum of transmission
de	0.9	não	fitting factor for electron density
dv	2.0	não	fitting factor for voltage drop
nv	16	não	fitting factor for diode current
Cj0	80 fF	não	zero-bias depletion capacitance
M	0.5	não	coeficiente do gradiente da junção
Vj	0.5 V	não	potencial de junção
te	0.6 ps	não	life-time of electrons
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
Area	1.0	não	default area for diode

Verilog-A Devices¶

Hicum L2 V2.1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	HICUM L2 v2.1
Descrição	HICUM Level 2 v2.1 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p1`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriedades	101
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
c10	1.516E-31	não	GICCR constant
qp0	5.939E-15	não	Zero-bias hole charge
ich	1.0E11	não	High-current correction for 2D and 3D effects
hfe	1.0	não	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	0.03999	não	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	0.435	não	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	0.09477	não	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	3.47E-20	não	Internal B-E saturation current
mbei	1.025	não	Internal B-E current ideality factor
ireis	390E-12	não	Internal B-E recombination saturation current
mrei	3	não	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	4.18321E-21	não	Peripheral B-E saturation current
mbep	1.045	não	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	1.02846E-14	não	Peripheral B-E recombination saturation current
mrep	3	não	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	não	Non-ideality factor for III-V HBTs
ibcis	3.02613E-18	não	Internal B-C saturation current
mbci	1.0	não	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	4.576E-29	não	External B-C saturation current
mbcx	1.0	não	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	não	B-E tunneling saturation current
abet	36.74	não	Exponent factor for tunneling current
favl	14.97	não	Avalanche current factor
qavl	7.2407E-14	não	Exponent factor for avalanche current
alfav	0.0	não	Relative TC for FAVL
alqav	0.0	não	Relative TC for QAVL
rbi0	7.9	não	Zero bias internal base resistance
rbx	13.15	não	External base series resistance
fgeo	0.724	não	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0	não	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	não	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	não	Ration of internal to total minority charge
re	9.77	não	Emitter series resistance
rcx	10	não	External collector series resistance
itss	2.81242E-19	não	Substrate transistor transfer saturation current
msf	1.0	não	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	7.6376E-17	não	C-S diode saturation current
msc	1.0	não	Ideality factor of C-S diode current
tsf	1.733E-8	não	Transit time for forward operation of substrate transistor
rsu	800	não	Substrate series resistance
csu	1.778E-14	não	Substrate shunt capacitance
cjei0	5.24382E-14	não	Internal B-E zero-bias depletion capacitance
vdei	0.9956	não	Internal B-E built-in potential
zei	0.4	não	Internal B-E grading coefficient
aljei	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	0	não	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance
vdep	1	não	Peripheral B-E built-in potential
zep	0.01	não	Peripheral B-E grading coefficient
aljep	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	4.46887E-15	não	Internal B-C zero-bias depletion capacitance
vdci	0.7	não	Internal B-C built-in potential
zci	0.38	não	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	não	Internal B-C punch-through voltage
cjcx0	1.55709E-14	não	External B-C zero-bias depletion capacitance
vdcx	0.733	não	External B-C built-in potential
zcx	0.34	não	External B-C grading coefficient
vptcx	100	não	External B-C punch-through voltage
fbc	0.3487	não	Partitioning factor of parasitic B-C capacitance
cjs0	17.68E-15	não	C-S zero-bias depletion capacitance
vds	0.621625	não	C-S built-in potential
zs	0.122136	não	C-S grading coefficient
vpts	1000	não	C-S punch-through voltage
t0	1.28E-12	não	Low current forward transit time at VBC=0V
dt0h	260E-15	não	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation
tbvl	2.0E-13	não	Time constant for modelling carrier jam at low VCE
tef0	0.0	não	Neutral emitter storage time
gtfe	1.0	não	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	46E-15	não	Saturation time constant at high current densities
alhc	0.08913	não	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.8778	não	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	50.4277	não	Internal collector resistance at low electric field
vlim	0.9	não	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime
vces	0.01	não	Internal C-E saturation voltage
vpt	10	não	Collector punch-through voltage
tr	1.0E-11	não	Storage time for inverse operation
ceox	1.71992E-15	não	Total parasitic B-E capacitance
ccox	4.9E-15	não	Total parasitic B-C capacitance
alqf	0.1288	não	Factor for additional delay time of minority charge
alit	1.0	não	Factor for additional delay time of transfer current
kf	2.83667E-9	não	Flicker noise coefficient
af	2.0	não	Flicker noise exponent factor
krbi	1.0	não	Noise factor for internal base resistance
latb	10.479	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.300012	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.112	não	Bandgap voltage extrapolated to 0 K
alt0	0.0017580	não	First order relative TC of parameter T0
kt0	4.07E-6	não	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.7	não	Temperature exponent for RCI0
zetacx	1.0	não	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
alvs	0.001	não	Relative TC of saturation drift velocity
alces	0.000125	não	Relative TC of VCES
zetarbi	0.0	não	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.2	não	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.21	não	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.7	não	Temperature exponent of emitter resistance
alb	0.007	não	Relative TC of forward current gain for V2.1 model
rth	1293.95	não	Thermal resistance
cth	7.22203E-11	não	Thermal capacitance
tnom	27.0	não	Temperature at which parameters are specified
dt	0.0	não	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor
Temp	27	não	temperatura de simulação

Fbh Hbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	FBH HBT
Descrição	HBT model by Ferdinand-Braun-Institut (FBH), Berlin
Schematic entry	`HBT_X`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npn_therm
Propriedades	80
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Mode	1	não	Ignorado
Noise	1	não	Ignorado
Debug	0	não	Ignorado
DebugPlus	0	não	Ignorado
Temp	25.0	não	Device operating temperature, Celsius
Rth	0.1	não	Thermal resistance, K/W
Cth	700e-9	não	Thermal capacitance
N	1	não	Scaling factor, number of emitter fingers
L	30e-6	não	Length of emitter finger, m
W	1e-6	não	Width of emitter finger, m
Jsf	20e-24	não	Forward saturation current density, A/um^2
nf	1.0	não	Forward current emission coefficient
Vg	1.3	não	Forward thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jse	0.0	não	B-E leakage saturation current density, A/um^2
ne	0.0	não	B-E leakage emission coefficient
Rbxx	1e6	não	Limiting resistor of B-E leakage diode, Ohm
Vgb	0.0	não	B-E leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jsee	0.0	não	2nd B-E leakage saturation current density, A/um^2
nee	0.0	não	2nd B-E leakage emission coefficient
Rbbxx	1e6	não	2nd Limiting resistor of B-E leakage diode, Ohm
Vgbb	0.0	não	2nd B-E leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jsr	20e-18	não	Reverse saturation current density, A/um^2
nr	1.0	não	Reverse current emission coefficient
Vgr	0.0	não	Reverse thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
XCjc	0.5	não	Fraction of Cjc that goes to internal base node
Jsc	0.0	não	B-C leakage saturation current density, A/um^2 (0. switches off diode)
nc	0.0	não	B-C leakage emission coefficient (0. switches off diode)
Rcxx	1e6	não	Limiting resistor of B-C leakage diode, Ohm
Vgc	0.0	não	B-C leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Bf	100.0	não	Ideal forward beta
kBeta	0.0	não	Temperature coefficient of forward current gain, -1/K, (0 == disables temperature dependence)
Br	1.0	não	Ideal reverse beta
VAF	0.0	não	Forward Early voltage, V, (0 == disables Early Effect)
VAR	0.0	não	Reverse Early voltage, V, (0 == disables Early Effect)
IKF	0.0	não	Forward high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect)
IKR	0.0	não	Reverse high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect)
Mc	0.0	não	C-E breakdown exponent, (0 == disables collector break-down)
BVceo	0.0	não	C-E breakdown voltage, V, (0 == disables collector break-down)
kc	0.0	não	C-E breakdown factor, (0 == disables collector break-down)
BVebo	0.0	não	B-E breakdown voltage, V, (0 == disables emitter break-down)
Tr	1.0e-15	não	Ideal reverse transit time, s
Trx	1.0e-15	não	Extrinsic BC diffusion capacitance, F
Tf	1.0e-12	não	Ideal forward transit time, s
Tft	0.0	não	Temperature coefficient of forward transit time
Thcs	0.0	não	Excess transit time coefficient at base push-out
Ahc	0.0	não	Smoothing parameter for Thcs
Cje	1.0e-15	não	B-E zero-bias depletion capacitance, F/um^2
mje	0.5	não	B-E junction exponential factor
Vje	1.3	não	B-E junction built-in potential, V
Cjc	1.0e-15	não	B-C zero-bias depletion capacitance, F/um^2
mjc	0.5	não	B-C junction exponential factor
Vjc	1.3	não	B-C junction built-in potential, V
kjc	1.0	não	not used
Cmin	0.1e-15	não	Minimum B-C depletion capacitance (Vbc dependence), F/um^2
J0	1e-3	não	Collector current where Cbc reaches Cmin, A/um^2 (0 == disables Cbc reduction)
XJ0	1.0	não	Fraction of Cmin, lower limit of BC capacitance (Ic dependence)
Rci0	1e-3	não	Onset of base push-out at low voltages, Ohm*um^2 (0 == disables base push-out)
Jk	4e-4	não	Onset of base push-out at high voltages, A/um^2, (0 == disables base push-out)
RJk	1e-3	não	Slope of Jk at high currents , Ohm*um^2
Vces	1e-3	não	Voltage shift of base push-out onset, V
Rc	1.0	não	Collector resistance, Ohm/finger
Re	1.0	não	Emitter resistance, Ohm/finger
Rb	1.0	não	Extrinsic base resistance, Ohm/finger
Rb2	1.0	não	Inner Base ohmic resistance, Ohm/finger
Lc	0.0	não	Collector inductance, H
Le	0.0	não	Emitter inductance, H
Lb	0.0	não	Base inductance, H
Cq	0.0	não	Extrinsic B-C capacitance, F
Cpb	0.0	não	Extrinsic base capacitance, F
Cpc	0.0	não	Extrinsic collector capacitance, F
Kfb	0.0	não	Flicker-noise coefficient
Afb	0.0	não	Flicker-noise exponent
Ffeb	0.0	não	Flicker-noise frequency exponent
Kb	0.0	não	Burst noise coefficient
Ab	0.0	não	Burst noise exponent
Fb	0.0	não	Burst noise corner frequency, Hz
Kfe	0.0	não	Flicker-noise coefficient
Afe	0.0	não	Flicker-noise exponent
Ffee	0.0	não	Flicker-noise frequency exponent
Tnom	20.0	não	Ambient temperature at which the parameters were determined

Modular Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Modular OpAmp
Descrição	Modular Operational Amplifier verilog device
Schematic entry	`mod_amp`
Netlist entry	`OP`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	mod_amp
Propriedades	17
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
GBP	1e6	não	Gain bandwidth product (Hz)
AOLDC	106.0	não	Open-loop differential gain at DC (dB)
FP2	3e6	não	Second pole frequency (Hz)
RO	75	não	Output resistance (Ohm)
CD	1e-12	não	Differential input capacitance (F)
RD	2e6	não	Differential input resistance (Ohm)
IOFF	20e-9	não	Input offset current (A)
IB	80e-9	não	Input bias current (A)
VOFF	7e-4	não	Input offset voltage (V)
CMRRDC	90.0	não	Common-mode rejection ratio at DC (dB)
FCM	200.0	não	Common-mode zero corner frequency (Hz)
PSRT	5e5	não	Positive slew rate (V/s)
NSRT	5e5	não	Negative slew rate (V/s)
VLIMP	14	não	Positive output voltage limit (V)
VLIMN	-14	não	Negative output voltage limit (V)
ILMAX	35e-3	não	Maximum DC output current (A)
CSCALE	50	não	Current limit scale factor

Hicum L2 V2.22¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	HICUM L2 v2.22
Descrição	HICUM Level 2 v2.22 verilog device
Schematic entry	`hic2_full`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriedades	114
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
c10	2.0E-30	não	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	não	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	não	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	não	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	não	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	não	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	não	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	não	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	não	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	não	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	não	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	não	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	não	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	não	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	não	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	não	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	não	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	não	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	não	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	não	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	não	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	não	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	não	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	não	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	não	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	não	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	não	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	não	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	não	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	não	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	não	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	não	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	não	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	não	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	não	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	não	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	não	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	não	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	não	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	não	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	não	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	não	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	não	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	não	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	não	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	não	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	não	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	não	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	não	External B-C grading coefficient
vptcx	100	não	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	não	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	não	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	não	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	não	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	não	C-S grading coefficient
vpts	100	não	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	não	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	não	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	não	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	não	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	não	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	não	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	não	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	não	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	não	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	não	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	não	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	não	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	não	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	não	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	não	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	não	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	não	Flicker noise coefficient
af	2.0	não	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	não	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	não	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	não	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	não	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	não	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	não	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	não	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	não	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	não	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	não	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	não	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	não	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	não	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	não	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Logarithmic Amplifier¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Logarithmic Amplifier
Descrição	Logarithmic Amplifier verilog device
Schematic entry	`log_amp`
Netlist entry	`LA`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	log_amp
Propriedades	17
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Kv	1.0	não	scale factor
Dk	0.3	não	scale factor error (%)
Ib1	5e-12	não	input I1 bias current (A)
Ibr	5e-12	não	input reference bias current (A)
M	5	não	number of decades
N	0.1	não	conformity error (%)
Vosout	3e-3	não	output offset error (V)
Rinp	1e6	não	amplifier input resistance (Ohm)
Fc	1e3	não	amplifier 3dB frequency (Hz)
Ro	1e-3	não	amplifier output resistance (Ohm)
Ntc	0.002	não	conformity error temperature coefficient (%/Celsius)
Vosouttc	80e-6	não	offset temperature coefficient (V/Celsius)
Dktc	0.03	não	scale factor error temperature coefficient (%/Celsius)
Ib1tc	0.5e-12	não	input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Ibrtc	0.5e-12	não	input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Npn Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	npn HICUM L0 v1.12
Descrição	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriedades	86
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	npn	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	não	high-injection correction factor
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Pnp Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	pnp HICUM L0 v1.12
Descrição	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriedades	86
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pnp	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	não	high-injection correction factor
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Potentiometer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Potentiometer
Descrição	Potentiometer verilog device
Schematic entry	`potentiometer`
Netlist entry	`POT`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	potentiometer
Propriedades	11
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
R_pot	1e4	não	nominal device resistance (Ohm)
Rotation	120	não	shaft/wiper arm rotation (degrees)
Taper_Coeff	0	não	resistive law taper coefficient
LEVEL	1	não	device type selector [1, 2, 3]
Max_Rotation	240.0	não	maximum shaft/wiper rotation (degrees)
Conformity	0.2	não	conformity error (%)
Linearity	0.2	não	linearity error (%)
Contact_Res	1	não	wiper arm contact resistance (Ohm)
Temp_Coeff	100	não	resistance temperature coefficient (PPM/Celsius)
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Mesfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	MESFET
Descrição	MESFET verilog device
Schematic entry	`MESFET`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	MESFET
Propriedades	52
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
LEVEL	1	não	model selector
Vto	-1.8	não	pinch-off voltage (V)
Beta	3e-3	não	transconductance parameter (A/(V*V))
Alpha	2.25	não	saturation voltage parameter (1/V)
Lambda	0.05	não	channel length modulation parameter (1/V)
B	0.3	não	doping profile parameter (1/V)
Qp	2.1	não	power law exponent parameter
Delta	0.1	não	power feedback parameter (1/W)
Vmax	0.5	não	maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V)
Vdelta1	0.3	não	capacitance saturation transition voltage (V)
Vdelta2	0.2	não	capacitance threshold transition voltage (V)
Gamma	0.015	não	dc drain pull coefficient
Nsc	1	não	subthreshold conductance parameter
Is	1e-14	não	diode saturation current (I)
N	1	não	diode emission coefficient
Vbi	1.0	não	built-in gate potential (V)
Bv	60	não	gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V)
Xti	3.0	não	diode saturation current temperature coefficient
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tau	1e-9	não	transit time under gate (s)
Rin	1e-3	não	channel resistance (Ohm)
Area	1	não	area factor
Eg	1.11	não	energy gap (eV)
M	0.5	não	coeficiente do gradiente da junção
Cgd	0.2e-12	não	zero bias gate-drain junction capacitance (F)
Cgs	1e-12	não	zero bias gate-source junction capacitance (F)
Cds	1e-12	não	zero bias drain-source junction capacitance (F)
Betatc	0	não	Beta temperature coefficient (%/Celsius)
Alphatc	0	não	Alpha temperature coefficient (%/Celsius)
Gammatc	0	não	Gamma temperature coefficient (%/Celsius)
Ng	2.65	não	Subthreshold slope gate parameter
Nd	-0.19	não	subthreshold drain pull parameter
ILEVELS	3	não	gate-source current equation selector
ILEVELD	3	não	gate-drain current equation selector
QLEVELS	2	não	gate-source charge equation selector
QLEVELD	2	não	gate-drain charge equation selector
QLEVELDS	2	não	drain-source charge equation selector
Vtotc	0	não	Vto temperature coefficient
Rg	5.1	não	gate resistance (Ohms)
Rd	1.3	não	drain resistance (Ohms)
Rs	1.3	não	source resistance (Ohms)
Rgtc	0	não	gate resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rdtc	0	não	drain resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rstc	0	não	source resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Ibv	1e-3	não	gate reverse breakdown currrent (A)
Rf	10	não	forward bias slope resistance (Ohms)
R1	10	não	breakdown slope resistance (Ohms)
Af	1	não	flicker noise exponent
Kf	0	não	flicker noise coefficient
Gdsnoi	1	não	shot noise coefficient
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Epfl-Ekv Nmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	EPFL-EKV NMOS 2.6
Descrição	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26nMOS
Propriedades	55
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	nmos	sim	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	não	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	não	length parameter (m)
W	10e-6	não	Width parameter (m)
Np	1.0	não	parallel multiple device number
Ns	1.0	não	series multiple device number
Cox	3.45e-3	não	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	não	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.02e-6	não	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	não	channel length correction (m)
Vto	0.6	não	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.71	não	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.97	não	bulk Fermi potential (V)
Kp	150e-6	não	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	não	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	88.0e6	não	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	4.5e6	não	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	0.23	não	depletion length coefficient
Weta	0.05	não	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.28	não	longitudinal critical field
Q0	280e-6	não	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.5e-6	não	characteristic length (m)
Tcv	1.5e-3	não	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.5	não	mobility temperature coefficient
Ucex	1.7	não	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	não	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	não	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	510.0	não	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	não	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	não	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	não	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	não	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	não	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	2e8	não	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.5e8	não	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	não	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-27	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Avto	0.0	não	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	não	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	não	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	não	coeficiente de emissão
Is	1e-14	não	saturation current (A)
Bv	100	não	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	não	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	não	junction potential (V)
Cj0	300e-15	não	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	não	coeficiente do gradiente da junção
Area	1.0	não	diode relative area
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	0.1e-9	não	transit time (s)
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Xpart	0.4	não	charge partition parameter
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Epfl-Ekv Pmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	EPFL-EKV PMOS 2.6
Descrição	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26pMOS
Propriedades	55
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pmos	sim	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	não	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	não	length parameter (m)
W	10e-6	não	Width parameter (m)
Np	1.0	não	parallel multiple device number
Ns	1.0	não	series multiple device number
Cox	3.45e-3	não	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	não	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.03e-6	não	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	não	channel length correction (m)
Vto	-0.55	não	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.69	não	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.87	não	bulk Fermi potential (V)
Kp	35e-6	não	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	não	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	51.0e6	não	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	18.0e6	não	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	1.1	não	depletion length coefficient
Weta	0.0	não	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.45	não	longitudinal critical field
Q0	200e-6	não	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.6e-6	não	characteristic length (m)
Tcv	-1.4e-3	não	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.4	não	mobility temperature coefficient
Ucex	2.0	não	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	não	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	não	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	990.0	não	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	não	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	não	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	não	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	não	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	não	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	0.0	não	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.0e8	não	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	não	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-28	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Avto	0.0	não	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	não	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	não	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	não	coeficiente de emissão
Is	1e-14	não	saturation current (A)
Bv	100	não	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	não	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	não	junction potential (V)
Cj0	300e-15	não	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	não	coeficiente do gradiente da junção
Area	1.0	não	diode relative area
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	0.1e-9	não	transit time (s)
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Xpart	0.4	não	charge partition parameter
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Bsim3V34Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	bsim3v34nMOS
Descrição	bsim3v34nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34nMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34nMOS
Propriedades	408
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L	0.35e-6	não	-
W	5.0e-6	não	-
PS	8.0e-6	não	-
PD	8.0e-6	não	-
AS	12.0e-12	não	-
AD	12.0e-12	não	-
NRS	10.0	não	-
NRD	10.0	não	-
NQSMOD	0	não	-
GMIN	1e-12	não	-
VERSION	3.24	não	-
PARAMCHK	0	não	-
MOBMOD	1	não	-
CAPMOD	3	não	-
NOIMOD	4	não	-
BINUNIT	1	não	-
TOX	150.0e-10	não	-
TOXM	150.0e-10	não	-
CDSC	2.4e-4	não	-
CDSCB	0.0	não	-
CDSCD	0.0	não	-
CIT	0.0	não	-
NFACTOR	1	não	-
XJ	0.15e-6	não	-
VSAT	8.0e4	não	-
AT	3.3e4	não	-
A0	1.0	não	-
AGS	0.0	não	-
A1	0.0	não	-
A2	1.0	não	-
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NSUB	-99.0	não	-
NCH	-99.0	não	-
NGATE	0	não	-
GAMMA1	-99.0	não	-
GAMMA2	-99.0	não	-
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VBM	-3.0	não	-
XT	-99.0	não	-
K1	-99.0	não	-
KT1	-0.11	não	-
KT1L	0.0	não	-
KT2	0.022	não	-
K2	-99.0	não	-
K3	80.0	não	-
K3B	0.0	não	-
W0	2.5e-6	não	-
NLX	1.74e-7	não	-
DVT0	2.2	não	-
DVT1	0.53	não	-
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DVT0W	0.0	não	-
DVT1W	5.3e6	não	-
DVT2W	-0.032	não	-
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DSUB	0.56	não	-
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VTH0	0.7	não	-
UA	2.25e-9	não	-
UA1	4.31e-9	não	-
UB	5.87e-19	não	-
UB1	-7.61e-18	não	-
UC	-99.0	não	-
UC1	-99.0	não	-
U0	-99.0	não	-
UTE	-1.5	não	-
VOFF	-0.08	não	-
TNOM	26.85	não	-
CGSO	-99.0	não	-
CGDO	-99.0	não	-
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XPART	0.4	não	-
ELM	5.0	não	-
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CJ	5.0E-4	não	-
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TPB	0.0	não	-
TCJ	0.0	não	-
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TPBSWG	0.0	não	-
TCJSWG	0.0	não	-
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LL	0.0	não	-
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LWL	0.0	não	-
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WL	0.0	não	-
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WW	0.0	não	-
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WMIN	0.0	não	-
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B0	0.0	não	-
B1	0.0	não	-
CGSL	0.0	não	-
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CLE	0.6	não	-
DWC	0.0	não	-
DLC	-99.0	não	-
ALPHA0	0.0	não	-
ALPHA1	0.0	não	-
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LCDSCB	0.0	não	-
LCDSCD	0.0	não	-
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LAT	0.0	não	-
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LKETA	0.0	não	-
LNSUB	0.0	não	-
LNCH	0.0	não	-
LNGATE	0.0	não	-
LGAMMA1	-99.0	não	-
LGAMMA2	-99.0	não	-
LVBX	-99.0	não	-
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LKT1	0.0	não	-
LKT1L	0.0	não	-
LKT2	0.0	não	-
LK2	-99.0	não	-
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LK3B	0.0	não	-
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LNLX	0.0	não	-
LDVT0	0.0	não	-
LDVT1	0.0	não	-
LDVT2	0.0	não	-
LDVT0W	0.0	não	-
LDVT1W	0.0	não	-
LDVT2W	0.0	não	-
LDROUT	0.0	não	-
LDSUB	0.0	não	-
LVTH0	0.0	não	-
LVTHO	0.0	não	-
LUA	0.0	não	-
LUA1	0.0	não	-
LUB	0.0	não	-
LUB1	0.0	não	-
LUC	0.0	não	-
LUC1	0.0	não	-
LU0	0.0	não	-
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LELM	0.0	não	-
LDELTA	0.0	não	-
LRDSW	0.0	não	-
LPRWG	0.0	não	-
LPRWB	0.0	não	-
LPRT	0.0	não	-
LETA0	0.0	não	-
LETAB	0.0	não	-
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LPSCBE2	0.0	não	-
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LWR	0.0	não	-
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LCF	0.0	não	-
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LALPHA0	0.0	não	-
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WCDSC	0.0	não	-
WCDSCB	0.0	não	-
WCDSCD	0.0	não	-
WCIT	0.0	não	-
WNFACTOR	0.0	não	-
WXJ	0.0	não	-
WVSAT	0.0	não	-
WAT	0.0	não	-
WA0	0.0	não	-
WAGS	0.0	não	-
WA1	0.0	não	-
WA2	0.0	não	-
WKETA	0.0	não	-
WNSUB	0.0	não	-
WNCH	0.0	não	-
WNGATE	0.0	não	-
WGAMMA1	-99.0	não	-
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WVBX	-99.0	não	-
WVBM	0.0	não	-
WXT	0.0	não	-
WK1	-99.0	não	-
WKT1	0.0	não	-
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WK2	-99.0	não	-
WK3	0.0	não	-
WK3B	0.0	não	-
WW0	0.0	não	-
WNLX	0.0	não	-
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WDVT0W	0.0	não	-
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WUTE	0.0	não	-
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WDELTA	0.0	não	-
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WPRT	0.0	não	-
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WALPHA1	0.0	não	-
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WVFBCV	0.0	não	-
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WMOIN	0.0	não	-
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PCDSCD	0.0	não	-
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PA0	0.0	não	-
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PA1	0.0	não	-
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PKETA	0.0	não	-
PNSUB	0.0	não	-
PNCH	0.0	não	-
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PVBM	0.0	não	-
PXT	0.0	não	-
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PKT1	0.0	não	-
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PK2	-99.0	não	-
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PW0	0.0	não	-
PNLX	0.0	não	-
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PDVT1	0.0	não	-
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PDVT2W	0.0	não	-
PDROUT	0.0	não	-
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PUB1	0.0	não	-
PUC	0.0	não	-
PUC1	0.0	não	-
PU0	0.0	não	-
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PWR	0.0	não	-
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EF	1.0	não	-
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Bsim3V34Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	bsim3v34pMOS
Descrição	bsim3v34pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34pMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34pMOS
Propriedades	408
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
L	3.5e-6	não	-
W	5.0e-6	não	-
PS	8.0e-6	não	-
PD	8.0e-6	não	-
AS	12.0e-12	não	-
AD	12.0e-12	não	-
NRS	10.0	não	-
NRD	10.0	não	-
NQSMOD	0	não	-
GMIN	1e-12	não	-
VERSION	3.24	não	-
PARAMCHK	0	não	-
MOBMOD	1	não	-
CAPMOD	3	não	-
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NCH	-99.0	não	-
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GAMMA1	-99.0	não	-
GAMMA2	-99.0	não	-
VBX	-99.0	não	-
VBM	-3.0	não	-
XT	-99.0	não	-
K1	-99.0	não	-
KT1	-0.11	não	-
KT1L	0.0	não	-
KT2	0.022	não	-
K2	-99.0	não	-
K3	80.0	não	-
K3B	0.0	não	-
W0	2.5e-6	não	-
NLX	1.74e-7	não	-
DVT0	2.2	não	-
DVT1	0.53	não	-
DVT2	-0.032	não	-
DVT0W	0.0	não	-
DVT1W	5.3e6	não	-
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VTH0	-0.7	não	-
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WR	1.0	não	-
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WL	0.0	não	-
WLC	0.0	não	-
WLN	1.0	não	-
WW	0.0	não	-
WWC	0.0	não	-
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WWL	0.0	não	-
WWLC	0.0	não	-
WMIN	0.0	não	-
WMAX	1.0	não	-
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B1	0.0	não	-
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LNFACTOR	0.0	não	-
LXJ	0.0	não	-
LVSAT	0.0	não	-
LAT	0.0	não	-
LA0	0.0	não	-
LAGS	0.0	não	-
LA1	0.0	não	-
LA2	0.0	não	-
LKETA	0.0	não	-
LNSUB	0.0	não	-
LNCH	0.0	não	-
LNGATE	0.0	não	-
LGAMMA1	-99.0	não	-
LGAMMA2	-99.0	não	-
LVBX	-99.0	não	-
LVBM	0.0	não	-
LXT	0.0	não	-
LK1	-99.0	não	-
LKT1	0.0	não	-
LKT1L	0.0	não	-
LKT2	0.0	não	-
LK2	-99.0	não	-
LK3	0.0	não	-
LK3B	0.0	não	-
LW0	0.0	não	-
LNLX	0.0	não	-
LDVT0	0.0	não	-
LDVT1	0.0	não	-
LDVT2	0.0	não	-
LDVT0W	0.0	não	-
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LDVT2W	0.0	não	-
LDROUT	0.0	não	-
LDSUB	0.0	não	-
LVTH0	0.0	não	-
LVTHO	0.0	não	-
LUA	0.0	não	-
LUA1	0.0	não	-
LUB	0.0	não	-
LUB1	0.0	não	-
LUC	0.0	não	-
LUC1	0.0	não	-
LU0	0.0	não	-
LUTE	0.0	não	-
LVOFF	0.0	não	-
LELM	0.0	não	-
LDELTA	0.0	não	-
LRDSW	0.0	não	-
LPRWG	0.0	não	-
LPRWB	0.0	não	-
LPRT	0.0	não	-
LETA0	0.0	não	-
LETAB	0.0	não	-
LPCLM	0.0	não	-
LPDIBLC1	0.0	não	-
LPDIBLC2	0.0	não	-
LPDIBLCB	0.0	não	-
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LPSCBE2	0.0	não	-
LPVAG	0.0	não	-
LWR	0.0	não	-
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LB0	0.0	não	-
LB1	0.0	não	-
LCGSL	0.0	não	-
LCGDL	0.0	não	-
LCKAPPA	0.0	não	-
LCF	0.0	não	-
LCLC	0.0	não	-
LCLE	0.0	não	-
LALPHA0	0.0	não	-
LALPHA1	0.0	não	-
LBETA0	0.0	não	-
LVFBCV	0.0	não	-
LVFB	0.0	não	-
LACDE	0.0	não	-
LMOIN	0.0	não	-
LNOFF	0.0	não	-
LVOFFCV	0.0	não	-
WCDSC	0.0	não	-
WCDSCB	0.0	não	-
WCDSCD	0.0	não	-
WCIT	0.0	não	-
WNFACTOR	0.0	não	-
WXJ	0.0	não	-
WVSAT	0.0	não	-
WAT	0.0	não	-
WA0	0.0	não	-
WAGS	0.0	não	-
WA1	0.0	não	-
WA2	0.0	não	-
WKETA	0.0	não	-
WNSUB	0.0	não	-
WNCH	0.0	não	-
WNGATE	0.0	não	-
WGAMMA1	-99.0	não	-
WGAMMA2	-99.0	não	-
WVBX	-99.0	não	-
WVBM	0.0	não	-
WXT	0.0	não	-
WK1	-99.0	não	-
WKT1	0.0	não	-
WKT1L	0.0	não	-
WKT2	0.0	não	-
WK2	-99.0	não	-
WK3	0.0	não	-
WK3B	0.0	não	-
WW0	0.0	não	-
WNLX	0.0	não	-
WDVT0	0.0	não	-
WDVT1	0.0	não	-
WDVT2	0.0	não	-
WDVT0W	0.0	não	-
WDVT1W	0.0	não	-
WDVT2W	0.0	não	-
WDROUT	0.0	não	-
WDSUB	0.0	não	-
WVTH0	0.0	não	-
WVTHO	0.0	não	-
WUA	0.0	não	-
WUA1	0.0	não	-
WUB	0.0	não	-
WUB1	0.0	não	-
WUC	0.0	não	-
WUC1	0.0	não	-
WU0	0.0	não	-
WUTE	0.0	não	-
WVOFF	0.0	não	-
WELM	0.0	não	-
WDELTA	0.0	não	-
WRDSW	0.0	não	-
WPRWG	0.0	não	-
WPRWB	0.0	não	-
WPRT	0.0	não	-
WETA0	0.0	não	-
WETAB	0.0	não	-
WPCLM	0.0	não	-
WPDIBLC1	0.0	não	-
WPDIBLC2	0.0	não	-
WPDIBLCB	0.0	não	-
WPSCBE1	0.0	não	-
WPSCBE2	0.0	não	-
WPVAG	0.0	não	-
WWR	0.0	não	-
WDWG	0.0	não	-
WDWB	0.0	não	-
WB0	0.0	não	-
WB1	0.0	não	-
WCGSL	0.0	não	-
WCGDL	0.0	não	-
WCKAPPA	0.0	não	-
WCF	0.0	não	-
WCLC	0.0	não	-
WCLE	0.0	não	-
WALPHA0	0.0	não	-
WALPHA1	0.0	não	-
WBETA0	0.0	não	-
WVFBCV	0.0	não	-
WVFB	0.0	não	-
WACDE	0.0	não	-
WMOIN	0.0	não	-
WNOFF	0.0	não	-
WVOFFCV	0.0	não	-
PCDSC	0.0	não	-
PCDSCB	0.0	não	-
PCDSCD	0.0	não	-
PCIT	0.0	não	-
PNFACTOR	0.0	não	-
PXJ	0.0	não	-
PVSAT	0.0	não	-
PAT	0.0	não	-
PA0	0.0	não	-
PAGS	0.0	não	-
PA1	0.0	não	-
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PKETA	0.0	não	-
PNSUB	0.0	não	-
PNCH	0.0	não	-
PNGATE	0.0	não	-
PGAMMA1	-99.0	não	-
PGAMMA2	-99.0	não	-
PVBX	-99.0	não	-
PVBM	0.0	não	-
PXT	0.0	não	-
PK1	-99.0	não	-
PKT1	0.0	não	-
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PKT2	0.0	não	-
PK2	-99.0	não	-
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PK3B	0.0	não	-
PW0	0.0	não	-
PNLX	0.0	não	-
PDVT0	0.0	não	-
PDVT1	0.0	não	-
PDVT2	0.0	não	-
PDVT0W	0.0	não	-
PDVT1W	0.0	não	-
PDVT2W	0.0	não	-
PDROUT	0.0	não	-
PDSUB	0.0	não	-
PVTH0	0.0	não	-
PVTHO	0.0	não	-
PUA	0.0	não	-
PUA1	0.0	não	-
PUB	0.0	não	-
PUB1	0.0	não	-
PUC	0.0	não	-
PUC1	0.0	não	-
PU0	0.0	não	-
PUTE	0.0	não	-
PVOFF	0.0	não	-
PELM	0.0	não	-
PDELTA	0.0	não	-
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PPRWG	0.0	não	-
PPRWB	0.0	não	-
PPRT	0.0	não	-
PETA0	0.0	não	-
PETAB	0.0	não	-
PPCLM	0.0	não	-
PPDIBLC1	0.0	não	-
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PPDIBLCB	0.0	não	-
PPSCBE1	0.0	não	-
PPSCBE2	0.0	não	-
PPVAG	0.0	não	-
PWR	0.0	não	-
PDWG	0.0	não	-
PDWB	0.0	não	-
PB0	0.0	não	-
PB1	0.0	não	-
PCGSL	0.0	não	-
PCGDL	0.0	não	-
PCKAPPA	0.0	não	-
PCF	0.0	não	-
PCLC	0.0	não	-
PCLE	0.0	não	-
PALPHA0	0.0	não	-
PALPHA1	0.0	não	-
PBETA0	0.0	não	-
PVFBCV	0.0	não	-
PVFB	0.0	não	-
PACDE	0.0	não	-
PMOIN	0.0	não	-
PNOFF	0.0	não	-
PVOFFCV	0.0	não	-
KF	0.0	não	-
AF	1.0	não	-
EF	1.0	não	-
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Bsim4V30Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	bsim4v30nMOS
Descrição	bsim4v30nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30nMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30nMOS
Propriedades	278
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
GMIN	1e-12	não	-
PS	12e-6	não	-
PD	12e-6	não	-
AS	12e-12	não	-
AD	12e-12	não	-
CGBO	-99.0	não	-
CGDO	-99.0	não	-
CGSO	-99.0	não	-
L	3e-6	não	-
W	6e-6	não	-
MOBMOD	-99.0	não	-
RDSMOD	-99.0	não	-
IGCMOD	0	não	-
IGBMOD	0	não	-
CAPMOD	2	não	-
RGATEMOD	2	não	-
RBODYMOD	0	não	-
DIOMOD	1	não	-
TEMPMOD	-99.0	não	-
GEOMOD	0	não	-
RGEOMOD	0	não	-
PERMOD	1	não	-
TNOIMOD	0	não	-
FNOIMOD	0	não	-
EPSROX	3.9	não	-
TOXE	-99.0	não	-
TOXP	-99.0	não	-
TOXM	-99.0	não	-
DTOX	0.0	não	-
XJ	1.5e-7	não	-
GAMMA1	-99.0	não	-
GAMMA2	-99.0	não	-
NDEP	-99.0	não	-
NSUB	6.0e16	não	-
NGATE	0.0	não	-
NSD	1.0e20	não	-
VBX	-99.0	não	-
XT	1.55e-7	não	-
RSH	0.0	não	-
RSHG	0.0	não	-
VTH0	0.6	não	-
VFB	-99.0	não	-
PHIN	0.0	não	-
K1	-99.0	não	-
K2	-99.0	não	-
K3	80.0	não	-
K3B	0.0	não	-
W0	2.5e-6	não	-
LPE0	1.74e-7	não	-
LPEB	0.0	não	-
VBM	-3.0	não	-
DVT0	2.2	não	-
DVT1	0.53	não	-
DVT2	-0.032	não	-
DVTP0	0.0	não	-
DVTP1	0.0	não	-
DVT0W	0.0	não	-
DVT1W	5.3e6	não	-
DVT2W	-0.032	não	-
U0	-99.0	não	-
UA	-99.0	não	-
UB	1.0e-19	não	-
UC	-99.0	não	-
EU	-99.0	não	-
VSAT	8.0e4	não	-
A0	1.0	não	-
AGS	0.0	não	-
B0	0.0	não	-
B1	0.0	não	-
KETA	-0.047	não	-
A1	0.0	não	-
A2	1.0	não	-
WINT	0.0	não	-
LINT	0.0	não	-
DWG	0.0	não	-
DWB	0.0	não	-
VOFF	-0.08	não	-
VOFFL	0.0	não	-
MINV	0.0	não	-
NFACTOR	1.0	não	-
ETA0	0.08	não	-
ETAB	-0.07	não	-
DROUT	0.56	não	-
DSUB	0.56	não	-
CIT	0.0	não	-
CDSC	2.4e-4	não	-
CDSCB	0.0	não	-
CDSCD	0.0	não	-
PCLM	1.3	não	-
PDIBL1	0.39	não	-
PDIBL2	0.0086	não	-
PDIBLB	0.0	não	-
PSCBE1	4.24e8	não	-
PSCBE2	1.0e-5	não	-
PVAG	0.0	não	-
DELTA	0.01	não	-
FPROUT	0.0	não	-
PDITS	0.0	não	-
PDITSD	0.0	não	-
PDITSL	0.0	não	-
LAMBDA	-99.0	não	-
VTL	-99.0	não	-
LC	5.0e-9	não	-
XN	3.0	não	-
RDSW	200.0	não	-
RDSWMIN	0.0	não	-
RDW	100.0	não	-
RDWMIN	0.0	não	-
RSW	100.0	não	-
RSWMIN	0.0	não	-
PRWG	1.0	não	-
PRWB	0.0	não	-
WR	1.0	não	-
NRS	-99.0	não	-
NRD	-99.0	não	-
ALPHA0	0.0	não	-
ALPHA1	0.0	não	-
BETA0	30.0	não	-
AGIDL	0.0	não	-
BGIDL	2.3e9	não	-
CGIDL	0.5	não	-
EGIDL	0.8	não	-
AIGBACC	0.43	não	-
BIGBACC	0.054	não	-
CIGBACC	0.075	não	-
NIGBACC	1.0	não	-
AIGBINV	0.35	não	-
BIGBINV	0.03	não	-
CIGBINV	0.006	não	-
EIGBINV	1.1	não	-
NIGBINV	3.0	não	-
AIGC	-99.0	não	-
BIGC	-99.0	não	-
CIGC	-99.0	não	-
AIGSD	-99.0	não	-
BIGSD	-99.0	não	-
CIGSD	-99.0	não	-
DLCIG	0.0	não	-
NIGC	1.0	não	-
POXEDGE	1.0	não	-
PIGCD	1.0	não	-
NTOX	1.0	não	-
TOXREF	3.0e-9	não	-
XPART	0.4	não	-
CGS0	0.0	não	-
CGD0	0.0	não	-
CGB0	0.0	não	-
CGSL	0.0	não	-
CGDL	0.0	não	-
CKAPPAS	0.6	não	-
CKAPPAD	0.6	não	-
CF	-99.0	não	-
CLC	1.0e-7	não	-
CLE	0.6	não	-
DLC	0.0	não	-
DWC	0.0	não	-
VFBCV	-1.0	não	-
NOFF	1.0	não	-
VOFFCV	0.0	não	-
ACDE	1.0	não	-
MOIN	15.0	não	-
XRCRG1	12.0	não	-
XRCRG2	1.0	não	-
RBPB	50.0	não	-
RBPD	50.0	não	-
RBPS	50.0	não	-
RBDB	50.0	não	-
RBSB	50.0	não	-
GBMIN	1.0e-12	não	-
DMCG	0.0	não	-
DMCI	0.0	não	-
DMDG	0.0	não	-
DMCGT	0.0	não	-
NF	1.0	não	-
DWJ	0.0	não	-
MIN	0.0	não	-
XGW	0.0	não	-
XGL	0.0	não	-
XL	0.0	não	-
XW	0.0	não	-
NGCON	1.0	não	-
IJTHSREV	0.1	não	-
IJTHDREV	0.1	não	-
IJTHSFWD	0.1	não	-
IJTHDFWD	0.1	não	-
XJBVS	1.0	não	-
XJBVD	1.0	não	-
BVS	10.0	não	-
BVD	10.0	não	-
JSS	1.0e-4	não	-
JSD	1.0e-4	não	-
JSWS	0.0	não	-
JSWD	0.0	não	-
JSWGS	0.0	não	-
JSWGD	0.0	não	-
CJS	5.0e-4	não	-
CJD	5.0e-4	não	-
MJS	0.5	não	-
MJD	0.5	não	-
MJSWS	0.33	não	-
MJSWD	0.33	não	-
CJSWS	5.0e-10	não	-
CJSWD	5.0e-10	não	-
CJSWGS	5.0e-10	não	-
CJSWGD	5.0e-10	não	-
MJSWGS	0.33	não	-
MJSWGD	0.33	não	-
PBS	1.0	não	-
PBD	1.0	não	-
PBSWS	1.0	não	-
PBSWD	1.0	não	-
PBSWGS	1.0	não	-
PBSWGD	1.0	não	-
TNOM	27	não	-
UTE	-1.5	não	-
KT1	-0.11	não	-
KT1L	0.0	não	-
KT2	0.022	não	-
UA1	1.0e-9	não	-
UB1	-1.0e-18	não	-
UC1	-99.0	não	-
AT	3.3e4	não	-
PRT	0.0	não	-
NJS	1.0	não	-
NJD	1.0	não	-
XTIS	3.0	não	-
XTID	3.0	não	-
TPB	0.0	não	-
TPBSW	0.0	não	-
TPBSWG	0.0	não	-
TCJ	0.0	não	-
TCJSW	0.0	não	-
TCJSWG	0.0	não	-
SA	0.0	não	-
SB	0.0	não	-
SD	0.0	não	-
SAREF	1e-6	não	-
SBREF	1e-6	não	-
WLOD	0.0	não	-
KU0	0.0	não	-
KVSAT	0.0	não	-
TKU0	0.0	não	-
LKU0	0.0	não	-
WKU0	0.0	não	-
PKU0	0.0	não	-
LLODKU0	0.0	não	-
WLODKU0	0.0	não	-
KVTH0	0.0	não	-
LKVTH0	0.0	não	-
WKVTH0	0.0	não	-
PKVTH0	0.0	não	-
LLODVTH	0.0	não	-
WLODVTH	0.0	não	-
STK2	0.0	não	-
LODK2	1.0	não	-
STETA0	0.0	não	-
LODETA0	1.0	não	-
WL	0.0	não	-
WLN	1.0	não	-
WW	0.0	não	-
WWN	1.0	não	-
WWL	0.0	não	-
LL	0.0	não	-
LLN	1.0	não	-
LW	0.0	não	-
LWN	1.0	não	-
LWL	0.0	não	-
LLC	0.0	não	-
LWC	0.0	não	-
LWLC	0.0	não	-
WLC	0.0	não	-
WWC	0.0	não	-
WWLC	0.0	não	-
NTNOI	1.0	não	-
KF	0.0	não	-
AF	1.0	não	-
EF	1.0	não	-
TEMP	27	não	-

Bsim4V30Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	bsim4v30pMOS
Descrição	bsim4v30pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30pMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30pMOS
Propriedades	278
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
GMIN	1e-12	não	-
PS	12e-6	não	-
PD	12e-6	não	-
AS	12e-12	não	-
AD	12e-12	não	-
CGBO	-99.0	não	-
CGDO	-99.0	não	-
CGSO	-99.0	não	-
L	3e-6	não	-
W	6e-6	não	-
MOBMOD	-99.0	não	-
RDSMOD	-99.0	não	-
IGCMOD	0	não	-
IGBMOD	0	não	-
CAPMOD	2	não	-
RGATEMOD	2	não	-
RBODYMOD	0	não	-
DIOMOD	1	não	-
TEMPMOD	-99.0	não	-
GEOMOD	0	não	-
RGEOMOD	0	não	-
PERMOD	1	não	-
TNOIMOD	0	não	-
FNOIMOD	0	não	-
EPSROX	3.9	não	-
TOXE	-99.0	não	-
TOXP	-99.0	não	-
TOXM	-99.0	não	-
DTOX	0.0	não	-
XJ	1.5e-7	não	-
GAMMA1	-99.0	não	-
GAMMA2	-99.0	não	-
NDEP	-99.0	não	-
NSUB	6.0e16	não	-
NGATE	0.0	não	-
NSD	1.0e20	não	-
VBX	-99.0	não	-
XT	1.55e-7	não	-
RSH	0.0	não	-
RSHG	0.0	não	-
VTH0	-0.6	não	-
VFB	-99.0	não	-
PHIN	0.0	não	-
K1	-99.0	não	-
K2	-99.0	não	-
K3	80.0	não	-
K3B	0.0	não	-
W0	2.5e-6	não	-
LPE0	1.74e-7	não	-
LPEB	0.0	não	-
VBM	-3.0	não	-
DVT0	2.2	não	-
DVT1	0.53	não	-
DVT2	-0.032	não	-
DVTP0	0.0	não	-
DVTP1	0.0	não	-
DVT0W	0.0	não	-
DVT1W	5.3e6	não	-
DVT2W	-0.032	não	-
U0	-99.0	não	-
UA	-99.0	não	-
UB	1.0e-19	não	-
UC	-99.0	não	-
EU	-99.0	não	-
VSAT	8.0e4	não	-
A0	1.0	não	-
AGS	0.0	não	-
B0	0.0	não	-
B1	0.0	não	-
KETA	-0.047	não	-
A1	0.0	não	-
A2	1.0	não	-
WINT	0.0	não	-
LINT	0.0	não	-
DWG	0.0	não	-
DWB	0.0	não	-
VOFF	-0.08	não	-
VOFFL	0.0	não	-
MINV	0.0	não	-
NFACTOR	1.0	não	-
ETA0	0.08	não	-
ETAB	-0.07	não	-
DROUT	0.56	não	-
DSUB	0.56	não	-
CIT	0.0	não	-
CDSC	2.4e-4	não	-
CDSCB	0.0	não	-
CDSCD	0.0	não	-
PCLM	1.3	não	-
PDIBL1	0.39	não	-
PDIBL2	0.0086	não	-
PDIBLB	0.0	não	-
PSCBE1	4.24e8	não	-
PSCBE2	1.0e-5	não	-
PVAG	0.0	não	-
DELTA	0.01	não	-
FPROUT	0.0	não	-
PDITS	0.0	não	-
PDITSD	0.0	não	-
PDITSL	0.0	não	-
LAMBDA	-99.0	não	-
VTL	-99.0	não	-
LC	5.0e-9	não	-
XN	3.0	não	-
RDSW	200.0	não	-
RDSWMIN	0.0	não	-
RDW	100.0	não	-
RDWMIN	0.0	não	-
RSW	100.0	não	-
RSWMIN	0.0	não	-
PRWG	1.0	não	-
PRWB	0.0	não	-
WR	1.0	não	-
NRS	-99.0	não	-
NRD	-99.0	não	-
ALPHA0	0.0	não	-
ALPHA1	0.0	não	-
BETA0	30.0	não	-
AGIDL	0.0	não	-
BGIDL	2.3e9	não	-
CGIDL	0.5	não	-
EGIDL	0.8	não	-
AIGBACC	0.43	não	-
BIGBACC	0.054	não	-
CIGBACC	0.075	não	-
NIGBACC	1.0	não	-
AIGBINV	0.35	não	-
BIGBINV	0.03	não	-
CIGBINV	0.006	não	-
EIGBINV	1.1	não	-
NIGBINV	3.0	não	-
AIGC	-99.0	não	-
BIGC	-99.0	não	-
CIGC	-99.0	não	-
AIGSD	-99.0	não	-
BIGSD	-99.0	não	-
CIGSD	-99.0	não	-
DLCIG	0.0	não	-
NIGC	1.0	não	-
POXEDGE	1.0	não	-
PIGCD	1.0	não	-
NTOX	1.0	não	-
TOXREF	3.0e-9	não	-
XPART	0.4	não	-
CGS0	0.0	não	-
CGD0	0.0	não	-
CGB0	0.0	não	-
CGSL	0.0	não	-
CGDL	0.0	não	-
CKAPPAS	0.6	não	-
CKAPPAD	0.6	não	-
CF	-99.0	não	-
CLC	1.0e-7	não	-
CLE	0.6	não	-
DLC	0.0	não	-
DWC	0.0	não	-
VFBCV	-1.0	não	-
NOFF	1.0	não	-
VOFFCV	0.0	não	-
ACDE	1.0	não	-
MOIN	15.0	não	-
XRCRG1	12.0	não	-
XRCRG2	1.0	não	-
RBPB	50.0	não	-
RBPD	50.0	não	-
RBPS	50.0	não	-
RBDB	50.0	não	-
RBSB	50.0	não	-
GBMIN	1.0e-12	não	-
DMCG	0.0	não	-
DMCI	0.0	não	-
DMDG	0.0	não	-
DMCGT	0.0	não	-
NF	1.0	não	-
DWJ	0.0	não	-
MIN	0.0	não	-
XGW	0.0	não	-
XGL	0.0	não	-
XL	0.0	não	-
XW	0.0	não	-
NGCON	1.0	não	-
IJTHSREV	0.1	não	-
IJTHDREV	0.1	não	-
IJTHSFWD	0.1	não	-
IJTHDFWD	0.1	não	-
XJBVS	1.0	não	-
XJBVD	1.0	não	-
BVS	10.0	não	-
BVD	10.0	não	-
JSS	1.0e-4	não	-
JSD	1.0e-4	não	-
JSWS	0.0	não	-
JSWD	0.0	não	-
JSWGS	0.0	não	-
JSWGD	0.0	não	-
CJS	5.0e-4	não	-
CJD	5.0e-4	não	-
MJS	0.5	não	-
MJD	0.5	não	-
MJSWS	0.33	não	-
MJSWD	0.33	não	-
CJSWS	5.0e-10	não	-
CJSWD	5.0e-10	não	-
CJSWGS	5.0e-10	não	-
CJSWGD	5.0e-10	não	-
MJSWGS	0.33	não	-
MJSWGD	0.33	não	-
PBS	1.0	não	-
PBD	1.0	não	-
PBSWS	1.0	não	-
PBSWD	1.0	não	-
PBSWGS	1.0	não	-
PBSWGD	1.0	não	-
TNOM	27	não	-
UTE	-1.5	não	-
KT1	-0.11	não	-
KT1L	0.0	não	-
KT2	0.022	não	-
UA1	1.0e-9	não	-
UB1	-1.0e-18	não	-
UC1	-99.0	não	-
AT	3.3e4	não	-
PRT	0.0	não	-
NJS	1.0	não	-
NJD	1.0	não	-
XTIS	3.0	não	-
XTID	3.0	não	-
TPB	0.0	não	-
TPBSW	0.0	não	-
TPBSWG	0.0	não	-
TCJ	0.0	não	-
TCJSW	0.0	não	-
TCJSWG	0.0	não	-
SA	0.0	não	-
SB	0.0	não	-
SD	0.0	não	-
SAREF	1e-6	não	-
SBREF	1e-6	não	-
WLOD	0.0	não	-
KU0	0.0	não	-
KVSAT	0.0	não	-
TKU0	0.0	não	-
LKU0	0.0	não	-
WKU0	0.0	não	-
PKU0	0.0	não	-
LLODKU0	0.0	não	-
WLODKU0	0.0	não	-
KVTH0	0.0	não	-
LKVTH0	0.0	não	-
WKVTH0	0.0	não	-
PKVTH0	0.0	não	-
LLODVTH	0.0	não	-
WLODVTH	0.0	não	-
STK2	0.0	não	-
LODK2	1.0	não	-
STETA0	0.0	não	-
LODETA0	1.0	não	-
WL	0.0	não	-
WLN	1.0	não	-
WW	0.0	não	-
WWN	1.0	não	-
WWL	0.0	não	-
LL	0.0	não	-
LLN	1.0	não	-
LW	0.0	não	-
LWN	1.0	não	-
LWL	0.0	não	-
LLC	0.0	não	-
LWC	0.0	não	-
LWLC	0.0	não	-
WLC	0.0	não	-
WWC	0.0	não	-
WWLC	0.0	não	-
NTNOI	1.0	não	-
KF	0.0	não	-
AF	1.0	não	-
EF	1.0	não	-
TEMP	27	não	-

Npn Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	npn HICUM L0 v1.2
Descrição	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriedades	94
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	npn	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	não	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	não	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	não	high-injection correction factor
ahq	0	não	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	não	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	não	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	não	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	não	TC of iqf
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	não	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Pnp Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	pnp HICUM L0 v1.2
Descrição	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriedades	94
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pnp	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	não	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	não	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	não	high-injection correction factor
ahq	0	não	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	não	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	não	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	não	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	não	TC of iqf
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	não	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Npn Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	npn HICUM L0 v1.2g
Descrição	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriedades	99
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	npn	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	não	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	não	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	não	high-injection roll-off current
ahq	0.0	não	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	não	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	não	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	não	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100.0	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100.0	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100.0	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	não	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	não	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	não	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	não	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	não	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	não	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	não	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Pnp Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	pnp HICUM L0 v1.2g
Descrição	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriedades	99
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pnp	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	não	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	não	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	não	high-injection roll-off current
ahq	0.0	não	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	não	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	não	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	não	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100.0	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100.0	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100.0	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	não	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	não	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	não	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	não	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	não	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	não	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	não	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Npn Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	npn HICUM L0 v1.3
Descrição	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriedades	102
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	npn	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	não	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	não	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	não	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	não	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	não	high-injection correction factor
ahq	0	não	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	não	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	não	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	não	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	não	TC of iqf
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	não	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	não	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	não	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	não	TC of AVER
dvgbe	0.0	não	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	não	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	não	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Pnp Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	pnp HICUM L0 v1.3
Descrição	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Propriedades	102
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	pnp	sim	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	não	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	não	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	não	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	não	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	não	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	não	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	não	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	não	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	não	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	não	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	não	high-injection correction factor
ahq	0	não	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	não	BE saturation current (A)
mbe	1.0	não	BE non-ideality factor
ires	0.0	não	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	não	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	não	BC saturation current (A)
mbc	1.0	não	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	não	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	não	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	não	BE exponent factor
aje	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	não	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	não	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	não	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	não	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	não	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	não	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	não	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	não	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	não	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	não	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	não	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	não	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	não	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	não	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	não	BC exponent factor
vptci	100	não	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	não	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	não	External BC exponent factor
vptcx	100	não	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	não	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	não	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	não	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	não	Geometry factor
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	não	SC saturation current (A)
msc	1.0	não	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	não	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	não	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	não	External SC exponent factor
vpts	100	não	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	não	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	não	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	não	Exponent factor
kavl	0.0	não	Prefactor
kf	0.0	não	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	não	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	não	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	não	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	não	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	não	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	não	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	não	TC of external collector resistance
zetare	0.0	não	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	não	TC of iqf
alkav	0.0	não	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	não	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	não	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	não	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	não	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	não	TC of AVER
dvgbe	0.0	não	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	não	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	não	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	não	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	não	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	não	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Hicum L2 V2.23¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	HICUM L2 v2.23
Descrição	HICUM Level 2 v2.23 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p23`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriedades	114
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
c10	2.0E-30	não	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	não	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	não	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	não	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	não	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	não	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	não	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	não	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	não	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	não	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	não	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	não	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	não	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	não	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	não	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	não	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	não	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	não	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	não	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	não	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	não	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	não	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	não	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	não	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	não	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	não	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	não	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	não	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	não	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	não	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	não	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	não	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	não	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	não	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	não	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	não	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	não	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	não	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	não	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	não	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	não	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	não	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	não	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	não	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	não	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	não	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	não	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	não	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	não	External B-C grading coefficient
vptcx	100	não	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	não	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	não	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	não	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	não	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	não	C-S grading coefficient
vpts	100	não	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	não	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	não	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	não	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	não	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	não	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	não	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	não	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	não	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	não	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	não	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	não	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	não	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	não	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	não	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	não	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	não	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	não	Flicker noise coefficient
af	2.0	não	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	não	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	não	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	não	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	não	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	não	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	não	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	não	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	não	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	não	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	não	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	não	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	não	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	não	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	não	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	não	temperatura de simulação

Hicum L2 V2.24¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	HICUM L2 v2.24
Descrição	HICUM Level 2 v2.24 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p24`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Propriedades	114
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
c10	2.0E-30	não	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	não	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	não	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	não	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	não	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	não	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	não	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	não	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	não	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	não	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	não	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	não	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	não	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	não	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	não	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	não	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	não	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	não	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	não	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	não	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	não	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	não	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	não	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	não	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	não	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	não	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	não	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	não	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	não	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	não	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	não	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	não	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	não	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	não	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	não	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	não	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	não	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	não	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	não	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	não	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	não	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	não	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	não	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	não	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	não	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	não	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	não	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	não	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	não	External B-C grading coefficient
vptcx	100	não	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	não	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	não	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	não	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	não	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	não	C-S grading coefficient
vpts	100	não	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	não	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	não	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	não	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	não	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	não	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	não	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	não	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	não	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	não	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	não	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	não	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	não	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	não	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	não	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	não	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	não	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	não	Flicker noise coefficient
af	2.0	não	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	não	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	não	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	não	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	não	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	não	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	não	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	não	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	não	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	não	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	não	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	não	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	não	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	não	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	não	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	não	temperatura de simulação

Hicum L2 V2.31¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	HICUM L2 V2.31
Descrição	hicumL2V2p31n verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p31n`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	hicumL2V2p31n
Propriedades	129
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
c10	2.0E-30	não	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	não	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	não	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hf0	1.0	não	Weight factor for the low current minority charge
hfe	1.0	não	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	não	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	não	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
ahjei	0.0	não	Parameter describing the slope of hjEi(VBE)
rhjei	1.0	não	Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage
hjci	1.0	não	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	não	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	não	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	não	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	não	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	não	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	não	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	não	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	não	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	não	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	não	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	não	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	não	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	não	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	não	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	não	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	não	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	não	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	não	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	não	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	não	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	não	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	não	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	não	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	não	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	não	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	não	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	não	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	não	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	não	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	não	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	não	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	não	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	não	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	não	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	não	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	não	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	não	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	não	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	não	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	não	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	não	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	não	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	não	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	não	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	não	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	não	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	não	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	não	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	não	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	não	External B-C grading coefficient
vptcx	100	não	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	não	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	não	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	não	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	não	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	não	C-S grading coefficient
vpts	100	não	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	não	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	não	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	não	Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	não	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	não	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	não	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	não	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	não	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	não	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	não	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	não	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	não	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	não	Storage time for inverse operation (s)
vcbar	0.0	não	Barrier voltage (V)
icbar	0.0	não	Normalization parameter (A)
acbar	0.01	não	Smoothing parameter for barrier voltage
delck	2.0	não	fitting factor for critical current
cbepar	0.0	não	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	não	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.167	não	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.333	não	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	não	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	não	Flicker noise coefficient
af	2.0	não	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	não	Flag for determining where to tag the flicker noise source
flcono	0	não	Flag for turning on and off of correlated noise implementation
kfre	0.0	não	Emitter resistance flicker noise coefficient
afre	2.0	não	Emitter resistance flicker noise exponent factor
latb	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	não	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	não	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	não	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	não	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	não	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	não	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	não	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	não	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	não	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	não	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	não	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	não	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	não	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	não	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	não	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	não	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	não	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	não	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	não	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	não	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
dvgbe	0	não	Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V)
zetahjei	1	não	Temperature coefficient for ahjEi
zetavgbe	1	não	Temperature coefficient for hjEi0
flsh	0	não	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	não	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	não	Temperature coefficient for Rth
alrth	0.0	não	First order relative TC of parameter Rth (1/K)
cth	0.0	não	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	não	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	não	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	não	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	não	temperatura de simulação

Photodiode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Photodiode
Descrição	Photodiode verilog device
Schematic entry	`photodiode`
Netlist entry	`PD`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	photodiode
Propriedades	23
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
N	1.35	não	photodiode emission coefficient
Rseries	1e-3	não	series lead resistance (Ohm)
Is	0.34e-12	não	diode dark current (A)
Bv	60	não	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	não	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	0.7	não	junction potential (V)
Cj0	60e-12	não	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	não	coeficiente do gradiente da junção
Area	1.0	não	diode relative area
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature (Celsius)
Fc	0.5	não	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	10e-9	não	transit time (s)
Xti	3.0	não	saturation current temperature exponent
Eg	1.16	não	energy gap (eV)
Responsivity	0.5	não	responsivity (A/W)
Rsh	5e8	não	shunt resistance (Ohm)
QEpercent	80	não	quantum efficiency (%)
Lambda	900	não	light wavelength (nm)
LEVEL	1	não	responsivity calculator selector
Kf	1e-12	não	flicker noise coefficient
Af	1.0	não	flicker noise exponent
Ffe	1.0	não	flicker noise frequency exponent
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Phototransistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Phototransistor
Descrição	Phototransistor verilog device
Schematic entry	`phototransistor`
Netlist entry	`PT`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	phototransistor
Propriedades	30
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Bf	100	não	beta direto
Br	0.1	não	beta reverso
Is	1e-10	não	dark current (A)
Nf	1	não	coeficiente de emissão direta
Nr	1	não	coeficiente de emissão reversa
Vaf	100	não	forward early voltage (V)
Var	100	não	reverse early voltage (V)
Mje	0.33	não	base-emitter junction exponential factor
Vje	0.75	não	base-emitter junction built-in potential (V)
Cje	1e-12	não	base-emitter zero-bias depletion capacitance (F)
Mjc	0.33	não	base-collector junction exponential factor
Vjc	0.75	não	base-collector junction built-in potential (V)
Cjc	2e-12	não	base-collector zero-bias depletion capacitance (F)
Tr	100n	não	ideal reverse transit time (s)
Tf	0.1n	não	ideal forward transit time (s)
Ikf	10	não	high current corner for forward beta (A)
Ikr	10	não	high current corner for reverse beta (A)
Rc	10	não	collector series resistance (Ohm)
Re	1	não	emitter series resistance (Ohm)
Rb	100	não	base series resistance (Ohm)
Kf	1e-12	não	flicker noise coefficient
Ffe	1	não	flicker noise coefficient
Af	1	não	flicker noise exponent
Responsivity	1.5	não	responsivity at relative selectivity=100% (A/W)
P0	2.6122e3	não	relative selectivity polynomial coefficient
P1	-1.489e1	não	relative selectivity polynomial coefficient
P2	3.0332e-2	não	relative selectivity polynomial coefficient
P3	-2.5708e-5	não	relative selectivity polynomial coefficient
P4	7.6923e-9	não	relative selectivity polynomial coefficient
Temp	26.85	não	temperatura de simulação

Nigbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	NIGBT
Descrição	NIGBT verilog device
Schematic entry	`nigbt`
Netlist entry	`T`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	nigbt
Propriedades	19
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Agd	5.0e-6	não	gate-drain overlap area (m**2)
Area	1.0e-5	não	area of the device (m**2)
Kp	0.38	não	MOS transconductance (A/V**2)
Tau	7.1e-6	não	ambipolar recombination lifetime (s)
Wb	9.0e-5	não	metallurgical base width (m)
BVf	1.0	não	avalanche uniformity factor
BVn	4.0	não	avalanche multiplication exponent
Cgs	1.24e-8	não	gate-source capacitance per unit area (F/cm**2)
Coxd	3.5e-8	não	gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2)
Jsne	6.5e-13	não	emitter saturation current density (A/cm**2)
Kf	1.0	não	triode region factor
Mun	1.5e-3	não	electron mobility (cm**2/Vs)
Mup	4.5e-2	não	hole mobility (cm**2/Vs)
Nb	2.0e14	não	base doping (1/cm**3)
Theta	0.02	não	transverse field factor (1/V)
Vt	4.7	não	threshold voltage (V)
Vtd	1.0e-3	não	gate-drain overlap depletion threshold (V)
Tnom	26.85	não	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	não	simulation temperature (Celsius)

Voltage Controlled Resistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Voltage Controlled Resistor
Descrição	fonte de tensão controlada por tensão
Schematic entry	`vcresistor`
Netlist entry	`VCR`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	vcresistor
Propriedades	1
Category	dispositivos verilog-a

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
gain	1	sim	resistance gain

Digital Components¶

Digital Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	fonte digital
Descrição	fonte digital
Schematic entry	`DigiSource`
Netlist entry	`S`
Tipo	Componente
Bitmap file	digi_source
Propriedades	4
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Num	1	sim	número de portas
init	low	não	initial output value [low, high]
times	1ns; 1ns	não	lista de tempos para mudar o valor de saída
V	1 V	não	tensão no nível alto

Inverter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Inverter
Descrição	logical inverter
Schematic entry	`Inv`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	inverter
Propriedades	4
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Or¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-port OR
Descrição	logical OR
Schematic entry	`OR`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	or
Propriedades	5
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
in	2	não	número de portas de entrada
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-port NOR
Descrição	logical NOR
Schematic entry	`NOR`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	nor
Propriedades	5
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
in	2	não	número de portas de entrada
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port And¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-port AND
Descrição	logical AND
Schematic entry	`AND`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	and
Propriedades	5
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
in	2	não	número de portas de entrada
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nand¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-port NAND
Descrição	logical NAND
Schematic entry	`NAND`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	nand
Propriedades	5
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
in	2	não	número de portas de entrada
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-port XOR
Descrição	logical XOR
Schematic entry	`XOR`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	xor
Propriedades	5
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
in	2	não	número de portas de entrada
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xnor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-port XNOR
Descrição	logical XNOR
Schematic entry	`XNOR`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	xnor
Propriedades	5
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
in	2	não	número de portas de entrada
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

Buffer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Buffer
Descrição	logical buffer
Schematic entry	`Buf`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	buffer
Propriedades	4
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
V	1 V	não	tensão no nível alto
t	0	não	tempo de atraso
TR	10	não	fator de escala função de transferência
Symbol	old	não	schematic symbol [old, DIN40900]

4X2 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4x2 AndOr
Descrição	4x2 andor dispositivo verilog
Schematic entry	`andor4x2`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	andor4x2
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

4X3 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4x3 AndOr
Descrição	4x3 andor dispositivo verilog
Schematic entry	`andor4x3`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	andor4x3
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

4X4 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4x4 AndOr
Descrição	4x4 andor dispositivo verilog
Schematic entry	`andor4x4`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	andor4x4
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

2To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	2to1 Mux
Descrição	2to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux2to1`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	mux2to1
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

4To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4to1 Mux
Descrição	4to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux4to1`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	mux4to1
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

8To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	8to1 Mux
Descrição	8to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux8to1`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	mux8to1
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

2To4 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	2to4 Demux
Descrição	2to4 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux2to4`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	dmux2to4
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

3To8 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	3to8 Demux
Descrição	3to8 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux3to8`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	dmux3to8
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

4To16 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4to16 Demux
Descrição	4to16 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux4to16`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	dmux4to16
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

1Bit Halfadder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	1Bit HalfAdder
Descrição	1bit half adder verilog device
Schematic entry	`ha1b`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	ha1b
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

1Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	1Bit FullAdder
Descrição	1bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa1b`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	fa1b
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

2Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	2Bit FullAdder
Descrição	2bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa2b`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	fa2b
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

Rs-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	RS-FlipFlop
Descrição	RS flip flop
Schematic entry	`RSFF`
Netlist entry	`Y`
Tipo	DigitalComponent
Bitmap file	rsflipflop
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
t	0	não	tempo de atraso

D-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	D-FlipFlop
Descrição	D flip flop with asynchron reset
Schematic entry	`DFF`
Netlist entry	`Y`
Tipo	DigitalComponent
Bitmap file	dflipflop
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
t	0	não	tempo de atraso

D-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	D-FlipFlop w/ SR
Descrição	D flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`dff_SR`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	dff_SR
Propriedades	3
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR_H	6	não	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	não	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	não	cross coupled gate delay (s)

Jk-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	JK-FlipFlop
Descrição	JK flip flop with asynchron set and reset
Schematic entry	`JKFF`
Netlist entry	`Y`
Tipo	DigitalComponent
Bitmap file	jkflipflop
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
t	0	não	tempo de atraso

Jk-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	JK-FlipFlop w/ SR
Descrição	jk flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`jkff_SR`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	jkff_SR
Propriedades	3
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR_H	6	não	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	não	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	não	cross coupled gate delay (s)

T-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	T-FlipFlop w/ SR
Descrição	T flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`tff_SR`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	tff_SR
Propriedades	3
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR_H	6	não	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	não	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	não	cross coupled gate delay (s)

Gated D-Latch¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Gated D-Latch
Descrição	gated D latch verilog device
Schematic entry	`gatedDlatch`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	gatedDlatch
Propriedades	3
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR_H	6	não	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	não	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	não	cross coupled gate delay (s)

Logic 0¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Logic 0
Descrição	logic 0 verilog device
Schematic entry	`logic_0`
Netlist entry	`S`
Tipo	Componente
Bitmap file	logic_0
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
LEVEL	0	não	logic 0 voltage level (V)

Logic 1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Logic 1
Descrição	logic 1 verilog device
Schematic entry	`logic_1`
Netlist entry	`S`
Tipo	Componente
Bitmap file	logic_1
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
LEVEL	1	não	logic 1 voltage level (V)

2Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	2Bit Pattern
Descrição	2bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad2bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	pad2bit
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Number	0	não	pad output value

3Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	3Bit Pattern
Descrição	3bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad3bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	pad3bit
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Number	0	não	pad output value

4Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4Bit Pattern
Descrição	4bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad4bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	pad4bit
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Number	0	não	pad output value

A2D Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	A2D Level Shifter
Descrição	data voltage level shifter (analogue to digital) verilog device
Schematic entry	`DLS_nto1`
Netlist entry	`Y`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_nto1
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
LEVEL	5 V	não	voltage level (V)
Delay	1 ns	não	time delay (s)

D2A Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	D2A Level Shifter
Descrição	data voltage level shifter (digital to analogue) verilog device
Schematic entry	`DLS_1ton`
Netlist entry	`Y`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_1ton
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
LEVEL	5 V	não	nível de tensão
Delay	1 ns	não	time delay (s)

4Bit Bin2Grey¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4Bit Bin2Grey
Descrição	conversor 4bit binario para grey dispositivo verilog
Schematic entry	`binarytogrey4bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	binarytogrey4bit
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	fator de escala função de transferência
Delay	1 ns	não	output delay (s)

4Bit Grey2Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4Bit Grey2Bin
Descrição	4bit grey to binary converter verilog device
Schematic entry	`greytobinary4bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	greytobinary4bit
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	fator de escala função de transferência
Delay	1 ns	não	output delay (s)

Comparador 1Bit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Comparador 1Bit
Descrição	comparador 1bit dispositivo verilog
Schematic entry	`comp_1bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	comp_1bit
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

Comparador 2Bit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Comparador 2Bit
Descrição	comparador 2bit dispositivo verilog
Schematic entry	`comp_2bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	comp_2bit
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

Comparador 4Bit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Comparador 4Bit
Descrição	comparador 4bit dispositivo verilog
Schematic entry	`comp_4bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	comp_4bit
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	não	output delay (s)

4Bit Hpri-Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	4Bit HPRI-Bin
Descrição	4bit highest priority encoder (binary form) verilog device
Schematic entry	`hpribin4bit`
Netlist entry	`Y`
Tipo	Componente
Bitmap file	hpribin4bit
Propriedades	2
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
TR	6	não	fator de escala função de transferência
Delay	1 ns	não	output delay (s)

Vhdl File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	VHDL file
Descrição	VHDL file
Schematic entry	`VHDL`
Netlist entry	`X`
Tipo	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo	sub.vhdl	não	Name of VHDL file

Verilog File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Arquivo Verilog
Descrição	Arquivo Verilog
Schematic entry	`Verilog`
Netlist entry	`X`
Tipo	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Propriedades	1
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo	sub.v	não	Nome do arquivo Verilog

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	simulação digital
Descrição	simulação digital
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Tipo	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Propriedades	3
Category	componentes digitais

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	TruthTable	sim	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	não	duração da simulação TimeList
Modelo	VHDL	não	netlist format [VHDL, Verilog]

File Components¶

Spice Netlist¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	SPICE netlist
Descrição	SPICE netlist file
Schematic entry	`SPICE`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	spicefile
Propriedades	4
Category	componentes em arquivo

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo		sim	x
Ports		não	x
Sim	sim	não	x
Preprocessor	none	não	x

1-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	1-port S parameter file
Descrição	arquivo do parametro S
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	spfile1
Propriedades	5
Category	componentes em arquivo

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo	test.s1p	sim	nome do arquivo do parametro s
Dado	rectangular	não	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linear	não	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	não	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	1	não	number of ports

2-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	2-port S parameter file
Descrição	arquivo do parametro S
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	spfile2
Propriedades	5
Category	componentes em arquivo

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo	test.s2p	sim	nome do arquivo do parametro s
Dado	rectangular	não	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linear	não	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	não	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	2	não	number of ports

N-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	n-port S parameter file
Descrição	arquivo do parametro S
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	spfile3
Propriedades	5
Category	componentes em arquivo

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo	test.s3p	sim	nome do arquivo do parametro s
Dado	rectangular	não	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linear	não	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	não	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	3	não	number of ports

Subcircuit¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Subcircuit
Descrição	subcircuito
Schematic entry	`Sub`
Netlist entry	`SUB`
Tipo	Componente
Bitmap file	subcircuito
Propriedades	1
Category	componentes em arquivo

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Arquivo		não	nome do arquivo esquemático do qucs

Simulations¶

Dc Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	simulação cc
Descrição	simulação cc
Schematic entry	`.DC`
Netlist entry	`DC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	dc
Propriedades	9
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
reltol	0.001	não	tolerância relativa para convergência
abstol	1 pA	não	tolerância absoluta para correntes
vntol	1 uV	não	tolerância absoluta para tensões
saveOPs	não	não	put operating points into dataset [yes, no]
MaxIter	150	não	máximo número de iterações até ocorrer erro
saveAll	não	não	save subcircuit nodes into dataset [yes, no]
convHelper	none	não	preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping]
Solver	CroutLU	não	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]

Transient Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Simulação de transitório
Descrição	simulação de transiente
Schematic entry	`.TR`
Netlist entry	`TR`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	tran
Propriedades	20
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	lin	sim	sweep type [lin, log, list, const]
Start	0	sim	tempo inicial em segundos
Stop	1 ms	sim	tempo final em segundos
Points	11	não	número de passos de tempo de simulação
IntegrationMethod	Trapezoidal	não	integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton]
Order	2	não	order of integration method (1-6)
InitialStep	1 ns	não	tamanho do passo inicial em segundos
MinStep	1e-16	não	tamanho minimo do passo em segundos
MaxIter	150	não	máximo número de iterações até ocorrer erro
reltol	0.001	não	tolerância relativa para convergência
abstol	1 pA	não	tolerância absoluta para correntes
vntol	1 uV	não	tolerância absoluta para tensões
Temp	26.85	não	temperatura de simulação em graus Celsius
LTEreltol	1e-3	não	relative tolerance of local truncation error
LTEabstol	1e-6	não	absolute tolerance of local truncation error
LTEfactor	1	não	overestimation of local truncation error
Solver	CroutLU	não	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]
relaxTSR	não	não	relax time step raster [no, yes]
initialDC	sim	não	perform an initial DC analysis [yes, no]
MaxStep	0	não	maximum step size in seconds

Ac Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	simulação ca
Descrição	simulação ca
Schematic entry	`.AC`
Netlist entry	`AC`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	ac
Propriedades	5
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	lin	sim	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	sim	frequencia inicial em Hertz
Stop	10 GHz	sim	frequencia final em Hertz
Points	19	sim	número de passos de simulação
Noise	não	não	calculate noise voltages [yes, no]

S-Parameter Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	simulação do parametro-S
Descrição	simulação do parametro S
Schematic entry	`.SP`
Netlist entry	`SP`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	sparameter
Propriedades	9
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	lin	sim	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	sim	frequencia inicial em Hertz
Stop	10 GHz	sim	frequencia final em Hertz
Points	19	sim	número de passos de simulação
Noise	não	não	calculate noise parameters [yes, no]
NoiseIP	1	não	porta de entrada para figura de ruído
NoiseOP	2	não	porta de saída para figura de ruído
saveCVs	não	não	put characteristic values into dataset [yes, no]
saveAll	não	não	save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no]

Harmonic Balance¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Equilíbrio harmônico
Descrição	Simulação de equilíbrio harmônico
Schematic entry	`.HB`
Netlist entry	`HB`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	hb
Propriedades	6
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
f	1 GHz	não	freqüência em Hertz
n	4	sim	número de harmônicas
iabstol	1 pA	não	tolerância absoluta para correntes
vabstol	1 uV	não	tolerância absoluta para tensões
reltol	0.001	não	tolerância relativa para convergência
MaxIter	150	não	máximo número de iterações até ocorrer erro

Parameter Sweep¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	Parametro de varredura
Descrição	Parametro de varredura
Schematic entry	`.SW`
Netlist entry	`SW`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	sweep
Propriedades	6
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Sim		sim	simulation to perform parameter sweep on
Tipo	lin	sim	sweep type [lin, log, list, const]
Param	R1	sim	parametro para varredura
Start	5 Ohm	sim	valor incial para varredura
Stop	50 Ohm	sim	valor final para varredura
Points	20	sim	número de passos de simulação

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	simulação digital
Descrição	simulação digital
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Tipo	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Propriedades	3
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Tipo	TruthTable	sim	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	não	duração da simulação TimeList
Modelo	VHDL	não	netlist format [VHDL, Verilog]

Optimization¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Valor
Caption	optimization
Descrição	Optimization
Schematic entry	`.Opt`
Netlist entry	`Opt`
Tipo	AnalogComponent
Bitmap file	optimize
Propriedades	2
Category	simulações

Parâmetros do Componente¶

Default Parameters
Nome	Valor	Display	Descrição
Sim		não
DE	3\|50\|2\|20\|0.85\|1\|3\|1e-6\|10\|100	não