Component Reference¶
Lumped Components¶
Резистор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Резистор |
Описание |
резистор |
| Schematic entry | R |
| Netlist entry | R |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | резистор |
Свойства |
6 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| R | 50 Ohm | да |
Омическое сопротивление в омах |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tc1 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент первого порядка |
| Tc2 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент второго порядка |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Symbol | european | нет |
schematic symbol [european, US] |
Resistor Us¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Резистор US |
Описание |
резистор |
| Schematic entry | R |
| Netlist entry | R |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | resistor_us |
Свойства |
6 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| R | 50 Ohm | да |
Омическое сопротивление в омах |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tc1 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент первого порядка |
| Tc2 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент второго порядка |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Symbol | US | нет |
schematic symbol [european, US] |
Конденсатор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Конденсатор |
Описание |
конденсатор |
| Schematic entry | C |
| Netlist entry | C |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | конденсатор |
Свойства |
3 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| C | 1 pF | да |
емкость в фарадах |
В |
нет |
начальное напряжение для моделирования переходных процессов |
|
| Symbol | neutral | нет |
schematic symbol [neutral, polar] |
Катушка индуктивности¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Катушка индуктивности |
Описание |
катушка индуктивности |
| Schematic entry | L |
| Netlist entry | L |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | катушка индуктивности |
Свойства |
2 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L | 1 nH | да |
индуктивность в генри |
| I | нет |
начальный ток для моделирования переходных процессов |
Земля¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Земля |
Описание |
земля (опорный потенциал) |
| Schematic entry | GND |
| Netlist entry | |
Тип |
Component |
| Bitmap file | gnd |
Свойства |
0 |
| Category | дискретные компоненты |
Порт подсхемы¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Порт подсхемы |
Описание |
порт подсхемы |
| Schematic entry | Port |
| Netlist entry | P |
Тип |
Component |
| Bitmap file | subport |
Свойства |
2 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Num | 1 | да |
номер порта в подсхеме |
Тип |
analog | нет |
type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout] |
Трансформатор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Трансформатор |
Описание |
идеальный трансформатор |
| Schematic entry | Tr |
| Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | transformer |
Свойства |
1 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| T | 1 | да |
коэффициент трансформации напряжения |
Symmetric Transformer¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | симметричный трансформатор |
Описание |
идеальный симметричный трансформатор |
| Schematic entry | sTr |
| Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | symtrans |
Свойства |
2 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| T1 | 1 | да |
коэффициент трансформации напряжения обмотки 1 |
| T2 | 1 | да |
коэффициент трансформации напряжения обмотки 2 |
Dc Block¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | развязка от постоянного тока |
Описание |
развязка |
| Schematic entry | DCBlock |
| Netlist entry | C |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dcblock |
Свойства |
1 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| C | 1 uF | нет |
для моделирования переходных процессов: емкость в фарадах |
Dc Feed¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | подвод постоянного тока |
Описание |
подача постоянного тока |
| Schematic entry | DCFeed |
| Netlist entry | L |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dcfeed |
Свойства |
1 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L | 1 uH | нет |
для моделирования переходных процессов: индуктивность в генри |
Смещение T¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Смещение T |
Описание |
смещение T |
| Schematic entry | BiasT |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | biast |
Свойства |
2 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L | 1 uH | нет |
для моделирования переходных процессов: индуктивность в генри |
| C | 1 uF | нет |
для моделирования переходных процессов: емкость в фарадах |
Аттенюатор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Аттенюатор |
Описание |
ослабляющий член |
| Schematic entry | Attenuator |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ослабляющий член |
Свойства |
3 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L | 10 dB | да |
ослабление мощности |
| Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Усилитель¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Усилитель |
Описание |
идеальный усилитель |
| Schematic entry | Amp |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | amplifier |
Свойства |
4 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| G | 10 | да |
усиление напряжения |
| Z1 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление входного порта |
| Z2 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление выходного порта |
| NF | 0 dB | нет |
фактор шума |
Изолятор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Изолятор |
Описание |
изолятор |
| Schematic entry | Isolator |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | изолятор |
Свойства |
3 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Z1 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление входного порта |
| Z2 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление выходного порта |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Циркулятор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Циркулятор |
Описание |
циркулятор |
| Schematic entry | Circulator |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | циркулятор |
Свойства |
3 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Z1 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление порта 1 |
| Z2 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление порта 2 |
| Z3 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление порта 3 |
Гиратор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Гиратор |
Описание |
гиратор (преобразователь полного сопротивления) |
| Schematic entry | Gyrator |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | gyrator |
Свойства |
2 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| R | 50 Ohm | да |
коэффициент гирации |
| Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Фазосдвигатель¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Фазосдвигатель |
Описание |
фазосдвигатель |
| Schematic entry | PShift |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pshifter |
Свойства |
2 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| phi | 90 | да |
сдвиг фазы в градусах |
| Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Устройство связи¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Устройство связи |
Описание |
идеальное устройство связи |
| Schematic entry | Coupler |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | coupler |
Свойства |
3 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| k | 0.7071 | да |
коэффициент связи |
| phi | 180 | да |
фазовый сдвиг связного пути в градусах |
| Z | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Hybrid¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Hybrid |
Описание |
hybrid (unsymmetrical 3dB coupler) |
| Schematic entry | Hybrid |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | hybrid |
Свойства |
2 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| phi | 90 | да |
сдвиг фазы в градусах |
| Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Измеритель тока¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Измеритель тока |
Описание |
измеритель тока |
| Schematic entry | IProbe |
| Netlist entry | Pr |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | iprobe |
Свойства |
0 |
| Category | дискретные компоненты |
Измеритель напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Измеритель напряжения |
Описание |
измеритель напряжения |
| Schematic entry | VProbe |
| Netlist entry | Pr |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vprobe |
Свойства |
0 |
| Category | дискретные компоненты |
Индуктивно связанные катушки¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Индуктивно связанные катушки |
Описание |
две индуктивно связанных катушки |
| Schematic entry | MUT |
| Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mutual |
Свойства |
3 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L1 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 1 |
| L2 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 2 |
| k | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 1 и 2 |
3 индукивно связанных катушки¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 3 индукивно связанных катушки |
Описание |
три индуктивно связанных катушки |
| Schematic entry | MUT2 |
| Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mutual2 |
Свойства |
6 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L1 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 1 |
| L2 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 2 |
| L3 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 3 |
| k12 | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 1 и 2 |
| k13 | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 1 и 3 |
| k23 | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 2 и 3 |
N Mutual Inductors¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | N Mutual Inductors |
Описание |
several mutual inductors |
| Schematic entry | MUTX |
| Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mutualx |
Свойства |
11 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| coils | 4 | нет |
number of mutual inductances |
| L1 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 1 |
| L2 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 2 |
| L3 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 3 |
| L4 | 1 mH | нет |
inductance of coil 4 |
| k12 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 1 and coil 2 |
| k13 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 1 and coil 3 |
| k14 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 1 and coil 4 |
| k23 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 2 and coil 3 |
| k24 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 2 and coil 4 |
| k34 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 3 and coil 4 |
Переключатель¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Переключатель |
Описание |
переключатель (управляемый по времени) |
| Schematic entry | Switch |
| Netlist entry | S |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | switch |
Свойства |
6 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| init | off | нет |
initial state [on, off] |
| time | 1 ms | нет |
time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated) |
| Ron | 0 | нет |
сопротивление в состоянии “on” в омах |
| Roff | 1e12 | нет |
сопротивление в состоянии “off” в омах |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| MaxDuration | 1e-6 | нет |
Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number) |
Реле¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Реле |
Описание |
реле |
| Schematic entry | Relais |
| Netlist entry | S |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | relais |
Свойства |
5 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Vt | 0.5 V | нет |
пороговое напряжение в вольтах |
| Vh | 0.1 V | нет |
напряжение гистерезиса в вольтах |
| Ron | 0 | нет |
сопротивление в “on”-состоянии в омах |
| Roff | 1e12 | нет |
сопротивление в “off”-состоянии в омах |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Equation Defined Rf Device¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Заданное уравнением ВЧ устройство |
Описание |
заданное уравнением ВЧ устройство |
| Schematic entry | RFEDD |
| Netlist entry | RF |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rfedd |
Свойства |
7 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
Y | нет |
type of parameters [Y, Z, S] |
| Ports | 2 | нет |
количество портов |
| duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency] |
| P11 | 0 | нет |
parameter equation 11 |
| P12 | 0 | нет |
parameter equation 12 |
| P21 | 0 | нет |
parameter equation 21 |
| P22 | 0 | нет |
parameter equation 22 |
Equation Defined 2-Port Rf Device¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Заданное уравнением 2-портовое ВЧ устройство |
Описание |
заданное уравнением 2-портовое ВЧ устройство |
| Schematic entry | RFEDD2P |
| Netlist entry | RF |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rfedd |
Свойства |
6 |
| Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
Y | нет |
type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T] |
| duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency] |
| P11 | 0 | нет |
parameter equation 11 |
| P12 | 0 | нет |
parameter equation 12 |
| P21 | 0 | нет |
parameter equation 21 |
| P22 | 0 | нет |
parameter equation 22 |
Sources¶
Dc Voltage Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | источник напряжения постоянного тока |
Описание |
идеальный источник постоянного напряжения |
| Schematic entry | Vdc |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dc_voltage |
Свойства |
1 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | да |
напряжение в вольтах |
Dc Current Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | источник постоянного тока |
Описание |
идеальный источник постоянного тока |
| Schematic entry | Idc |
| Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dc_current |
Свойства |
1 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| I | 1 mA | да |
ток в амперах |
Ac Voltage Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | источник напряжения переменного тока |
Описание |
идеальный источник переменного напряжения |
| Schematic entry | Vac |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ac_voltage |
Свойства |
4 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | да |
пиковое напряжение в вольтах |
| f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
| Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
| Theta | 0 | нет |
коэффициент затухания (только для переходного моделирования) |
Ac Current Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | источник переменного тока |
Описание |
идеальный источник переменного тока |
| Schematic entry | Iac |
| Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ac_current |
Свойства |
4 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| I | 1 mA | да |
пиковая величина тока в амперах |
| f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
| Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
| Theta | 0 | нет |
коэффициент затухания (только для переходного моделирования) |
Источник питания¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник питания |
Описание |
источник питания переменного тока |
| Schematic entry | Pac |
| Netlist entry | P |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | source |
Свойства |
5 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Num | 1 | да |
номер порта |
| Z | 50 Ohm | да |
полное сопротивление порта |
| P | 0 dBm | нет |
(доступная) AC мощность в ваттах |
| f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Источник шумового напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник шумового напряжения |
Описание |
источник шумового напряжения |
| Schematic entry | Vnoise |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_volt |
Свойства |
4 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| u | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности шумового напряжения в В²/Гц |
| e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
| c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
| a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Источник шумового тока¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник шумового тока |
Описание |
шумовой источник тока |
| Schematic entry | Inoise |
| Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_current |
Свойства |
4 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| i | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности шумового тока в А²/Гц |
| e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
| c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
| a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Источник тока, управляемый напряжением¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник тока, управляемый напряжением |
Описание |
источник тока, управляемый напряжением |
| Schematic entry | VCCS |
| Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vccs |
Свойства |
2 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| G | 1 S | да |
прямая передаточная проводимость |
| T | 0 | нет |
время задержки |
Источник тока, управляемый током¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник тока, управляемый током |
Описание |
источник тока, управляемый током |
| Schematic entry | CCCS |
| Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cccs |
Свойства |
2 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| G | 1 | да |
коэффициент прямой передачи |
| T | 0 | нет |
время задержки |
Источник напряжения, управляемый напряжением¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник напряжения, управляемый напряжением |
Описание |
источник напряжения, управляемый напряжением |
| Schematic entry | VCVS |
| Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vcvs |
Свойства |
2 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| G | 1 | да |
коэффициент прямой передачи |
| T | 0 | нет |
время задержки |
Источник напряжения, управляемый током¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник напряжения, управляемый током |
Описание |
источник напряжения, управляемый током |
| Schematic entry | CCVS |
| Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ccvs |
Свойства |
2 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| G | 1 Ohm | да |
коэффициент прямой передачи |
| T | 0 | нет |
время задержки |
Источник импульсного напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник импульсного напряжения |
Описание |
идеальный источник импульсного напряжения |
| Schematic entry | Vpulse |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vpulse |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| U1 | 0 V | да |
напряжение до и после импульса |
| U2 | 1 V | да |
напряжение во время импульса |
| T1 | 0 | да |
время начала импульса |
| T2 | 1 ms | да |
время окончания импульса |
| Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
| Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
Источник импульсного тока¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник импульсного тока |
Описание |
идеальный источник импульсного тока |
| Schematic entry | Ipulse |
| Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ipulse |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| I1 | 0 | да |
ток до и после импульса |
| I2 | 1 A | да |
ток во время импульса |
| T1 | 0 | да |
время начала импульса |
| T2 | 1 ms | да |
время окончания импульса |
| Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
| Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
Источник напряжения прямоугольной формы¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник напряжения прямоугольной формы |
Описание |
идеальный источник напряжения прямоугольной формы |
| Schematic entry | Vrect |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vrect |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | да |
напряжение вершины импульса |
| TH | 1 ms | да |
длительность вершины импульса |
| TL | 1 ms | да |
длительность нижнего уровня импульса |
| Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
| Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
| Td | 0 ns | нет |
начальное время задержки |
Источник тока прямоугольной формы¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник тока прямоугольной формы |
Описание |
идеальный источник тока прямоугольной формы |
| Schematic entry | Irect |
| Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | irect |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| I | 1 mA | да |
ток на вершине импульса |
| TH | 1 ms | да |
длительность вершины импульса |
| TL | 1 ms | да |
длительность нижнего уровня импульса |
| Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
| Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
| Td | 0 ns | нет |
начальное время задержки |
Коррелированнные источники шума¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Коррелированнные источники шума |
Описание |
корреллированные источники тока |
| Schematic entry | VVnoise |
| Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_vv |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| v1 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности напряжения шума источника 1 |
| v2 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности напряжения шума источника 2 |
| C | 0.5 | да |
нормированный коэффициент коррелляции |
| e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
| c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
| a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Коррелированнные источники шума¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Коррелированнные источники шума |
Описание |
корреллированные источники тока |
| Schematic entry | IVnoise |
| Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | noise_iv |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| i1 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности тока источника 1 |
| v2 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности напряжения шума источника 2 |
| C | 0.5 | да |
нормированный коэффициент коррелляции |
| e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
| c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
| a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Am Modulated Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник с АМ-модуляцией |
Описание |
источник переменного напряжения с амплитудным модулятором |
| Schematic entry | AM_Mod |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | am_mod |
Свойства |
4 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | да |
пиковое напряжение в вольтах |
| f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
| Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
м |
1.0 | нет |
уровень модуляции |
Pm Modulated Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник с импульсной модуляцией |
Описание |
источник переменного напряжения с фазовым модулятором |
| Schematic entry | PM_Mod |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pm_mod |
Свойства |
4 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| U | 1 V | да |
пиковое напряжение в вольтах |
| f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
| Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
| M | 1.0 | нет |
индекс модуляции |
Источник экспоненциального импульсного тока¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник экспоненциального импульсного тока |
Описание |
экспоненциальный источник тока |
| Schematic entry | Iexp |
| Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | iexp |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| I1 | 0 | да |
ток перед возрастающим фронтом |
| I2 | 1 A | да |
максимальный ток импульса |
| T1 | 0 | да |
время начала экспоненциально нарастающего фронта |
| T2 | 1 ms | да |
начало экспоненциального спада |
| Tr | 1 ns | нет |
постоянная времени нарастающего фронта |
| Tf | 1 ns | нет |
постоянная времени спадающего фронта |
Источник экспоненциального импульсного напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник экспоненциального импульсного напряжения |
Описание |
источник экспоненциального напряжения |
| Schematic entry | Vexp |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vexp |
Свойства |
6 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| U1 | 0 V | да |
напряжение перед возрастающим фронтом |
| U2 | 1 V | да |
максимальное напряжение импульса |
| T1 | 0 | да |
время начала экспоненциально нарастающего фронта |
| T2 | 1 ms | да |
начало экспоненциального спада |
| Tr | 1 ns | нет |
время нарастания импульса |
| Tf | 1 ns | нет |
время спада импульса |
Источник напряжения на основе файла¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник напряжения на основе файла |
Описание |
источник напряжения на основе файла |
| Schematic entry | Vfile |
| Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vfile |
Свойства |
5 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
vfile.dat | да |
имя файла с отсчетами |
| Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [hold, linear, cubic] |
| Repeat | нет |
нет |
repeat waveform [no, yes] |
| G | 1 | нет |
усиление напряжения |
| T | 0 | нет |
время задержки |
Источник тока на основе файла¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Источник тока на основе файла |
Описание |
источник тока на основе файла |
| Schematic entry | Ifile |
| Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ifile |
Свойства |
5 |
| Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
ifile.dat | да |
имя файла с отсчетами |
| Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [hold, linear, cubic] |
| Repeat | нет |
нет |
repeat waveform [no, yes] |
| G | 1 | нет |
усиление тока |
| T | 0 | нет |
время задержки |
Probes¶
Transmission Lines¶
Линия передачи¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Линия передачи |
Описание |
идеальная линия передачи |
| Schematic entry | TLIN |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tline |
Свойства |
4 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Z | 50 Ohm | да |
характеристическое полное сопротивление |
| L | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
| Alpha | 0 dB | нет |
коэффициент ослабления на единицу длины, в 1/м |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Линия передачи с 4 выводами¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Линия передачи с 4 выводами |
Описание |
идеальная линия передачи с 4 выводами |
| Schematic entry | TLIN4P |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tline_4port |
Свойства |
4 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Z | 50 Ohm | да |
характеристическое полное сопротивление |
| L | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
| Alpha | 0 dB | нет |
коэффициент ослабления на единицу длины, в 1/м |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Coupled Transmission Line¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Coupled Transmission Line |
Описание |
coupled transmission lines |
| Schematic entry | CTLIN |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ctline |
Свойства |
8 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Ze | 50 Ohm | да |
characteristic impedance of even mode |
| Zo | 50 Ohm | да |
characteristic impedance of odd mode |
| L | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
| Ere | 1 | нет |
relative dielectric constant of even mode |
| Ero | 1 | нет |
relative dielectric constant of odd mode |
| Ae | 0 dB | нет |
attenuation factor per length of even mode |
| Ao | 0 dB | нет |
attenuation factor per length of odd mode |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Витая пара¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Витая пара |
Описание |
линия передачи витой парой |
| Schematic entry | TWIST |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | twistedpair |
Свойства |
9 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| d | 0.5 mm | да |
диаметр проводника |
| D | 0.8 mm | да |
диаметр провода (проводник и изолятор) |
| L | 1.5 | да |
физическая длина линии |
| T | 100 | нет |
витков на 1 м |
| er | 4 | нет |
диэлектрическая постоянная изолятора |
| mur | 1 | нет |
относительная проницаемость проводника |
| rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление проводника |
| tand | 4e-4 | нет |
тангенс угла диэлектрических потерь |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Коаксиальная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Коаксиальная линия |
Описание |
коаксиальная линия передачи |
| Schematic entry | COAX |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | coaxial |
Свойства |
8 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| er | 2.29 | да |
относительная проницаемость диэлектрика |
| rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление проводника |
| mur | 1 | нет |
относительная проницаемость проводника |
| D | 2.95 mm | нет |
внутренний диаметр экрана |
| d | 0.9 mm | нет |
диаметр внутреннего проводника |
| L | 1500 mm | да |
механическая длина линии |
| tand | 4e-4 | нет |
тангенс угла диэлектрических потерь |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Прямоугольный волновод¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Прямоугольный волновод |
Описание |
Прямоугольный волновод |
| Schematic entry | RECTLINE |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rectline |
Свойства |
9 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| a | 2.95 mm | да |
самая широкая сторона |
| b | 0.9 mm | да |
самая короткая сторона |
| L | 1500 mm | да |
механическая длина линии |
| er | 1 | нет |
относительная проницаемость диэлектрика |
| mur | 1 | нет |
относительная проницаемость проводника |
| tand | 0 | нет |
тангенс угла диэлектрических потерь |
| rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление проводника |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Material | unspecified | нет |
material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold] |
Rlcg Transmission Line¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | RLCG Transmission Line |
Описание |
Линия передачи RLCG |
| Schematic entry | RLCG |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | rlcg |
Свойства |
6 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| R | 0.0 | нет |
resistive load (Ohm/m) |
| L | 0.6e-6 | да |
inductive load (H/m) |
| C | 240e-12 | да |
capacitive load (F/m) |
| G | 0.0 | нет |
conductive load (S/m) |
| Length | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Подложка¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Подложка |
Описание |
параметры подложки |
| Schematic entry | SUBST |
| Netlist entry | Subst |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | подложка |
Свойства |
6 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| er | 9.8 | да |
относительная диэлектрическая проницаемость |
| h | 1 mm | да |
толщина в метрах |
| t | 35 um | да |
толщина металлизации |
| tand | 2e-4 | да |
тангенс угла диэлектрических потерь |
| rho | 0.022e-6 | да |
удельное сопротивление металла |
| D | 0.15e-6 | да |
среднеквадратичная шероховатость подложки |
Микрополосковая линия¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Микрополосковая линия |
Описание |
микрополосковая линия |
| Schematic entry | MLIN |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msline |
Свойства |
6 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| L | 10 mm | да |
длина линии |
| Model | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| DispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Связанная микрополосковая линия¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Связанная микрополосковая линия |
Описание |
связанная микрополосковая линия |
| Schematic entry | MCOUPLED |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mscoupled |
Свойства |
7 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| L | 10 mm | да |
длина линии |
| S | 1 mm | да |
расстояние между линиями |
| Model | Kirschning | нет |
microstrip model [Kirschning, Hammerstad] |
| DispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger] |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Microstrip Lange Coupler¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Microstrip Lange Coupler |
Описание |
microstrip lange coupler |
| Schematic entry | MLANGE |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mslange |
Свойства |
7 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| L | 10 mm | да |
длина линии |
| S | 1 mm | да |
расстояние между линиями |
| Model | Kirschning | нет |
microstrip model [Kirschning, Hammerstad] |
| DispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger] |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
угол микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | угол микрополосковой линии |
Описание |
угол микрополосковой линии |
| Schematic entry | MCORN |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mscorner |
Свойства |
2 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
подложка |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
Выровненный изгиб микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Выровненный изгиб микрополосковой линии |
Описание |
выровненный изгиб микрополосковой линии |
| Schematic entry | MMBEND |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msmbend |
Свойства |
2 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
подложка |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
Скачок ширины микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Скачок ширины микрополосковой линии |
Описание |
скачок полного сопротивления микрополосковой линии |
| Schematic entry | MSTEP |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msstep |
Свойства |
5 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
подложка |
| W1 | 2 mm | да |
1 ширина линии |
| W2 | 1 mm | да |
2 ширина линии |
| MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Тройник микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Тройник микрополосковой линии |
Описание |
тройник микрополосковой линии |
| Schematic entry | MTEE |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mstee |
Свойства |
8 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
подложка |
| W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
| W2 | 1 mm | да |
ширина линии 2 |
| W3 | 2 mm | да |
ширина линии 3 |
| MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
| Temp | 26.85 | нет |
температура в °C |
| Symbol | showNumbers | нет |
show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers] |
Пересечение микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Пересечение микрополосковой линии |
Описание |
пересечение микрополосковой линии |
| Schematic entry | MCROSS |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mscross |
Свойства |
8 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
подложка |
| W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
| W2 | 2 mm | да |
ширина линии 2 |
| W3 | 1 mm | да |
ширина линии 3 |
| W4 | 2 mm | да |
ширина линии 4 |
| MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
| Symbol | showNumbers | нет |
show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers] |
Разомкнутая микрополосковая линия¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Разомкнутая микрополосковая линия |
Описание |
разомкнутая микрополосковая линия |
| Schematic entry | MOPEN |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msopen |
Свойства |
5 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
| Model | Kirschning | нет |
microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos] |
Разрыв микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Разрыв микрополосковой линии |
Описание |
разрыв микрополосковой линии |
| Schematic entry | MGAP |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msgap |
Свойства |
6 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
| W2 | 1 mm | да |
ширина линии 2 |
| S | 1 mm | да |
расстояние между концами микрополосковой линии |
| MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
| MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Переходное отверстие микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Переходное отверстие микрополосковой линии |
Описание |
переходное отверстие микрополосковой линии |
| Schematic entry | MVIA |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msvia |
Свойства |
3 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
подложка |
| D | 1 mm | да |
диаметр круглого переходного отверстия |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Микрополосковый радиальный шлейф¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Микрополосковый радиальный шлейф |
Описание |
микрополосковый радиальный шлейф |
| Schematic entry | MRSTUB |
| Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | msrstub |
Свойства |
4 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| ri | 1 mm | нет |
внутренний радиус |
| ro | 10 mm | да |
внешний радиус |
| alpha | 90 | да |
stub angle (degrees) |
Копланарная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Копланарная линия |
Описание |
копланарная линия |
| Schematic entry | CLIN |
| Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | coplanar |
Свойства |
6 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| S | 1 mm | да |
ширина зазора |
| L | 10 mm | да |
длина линии |
| Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
| Approx | да |
нет |
use approximation instead of precise equation [yes, no] |
Разомкнутая копланарная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Разомкнутая копланарная линия |
Описание |
разомкнутая копланарная линия |
| Schematic entry | COPEN |
| Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwopen |
Свойства |
5 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| S | 1 mm | да |
ширина зазора |
| G | 5 mm | да |
ширина разрыва на конце линии |
| Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Замкнутая копланарная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Замкнутая копланарная линия |
Описание |
замкнутая копланарная линия |
| Schematic entry | CSHORT |
| Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwshort |
Свойства |
4 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| S | 1 mm | да |
ширина зазора |
| Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Разрыв копланарной линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Разрыв копланарной линии |
Описание |
разрыв копланарной линии |
| Schematic entry | CGAP |
| Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwgap |
Свойства |
4 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W | 1 mm | да |
ширина линии |
| S | 1 mm | да |
ширина зазора |
| G | 0.5 mm | да |
ширина промежутка между двумя линиями |
Скачок ширины копланарной линии¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Скачок ширины копланарной линии |
Описание |
скачок ширины копланарной линии |
| Schematic entry | CSTEP |
| Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | cpwstep |
Свойства |
5 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Subst | Subst1 | да |
название подложки |
| W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
| W2 | 2 mm | да |
ширина линии 2 |
| S | 3 mm | да |
расстояние между земляными плоскостями |
| Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Соединительный проводник¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Соединительный проводник |
Описание |
соединительный проводник |
| Schematic entry | BOND |
| Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bondwire |
Свойства |
8 |
| Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L | 3 mm | да |
длина проводника |
| D | 50 um | да |
диаметр проводника |
| H | 2 mm | да |
высота над земляной плоскостью |
| rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление металла |
| mur | 1 | нет |
относительная проницаемость металла |
| Model | FREESPACE | нет |
bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES] |
| Subst | Subst1 | да |
подложка |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Nonlinear Components¶
Диод¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Диод |
Описание |
диод |
| Schematic entry | Diode |
| Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | диод |
Свойства |
29 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Is | 1e-15 A | да |
ток насыщения |
| N | 1 | да |
коэффициент эмиссии |
| Cj0 | 10 fF | да |
емкость перехода при нулевом смещении |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
| Vj | 0.7 V | нет |
потенциал перехода |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Cp | 0.0 fF | нет |
линейная емкость |
| Isr | 0.0 | нет |
рекомбинационный ток |
| Nr | 2.0 | нет |
коэффициент идеальности диода для Isr |
| Rs | 0.0 Ohm | нет |
омическое последовательное сопротивление |
| Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода |
| Ikf | 0 | нет |
Граничный ток при большом уровне инжекции (0=бесконечность) |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Bv | 0 | нет |
обратное напряжение пробоя |
| Ibv | 1 mA | нет |
ток при обратном напряжении пробоя |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
| Tbv | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент Bv |
| Trs | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент Rs |
| Ttt1 | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент Tt |
| Ttt2 | 0.0 | нет |
квадратный температурный коэффициент Tt |
| Tm1 | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент M |
| Tm2 | 0.0 | нет |
квадратный температурный коэффициент M |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для диода |
| Symbol | normal | нет |
schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor] |
Npn Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | npn транзистор |
Описание |
биполярный транзистор |
| Schematic entry | _BJT |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npn |
Свойства |
48 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
| Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
| Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
| Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
| Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
| Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
| Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
| Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
| Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
| Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
| Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
| Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
| Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
| Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
| Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
| Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
| Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
| Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
| Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
| Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
| Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
| Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
| Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
| Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
| Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
| Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
| Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
| Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
| Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
| Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
| Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
| Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
| Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
| Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
| Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
| Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
Pnp Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | pnp транзистор |
Описание |
биполярный транзистор |
| Schematic entry | _BJT |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnp |
Свойства |
48 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
| Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
| Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
| Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
| Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
| Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
| Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
| Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
| Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
| Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
| Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
| Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
| Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
| Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
| Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
| Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
| Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
| Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
| Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
| Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
| Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
| Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
| Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
| Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
| Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
| Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
| Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
| Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
| Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
| Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
| Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
| Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
| Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
| Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
| Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
| Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
Npn Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | npn транзистор |
Описание |
биполярный транзистор с подложкой |
| Schematic entry | BJT |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub |
Свойства |
48 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
| Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
| Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
| Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
| Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
| Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
| Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
| Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
| Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
| Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
| Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
| Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
| Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
| Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
| Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
| Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
| Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
| Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
| Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
| Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
| Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
| Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
| Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
| Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
| Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
| Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
| Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
| Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
| Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
| Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
| Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
| Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
| Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
| Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
| Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
| Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
Pnp Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | pnp транзистор |
Описание |
биполярный транзистор с подложкой |
| Schematic entry | BJT |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub |
Свойства |
48 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
| Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
| Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
| Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
| Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
| Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
| Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
| Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
| Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
| Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
| Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
| Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
| Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
| Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
| Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
| Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
| Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
| Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
| Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
| Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
| Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
| Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
| Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
| Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
| Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
| Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
| Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
| Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
| Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
| Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
| Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
| Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
| Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
| Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
| Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
| Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
| Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
N-Jfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-JFET |
Описание |
полевой транзистор с pn-переходом |
| Schematic entry | JFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nfet |
Свойства |
24 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
nfet | да |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -2.0 V | да |
пороговое напряжение |
| Beta | 1e-4 | да |
передаточная проводимость |
| Lambda | 0.0 | да |
параметр для модуляции длины канала |
| Rd | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление стока |
| Rs | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление истока |
| Is | 1e-14 | нет |
ток насыщения затвора |
| N | 1.0 | нет |
коэффициента эмиссии затвора |
| Isr | 1e-14 | нет |
ток рекомбинации управляющего p-n-перехода |
| Nr | 2.0 | нет |
коэффициент эмиссии Isr |
| Cgs | 0.0 | нет |
емкость затвор-исток при нулевом смещении |
| Cgd | 0.0 | нет |
емкость затвор-сток при нулевом смещении |
| Pb | 1.0 | нет |
потенциал затвора |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент емкости перехода при прямом смещении |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности управляющего p-n-перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Vt0tc | 0.0 | нет |
температурный коэффициент Vt0 |
| Betatce | 0.0 | нет |
экспоненциальный температурный коэффициент Beta |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для полевого транзистора с управляющим pn-переходом |
P-Jfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | полевой транзистор с p-каналом |
Описание |
полевой транзистор с pn-переходом |
| Schematic entry | JFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pfet |
Свойства |
24 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pfet | да |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -2.0 V | да |
пороговое напряжение |
| Beta | 1e-4 | да |
передаточная проводимость |
| Lambda | 0.0 | да |
параметр для модуляции длины канала |
| Rd | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление стока |
| Rs | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление истока |
| Is | 1e-14 | нет |
ток насыщения затвора |
| N | 1.0 | нет |
коэффициента эмиссии затвора |
| Isr | 1e-14 | нет |
ток рекомбинации управляющего p-n-перехода |
| Nr | 2.0 | нет |
коэффициент эмиссии Isr |
| Cgs | 0.0 | нет |
емкость затвор-исток при нулевом смещении |
| Cgd | 0.0 | нет |
емкость затвор-сток при нулевом смещении |
| Pb | 1.0 | нет |
потенциал затвора |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент емкости перехода при прямом смещении |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности управляющего p-n-перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Vt0tc | 0.0 | нет |
температурный коэффициент Vt0 |
| Betatce | 0.0 | нет |
экспоненциальный температурный коэффициент Beta |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для полевого транзистора с управляющим pn-переходом |
N-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-МОП |
Описание |
МОП полевой транзистор |
| Schematic entry | _MOSFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nmosfet |
Свойства |
44 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | 1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
| Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
| Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
| Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
| Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
| Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
| Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
| Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
| W | 1 um | нет |
ширина канала |
| L | 1 um | нет |
длина канала |
| Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
| Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
| Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
| Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
| Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
| Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
| Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
| Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
| Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
| Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
| Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
| Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
| Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
| Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
| Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
| Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
| Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
| Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
| Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
| Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
| As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
| Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
| Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
P-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | МОП полевой транзистор с p-каналом |
Описание |
МОП полевой транзистор |
| Schematic entry | _MOSFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pmosfet |
Свойства |
44 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
| Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
| Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
| Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
| Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
| Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
| Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
| Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
| W | 1 um | нет |
ширина канала |
| L | 1 um | нет |
длина канала |
| Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
| Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
| Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
| Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
| Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
| Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
| Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
| Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
| Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
| Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
| Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
| Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
| Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
| Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
| Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
| Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
| Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
| Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
| Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
| Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
| As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
| Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
| Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
Depletion Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | МОП полевой транзистор обедненного типа |
Описание |
МОП полевой транзистор |
| Schematic entry | _MOSFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dmosfet |
Свойства |
44 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
| Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
| Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
| Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
| Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
| Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
| Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
| Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
| W | 1 um | нет |
ширина канала |
| L | 1 um | нет |
длина канала |
| Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
| Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
| Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
| Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
| Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
| Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
| Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
| Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
| Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
| Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
| Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
| Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
| Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
| Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
| Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
| Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
| Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
| Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
| Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
| Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
| As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
| Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
| Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
N-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-МОП |
Описание |
МОП полевой транзистор с подложкой |
| Schematic entry | MOSFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nmosfet_sub |
Свойства |
44 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | 1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
| Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
| Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
| Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
| Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
| Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
| Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
| Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
| W | 1 um | нет |
ширина канала |
| L | 1 um | нет |
длина канала |
| Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
| Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
| Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
| Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
| Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
| Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
| Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
| Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
| Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
| Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
| Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
| Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
| Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
| Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
| Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
| Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
| Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
| Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
| Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
| Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
| As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
| Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
| Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
P-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | МОП полевой транзистор с p-каналом |
Описание |
МОП полевой транзистор с подложкой |
| Schematic entry | MOSFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pmosfet_sub |
Свойства |
44 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
| Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
| Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
| Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
| Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
| Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
| Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
| Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
| W | 1 um | нет |
ширина канала |
| L | 1 um | нет |
длина канала |
| Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
| Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
| Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
| Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
| Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
| Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
| Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
| Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
| Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
| Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
| Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
| Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
| Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
| Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
| Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
| Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
| Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
| Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
| Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
| Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
| As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
| Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
| Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
Depletion Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | МОП полевой транзистор обедненного типа |
Описание |
МОП полевой транзистор с подложкой |
| Schematic entry | MOSFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dmosfet_sub |
Свойства |
44 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
| Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
| Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
| Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
| Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
| Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
| Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
| Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
| Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
| W | 1 um | нет |
ширина канала |
| L | 1 um | нет |
длина канала |
| Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
| Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
| Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
| Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
| Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
| Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
| Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
| Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
| Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
| Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
| Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
| Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
| Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
| Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
| Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
| Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
| Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
| Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
| Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
| Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
| Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
| As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
| Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
| Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
| Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
Opamp¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | ОУ |
Описание |
операционный усилитель |
| Schematic entry | OpAmp |
| Netlist entry | OP |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | opamp |
Свойства |
2 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| G | 1e6 | да |
усиление напряжения |
| Umax | 15 V | нет |
абсолютное значение максимального и минимального выходного напряжения |
Заданное уравнением устройство¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Заданное уравнением устройство |
Описание |
заданное уравнением устройство |
| Schematic entry | EDD |
| Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | edd |
Свойства |
4 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
explicit | нет |
type of equations [explicit, implicit] |
| Branches | 1 | нет |
число ветвей |
| I1 | 0 | да |
current equation 1 |
| Q1 | 0 | нет |
charge equation 1 |
Диак¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Диак |
Описание |
диак (симметричный диодный тиристор) |
| Schematic entry | Diac |
| Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | diac |
Свойства |
7 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Vbo | 30 V | да |
(симметричное) напряжение включения |
| Ibo | 50 uA | нет |
(симметричный) ток включения |
| Cj0 | 10 pF | нет |
паразитная емкость |
| Is | 1e-10 A | нет |
ток насыщения |
| N | 2 | нет |
коэффициент эмиссии |
| Ri | 10 Ohm | нет |
собственное сопротивление перехода |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Триак¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Триак |
Описание |
триак (симметричный тиристор) |
| Schematic entry | Triac |
| Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | triac |
Свойства |
8 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Vbo | 400 V | нет |
(симметричное) напряжение включения |
| Igt | 50 uA | да |
(симметричный) отпирающий ток управляющего электрода |
| Cj0 | 10 pF | нет |
паразитная емкость |
| Is | 1e-10 A | нет |
ток насыщения |
| N | 2 | нет |
коэффициент эмиссии |
| Ri | 10 Ohm | нет |
собственное сопротивление перехода |
| Rg | 5 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Тиристор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Тиристор |
Описание |
однооперационный тринистор |
| Schematic entry | SCR |
| Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | thyristor |
Свойства |
8 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Vbo | 400 V | нет |
напряжение включения |
| Igt | 50 uA | да |
отпирающий ток управляющего электрода |
| Cj0 | 10 pF | нет |
паразитная емкость |
| Is | 1e-10 A | нет |
ток насыщения |
| N | 2 | нет |
коэффициент эмиссии |
| Ri | 10 Ohm | нет |
собственное сопротивление перехода |
| Rg | 5 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Туннельный диод¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Туннельный диод |
Описание |
resonance tunnel diode |
| Schematic entry | RTD |
| Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tunneldiode |
Свойства |
16 |
| Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Ip | 4 mA | да |
peak current |
| Iv | 0.6 mA | да |
valley current |
| Vv | 0.8 V | да |
valley voltage |
| Wr | 2.7e-20 | нет |
resonance energy in Ws |
| eta | 1e-20 | нет |
Fermi energy in Ws |
| dW | 4.5e-21 | нет |
resonance width in Ws |
| Tmax | 0.95 | нет |
maximum of transmission |
| de | 0.9 | нет |
fitting factor for electron density |
| dv | 2.0 | нет |
fitting factor for voltage drop |
| nv | 16 | нет |
fitting factor for diode current |
| Cj0 | 80 fF | нет |
zero-bias depletion capacitance |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
| Vj | 0.5 V | нет |
потенциал перехода |
| te | 0.6 ps | нет |
life-time of electrons |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для диода |
Verilog-A Devices¶
Hicum L2 V2.1¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.1 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.1 Verilog-модель |
| Schematic entry | hicumL2V2p1 |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
101 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| c10 | 1.516E-31 | нет |
Константа GICCR |
| qp0 | 5.939E-15 | нет |
Заряд дырок при нулевом смещении |
| ich | 1.0E11 | нет |
Поправка для больших токов для 2D- и 3D-эффектов |
| hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hfc | 0.03999 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hjei | 0.435 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
| hjci | 0.09477 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
| ibeis | 3.47E-20 | нет |
Внутренний Б-Э ток насыщения |
| mbei | 1.025 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
| ireis | 390E-12 | нет |
Внутренний Б-Э рекомбинационный ток насыщения |
| mrei | 3 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
| ibeps | 4.18321E-21 | нет |
Периферийный ток насыщения Б-Э перехода |
| mbep | 1.045 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
| ireps | 1.02846E-14 | нет |
Периферийный Б-Э рекомбинационный ток насыщения |
| mrep | 3 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
| mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
| ibcis | 3.02613E-18 | нет |
Внутренний Б-К ток насыщения |
| mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
| ibcxs | 4.576E-29 | нет |
Внешний Б-К ток насыщения |
| mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
| ibets | 0.0 | нет |
Б-Э туннельный ток насыщения |
| abet | 36.74 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
| favl | 14.97 | нет |
Фактор лавинного тока |
| qavl | 7.2407E-14 | нет |
Показатель степени для лавинного тока |
| alfav | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент для FAVL |
| alqav | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент для QAVL |
| rbi0 | 7.9 | нет |
Внутреннее сопротивление базы при нулевом смещении |
| rbx | 13.15 | нет |
Внешнее последовательное сопротивление базы |
| fgeo | 0.724 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
| fdqr0 | 0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
| fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
| fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
| re | 9.77 | нет |
Последовательное сопротивление эмиттера |
| rcx | 10 | нет |
Внешнее последовательное сопротивление коллектора |
| itss | 2.81242E-19 | нет |
Насыщенный ток переноса заряда транзистора на подложке |
| msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
| iscs | 7.6376E-17 | нет |
Ток насыщения перехода К-П |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
| tsf | 1.733E-8 | нет |
Время пролета для транзистора подложки в прямом направлении |
| rsu | 800 | нет |
Последовательное сопротивление подложки |
| csu | 1.778E-14 | нет |
Шунтирующая емкость подложки |
| cjei0 | 5.24382E-14 | нет |
Внутренняя емкость Б-Э перехода при нулевом смещении |
| vdei | 0.9956 | нет |
Внутренняя контактная разность потенциалов Б-Э |
| zei | 0.4 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
| aljei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjep0 | 0 | нет |
Периферийная емкость перехода Б-Э при нулевом смещении |
| vdep | 1 | нет |
Периферийная контактная разность потенциалов Б-Э |
| zep | 0.01 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
| aljep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjci0 | 4.46887E-15 | нет |
Внутренняя емкость Б-К перехода при нулевом смещении |
| vdci | 0.7 | нет |
Внутренняя контактная разность потенциалов Б-К |
| zci | 0.38 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Внутреннее напряжение проникновения Б-К |
| cjcx0 | 1.55709E-14 | нет |
Внешняя емкость Б-К перехода при нулевом смещении |
| vdcx | 0.733 | нет |
Внешняя контактная разность потенциалов Б-К |
| zcx | 0.34 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
Внешнее напряжение проникновения Б-К |
| fbc | 0.3487 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
| cjs0 | 17.68E-15 | нет |
Емкость перехода К-П при нулевом смещении |
| vds | 0.621625 | нет |
Контактная разность потенциалов К-П |
| zs | 0.122136 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
| vpts | 1000 | нет |
Напряжение проникновения К-П |
| t0 | 1.28E-12 | нет |
Время пролета в прямом направлении при низком токе при VBC=0 В |
| dt0h | 260E-15 | нет |
Постоянная времени модуляции ширины слоя пространственного заряда базы и Б-К |
| tbvl | 2.0E-13 | нет |
Постоянная времени для моделирования запирания носителей при низком VCE |
| tef0 | 0.0 | нет |
Время хранения в нейтральном эмиттере |
| gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
| thcs | 46E-15 | нет |
Постоянная времени насыщения при высоких плотностях тока |
| alhc | 0.08913 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
| fthc | 0.8778 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
| rci0 | 50.4277 | нет |
Внутреннее сопротивление коллектора при малом электрическом поле |
| vlim | 0.9 | нет |
Напряжение разделения омического режима и режима скорости насыщения |
| vces | 0.01 | нет |
Внутреннее напряжение насыщения К-Э |
| vpt | 10 | нет |
Напряжение проникновения коллектора |
| tr | 1.0E-11 | нет |
Время хранения в инверсном режиме |
| ceox | 1.71992E-15 | нет |
Полная паразитная емкость Б-Э |
| ccox | 4.9E-15 | нет |
Полная паразитная емкость Б-К |
| alqf | 0.1288 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
| alit | 1.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
| kf | 2.83667E-9 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
| af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
| krbi | 1.0 | нет |
Коэффициент шума внутреннего сопротивления базы |
| latb | 10.479 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
| latl | 0.300012 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
| vgb | 1.112 | нет |
Напряжение, экстраполированное на 0 К |
| alt0 | 0.0017580 | нет |
Относительный температурный коэффициент первого порядка для параметра T0 |
| kt0 | 4.07E-6 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
| zetaci | 0.7 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
| zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
| alvs | 0.001 | нет |
Относительный температурный коэффициент скорости дрейфа насыщения |
| alces | 0.000125 | нет |
Относительный температурный коэффициент VCES |
| zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
| zetarbx | 0.2 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.21 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.7 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
| alb | 0.007 | нет |
Относительный температурный коэффициент усиления тока в прямом режиме для модели V2.1 |
| rth | 1293.95 | нет |
Тепловое сопротивление |
| cth | 7.22203E-11 | нет |
Теплоемкость |
| tnom | 27.0 | нет |
Температура, при которой даются параметры модели |
| dt | 0.0 | нет |
Изменение температуры относительно изменения температуры кристалла для определенного транзистора |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Fbh Hbt¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | FBH ГБТ |
Описание |
Модель ГБТ Института высокочастотной техники имени Фердинанда Брауна (FBH) в Берлине |
| Schematic entry | HBT_X |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npn_therm |
Свойства |
80 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Mode | 1 | нет |
Игнорировано |
| Noise | 1 | нет |
Игнорировано |
| Debug | 0 | нет |
Игнорировано |
| DebugPlus | 0 | нет |
Игнорировано |
| Temp | 25.0 | нет |
Рабочая температура устройства, градусы Цельсия |
| Rth | 0.1 | нет |
Тепловое сопротивление, К/Вт |
| Cth | 700e-9 | нет |
Теплоемкость |
| N | 1 | нет |
Масштабный коэффициент, число эмиттерных зон |
| L | 30e-6 | нет |
Длина эмиттерной зоны, м |
| W | 1e-6 | нет |
Ширинаэмиттерной зоны, м |
| Jsf | 20e-24 | нет |
Плотность тока насыщения в прямом включении, А/мкм² |
| nf | 1.0 | нет |
Коэффициент эмиссии тока в прямом включении |
| Vg | 1.3 | нет |
Тепловая энергия активации в прямом включении, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
| Jse | 0.0 | нет |
Плотность тока утечки Б-Э в режиме насыщения, А/мкм² |
| ne | 0.0 | нет |
Коэффициент эмиссии для Б-Э тока утечки |
| Rbxx | 1e6 | нет |
Ограничительный резистор диода утечки Б-Э, Ом |
| Vgb | 0.0 | нет |
Тепловая энергия активации утечки Б-Э, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
| Jsee | 0.0 | нет |
Плотность тока утечки 2-го перехода Б-Э в режиме насыщения, А/мкм² |
| nee | 0.0 | нет |
Коэффициент эмиссии для тока утечки 2-го перехода Б-Э |
| Rbbxx | 1e6 | нет |
2-й ограничительный резистор диода утечки Б-Э, Ом |
| Vgbb | 0.0 | нет |
2-я тепловая энергия активации утечки Б-Э, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
| Jsr | 20e-18 | нет |
Плотность обратного тока насыщения, А/мкм² |
| nr | 1.0 | нет |
Коэффициент эмиссии обратного тока |
| Vgr | 0.0 | нет |
Тепловая энергия активации в обратном включении, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
| XCjc | 0.5 | нет |
Доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
| Jsc | 0.0 | нет |
Плотность тока утечки Б-К в режиме насыщения, А/мкм² (0. отключает диод) |
| nc | 0.0 | нет |
Коэффициент эмиссии для Б-К тока утечки (0. отключает диод) |
| Rcxx | 1e6 | нет |
Ограничительный резистор диода утечки Б-К, Ом |
| Vgc | 0.0 | нет |
Тепловая энергия активации утечки Б-К, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
| Bf | 100.0 | нет |
Идеальный прямой коэффициент передачи тока |
| kBeta | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент усиления тока в прямом включении, -1/К, (0 == отключение температурной зависимости) |
| Br | 1.0 | нет |
Идеальный обратный коэффициент передачи тока |
| VAF | 0.0 | нет |
Прямое напряжение Эрли, В, (0 == отключение эффекта Эрли) |
| VAR | 0.0 | нет |
Обратное напряжение Эрли, В, (0 == отключение эффекта Эрли) |
| IKF | 0.0 | нет |
Граничный прямой ток при большом уровне инжекции, А, (0 == отключение эффекта Вебстера) |
| IKR | 0.0 | нет |
Граничный обратный ток при большом уровне инжекции, А, (0 == отключение эффекта Вебстера) |
| Mc | 0.0 | нет |
Показатель пробоя К-Э, (0 == отключение пробоя коллектора) |
| BVceo | 0.0 | нет |
Напряжение пробоя К-Э, В, (0 == отключение пробоя коллектора) |
| kc | 0.0 | нет |
Фактор пробоя К-Э, (0 == отключение пробоя коллектора) |
| BVebo | 0.0 | нет |
Напряжение пробоя Б-Э, В (0 == отключение пробоя эмиттера) |
| Tr | 1.0e-15 | нет |
Идеальное время пролета при инверсном включении, сек |
| Trx | 1.0e-15 | нет |
Внешняя диффузионная емкость базы, Ф |
| Tf | 1.0e-12 | нет |
Идеальное время пролета в прямом включении, сек |
| Tft | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент времени пролета в прямом включении |
| Thcs | 0.0 | нет |
Коэффициент дополнительного времени пролета при расширении базы |
| Ahc | 0.0 | нет |
Сглаживающий параметр для Thcs |
| Cje | 1.0e-15 | нет |
Емкость Б-Э при нулевом смещении, Ф/мкм² |
| mje | 0.5 | нет |
Множитель экспоненты для Б-Э |
| Vje | 1.3 | нет |
Контактная разность потенциалов Б-Э, В |
| Cjc | 1.0e-15 | нет |
Емкость Б-К при нулевом смещении, Ф/мкм² |
| mjc | 0.5 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| Vjc | 1.3 | нет |
Контактная разность потенциалов Б-К, В |
| kjc | 1.0 | нет |
не используется |
| Cmin | 0.1e-15 | нет |
Минимальная емкость Б-К (зависимость от Vbc), Ф/мкм² |
| J0 | 1e-3 | нет |
Ток коллектора, когда Cbc достигает Cmin, А/мкм² (0 == отключение уменьшения Cbc) |
| XJ0 | 1.0 | нет |
Доля Cmin, нижний предел емкости БК (зависимость от Ic) |
| Rci0 | 1e-3 | нет |
Начало расширения базы при низких напряжениях, Ом*мкм² (0 == отключение пропечатывания) |
| Jk | 4e-4 | нет |
Начало расширенияя базы при высоких напряжениях, А/мкм² (0 == отключение пропечатывания базы) |
| RJk | 1e-3 | нет |
Наклон Jk при больших токах, Ом*мкм² |
| Vces | 1e-3 | нет |
Сдвиг напряжения при начале расширения базы, В |
| Rc | 1.0 | нет |
Сопротивление коллектора, Ом/полоска |
| Re | 1.0 | нет |
Сопротивление эмиттера, Ом/полоска |
| Rb | 1.0 | нет |
Внешнее сопротивление базы, Ом/полоска |
| Rb2 | 1.0 | нет |
Внутреннее омическое сопротивление базы, Ом/полоска |
| Lc | 0.0 | нет |
Индуктивность коллектора, Гн |
| Le | 0.0 | нет |
Индуктивность эмиттера, Гн |
| Lb | 0.0 | нет |
Индуктивность базы, Гн |
| Cq | 0.0 | нет |
Внешняя емкость Б-К, Ф |
| Cpb | 0.0 | нет |
Внешняя емкость базы, Ф |
| Cpc | 0.0 | нет |
Внешняя емкость коллектора, Ф |
| Kfb | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
| Afb | 0.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
| Ffeb | 0.0 | нет |
Частотная зависимость 1/f-шума |
| Kb | 0.0 | нет |
Коэффициент дробового шума |
| Ab | 0.0 | нет |
Показатель степени дробового шума |
| Fb | 0.0 | нет |
Граничная частота дробового шума, Гц |
| Kfe | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
| Afe | 0.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
| Ffee | 0.0 | нет |
Частотная зависимость 1/f-шума |
| Tnom | 20.0 | нет |
Температура окружающей среды, при которой определены параметры модели |
Modular Opamp¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Модульный ОУ |
Описание |
Verilog-модель модульного операционного усилителя |
| Schematic entry | mod_amp |
| Netlist entry | OP |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | mod_amp |
Свойства |
17 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| GBP | 1e6 | нет |
Произведение усиления на полосу частот (Гц) |
| AOLDC | 106.0 | нет |
Дифференциальное усиление при разомкнутой ОС на постоянном токе (Дб) |
| FP2 | 3e6 | нет |
Частота второго полюса (Гц) |
| RO | 75 | нет |
Выходное сопротивление (Ом) |
| CD | 1e-12 | нет |
Дифференциальная входная емкость (Ф) |
| RD | 2e6 | нет |
Дифференциальное входное сопротивление (Ом) |
| IOFF | 20e-9 | нет |
Разность входных токов смещения (А) |
| IB | 80e-9 | нет |
Входной ток смещения (А) |
| VOFF | 7e-4 | нет |
Входное напряжение смещения (В) |
| CMRRDC | 90.0 | нет |
Коэффициент ослабления синфазного сигнала по постоянному току (Дб) |
| FCM | 200.0 | нет |
Граничная частота синфазного сигнала (Гц) |
| PSRT | 5e5 | нет |
Скорость нарастания (В/с) |
| NSRT | 5e5 | нет |
Скорость убывания (В/с) |
| VLIMP | 14 | нет |
Максимальное положительное выходное напряжение (В) |
| VLIMN | -14 | нет |
Максимальное отрицательное выходное напряжение (В) |
| ILMAX | 35e-3 | нет |
Максимальный выходной ток (А) |
| CSCALE | 50 | нет |
Коэффициент масштаба для ограничения тока |
Hicum L2 V2.22¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.22 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.22 Verilog-модель |
| Schematic entry | hic2_full |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
114 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
| hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
| ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
| ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
| ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
| ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
| mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
| tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
| ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
| ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
| tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
| favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
| fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
| fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
| fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
| re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
| iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
| tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
| ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
| ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
| fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
| cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
| vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
| fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
| rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 0.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
| alit | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
| flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
| kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
| af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
| cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
| latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
| latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
| vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
| zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Логарифмический усилитель¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Логарифмический усилитель |
Описание |
Verilog-модель логарифмического усилителя |
| Schematic entry | log_amp |
| Netlist entry | LA |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | log_amp |
Свойства |
17 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Kv | 1.0 | нет |
коэффициент масштабирования |
| Dk | 0.3 | нет |
scale factor error (%) |
| Ib1 | 5e-12 | нет |
input I1 bias current (A) |
| Ibr | 5e-12 | нет |
input reference bias current (A) |
| M | 5 | нет |
число разрядов |
| N | 0.1 | нет |
conformity error (%) |
| Vosout | 3e-3 | нет |
output offset error (V) |
| Rinp | 1e6 | нет |
amplifier input resistance (Ohm) |
| Fc | 1e3 | нет |
amplifier 3dB frequency (Hz) |
| Ro | 1e-3 | нет |
amplifier output resistance (Ohm) |
| Ntc | 0.002 | нет |
conformity error temperature coefficient (%/Celsius) |
| Vosouttc | 80e-6 | нет |
offset temperature coefficient (V/Celsius) |
| Dktc | 0.03 | нет |
scale factor error temperature coefficient (%/Celsius) |
| Ib1tc | 0.5e-12 | нет |
input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius) |
| Ibrtc | 0.5e-12 | нет |
input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius) |
| Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Npn Hicum L0 V1.12¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.12 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.12 Verilog-модель |
| Schematic entry | hic0_full |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
86 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| tfh | 1.0e6 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.12¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.12 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.12 Verilog-модель |
| Schematic entry | hic0_full |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
86 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| tfh | 1.0e6 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Потенциометр¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Потенциометр |
Описание |
Verilog-модель потенциометра |
| Schematic entry | potentiometer |
| Netlist entry | POT |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | potentiometer |
Свойства |
11 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| R_pot | 1e4 | нет |
nominal device resistance (Ohm) |
| Rotation | 120 | нет |
shaft/wiper arm rotation (degrees) |
| Taper_Coeff | 0 | нет |
коэффициент спадания резистивной зависимости |
| LEVEL | 1 | нет |
device type selector [1, 2, 3] |
| Max_Rotation | 240.0 | нет |
maximum shaft/wiper rotation (degrees) |
| Conformity | 0.2 | нет |
conformity error (%) |
| Linearity | 0.2 | нет |
linearity error (%) |
| Contact_Res | 1 | нет |
wiper arm contact resistance (Ohm) |
| Temp_Coeff | 100 | нет |
resistance temperature coefficient (PPM/Celsius) |
| Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Mesfet¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | МеП |
Описание |
Verilog-устройство МеП полевой транзистор |
| Schematic entry | MESFET |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | МеП |
Свойства |
52 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 1 | нет |
выбор модели |
| Vto | -1.8 | нет |
pinch-off voltage (V) |
| Beta | 3e-3 | нет |
transconductance parameter (A/(V*V)) |
| Alpha | 2.25 | нет |
saturation voltage parameter (1/V) |
| Lambda | 0.05 | нет |
channel length modulation parameter (1/V) |
| B | 0.3 | нет |
doping profile parameter (1/V) |
| Qp | 2.1 | нет |
параметр степенной зависимости |
| Delta | 0.1 | нет |
power feedback parameter (1/W) |
| Vmax | 0.5 | нет |
maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V) |
| Vdelta1 | 0.3 | нет |
capacitance saturation transition voltage (V) |
| Vdelta2 | 0.2 | нет |
capacitance threshold transition voltage (V) |
| Gamma | 0.015 | нет |
коэффициент нагрузки стока по постоянному току |
| Nsc | 1 | нет |
параметр подпороговой проводимости |
| Is | 1e-14 | нет |
diode saturation current (I) |
| N | 1 | нет |
коэффициент эмиссии диода |
| Vbi | 1.0 | нет |
built-in gate potential (V) |
| Bv | 60 | нет |
gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V) |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный коэффициент тока насыщения диода |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tau | 1e-9 | нет |
transit time under gate (s) |
| Rin | 1e-3 | нет |
channel resistance (Ohm) |
| Area | 1 | нет |
фактор поверхности |
| Eg | 1.11 | нет |
energy gap (eV) |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
| Cgd | 0.2e-12 | нет |
zero bias gate-drain junction capacitance (F) |
| Cgs | 1e-12 | нет |
zero bias gate-source junction capacitance (F) |
| Cds | 1e-12 | нет |
zero bias drain-source junction capacitance (F) |
| Betatc | 0 | нет |
Beta temperature coefficient (%/Celsius) |
| Alphatc | 0 | нет |
Alpha temperature coefficient (%/Celsius) |
| Gammatc | 0 | нет |
Gamma temperature coefficient (%/Celsius) |
| Ng | 2.65 | нет |
Подпороговый наклон характеристики затвора |
| Nd | -0.19 | нет |
подпороговый параметр нагрузки стока |
| ILEVELS | 3 | нет |
выбор уравнения для тока затвор-исток |
| ILEVELD | 3 | нет |
выбор уравнения для тока затвор-сток |
| QLEVELS | 2 | нет |
выбор уравнения для заряда на переходе затвор-исток |
| QLEVELD | 2 | нет |
выбор уравнения для заряда на переходе затвор-сток |
| QLEVELDS | 2 | нет |
выбор уравнения для заряда на переходе сток-исток |
| Vtotc | 0 | нет |
Температурный коэффициент Vt0 |
| Rg | 5.1 | нет |
gate resistance (Ohms) |
| Rd | 1.3 | нет |
drain resistance (Ohms) |
| Rs | 1.3 | нет |
source resistance (Ohms) |
| Rgtc | 0 | нет |
gate resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
| Rdtc | 0 | нет |
drain resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
| Rstc | 0 | нет |
source resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
| Ibv | 1e-3 | нет |
gate reverse breakdown currrent (A) |
| Rf | 10 | нет |
forward bias slope resistance (Ohms) |
| R1 | 10 | нет |
breakdown slope resistance (Ohms) |
| Af | 1 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Kf | 0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Gdsnoi | 1 | нет |
коэффициент дробового шума |
| Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Epfl-Ekv Nmos 2.6¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | nМОП EPFL-EKV 2.6 |
Описание |
Verilog-модель EPFL-EKV МОП 2.6 |
| Schematic entry | EKV26MOS |
| Netlist entry | M |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | EKV26nMOS |
Свойства |
55 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
nmos | да |
polarity [nmos, pmos] |
| LEVEL | 1 | нет |
длинный = 1, короткий = 2 |
| L | 0.5e-6 | нет |
length parameter (m) |
| W | 10e-6 | нет |
Width parameter (m) |
| Np | 1.0 | нет |
число параллельных устройств |
| Ns | 1.0 | нет |
число последовательных устройств |
| Cox | 3.45e-3 | нет |
gate oxide capacitance per unit area (F/m**2) |
| Xj | 0.15e-6 | нет |
metallurgical junction depth (m) |
| Dw | -0.02e-6 | нет |
channel width correction (m) |
| Dl | -0.05e-6 | нет |
channel length correction (m) |
| Vto | 0.6 | нет |
long channel threshold voltage (V) |
| Gamma | 0.71 | нет |
body effect parameter (V**(1/2)) |
| Phi | 0.97 | нет |
bulk Fermi potential (V) |
| Kp | 150e-6 | нет |
transconductance parameter (A/V**2) |
| Theta | 50e-3 | нет |
mobility reduction coefficient (1/V) |
| EO | 88.0e6 | нет |
mobility coefficient (V/m) |
| Ucrit | 4.5e6 | нет |
longitudinal critical field (V/m) |
| Lambda | 0.23 | нет |
коэффициент длины обеднения |
| Weta | 0.05 | нет |
коэффициент влияния узкого канала |
| Leta | 0.28 | нет |
продольное критическое поле |
| Q0 | 280e-6 | нет |
reverse short channel charge density (A*s/m**2) |
| Lk | 0.5e-6 | нет |
characteristic length (m) |
| Tcv | 1.5e-3 | нет |
threshold voltage temperature coefficient (V/K) |
| Bex | -1.5 | нет |
температурный коэффициент подвижности |
| Ucex | 1.7 | нет |
Температурный показатель продольного критического поля |
| Ibbt | 0.0 | нет |
Ibb temperature coefficient (1/K) |
| Hdif | 0.9e-6 | нет |
heavily doped diffusion length (m) |
| Rsh | 510.0 | нет |
drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square) |
| Rsc | 0.0 | нет |
source contact resistance (Ohm) |
| Rdc | 0.0 | нет |
drain contact resistance (Ohm) |
| Cgso | 1.5e-10 | нет |
gate to source overlap capacitance (F/m) |
| Cgdo | 1.5e-10 | нет |
gate to drain overlap capacitance (F/m) |
| Cgbo | 4.0e-10 | нет |
gate to bulk overlap capacitance (F/m) |
| Iba | 2e8 | нет |
first impact ionization coefficient (1/m) |
| Ibb | 3.5e8 | нет |
second impact ionization coefficient (V/m) |
| Ibn | 1.0 | нет |
фактор напряжения насыщения для ударной ионизации |
| Kf | 1.0e-27 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Avto | 0.0 | нет |
area related theshold voltage mismatch parameter (V*m) |
| Akp | 0.0 | нет |
area related gain mismatch parameter (m) |
| Agamma | 0.0 | нет |
area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m) |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент эмиссии |
| Is | 1e-14 | нет |
saturation current (A) |
| Bv | 100 | нет |
reverse breakdown voltage (V) |
| Ibv | 1e-3 | нет |
current at reverse breakdown voltage (A) |
| Vj | 1.0 | нет |
junction potential (V) |
| Cj0 | 300e-15 | нет |
zero-bias junction capacitance (F) |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
| Area | 1.0 | нет |
относительная площадь диода |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tt | 0.1e-9 | нет |
transit time (s) |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Xpart | 0.4 | нет |
параметр разделения заряда |
| Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Epfl-Ekv Pmos 2.6¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | pМОП EPFL-EKV 2.6 |
Описание |
Verilog-модель EPFL-EKV МОП 2.6 |
| Schematic entry | EKV26MOS |
| Netlist entry | M |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | EKV26pMOS |
Свойства |
55 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pmos | да |
polarity [nmos, pmos] |
| LEVEL | 1 | нет |
длинный = 1, короткий = 2 |
| L | 0.5e-6 | нет |
length parameter (m) |
| W | 10e-6 | нет |
Width parameter (m) |
| Np | 1.0 | нет |
число параллельных устройств |
| Ns | 1.0 | нет |
число последовательных устройств |
| Cox | 3.45e-3 | нет |
gate oxide capacitance per unit area (F/m**2) |
| Xj | 0.15e-6 | нет |
metallurgical junction depth (m) |
| Dw | -0.03e-6 | нет |
channel width correction (m) |
| Dl | -0.05e-6 | нет |
channel length correction (m) |
| Vto | -0.55 | нет |
long channel threshold voltage (V) |
| Gamma | 0.69 | нет |
body effect parameter (V**(1/2)) |
| Phi | 0.87 | нет |
bulk Fermi potential (V) |
| Kp | 35e-6 | нет |
transconductance parameter (A/V**2) |
| Theta | 50e-3 | нет |
mobility reduction coefficient (1/V) |
| EO | 51.0e6 | нет |
mobility coefficient (V/m) |
| Ucrit | 18.0e6 | нет |
longitudinal critical field (V/m) |
| Lambda | 1.1 | нет |
коэффициент длины обеднения |
| Weta | 0.0 | нет |
коэффициент влияния узкого канала |
| Leta | 0.45 | нет |
продольное критическое поле |
| Q0 | 200e-6 | нет |
reverse short channel charge density (A*s/m**2) |
| Lk | 0.6e-6 | нет |
characteristic length (m) |
| Tcv | -1.4e-3 | нет |
threshold voltage temperature coefficient (V/K) |
| Bex | -1.4 | нет |
температурный коэффициент подвижности |
| Ucex | 2.0 | нет |
Температурный показатель продольного критического поля |
| Ibbt | 0.0 | нет |
Ibb temperature coefficient (1/K) |
| Hdif | 0.9e-6 | нет |
heavily doped diffusion length (m) |
| Rsh | 990.0 | нет |
drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square) |
| Rsc | 0.0 | нет |
source contact resistance (Ohm) |
| Rdc | 0.0 | нет |
drain contact resistance (Ohm) |
| Cgso | 1.5e-10 | нет |
gate to source overlap capacitance (F/m) |
| Cgdo | 1.5e-10 | нет |
gate to drain overlap capacitance (F/m) |
| Cgbo | 4.0e-10 | нет |
gate to bulk overlap capacitance (F/m) |
| Iba | 0.0 | нет |
first impact ionization coefficient (1/m) |
| Ibb | 3.0e8 | нет |
second impact ionization coefficient (V/m) |
| Ibn | 1.0 | нет |
фактор напряжения насыщения для ударной ионизации |
| Kf | 1.0e-28 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Avto | 0.0 | нет |
area related theshold voltage mismatch parameter (V*m) |
| Akp | 0.0 | нет |
area related gain mismatch parameter (m) |
| Agamma | 0.0 | нет |
area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m) |
| N | 1.0 | нет |
коэффициент эмиссии |
| Is | 1e-14 | нет |
saturation current (A) |
| Bv | 100 | нет |
reverse breakdown voltage (V) |
| Ibv | 1e-3 | нет |
current at reverse breakdown voltage (A) |
| Vj | 1.0 | нет |
junction potential (V) |
| Cj0 | 300e-15 | нет |
zero-bias junction capacitance (F) |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
| Area | 1.0 | нет |
относительная площадь диода |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tt | 0.1e-9 | нет |
transit time (s) |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Xpart | 0.4 | нет |
параметр разделения заряда |
| Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Bsim3V34Nmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | bsim3v34nMOS |
Описание |
bsim3v34nMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim3v34nMOS |
| Netlist entry | BSIM3_ |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim3v34nMOS |
Свойства |
408 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L | 0.35e-6 | нет |
- |
| W | 5.0e-6 | нет |
- |
| PS | 8.0e-6 | нет |
- |
| PD | 8.0e-6 | нет |
- |
| AS | 12.0e-12 | нет |
- |
| AD | 12.0e-12 | нет |
- |
| NRS | 10.0 | нет |
- |
| NRD | 10.0 | нет |
- |
| NQSMOD | 0 | нет |
- |
| GMIN | 1e-12 | нет |
- |
| VERSION | 3.24 | нет |
- |
| PARAMCHK | 0 | нет |
- |
| MOBMOD | 1 | нет |
- |
| CAPMOD | 3 | нет |
- |
| NOIMOD | 4 | нет |
- |
| BINUNIT | 1 | нет |
- |
| TOX | 150.0e-10 | нет |
- |
| TOXM | 150.0e-10 | нет |
- |
| CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
| CDSCB | 0.0 | нет |
- |
| CDSCD | 0.0 | нет |
- |
| CIT | 0.0 | нет |
- |
| NFACTOR | 1 | нет |
- |
| XJ | 0.15e-6 | нет |
- |
| VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
| AT | 3.3e4 | нет |
- |
| A0 | 1.0 | нет |
- |
| AGS | 0.0 | нет |
- |
| A1 | 0.0 | нет |
- |
| A2 | 1.0 | нет |
- |
| KETA | -0.047 | нет |
- |
| NSUB | -99.0 | нет |
- |
| NCH | -99.0 | нет |
- |
| NGATE | 0 | нет |
- |
| GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| VBX | -99.0 | нет |
- |
| VBM | -3.0 | нет |
- |
| XT | -99.0 | нет |
- |
| K1 | -99.0 | нет |
- |
| KT1 | -0.11 | нет |
- |
| KT1L | 0.0 | нет |
- |
| KT2 | 0.022 | нет |
- |
| K2 | -99.0 | нет |
- |
| K3 | 80.0 | нет |
- |
| K3B | 0.0 | нет |
- |
| W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
| NLX | 1.74e-7 | нет |
- |
| DVT0 | 2.2 | нет |
- |
| DVT1 | 0.53 | нет |
- |
| DVT2 | -0.032 | нет |
- |
| DVT0W | 0.0 | нет |
- |
| DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
| DVT2W | -0.032 | нет |
- |
| DROUT | 0.56 | нет |
- |
| DSUB | 0.56 | нет |
- |
| VTHO | 0.7 | нет |
- |
| VTH0 | 0.7 | нет |
- |
| UA | 2.25e-9 | нет |
- |
| UA1 | 4.31e-9 | нет |
- |
| UB | 5.87e-19 | нет |
- |
| UB1 | -7.61e-18 | нет |
- |
| UC | -99.0 | нет |
- |
| UC1 | -99.0 | нет |
- |
| U0 | -99.0 | нет |
- |
| UTE | -1.5 | нет |
- |
| VOFF | -0.08 | нет |
- |
| TNOM | 26.85 | нет |
- |
| CGSO | -99.0 | нет |
- |
| CGDO | -99.0 | нет |
- |
| CGBO | -99.0 | нет |
- |
| XPART | 0.4 | нет |
- |
| ELM | 5.0 | нет |
- |
| DELTA | 0.01 | нет |
- |
| RSH | 0.0 | нет |
- |
| RDSW | 0 | нет |
- |
| PRWG | 0.0 | нет |
- |
| PRWB | 0.0 | нет |
- |
| PRT | 0.0 | нет |
- |
| ETA0 | 0.08 | нет |
- |
| ETAB | -0.07 | нет |
- |
| PCLM | 1.3 | нет |
- |
| PDIBLC1 | 0.39 | нет |
- |
| PDIBLC2 | 0.0086 | нет |
- |
| PDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
| PVAG | 0.0 | нет |
- |
| JS | 1.0E-4 | нет |
- |
| JSW | 0.0 | нет |
- |
| PB | 1.0 | нет |
- |
| NJ | 1.0 | нет |
- |
| XTI | 3.0 | нет |
- |
| MJ | 0.5 | нет |
- |
| PBSW | 1.0 | нет |
- |
| MJSW | 0.33 | нет |
- |
| PBSWG | 1.0 | нет |
- |
| MJSWG | 0.33 | нет |
- |
| CJ | 5.0E-4 | нет |
- |
| VFBCV | -1.0 | нет |
- |
| VFB | -99.0 | нет |
- |
| CJSW | 5.0E-10 | нет |
- |
| CJSWG | 5.0e-10 | нет |
- |
| TPB | 0.0 | нет |
- |
| TCJ | 0.0 | нет |
- |
| TPBSW | 0.0 | нет |
- |
| TCJSW | 0.0 | нет |
- |
| TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
| TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
| ACDE | 1.0 | нет |
- |
| MOIN | 15.0 | нет |
- |
| NOFF | 1.0 | нет |
- |
| VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| LINT | 0.0 | нет |
- |
| LL | 0.0 | нет |
- |
| LLC | 0.0 | нет |
- |
| LLN | 1.0 | нет |
- |
| LW | 0.0 | нет |
- |
| LWC | 0.0 | нет |
- |
| LWN | 1.0 | нет |
- |
| LWL | 0.0 | нет |
- |
| LWLC | 0.0 | нет |
- |
| LMIN | 0.0 | нет |
- |
| LMAX | 1.0 | нет |
- |
| WR | 1.0 | нет |
- |
| WINT | 0.0 | нет |
- |
| DWG | 0.0 | нет |
- |
| DWB | 0.0 | нет |
- |
| WL | 0.0 | нет |
- |
| WLC | 0.0 | нет |
- |
| WLN | 1.0 | нет |
- |
| WW | 0.0 | нет |
- |
| WWC | 0.0 | нет |
- |
| WWN | 1.0 | нет |
- |
| WWL | 0.0 | нет |
- |
| WWLC | 0.0 | нет |
- |
| WMIN | 0.0 | нет |
- |
| WMAX | 1.0 | нет |
- |
| B0 | 0.0 | нет |
- |
| B1 | 0.0 | нет |
- |
| CGSL | 0.0 | нет |
- |
| CGDL | 0.0 | нет |
- |
| CKAPPA | 0.6 | нет |
- |
| CF | -99.0 | нет |
- |
| CLC | 0.1e-6 | нет |
- |
| CLE | 0.6 | нет |
- |
| DWC | 0.0 | нет |
- |
| DLC | -99.0 | нет |
- |
| ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| BETA0 | 30.0 | нет |
- |
| IJTH | 0.1 | нет |
- |
| LCDSC | 0.0 | нет |
- |
| LCDSCB | 0.0 | нет |
- |
| LCDSCD | 0.0 | нет |
- |
| LCIT | 0.0 | нет |
- |
| LNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
| LXJ | 0.0 | нет |
- |
| LVSAT | 0.0 | нет |
- |
| LAT | 0.0 | нет |
- |
| LA0 | 0.0 | нет |
- |
| LAGS | 0.0 | нет |
- |
| LA1 | 0.0 | нет |
- |
| LA2 | 0.0 | нет |
- |
| LKETA | 0.0 | нет |
- |
| LNSUB | 0.0 | нет |
- |
| LNCH | 0.0 | нет |
- |
| LNGATE | 0.0 | нет |
- |
| LGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| LGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| LVBX | -99.0 | нет |
- |
| LVBM | 0.0 | нет |
- |
| LXT | 0.0 | нет |
- |
| LK1 | -99.0 | нет |
- |
| LKT1 | 0.0 | нет |
- |
| LKT1L | 0.0 | нет |
- |
| LKT2 | 0.0 | нет |
- |
| LK2 | -99.0 | нет |
- |
| LK3 | 0.0 | нет |
- |
| LK3B | 0.0 | нет |
- |
| LW0 | 0.0 | нет |
- |
| LNLX | 0.0 | нет |
- |
| LDVT0 | 0.0 | нет |
- |
| LDVT1 | 0.0 | нет |
- |
| LDVT2 | 0.0 | нет |
- |
| LDVT0W | 0.0 | нет |
- |
| LDVT1W | 0.0 | нет |
- |
| LDVT2W | 0.0 | нет |
- |
| LDROUT | 0.0 | нет |
- |
| LDSUB | 0.0 | нет |
- |
| LVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| LVTHO | 0.0 | нет |
- |
| LUA | 0.0 | нет |
- |
| LUA1 | 0.0 | нет |
- |
| LUB | 0.0 | нет |
- |
| LUB1 | 0.0 | нет |
- |
| LUC | 0.0 | нет |
- |
| LUC1 | 0.0 | нет |
- |
| LU0 | 0.0 | нет |
- |
| LUTE | 0.0 | нет |
- |
| LVOFF | 0.0 | нет |
- |
| LELM | 0.0 | нет |
- |
| LDELTA | 0.0 | нет |
- |
| LRDSW | 0.0 | нет |
- |
| LPRWG | 0.0 | нет |
- |
| LPRWB | 0.0 | нет |
- |
| LPRT | 0.0 | нет |
- |
| LETA0 | 0.0 | нет |
- |
| LETAB | 0.0 | нет |
- |
| LPCLM | 0.0 | нет |
- |
| LPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
| LPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
| LPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| LPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
| LPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
| LPVAG | 0.0 | нет |
- |
| LWR | 0.0 | нет |
- |
| LDWG | 0.0 | нет |
- |
| LDWB | 0.0 | нет |
- |
| LB0 | 0.0 | нет |
- |
| LB1 | 0.0 | нет |
- |
| LCGSL | 0.0 | нет |
- |
| LCGDL | 0.0 | нет |
- |
| LCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
| LCF | 0.0 | нет |
- |
| LCLC | 0.0 | нет |
- |
| LCLE | 0.0 | нет |
- |
| LALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| LALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| LBETA0 | 0.0 | нет |
- |
| LVFBCV | 0.0 | нет |
- |
| LVFB | 0.0 | нет |
- |
| LACDE | 0.0 | нет |
- |
| LMOIN | 0.0 | нет |
- |
| LNOFF | 0.0 | нет |
- |
| LVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| WCDSC | 0.0 | нет |
- |
| WCDSCB | 0.0 | нет |
- |
| WCDSCD | 0.0 | нет |
- |
| WCIT | 0.0 | нет |
- |
| WNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
| WXJ | 0.0 | нет |
- |
| WVSAT | 0.0 | нет |
- |
| WAT | 0.0 | нет |
- |
| WA0 | 0.0 | нет |
- |
| WAGS | 0.0 | нет |
- |
| WA1 | 0.0 | нет |
- |
| WA2 | 0.0 | нет |
- |
| WKETA | 0.0 | нет |
- |
| WNSUB | 0.0 | нет |
- |
| WNCH | 0.0 | нет |
- |
| WNGATE | 0.0 | нет |
- |
| WGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| WGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| WVBX | -99.0 | нет |
- |
| WVBM | 0.0 | нет |
- |
| WXT | 0.0 | нет |
- |
| WK1 | -99.0 | нет |
- |
| WKT1 | 0.0 | нет |
- |
| WKT1L | 0.0 | нет |
- |
| WKT2 | 0.0 | нет |
- |
| WK2 | -99.0 | нет |
- |
| WK3 | 0.0 | нет |
- |
| WK3B | 0.0 | нет |
- |
| WW0 | 0.0 | нет |
- |
| WNLX | 0.0 | нет |
- |
| WDVT0 | 0.0 | нет |
- |
| WDVT1 | 0.0 | нет |
- |
| WDVT2 | 0.0 | нет |
- |
| WDVT0W | 0.0 | нет |
- |
| WDVT1W | 0.0 | нет |
- |
| WDVT2W | 0.0 | нет |
- |
| WDROUT | 0.0 | нет |
- |
| WDSUB | 0.0 | нет |
- |
| WVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| WVTHO | 0.0 | нет |
- |
| WUA | 0.0 | нет |
- |
| WUA1 | 0.0 | нет |
- |
| WUB | 0.0 | нет |
- |
| WUB1 | 0.0 | нет |
- |
| WUC | 0.0 | нет |
- |
| WUC1 | 0.0 | нет |
- |
| WU0 | 0.0 | нет |
- |
| WUTE | 0.0 | нет |
- |
| WVOFF | 0.0 | нет |
- |
| WELM | 0.0 | нет |
- |
| WDELTA | 0.0 | нет |
- |
| WRDSW | 0.0 | нет |
- |
| WPRWG | 0.0 | нет |
- |
| WPRWB | 0.0 | нет |
- |
| WPRT | 0.0 | нет |
- |
| WETA0 | 0.0 | нет |
- |
| WETAB | 0.0 | нет |
- |
| WPCLM | 0.0 | нет |
- |
| WPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
| WPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
| WPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| WPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
| WPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
| WPVAG | 0.0 | нет |
- |
| WWR | 0.0 | нет |
- |
| WDWG | 0.0 | нет |
- |
| WDWB | 0.0 | нет |
- |
| WB0 | 0.0 | нет |
- |
| WB1 | 0.0 | нет |
- |
| WCGSL | 0.0 | нет |
- |
| WCGDL | 0.0 | нет |
- |
| WCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
| WCF | 0.0 | нет |
- |
| WCLC | 0.0 | нет |
- |
| WCLE | 0.0 | нет |
- |
| WALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| WALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| WBETA0 | 0.0 | нет |
- |
| WVFBCV | 0.0 | нет |
- |
| WVFB | 0.0 | нет |
- |
| WACDE | 0.0 | нет |
- |
| WMOIN | 0.0 | нет |
- |
| WNOFF | 0.0 | нет |
- |
| WVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| PCDSC | 0.0 | нет |
- |
| PCDSCB | 0.0 | нет |
- |
| PCDSCD | 0.0 | нет |
- |
| PCIT | 0.0 | нет |
- |
| PNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
| PXJ | 0.0 | нет |
- |
| PVSAT | 0.0 | нет |
- |
| PAT | 0.0 | нет |
- |
| PA0 | 0.0 | нет |
- |
| PAGS | 0.0 | нет |
- |
| PA1 | 0.0 | нет |
- |
| PA2 | 0.0 | нет |
- |
| PKETA | 0.0 | нет |
- |
| PNSUB | 0.0 | нет |
- |
| PNCH | 0.0 | нет |
- |
| PNGATE | 0.0 | нет |
- |
| PGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| PGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| PVBX | -99.0 | нет |
- |
| PVBM | 0.0 | нет |
- |
| PXT | 0.0 | нет |
- |
| PK1 | -99.0 | нет |
- |
| PKT1 | 0.0 | нет |
- |
| PKT1L | 0.0 | нет |
- |
| PKT2 | 0.0 | нет |
- |
| PK2 | -99.0 | нет |
- |
| PK3 | 0.0 | нет |
- |
| PK3B | 0.0 | нет |
- |
| PW0 | 0.0 | нет |
- |
| PNLX | 0.0 | нет |
- |
| PDVT0 | 0.0 | нет |
- |
| PDVT1 | 0.0 | нет |
- |
| PDVT2 | 0.0 | нет |
- |
| PDVT0W | 0.0 | нет |
- |
| PDVT1W | 0.0 | нет |
- |
| PDVT2W | 0.0 | нет |
- |
| PDROUT | 0.0 | нет |
- |
| PDSUB | 0.0 | нет |
- |
| PVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| PVTHO | 0.0 | нет |
- |
| PUA | 0.0 | нет |
- |
| PUA1 | 0.0 | нет |
- |
| PUB | 0.0 | нет |
- |
| PUB1 | 0.0 | нет |
- |
| PUC | 0.0 | нет |
- |
| PUC1 | 0.0 | нет |
- |
| PU0 | 0.0 | нет |
- |
| PUTE | 0.0 | нет |
- |
| PVOFF | 0.0 | нет |
- |
| PELM | 0.0 | нет |
- |
| PDELTA | 0.0 | нет |
- |
| PRDSW | 0.0 | нет |
- |
| PPRWG | 0.0 | нет |
- |
| PPRWB | 0.0 | нет |
- |
| PPRT | 0.0 | нет |
- |
| PETA0 | 0.0 | нет |
- |
| PETAB | 0.0 | нет |
- |
| PPCLM | 0.0 | нет |
- |
| PPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
| PPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
| PPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| PPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
| PPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
| PPVAG | 0.0 | нет |
- |
| PWR | 0.0 | нет |
- |
| PDWG | 0.0 | нет |
- |
| PDWB | 0.0 | нет |
- |
| PB0 | 0.0 | нет |
- |
| PB1 | 0.0 | нет |
- |
| PCGSL | 0.0 | нет |
- |
| PCGDL | 0.0 | нет |
- |
| PCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
| PCF | 0.0 | нет |
- |
| PCLC | 0.0 | нет |
- |
| PCLE | 0.0 | нет |
- |
| PALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| PALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| PBETA0 | 0.0 | нет |
- |
| PVFBCV | 0.0 | нет |
- |
| PVFB | 0.0 | нет |
- |
| PACDE | 0.0 | нет |
- |
| PMOIN | 0.0 | нет |
- |
| PNOFF | 0.0 | нет |
- |
| PVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| KF | 0.0 | нет |
- |
| AF | 1.0 | нет |
- |
| EF | 1.0 | нет |
- |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Bsim3V34Pmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | bsim3v34pMOS |
Описание |
bsim3v34pMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim3v34pMOS |
| Netlist entry | BSIM3_ |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim3v34pMOS |
Свойства |
408 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| L | 3.5e-6 | нет |
- |
| W | 5.0e-6 | нет |
- |
| PS | 8.0e-6 | нет |
- |
| PD | 8.0e-6 | нет |
- |
| AS | 12.0e-12 | нет |
- |
| AD | 12.0e-12 | нет |
- |
| NRS | 10.0 | нет |
- |
| NRD | 10.0 | нет |
- |
| NQSMOD | 0 | нет |
- |
| GMIN | 1e-12 | нет |
- |
| VERSION | 3.24 | нет |
- |
| PARAMCHK | 0 | нет |
- |
| MOBMOD | 1 | нет |
- |
| CAPMOD | 3 | нет |
- |
| NOIMOD | 4 | нет |
- |
| BINUNIT | 1 | нет |
- |
| TOX | 150.0e-10 | нет |
- |
| TOXM | 150.0e-10 | нет |
- |
| CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
| CDSCB | 0.0 | нет |
- |
| CDSCD | 0.0 | нет |
- |
| CIT | 0.0 | нет |
- |
| NFACTOR | 1 | нет |
- |
| XJ | 0.15e-6 | нет |
- |
| VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
| AT | 3.3e4 | нет |
- |
| A0 | 1.0 | нет |
- |
| AGS | 0.0 | нет |
- |
| A1 | 0.0 | нет |
- |
| A2 | 1.0 | нет |
- |
| KETA | -0.047 | нет |
- |
| NSUB | -99.0 | нет |
- |
| NCH | -99.0 | нет |
- |
| NGATE | 0 | нет |
- |
| GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| VBX | -99.0 | нет |
- |
| VBM | -3.0 | нет |
- |
| XT | -99.0 | нет |
- |
| K1 | -99.0 | нет |
- |
| KT1 | -0.11 | нет |
- |
| KT1L | 0.0 | нет |
- |
| KT2 | 0.022 | нет |
- |
| K2 | -99.0 | нет |
- |
| K3 | 80.0 | нет |
- |
| K3B | 0.0 | нет |
- |
| W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
| NLX | 1.74e-7 | нет |
- |
| DVT0 | 2.2 | нет |
- |
| DVT1 | 0.53 | нет |
- |
| DVT2 | -0.032 | нет |
- |
| DVT0W | 0.0 | нет |
- |
| DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
| DVT2W | -0.032 | нет |
- |
| DROUT | 0.56 | нет |
- |
| DSUB | 0.56 | нет |
- |
| VTHO | -0.7 | нет |
- |
| VTH0 | -0.7 | нет |
- |
| UA | 2.25e-9 | нет |
- |
| UA1 | 4.31e-9 | нет |
- |
| UB | 5.87e-19 | нет |
- |
| UB1 | -7.61e-18 | нет |
- |
| UC | -99.0 | нет |
- |
| UC1 | -99.0 | нет |
- |
| U0 | -99.0 | нет |
- |
| UTE | -1.5 | нет |
- |
| VOFF | -0.08 | нет |
- |
| TNOM | 26.85 | нет |
- |
| CGSO | -99.0 | нет |
- |
| CGDO | -99.0 | нет |
- |
| CGBO | -99.0 | нет |
- |
| XPART | 0.4 | нет |
- |
| ELM | 5.0 | нет |
- |
| DELTA | 0.01 | нет |
- |
| RSH | 0.0 | нет |
- |
| RDSW | 0 | нет |
- |
| PRWG | 0.0 | нет |
- |
| PRWB | 0.0 | нет |
- |
| PRT | 0.0 | нет |
- |
| ETA0 | 0.08 | нет |
- |
| ETAB | -0.07 | нет |
- |
| PCLM | 1.3 | нет |
- |
| PDIBLC1 | 0.39 | нет |
- |
| PDIBLC2 | 0.0086 | нет |
- |
| PDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
| PVAG | 0.0 | нет |
- |
| JS | 1.0E-4 | нет |
- |
| JSW | 0.0 | нет |
- |
| PB | 1.0 | нет |
- |
| NJ | 1.0 | нет |
- |
| XTI | 3.0 | нет |
- |
| MJ | 0.5 | нет |
- |
| PBSW | 1.0 | нет |
- |
| MJSW | 0.33 | нет |
- |
| PBSWG | 1.0 | нет |
- |
| MJSWG | 0.33 | нет |
- |
| CJ | 5.0E-4 | нет |
- |
| VFBCV | -1.0 | нет |
- |
| VFB | -99.0 | нет |
- |
| CJSW | 5.0E-10 | нет |
- |
| CJSWG | 5.0e-10 | нет |
- |
| TPB | 0.0 | нет |
- |
| TCJ | 0.0 | нет |
- |
| TPBSW | 0.0 | нет |
- |
| TCJSW | 0.0 | нет |
- |
| TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
| TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
| ACDE | 1.0 | нет |
- |
| MOIN | 15.0 | нет |
- |
| NOFF | 1.0 | нет |
- |
| VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| LINT | 0.0 | нет |
- |
| LL | 0.0 | нет |
- |
| LLC | 0.0 | нет |
- |
| LLN | 1.0 | нет |
- |
| LW | 0.0 | нет |
- |
| LWC | 0.0 | нет |
- |
| LWN | 1.0 | нет |
- |
| LWL | 0.0 | нет |
- |
| LWLC | 0.0 | нет |
- |
| LMIN | 0.0 | нет |
- |
| LMAX | 1.0 | нет |
- |
| WR | 1.0 | нет |
- |
| WINT | 0.0 | нет |
- |
| DWG | 0.0 | нет |
- |
| DWB | 0.0 | нет |
- |
| WL | 0.0 | нет |
- |
| WLC | 0.0 | нет |
- |
| WLN | 1.0 | нет |
- |
| WW | 0.0 | нет |
- |
| WWC | 0.0 | нет |
- |
| WWN | 1.0 | нет |
- |
| WWL | 0.0 | нет |
- |
| WWLC | 0.0 | нет |
- |
| WMIN | 0.0 | нет |
- |
| WMAX | 1.0 | нет |
- |
| B0 | 0.0 | нет |
- |
| B1 | 0.0 | нет |
- |
| CGSL | 0.0 | нет |
- |
| CGDL | 0.0 | нет |
- |
| CKAPPA | 0.6 | нет |
- |
| CF | -99.0 | нет |
- |
| CLC | 0.1e-6 | нет |
- |
| CLE | 0.6 | нет |
- |
| DWC | 0.0 | нет |
- |
| DLC | -99.0 | нет |
- |
| ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| BETA0 | 30.0 | нет |
- |
| IJTH | 0.1 | нет |
- |
| LCDSC | 0.0 | нет |
- |
| LCDSCB | 0.0 | нет |
- |
| LCDSCD | 0.0 | нет |
- |
| LCIT | 0.0 | нет |
- |
| LNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
| LXJ | 0.0 | нет |
- |
| LVSAT | 0.0 | нет |
- |
| LAT | 0.0 | нет |
- |
| LA0 | 0.0 | нет |
- |
| LAGS | 0.0 | нет |
- |
| LA1 | 0.0 | нет |
- |
| LA2 | 0.0 | нет |
- |
| LKETA | 0.0 | нет |
- |
| LNSUB | 0.0 | нет |
- |
| LNCH | 0.0 | нет |
- |
| LNGATE | 0.0 | нет |
- |
| LGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| LGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| LVBX | -99.0 | нет |
- |
| LVBM | 0.0 | нет |
- |
| LXT | 0.0 | нет |
- |
| LK1 | -99.0 | нет |
- |
| LKT1 | 0.0 | нет |
- |
| LKT1L | 0.0 | нет |
- |
| LKT2 | 0.0 | нет |
- |
| LK2 | -99.0 | нет |
- |
| LK3 | 0.0 | нет |
- |
| LK3B | 0.0 | нет |
- |
| LW0 | 0.0 | нет |
- |
| LNLX | 0.0 | нет |
- |
| LDVT0 | 0.0 | нет |
- |
| LDVT1 | 0.0 | нет |
- |
| LDVT2 | 0.0 | нет |
- |
| LDVT0W | 0.0 | нет |
- |
| LDVT1W | 0.0 | нет |
- |
| LDVT2W | 0.0 | нет |
- |
| LDROUT | 0.0 | нет |
- |
| LDSUB | 0.0 | нет |
- |
| LVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| LVTHO | 0.0 | нет |
- |
| LUA | 0.0 | нет |
- |
| LUA1 | 0.0 | нет |
- |
| LUB | 0.0 | нет |
- |
| LUB1 | 0.0 | нет |
- |
| LUC | 0.0 | нет |
- |
| LUC1 | 0.0 | нет |
- |
| LU0 | 0.0 | нет |
- |
| LUTE | 0.0 | нет |
- |
| LVOFF | 0.0 | нет |
- |
| LELM | 0.0 | нет |
- |
| LDELTA | 0.0 | нет |
- |
| LRDSW | 0.0 | нет |
- |
| LPRWG | 0.0 | нет |
- |
| LPRWB | 0.0 | нет |
- |
| LPRT | 0.0 | нет |
- |
| LETA0 | 0.0 | нет |
- |
| LETAB | 0.0 | нет |
- |
| LPCLM | 0.0 | нет |
- |
| LPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
| LPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
| LPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| LPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
| LPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
| LPVAG | 0.0 | нет |
- |
| LWR | 0.0 | нет |
- |
| LDWG | 0.0 | нет |
- |
| LDWB | 0.0 | нет |
- |
| LB0 | 0.0 | нет |
- |
| LB1 | 0.0 | нет |
- |
| LCGSL | 0.0 | нет |
- |
| LCGDL | 0.0 | нет |
- |
| LCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
| LCF | 0.0 | нет |
- |
| LCLC | 0.0 | нет |
- |
| LCLE | 0.0 | нет |
- |
| LALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| LALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| LBETA0 | 0.0 | нет |
- |
| LVFBCV | 0.0 | нет |
- |
| LVFB | 0.0 | нет |
- |
| LACDE | 0.0 | нет |
- |
| LMOIN | 0.0 | нет |
- |
| LNOFF | 0.0 | нет |
- |
| LVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| WCDSC | 0.0 | нет |
- |
| WCDSCB | 0.0 | нет |
- |
| WCDSCD | 0.0 | нет |
- |
| WCIT | 0.0 | нет |
- |
| WNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
| WXJ | 0.0 | нет |
- |
| WVSAT | 0.0 | нет |
- |
| WAT | 0.0 | нет |
- |
| WA0 | 0.0 | нет |
- |
| WAGS | 0.0 | нет |
- |
| WA1 | 0.0 | нет |
- |
| WA2 | 0.0 | нет |
- |
| WKETA | 0.0 | нет |
- |
| WNSUB | 0.0 | нет |
- |
| WNCH | 0.0 | нет |
- |
| WNGATE | 0.0 | нет |
- |
| WGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| WGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| WVBX | -99.0 | нет |
- |
| WVBM | 0.0 | нет |
- |
| WXT | 0.0 | нет |
- |
| WK1 | -99.0 | нет |
- |
| WKT1 | 0.0 | нет |
- |
| WKT1L | 0.0 | нет |
- |
| WKT2 | 0.0 | нет |
- |
| WK2 | -99.0 | нет |
- |
| WK3 | 0.0 | нет |
- |
| WK3B | 0.0 | нет |
- |
| WW0 | 0.0 | нет |
- |
| WNLX | 0.0 | нет |
- |
| WDVT0 | 0.0 | нет |
- |
| WDVT1 | 0.0 | нет |
- |
| WDVT2 | 0.0 | нет |
- |
| WDVT0W | 0.0 | нет |
- |
| WDVT1W | 0.0 | нет |
- |
| WDVT2W | 0.0 | нет |
- |
| WDROUT | 0.0 | нет |
- |
| WDSUB | 0.0 | нет |
- |
| WVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| WVTHO | 0.0 | нет |
- |
| WUA | 0.0 | нет |
- |
| WUA1 | 0.0 | нет |
- |
| WUB | 0.0 | нет |
- |
| WUB1 | 0.0 | нет |
- |
| WUC | 0.0 | нет |
- |
| WUC1 | 0.0 | нет |
- |
| WU0 | 0.0 | нет |
- |
| WUTE | 0.0 | нет |
- |
| WVOFF | 0.0 | нет |
- |
| WELM | 0.0 | нет |
- |
| WDELTA | 0.0 | нет |
- |
| WRDSW | 0.0 | нет |
- |
| WPRWG | 0.0 | нет |
- |
| WPRWB | 0.0 | нет |
- |
| WPRT | 0.0 | нет |
- |
| WETA0 | 0.0 | нет |
- |
| WETAB | 0.0 | нет |
- |
| WPCLM | 0.0 | нет |
- |
| WPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
| WPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
| WPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| WPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
| WPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
| WPVAG | 0.0 | нет |
- |
| WWR | 0.0 | нет |
- |
| WDWG | 0.0 | нет |
- |
| WDWB | 0.0 | нет |
- |
| WB0 | 0.0 | нет |
- |
| WB1 | 0.0 | нет |
- |
| WCGSL | 0.0 | нет |
- |
| WCGDL | 0.0 | нет |
- |
| WCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
| WCF | 0.0 | нет |
- |
| WCLC | 0.0 | нет |
- |
| WCLE | 0.0 | нет |
- |
| WALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| WALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| WBETA0 | 0.0 | нет |
- |
| WVFBCV | 0.0 | нет |
- |
| WVFB | 0.0 | нет |
- |
| WACDE | 0.0 | нет |
- |
| WMOIN | 0.0 | нет |
- |
| WNOFF | 0.0 | нет |
- |
| WVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| PCDSC | 0.0 | нет |
- |
| PCDSCB | 0.0 | нет |
- |
| PCDSCD | 0.0 | нет |
- |
| PCIT | 0.0 | нет |
- |
| PNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
| PXJ | 0.0 | нет |
- |
| PVSAT | 0.0 | нет |
- |
| PAT | 0.0 | нет |
- |
| PA0 | 0.0 | нет |
- |
| PAGS | 0.0 | нет |
- |
| PA1 | 0.0 | нет |
- |
| PA2 | 0.0 | нет |
- |
| PKETA | 0.0 | нет |
- |
| PNSUB | 0.0 | нет |
- |
| PNCH | 0.0 | нет |
- |
| PNGATE | 0.0 | нет |
- |
| PGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| PGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| PVBX | -99.0 | нет |
- |
| PVBM | 0.0 | нет |
- |
| PXT | 0.0 | нет |
- |
| PK1 | -99.0 | нет |
- |
| PKT1 | 0.0 | нет |
- |
| PKT1L | 0.0 | нет |
- |
| PKT2 | 0.0 | нет |
- |
| PK2 | -99.0 | нет |
- |
| PK3 | 0.0 | нет |
- |
| PK3B | 0.0 | нет |
- |
| PW0 | 0.0 | нет |
- |
| PNLX | 0.0 | нет |
- |
| PDVT0 | 0.0 | нет |
- |
| PDVT1 | 0.0 | нет |
- |
| PDVT2 | 0.0 | нет |
- |
| PDVT0W | 0.0 | нет |
- |
| PDVT1W | 0.0 | нет |
- |
| PDVT2W | 0.0 | нет |
- |
| PDROUT | 0.0 | нет |
- |
| PDSUB | 0.0 | нет |
- |
| PVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| PVTHO | 0.0 | нет |
- |
| PUA | 0.0 | нет |
- |
| PUA1 | 0.0 | нет |
- |
| PUB | 0.0 | нет |
- |
| PUB1 | 0.0 | нет |
- |
| PUC | 0.0 | нет |
- |
| PUC1 | 0.0 | нет |
- |
| PU0 | 0.0 | нет |
- |
| PUTE | 0.0 | нет |
- |
| PVOFF | 0.0 | нет |
- |
| PELM | 0.0 | нет |
- |
| PDELTA | 0.0 | нет |
- |
| PRDSW | 0.0 | нет |
- |
| PPRWG | 0.0 | нет |
- |
| PPRWB | 0.0 | нет |
- |
| PPRT | 0.0 | нет |
- |
| PETA0 | 0.0 | нет |
- |
| PETAB | 0.0 | нет |
- |
| PPCLM | 0.0 | нет |
- |
| PPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
| PPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
| PPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
| PPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
| PPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
| PPVAG | 0.0 | нет |
- |
| PWR | 0.0 | нет |
- |
| PDWG | 0.0 | нет |
- |
| PDWB | 0.0 | нет |
- |
| PB0 | 0.0 | нет |
- |
| PB1 | 0.0 | нет |
- |
| PCGSL | 0.0 | нет |
- |
| PCGDL | 0.0 | нет |
- |
| PCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
| PCF | 0.0 | нет |
- |
| PCLC | 0.0 | нет |
- |
| PCLE | 0.0 | нет |
- |
| PALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| PALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| PBETA0 | 0.0 | нет |
- |
| PVFBCV | 0.0 | нет |
- |
| PVFB | 0.0 | нет |
- |
| PACDE | 0.0 | нет |
- |
| PMOIN | 0.0 | нет |
- |
| PNOFF | 0.0 | нет |
- |
| PVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| KF | 0.0 | нет |
- |
| AF | 1.0 | нет |
- |
| EF | 1.0 | нет |
- |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Bsim4V30Nmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | bsim4v30nMOS |
Описание |
bsim4v30nMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim4v30nMOS |
| Netlist entry | BSIM4_ |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim4v30nMOS |
Свойства |
278 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| GMIN | 1e-12 | нет |
- |
| PS | 12e-6 | нет |
- |
| PD | 12e-6 | нет |
- |
| AS | 12e-12 | нет |
- |
| AD | 12e-12 | нет |
- |
| CGBO | -99.0 | нет |
- |
| CGDO | -99.0 | нет |
- |
| CGSO | -99.0 | нет |
- |
| L | 3e-6 | нет |
- |
| W | 6e-6 | нет |
- |
| MOBMOD | -99.0 | нет |
- |
| RDSMOD | -99.0 | нет |
- |
| IGCMOD | 0 | нет |
- |
| IGBMOD | 0 | нет |
- |
| CAPMOD | 2 | нет |
- |
| RGATEMOD | 2 | нет |
- |
| RBODYMOD | 0 | нет |
- |
| DIOMOD | 1 | нет |
- |
| TEMPMOD | -99.0 | нет |
- |
| GEOMOD | 0 | нет |
- |
| RGEOMOD | 0 | нет |
- |
| PERMOD | 1 | нет |
- |
| TNOIMOD | 0 | нет |
- |
| FNOIMOD | 0 | нет |
- |
| EPSROX | 3.9 | нет |
- |
| TOXE | -99.0 | нет |
- |
| TOXP | -99.0 | нет |
- |
| TOXM | -99.0 | нет |
- |
| DTOX | 0.0 | нет |
- |
| XJ | 1.5e-7 | нет |
- |
| GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| NDEP | -99.0 | нет |
- |
| NSUB | 6.0e16 | нет |
- |
| NGATE | 0.0 | нет |
- |
| NSD | 1.0e20 | нет |
- |
| VBX | -99.0 | нет |
- |
| XT | 1.55e-7 | нет |
- |
| RSH | 0.0 | нет |
- |
| RSHG | 0.0 | нет |
- |
| VTH0 | 0.6 | нет |
- |
| VFB | -99.0 | нет |
- |
| PHIN | 0.0 | нет |
- |
| K1 | -99.0 | нет |
- |
| K2 | -99.0 | нет |
- |
| K3 | 80.0 | нет |
- |
| K3B | 0.0 | нет |
- |
| W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
| LPE0 | 1.74e-7 | нет |
- |
| LPEB | 0.0 | нет |
- |
| VBM | -3.0 | нет |
- |
| DVT0 | 2.2 | нет |
- |
| DVT1 | 0.53 | нет |
- |
| DVT2 | -0.032 | нет |
- |
| DVTP0 | 0.0 | нет |
- |
| DVTP1 | 0.0 | нет |
- |
| DVT0W | 0.0 | нет |
- |
| DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
| DVT2W | -0.032 | нет |
- |
| U0 | -99.0 | нет |
- |
| UA | -99.0 | нет |
- |
| UB | 1.0e-19 | нет |
- |
| UC | -99.0 | нет |
- |
| EU | -99.0 | нет |
- |
| VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
| A0 | 1.0 | нет |
- |
| AGS | 0.0 | нет |
- |
| B0 | 0.0 | нет |
- |
| B1 | 0.0 | нет |
- |
| KETA | -0.047 | нет |
- |
| A1 | 0.0 | нет |
- |
| A2 | 1.0 | нет |
- |
| WINT | 0.0 | нет |
- |
| LINT | 0.0 | нет |
- |
| DWG | 0.0 | нет |
- |
| DWB | 0.0 | нет |
- |
| VOFF | -0.08 | нет |
- |
| VOFFL | 0.0 | нет |
- |
| MINV | 0.0 | нет |
- |
| NFACTOR | 1.0 | нет |
- |
| ETA0 | 0.08 | нет |
- |
| ETAB | -0.07 | нет |
- |
| DROUT | 0.56 | нет |
- |
| DSUB | 0.56 | нет |
- |
| CIT | 0.0 | нет |
- |
| CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
| CDSCB | 0.0 | нет |
- |
| CDSCD | 0.0 | нет |
- |
| PCLM | 1.3 | нет |
- |
| PDIBL1 | 0.39 | нет |
- |
| PDIBL2 | 0.0086 | нет |
- |
| PDIBLB | 0.0 | нет |
- |
| PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
| PVAG | 0.0 | нет |
- |
| DELTA | 0.01 | нет |
- |
| FPROUT | 0.0 | нет |
- |
| PDITS | 0.0 | нет |
- |
| PDITSD | 0.0 | нет |
- |
| PDITSL | 0.0 | нет |
- |
| LAMBDA | -99.0 | нет |
- |
| VTL | -99.0 | нет |
- |
| LC | 5.0e-9 | нет |
- |
| XN | 3.0 | нет |
- |
| RDSW | 200.0 | нет |
- |
| RDSWMIN | 0.0 | нет |
- |
| RDW | 100.0 | нет |
- |
| RDWMIN | 0.0 | нет |
- |
| RSW | 100.0 | нет |
- |
| RSWMIN | 0.0 | нет |
- |
| PRWG | 1.0 | нет |
- |
| PRWB | 0.0 | нет |
- |
| WR | 1.0 | нет |
- |
| NRS | -99.0 | нет |
- |
| NRD | -99.0 | нет |
- |
| ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| BETA0 | 30.0 | нет |
- |
| AGIDL | 0.0 | нет |
- |
| BGIDL | 2.3e9 | нет |
- |
| CGIDL | 0.5 | нет |
- |
| EGIDL | 0.8 | нет |
- |
| AIGBACC | 0.43 | нет |
- |
| BIGBACC | 0.054 | нет |
- |
| CIGBACC | 0.075 | нет |
- |
| NIGBACC | 1.0 | нет |
- |
| AIGBINV | 0.35 | нет |
- |
| BIGBINV | 0.03 | нет |
- |
| CIGBINV | 0.006 | нет |
- |
| EIGBINV | 1.1 | нет |
- |
| NIGBINV | 3.0 | нет |
- |
| AIGC | -99.0 | нет |
- |
| BIGC | -99.0 | нет |
- |
| CIGC | -99.0 | нет |
- |
| AIGSD | -99.0 | нет |
- |
| BIGSD | -99.0 | нет |
- |
| CIGSD | -99.0 | нет |
- |
| DLCIG | 0.0 | нет |
- |
| NIGC | 1.0 | нет |
- |
| POXEDGE | 1.0 | нет |
- |
| PIGCD | 1.0 | нет |
- |
| NTOX | 1.0 | нет |
- |
| TOXREF | 3.0e-9 | нет |
- |
| XPART | 0.4 | нет |
- |
| CGS0 | 0.0 | нет |
- |
| CGD0 | 0.0 | нет |
- |
| CGB0 | 0.0 | нет |
- |
| CGSL | 0.0 | нет |
- |
| CGDL | 0.0 | нет |
- |
| CKAPPAS | 0.6 | нет |
- |
| CKAPPAD | 0.6 | нет |
- |
| CF | -99.0 | нет |
- |
| CLC | 1.0e-7 | нет |
- |
| CLE | 0.6 | нет |
- |
| DLC | 0.0 | нет |
- |
| DWC | 0.0 | нет |
- |
| VFBCV | -1.0 | нет |
- |
| NOFF | 1.0 | нет |
- |
| VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| ACDE | 1.0 | нет |
- |
| MOIN | 15.0 | нет |
- |
| XRCRG1 | 12.0 | нет |
- |
| XRCRG2 | 1.0 | нет |
- |
| RBPB | 50.0 | нет |
- |
| RBPD | 50.0 | нет |
- |
| RBPS | 50.0 | нет |
- |
| RBDB | 50.0 | нет |
- |
| RBSB | 50.0 | нет |
- |
| GBMIN | 1.0e-12 | нет |
- |
| DMCG | 0.0 | нет |
- |
| DMCI | 0.0 | нет |
- |
| DMDG | 0.0 | нет |
- |
| DMCGT | 0.0 | нет |
- |
| NF | 1.0 | нет |
- |
| DWJ | 0.0 | нет |
- |
| MIN | 0.0 | нет |
- |
| XGW | 0.0 | нет |
- |
| XGL | 0.0 | нет |
- |
| XL | 0.0 | нет |
- |
| XW | 0.0 | нет |
- |
| NGCON | 1.0 | нет |
- |
| IJTHSREV | 0.1 | нет |
- |
| IJTHDREV | 0.1 | нет |
- |
| IJTHSFWD | 0.1 | нет |
- |
| IJTHDFWD | 0.1 | нет |
- |
| XJBVS | 1.0 | нет |
- |
| XJBVD | 1.0 | нет |
- |
| BVS | 10.0 | нет |
- |
| BVD | 10.0 | нет |
- |
| JSS | 1.0e-4 | нет |
- |
| JSD | 1.0e-4 | нет |
- |
| JSWS | 0.0 | нет |
- |
| JSWD | 0.0 | нет |
- |
| JSWGS | 0.0 | нет |
- |
| JSWGD | 0.0 | нет |
- |
| CJS | 5.0e-4 | нет |
- |
| CJD | 5.0e-4 | нет |
- |
| MJS | 0.5 | нет |
- |
| MJD | 0.5 | нет |
- |
| MJSWS | 0.33 | нет |
- |
| MJSWD | 0.33 | нет |
- |
| CJSWS | 5.0e-10 | нет |
- |
| CJSWD | 5.0e-10 | нет |
- |
| CJSWGS | 5.0e-10 | нет |
- |
| CJSWGD | 5.0e-10 | нет |
- |
| MJSWGS | 0.33 | нет |
- |
| MJSWGD | 0.33 | нет |
- |
| PBS | 1.0 | нет |
- |
| PBD | 1.0 | нет |
- |
| PBSWS | 1.0 | нет |
- |
| PBSWD | 1.0 | нет |
- |
| PBSWGS | 1.0 | нет |
- |
| PBSWGD | 1.0 | нет |
- |
| TNOM | 27 | нет |
- |
| UTE | -1.5 | нет |
- |
| KT1 | -0.11 | нет |
- |
| KT1L | 0.0 | нет |
- |
| KT2 | 0.022 | нет |
- |
| UA1 | 1.0e-9 | нет |
- |
| UB1 | -1.0e-18 | нет |
- |
| UC1 | -99.0 | нет |
- |
| AT | 3.3e4 | нет |
- |
| PRT | 0.0 | нет |
- |
| NJS | 1.0 | нет |
- |
| NJD | 1.0 | нет |
- |
| XTIS | 3.0 | нет |
- |
| XTID | 3.0 | нет |
- |
| TPB | 0.0 | нет |
- |
| TPBSW | 0.0 | нет |
- |
| TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
| TCJ | 0.0 | нет |
- |
| TCJSW | 0.0 | нет |
- |
| TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
| SA | 0.0 | нет |
- |
| SB | 0.0 | нет |
- |
| SD | 0.0 | нет |
- |
| SAREF | 1e-6 | нет |
- |
| SBREF | 1e-6 | нет |
- |
| WLOD | 0.0 | нет |
- |
| KU0 | 0.0 | нет |
- |
| KVSAT | 0.0 | нет |
- |
| TKU0 | 0.0 | нет |
- |
| LKU0 | 0.0 | нет |
- |
| WKU0 | 0.0 | нет |
- |
| PKU0 | 0.0 | нет |
- |
| LLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
| WLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
| KVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| LKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| WKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| PKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| LLODVTH | 0.0 | нет |
- |
| WLODVTH | 0.0 | нет |
- |
| STK2 | 0.0 | нет |
- |
| LODK2 | 1.0 | нет |
- |
| STETA0 | 0.0 | нет |
- |
| LODETA0 | 1.0 | нет |
- |
| WL | 0.0 | нет |
- |
| WLN | 1.0 | нет |
- |
| WW | 0.0 | нет |
- |
| WWN | 1.0 | нет |
- |
| WWL | 0.0 | нет |
- |
| LL | 0.0 | нет |
- |
| LLN | 1.0 | нет |
- |
| LW | 0.0 | нет |
- |
| LWN | 1.0 | нет |
- |
| LWL | 0.0 | нет |
- |
| LLC | 0.0 | нет |
- |
| LWC | 0.0 | нет |
- |
| LWLC | 0.0 | нет |
- |
| WLC | 0.0 | нет |
- |
| WWC | 0.0 | нет |
- |
| WWLC | 0.0 | нет |
- |
| NTNOI | 1.0 | нет |
- |
| KF | 0.0 | нет |
- |
| AF | 1.0 | нет |
- |
| EF | 1.0 | нет |
- |
| TEMP | 27 | нет |
- |
Bsim4V30Pmos¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | bsim4v30pMOS |
Описание |
bsim4v30pMOS verilog device |
| Schematic entry | bsim4v30pMOS |
| Netlist entry | BSIM4_ |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | bsim4v30pMOS |
Свойства |
278 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| GMIN | 1e-12 | нет |
- |
| PS | 12e-6 | нет |
- |
| PD | 12e-6 | нет |
- |
| AS | 12e-12 | нет |
- |
| AD | 12e-12 | нет |
- |
| CGBO | -99.0 | нет |
- |
| CGDO | -99.0 | нет |
- |
| CGSO | -99.0 | нет |
- |
| L | 3e-6 | нет |
- |
| W | 6e-6 | нет |
- |
| MOBMOD | -99.0 | нет |
- |
| RDSMOD | -99.0 | нет |
- |
| IGCMOD | 0 | нет |
- |
| IGBMOD | 0 | нет |
- |
| CAPMOD | 2 | нет |
- |
| RGATEMOD | 2 | нет |
- |
| RBODYMOD | 0 | нет |
- |
| DIOMOD | 1 | нет |
- |
| TEMPMOD | -99.0 | нет |
- |
| GEOMOD | 0 | нет |
- |
| RGEOMOD | 0 | нет |
- |
| PERMOD | 1 | нет |
- |
| TNOIMOD | 0 | нет |
- |
| FNOIMOD | 0 | нет |
- |
| EPSROX | 3.9 | нет |
- |
| TOXE | -99.0 | нет |
- |
| TOXP | -99.0 | нет |
- |
| TOXM | -99.0 | нет |
- |
| DTOX | 0.0 | нет |
- |
| XJ | 1.5e-7 | нет |
- |
| GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
| GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
| NDEP | -99.0 | нет |
- |
| NSUB | 6.0e16 | нет |
- |
| NGATE | 0.0 | нет |
- |
| NSD | 1.0e20 | нет |
- |
| VBX | -99.0 | нет |
- |
| XT | 1.55e-7 | нет |
- |
| RSH | 0.0 | нет |
- |
| RSHG | 0.0 | нет |
- |
| VTH0 | -0.6 | нет |
- |
| VFB | -99.0 | нет |
- |
| PHIN | 0.0 | нет |
- |
| K1 | -99.0 | нет |
- |
| K2 | -99.0 | нет |
- |
| K3 | 80.0 | нет |
- |
| K3B | 0.0 | нет |
- |
| W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
| LPE0 | 1.74e-7 | нет |
- |
| LPEB | 0.0 | нет |
- |
| VBM | -3.0 | нет |
- |
| DVT0 | 2.2 | нет |
- |
| DVT1 | 0.53 | нет |
- |
| DVT2 | -0.032 | нет |
- |
| DVTP0 | 0.0 | нет |
- |
| DVTP1 | 0.0 | нет |
- |
| DVT0W | 0.0 | нет |
- |
| DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
| DVT2W | -0.032 | нет |
- |
| U0 | -99.0 | нет |
- |
| UA | -99.0 | нет |
- |
| UB | 1.0e-19 | нет |
- |
| UC | -99.0 | нет |
- |
| EU | -99.0 | нет |
- |
| VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
| A0 | 1.0 | нет |
- |
| AGS | 0.0 | нет |
- |
| B0 | 0.0 | нет |
- |
| B1 | 0.0 | нет |
- |
| KETA | -0.047 | нет |
- |
| A1 | 0.0 | нет |
- |
| A2 | 1.0 | нет |
- |
| WINT | 0.0 | нет |
- |
| LINT | 0.0 | нет |
- |
| DWG | 0.0 | нет |
- |
| DWB | 0.0 | нет |
- |
| VOFF | -0.08 | нет |
- |
| VOFFL | 0.0 | нет |
- |
| MINV | 0.0 | нет |
- |
| NFACTOR | 1.0 | нет |
- |
| ETA0 | 0.08 | нет |
- |
| ETAB | -0.07 | нет |
- |
| DROUT | 0.56 | нет |
- |
| DSUB | 0.56 | нет |
- |
| CIT | 0.0 | нет |
- |
| CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
| CDSCB | 0.0 | нет |
- |
| CDSCD | 0.0 | нет |
- |
| PCLM | 1.3 | нет |
- |
| PDIBL1 | 0.39 | нет |
- |
| PDIBL2 | 0.0086 | нет |
- |
| PDIBLB | 0.0 | нет |
- |
| PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
| PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
| PVAG | 0.0 | нет |
- |
| DELTA | 0.01 | нет |
- |
| FPROUT | 0.0 | нет |
- |
| PDITS | 0.0 | нет |
- |
| PDITSD | 0.0 | нет |
- |
| PDITSL | 0.0 | нет |
- |
| LAMBDA | -99.0 | нет |
- |
| VTL | -99.0 | нет |
- |
| LC | 5.0e-9 | нет |
- |
| XN | 3.0 | нет |
- |
| RDSW | 200.0 | нет |
- |
| RDSWMIN | 0.0 | нет |
- |
| RDW | 100.0 | нет |
- |
| RDWMIN | 0.0 | нет |
- |
| RSW | 100.0 | нет |
- |
| RSWMIN | 0.0 | нет |
- |
| PRWG | 1.0 | нет |
- |
| PRWB | 0.0 | нет |
- |
| WR | 1.0 | нет |
- |
| NRS | -99.0 | нет |
- |
| NRD | -99.0 | нет |
- |
| ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
| ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
| BETA0 | 30.0 | нет |
- |
| AGIDL | 0.0 | нет |
- |
| BGIDL | 2.3e9 | нет |
- |
| CGIDL | 0.5 | нет |
- |
| EGIDL | 0.8 | нет |
- |
| AIGBACC | 0.43 | нет |
- |
| BIGBACC | 0.054 | нет |
- |
| CIGBACC | 0.075 | нет |
- |
| NIGBACC | 1.0 | нет |
- |
| AIGBINV | 0.35 | нет |
- |
| BIGBINV | 0.03 | нет |
- |
| CIGBINV | 0.006 | нет |
- |
| EIGBINV | 1.1 | нет |
- |
| NIGBINV | 3.0 | нет |
- |
| AIGC | -99.0 | нет |
- |
| BIGC | -99.0 | нет |
- |
| CIGC | -99.0 | нет |
- |
| AIGSD | -99.0 | нет |
- |
| BIGSD | -99.0 | нет |
- |
| CIGSD | -99.0 | нет |
- |
| DLCIG | 0.0 | нет |
- |
| NIGC | 1.0 | нет |
- |
| POXEDGE | 1.0 | нет |
- |
| PIGCD | 1.0 | нет |
- |
| NTOX | 1.0 | нет |
- |
| TOXREF | 3.0e-9 | нет |
- |
| XPART | 0.4 | нет |
- |
| CGS0 | 0.0 | нет |
- |
| CGD0 | 0.0 | нет |
- |
| CGB0 | 0.0 | нет |
- |
| CGSL | 0.0 | нет |
- |
| CGDL | 0.0 | нет |
- |
| CKAPPAS | 0.6 | нет |
- |
| CKAPPAD | 0.6 | нет |
- |
| CF | -99.0 | нет |
- |
| CLC | 1.0e-7 | нет |
- |
| CLE | 0.6 | нет |
- |
| DLC | 0.0 | нет |
- |
| DWC | 0.0 | нет |
- |
| VFBCV | -1.0 | нет |
- |
| NOFF | 1.0 | нет |
- |
| VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
| ACDE | 1.0 | нет |
- |
| MOIN | 15.0 | нет |
- |
| XRCRG1 | 12.0 | нет |
- |
| XRCRG2 | 1.0 | нет |
- |
| RBPB | 50.0 | нет |
- |
| RBPD | 50.0 | нет |
- |
| RBPS | 50.0 | нет |
- |
| RBDB | 50.0 | нет |
- |
| RBSB | 50.0 | нет |
- |
| GBMIN | 1.0e-12 | нет |
- |
| DMCG | 0.0 | нет |
- |
| DMCI | 0.0 | нет |
- |
| DMDG | 0.0 | нет |
- |
| DMCGT | 0.0 | нет |
- |
| NF | 1.0 | нет |
- |
| DWJ | 0.0 | нет |
- |
| MIN | 0.0 | нет |
- |
| XGW | 0.0 | нет |
- |
| XGL | 0.0 | нет |
- |
| XL | 0.0 | нет |
- |
| XW | 0.0 | нет |
- |
| NGCON | 1.0 | нет |
- |
| IJTHSREV | 0.1 | нет |
- |
| IJTHDREV | 0.1 | нет |
- |
| IJTHSFWD | 0.1 | нет |
- |
| IJTHDFWD | 0.1 | нет |
- |
| XJBVS | 1.0 | нет |
- |
| XJBVD | 1.0 | нет |
- |
| BVS | 10.0 | нет |
- |
| BVD | 10.0 | нет |
- |
| JSS | 1.0e-4 | нет |
- |
| JSD | 1.0e-4 | нет |
- |
| JSWS | 0.0 | нет |
- |
| JSWD | 0.0 | нет |
- |
| JSWGS | 0.0 | нет |
- |
| JSWGD | 0.0 | нет |
- |
| CJS | 5.0e-4 | нет |
- |
| CJD | 5.0e-4 | нет |
- |
| MJS | 0.5 | нет |
- |
| MJD | 0.5 | нет |
- |
| MJSWS | 0.33 | нет |
- |
| MJSWD | 0.33 | нет |
- |
| CJSWS | 5.0e-10 | нет |
- |
| CJSWD | 5.0e-10 | нет |
- |
| CJSWGS | 5.0e-10 | нет |
- |
| CJSWGD | 5.0e-10 | нет |
- |
| MJSWGS | 0.33 | нет |
- |
| MJSWGD | 0.33 | нет |
- |
| PBS | 1.0 | нет |
- |
| PBD | 1.0 | нет |
- |
| PBSWS | 1.0 | нет |
- |
| PBSWD | 1.0 | нет |
- |
| PBSWGS | 1.0 | нет |
- |
| PBSWGD | 1.0 | нет |
- |
| TNOM | 27 | нет |
- |
| UTE | -1.5 | нет |
- |
| KT1 | -0.11 | нет |
- |
| KT1L | 0.0 | нет |
- |
| KT2 | 0.022 | нет |
- |
| UA1 | 1.0e-9 | нет |
- |
| UB1 | -1.0e-18 | нет |
- |
| UC1 | -99.0 | нет |
- |
| AT | 3.3e4 | нет |
- |
| PRT | 0.0 | нет |
- |
| NJS | 1.0 | нет |
- |
| NJD | 1.0 | нет |
- |
| XTIS | 3.0 | нет |
- |
| XTID | 3.0 | нет |
- |
| TPB | 0.0 | нет |
- |
| TPBSW | 0.0 | нет |
- |
| TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
| TCJ | 0.0 | нет |
- |
| TCJSW | 0.0 | нет |
- |
| TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
| SA | 0.0 | нет |
- |
| SB | 0.0 | нет |
- |
| SD | 0.0 | нет |
- |
| SAREF | 1e-6 | нет |
- |
| SBREF | 1e-6 | нет |
- |
| WLOD | 0.0 | нет |
- |
| KU0 | 0.0 | нет |
- |
| KVSAT | 0.0 | нет |
- |
| TKU0 | 0.0 | нет |
- |
| LKU0 | 0.0 | нет |
- |
| WKU0 | 0.0 | нет |
- |
| PKU0 | 0.0 | нет |
- |
| LLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
| WLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
| KVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| LKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| WKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| PKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
| LLODVTH | 0.0 | нет |
- |
| WLODVTH | 0.0 | нет |
- |
| STK2 | 0.0 | нет |
- |
| LODK2 | 1.0 | нет |
- |
| STETA0 | 0.0 | нет |
- |
| LODETA0 | 1.0 | нет |
- |
| WL | 0.0 | нет |
- |
| WLN | 1.0 | нет |
- |
| WW | 0.0 | нет |
- |
| WWN | 1.0 | нет |
- |
| WWL | 0.0 | нет |
- |
| LL | 0.0 | нет |
- |
| LLN | 1.0 | нет |
- |
| LW | 0.0 | нет |
- |
| LWN | 1.0 | нет |
- |
| LWL | 0.0 | нет |
- |
| LLC | 0.0 | нет |
- |
| LWC | 0.0 | нет |
- |
| LWLC | 0.0 | нет |
- |
| WLC | 0.0 | нет |
- |
| WWC | 0.0 | нет |
- |
| WWLC | 0.0 | нет |
- |
| NTNOI | 1.0 | нет |
- |
| KF | 0.0 | нет |
- |
| AF | 1.0 | нет |
- |
| EF | 1.0 | нет |
- |
| TEMP | 27 | нет |
- |
Npn Hicum L0 V1.2¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.2 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2 Verilog-модель |
| Schematic entry | hicumL0V1p2 |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
94 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
| ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
| ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.2¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.2 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2 Verilog-модель |
| Schematic entry | hicumL0V1p2 |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
94 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
| ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
| ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Npn Hicum L0 V1.2G¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.2g |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2g verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p2g |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
99 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| iqfe | 0.0 | нет |
high-injection roll-off current |
| ahq | 0.0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
| ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100.0 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100.0 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| zetaiqf | 0.0 | нет |
TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge) |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| delte | 0.0 | нет |
Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| deltc | 0.0 | нет |
Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| zetaver | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of ver |
| zetavef | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of vef |
| ibhrec | 0.0 | нет |
Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.2G¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.2g |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2g verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p2g |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
99 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| iqfe | 0.0 | нет |
high-injection roll-off current |
| ahq | 0.0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
| ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100.0 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100.0 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| zetaiqf | 0.0 | нет |
TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge) |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| delte | 0.0 | нет |
Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| deltc | 0.0 | нет |
Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
| zetaver | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of ver |
| zetavef | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of vef |
| ibhrec | 0.0 | нет |
Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Npn Hicum L0 V1.3¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | npn HICUM L0 v1.3 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.3 verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p3 |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
102 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| it_mod | 0 | нет |
Flag for using third order solution for transfer current |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| aver | 0.0 | нет |
bias dependence for reverse Early voltage |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
| ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
| ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
| tef_temp | 1 | нет |
Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off |
| zetaver | -1.0 | нет |
TC of Reverse Early voltage |
| zetavgbe | 1.0 | нет |
TC of AVER |
| dvgbe | 0.0 | нет |
Bandgap difference between base and BE-junction |
| aliqfh | 0 | нет |
Frist-order TC of iqfh (1/K) |
| kiqfh | 0 | нет |
Second-order TC of iqfh (1/K^2) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.3¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | pnp HICUM L0 v1.3 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.3 verilog device |
| Schematic entry | hicumL0V1p3 |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
102 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
| is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
| it_mod | 0 | нет |
Flag for using third order solution for transfer current |
| mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
| mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
| vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
| aver | 0.0 | нет |
bias dependence for reverse Early voltage |
| iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
| fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
| iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
| iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
| tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
| ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
| ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
| mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
| ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
| mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
| ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
| mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
| cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
| vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
| ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
| aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
| vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
| zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
| ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
| t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
| gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
| rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
| vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
| cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
| zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
| cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
| zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
| fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
| vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
| fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
| iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
| cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
| vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
| zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
| vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
| eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
| kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
| kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
| af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
| alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
| zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
| alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
| aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
| zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
| tef_temp | 1 | нет |
Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off |
| zetaver | -1.0 | нет |
TC of Reverse Early voltage |
| zetavgbe | 1.0 | нет |
TC of AVER |
| dvgbe | 0.0 | нет |
Bandgap difference between base and BE-junction |
| aliqfh | 0 | нет |
Frist-order TC of iqfh (1/K) |
| kiqfh | 0 | нет |
Second-order TC of iqfh (1/K^2) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
| tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Hicum L2 V2.23¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.23 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.23 Verilog-модель |
| Schematic entry | hicumL2V2p23 |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
114 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
| hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
| ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
| ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
| ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
| ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
| mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
| tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
| ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
| ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
| tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
| favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
| fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
| fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
| fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
| re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
| iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
| tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
| ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
| ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
| fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
| cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
| vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
| fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
| rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 0.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
| alit | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
| flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
| kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
| af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
| cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
| latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
| latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
| vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
| zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Hicum L2 V2.24¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 v2.24 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.24 verilog device |
| Schematic entry | hicumL2V2p24 |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
114 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
| hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
| ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
| ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
| ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
| ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
| mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
| tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
| ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
| ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
| tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
| favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
| fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
| fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
| fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
| re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
| iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
| tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
| ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
| ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
| fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
| cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
| vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
| fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
| rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 100.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
| cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
| alit | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
| flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
| kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
| af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
| cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
| latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
| latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
| vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
| zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27.0 | нет |
температура моделирования |
Hicum L2 V2.31¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | HICUM L2 V2.31 |
Описание |
hicumL2V2p31n verilog device |
| Schematic entry | hicumL2V2p31n |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | hicumL2V2p31n |
Свойства |
129 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
| qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
| ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
| hf0 | 1.0 | нет |
Weight factor for the low current minority charge |
| hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
| hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
| ahjei | 0.0 | нет |
Parameter describing the slope of hjEi(VBE) |
| rhjei | 1.0 | нет |
Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage |
| hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
| ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
| mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
| ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
| mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
| ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
| mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
| ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
| mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
| mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
| tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
| ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
| mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
| ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
| mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
| ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
| abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
| tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
| favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
| qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
| alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
| alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
| rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
| rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
| fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
| fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
| fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
| fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
| re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
| rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
| itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
| msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
| iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
| msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
| tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
| rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
| csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
| cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
| zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
| ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
| zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
| ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
| cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
| zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
| vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
| cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
| vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
| zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
| vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
| fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
| fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
| cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
| vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
| zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
| vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
| t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
| dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
| tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s) |
| tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
| gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
| thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
| ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
| fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
| rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
| vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
| vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
| vpt | 100.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
| tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
| vcbar | 0.0 | нет |
Barrier voltage (V) |
| icbar | 0.0 | нет |
Normalization parameter (A) |
| acbar | 0.01 | нет |
Smoothing parameter for barrier voltage |
| delck | 2.0 | нет |
fitting factor for critical current |
| cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
| cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
| alqf | 0.167 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
| alit | 0.333 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
| flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
| kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
| af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
| cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
| flcono | 0 | нет |
Flag for turning on and off of correlated noise implementation |
| kfre | 0.0 | нет |
Emitter resistance flicker noise coefficient |
| afre | 2.0 | нет |
Emitter resistance flicker noise exponent factor |
| latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
| latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
| vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
| alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
| kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
| zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
| alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
| alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
| zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
| zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
| zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
| zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
| zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
| vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
| vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
| vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
| f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
| zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
| zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
| alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
| dvgbe | 0 | нет |
Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V) |
| zetahjei | 1 | нет |
Temperature coefficient for ahjEi |
| zetavgbe | 1 | нет |
Temperature coefficient for hjEi0 |
| flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
| rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
| zetarth | 0.0 | нет |
Temperature coefficient for Rth |
| alrth | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter Rth (1/K) |
| cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
| flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
| tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
| dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
| Temp | 27.0 | нет |
температура моделирования |
Фотодиод¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Фотодиод |
Описание |
Verilog-модель фотодиода |
| Schematic entry | photodiode |
| Netlist entry | PD |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | photodiode |
Свойства |
23 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| N | 1.35 | нет |
коэффициент эмиссии фотодиода |
| Rseries | 1e-3 | нет |
series lead resistance (Ohm) |
| Is | 0.34e-12 | нет |
diode dark current (A) |
| Bv | 60 | нет |
reverse breakdown voltage (V) |
| Ibv | 1e-3 | нет |
current at reverse breakdown voltage (A) |
| Vj | 0.7 | нет |
junction potential (V) |
| Cj0 | 60e-12 | нет |
zero-bias junction capacitance (F) |
| M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
| Area | 1.0 | нет |
относительная площадь диода |
| Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
| Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
| Tt | 10e-9 | нет |
transit time (s) |
| Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
| Eg | 1.16 | нет |
energy gap (eV) |
| Responsivity | 0.5 | нет |
responsivity (A/W) |
| Rsh | 5e8 | нет |
shunt resistance (Ohm) |
| QEpercent | 80 | нет |
quantum efficiency (%) |
| Lambda | 900 | нет |
light wavelength (nm) |
| LEVEL | 1 | нет |
настройка калькулятора чувствительности |
| Kf | 1e-12 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Фототранзистор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Фототранзистор |
Описание |
Verilog-модель фототранзистора |
| Schematic entry | phototransistor |
| Netlist entry | PT |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | phototransistor |
Свойства |
30 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Bf | 100 | нет |
прямой коэффициент передачи тока |
| Br | 0.1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
| Is | 1e-10 | нет |
dark current (A) |
| Nf | 1 | нет |
коэффициент прямой эмиссии |
| Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
| Vaf | 100 | нет |
forward early voltage (V) |
| Var | 100 | нет |
reverse early voltage (V) |
| Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
| Vje | 0.75 | нет |
base-emitter junction built-in potential (V) |
| Cje | 1e-12 | нет |
base-emitter zero-bias depletion capacitance (F) |
| Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
| Vjc | 0.75 | нет |
base-collector junction built-in potential (V) |
| Cjc | 2e-12 | нет |
base-collector zero-bias depletion capacitance (F) |
| Tr | 100n | нет |
ideal reverse transit time (s) |
| Tf | 0.1n | нет |
ideal forward transit time (s) |
| Ikf | 10 | нет |
high current corner for forward beta (A) |
| Ikr | 10 | нет |
high current corner for reverse beta (A) |
| Rc | 10 | нет |
collector series resistance (Ohm) |
| Re | 1 | нет |
emitter series resistance (Ohm) |
| Rb | 100 | нет |
base series resistance (Ohm) |
| Kf | 1e-12 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Ffe | 1 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
| Af | 1 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
| Responsivity | 1.5 | нет |
responsivity at relative selectivity=100% (A/W) |
| P0 | 2.6122e3 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
| P1 | -1.489e1 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
| P2 | 3.0332e-2 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
| P3 | -2.5708e-5 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
| P4 | 7.6923e-9 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Nigbt¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | NIGBT |
Описание |
NIGBT verilog device |
| Schematic entry | nigbt |
| Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | nigbt |
Свойства |
19 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Agd | 5.0e-6 | нет |
gate-drain overlap area (m**2) |
| Area | 1.0e-5 | нет |
area of the device (m**2) |
| Kp | 0.38 | нет |
MOS transconductance (A/V**2) |
| Tau | 7.1e-6 | нет |
ambipolar recombination lifetime (s) |
| Wb | 9.0e-5 | нет |
metallurgical base width (m) |
| BVf | 1.0 | нет |
avalanche uniformity factor |
| BVn | 4.0 | нет |
avalanche multiplication exponent |
| Cgs | 1.24e-8 | нет |
gate-source capacitance per unit area (F/cm**2) |
| Coxd | 3.5e-8 | нет |
gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2) |
| Jsne | 6.5e-13 | нет |
emitter saturation current density (A/cm**2) |
| Kf | 1.0 | нет |
triode region factor |
| Mun | 1.5e-3 | нет |
electron mobility (cm**2/Vs) |
| Mup | 4.5e-2 | нет |
hole mobility (cm**2/Vs) |
| Nb | 2.0e14 | нет |
base doping (1/cm**3) |
| Theta | 0.02 | нет |
transverse field factor (1/V) |
| Vt | 4.7 | нет |
threshold voltage (V) |
| Vtd | 1.0e-3 | нет |
gate-drain overlap depletion threshold (V) |
| Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
| Temp | 26.85 | нет |
simulation temperature (Celsius) |
Voltage Controlled Resistor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Voltage Controlled Resistor |
Описание |
источник напряжения, управляемый напряжением |
| Schematic entry | vcresistor |
| Netlist entry | VCR |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | vcresistor |
Свойства |
1 |
| Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| gain | 1 | да |
resistance gain |
Digital Components¶
Digital Source¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | цифровой источник |
Описание |
цифровой источник |
| Schematic entry | DigiSource |
| Netlist entry | S |
Тип |
Component |
| Bitmap file | digi_source |
Свойства |
4 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Num | 1 | да |
номер порта |
| init | low | нет |
initial output value [low, high] |
| times | 1ns; 1ns | нет |
моменты времени для изменения выходного значения |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
Инвертор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Инвертор |
Описание |
логический инвертор |
| Schematic entry | Inv |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | inverter |
Свойства |
4 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Or¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-входовое ИЛИ |
Описание |
логическое ИЛИ |
| Schematic entry | OR |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | or |
Свойства |
5 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Nor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-входовое НЕ-ИЛИ |
Описание |
логическое НЕ-ИЛИ |
| Schematic entry | NOR |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | nor |
Свойства |
5 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port And¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-входовое И |
Описание |
логическое И |
| Schematic entry | AND |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | and |
Свойства |
5 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Nand¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-входовое НЕ-И |
Описание |
логическое НЕ-И |
| Schematic entry | NAND |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | nand |
Свойства |
5 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Xor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-входовое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ |
Описание |
логическое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ |
| Schematic entry | XOR |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | xor |
Свойства |
5 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Xnor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | n-входовое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ НЕ-ИЛИ |
Описание |
логическое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ НЕ-ИЛИ |
| Schematic entry | XNOR |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | xnor |
Свойства |
5 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
Буфер¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Буфер |
Описание |
логический буфер |
| Schematic entry | Buf |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | buffer |
Свойства |
4 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
| t | 0 | нет |
время задержки |
| TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
4X2 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4x2 И-Или |
Описание |
verilog-модель 4x2 и-или |
| Schematic entry | andor4x2 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | andor4x2 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4X3 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4x3 И-Или |
Описание |
verilog-модель 4x3 и-или |
| Schematic entry | andor4x3 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | andor4x3 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4X4 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4x4 И-Или |
Описание |
verilog-модель 4x4 и-или |
| Schematic entry | andor4x4 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | andor4x4 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Мультиплексор 2в1 |
Описание |
verilog-модель мультиплексора 2в1 |
| Schematic entry | mux2to1 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | mux2to1 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Мультиплексор 4в1 |
Описание |
verilog-модель мультиплексора 4в1 |
| Schematic entry | mux4to1 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | mux4to1 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
8To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Мультиплексор 8в1 |
Описание |
verilog-модель мультиплексора 8в1 |
| Schematic entry | mux8to1 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | mux8to1 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2To4 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Демультиплексор 2на4 |
Описание |
verilog-модель демультиплексора 2на4 |
| Schematic entry | dmux2to4 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | dmux2to4 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
3To8 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Демультиплексор 3на8 |
Описание |
verilog-модель демультиплексора 3на8 |
| Schematic entry | dmux3to8 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | dmux3to8 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4To16 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Демультиплексор 4на16 |
Описание |
verilog-модель демультиплексора 4на16 |
| Schematic entry | dmux4to16 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | dmux4to16 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
1Bit Halfadder¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 1-битный полусумматор |
Описание |
verilog-модель 1-битного полусумматора |
| Schematic entry | ha1b |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | ha1b |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
1Bit Fulladder¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 1-битный полный сумматор |
Описание |
verilog-модель 1-битного полного сумматора |
| Schematic entry | fa1b |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | fa1b |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2Bit Fulladder¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 2-битный полный сумматор |
Описание |
verilog-модель 2-битного полного сумматора |
| Schematic entry | fa2b |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | fa2b |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
Rs-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | RS-триггер |
Описание |
RS-триггер |
| Schematic entry | RSFF |
| Netlist entry | Y |
Тип |
DigitalComponent |
| Bitmap file | rsflipflop |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| t | 0 | нет |
время задержки |
D-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | D-триггер |
Описание |
D-триггер с асинхронным сбросом |
| Schematic entry | DFF |
| Netlist entry | Y |
Тип |
DigitalComponent |
| Bitmap file | dflipflop |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| t | 0 | нет |
время задержки |
D-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | D-триггер с SR |
Описание |
verilog-модель D-триггера с установкой и сбросом |
| Schematic entry | dff_SR |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | dff_SR |
Свойства |
3 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
Jk-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | JK-триггер |
Описание |
JK-триггер с асинхронными входами установки и сброса |
| Schematic entry | JKFF |
| Netlist entry | Y |
Тип |
DigitalComponent |
| Bitmap file | jkflipflop |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| t | 0 | нет |
время задержки |
Jk-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | JK триггер с SR |
Описание |
verilog-модель JK триггера с установкой и сбросом |
| Schematic entry | jkff_SR |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | jkff_SR |
Свойства |
3 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
T-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | T-триггер с SR |
Описание |
verilog-модель T-триггера с установкой и сбросом |
| Schematic entry | tff_SR |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | tff_SR |
Свойства |
3 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
Управляемая D-защелка¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Управляемая D-защелка |
Описание |
verilog-модель управляемой D-защелки |
| Schematic entry | gatedDlatch |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | gatedDlatch |
Свойства |
3 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
| Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
Логический 0¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Логический 0 |
Описание |
verilog-модель логического 0 |
| Schematic entry | logic_0 |
| Netlist entry | S |
Тип |
Component |
| Bitmap file | logic_0 |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 0 | нет |
logic 0 voltage level (V) |
Логическая 1¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Логическая 1 |
Описание |
verilog-модель логической 1 |
| Schematic entry | logic_1 |
| Netlist entry | S |
Тип |
Component |
| Bitmap file | logic_1 |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 1 | нет |
logic 1 voltage level (V) |
2-битный генератор кодов¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 2-битный генератор кодов |
Описание |
verilog-модель 2-битного генератора кодов |
| Schematic entry | pad2bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | pad2bit |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Number | 0 | нет |
выходное значение генератора испытательных сигналов |
3-битный генератор кодов¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 3-битный генератор кодов |
Описание |
verilog-модель 3-битного генератора кодов |
| Schematic entry | pad3bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | pad3bit |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Number | 0 | нет |
выходное значение генератора испытательных сигналов |
4-битный генератор кодов¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4-битный генератор кодов |
Описание |
verilog-модель 4-битного генератора кодов |
| Schematic entry | pad4bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | pad4bit |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Number | 0 | нет |
выходное значение генератора испытательных сигналов |
Схема сдвига уровня А-Ц¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Схема сдвига уровня А-Ц |
Описание |
verilog-модель схемы сдвига уровня (аналогового в цифровой) |
| Schematic entry | DLS_nto1 |
| Netlist entry | Y |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | DLS_nto1 |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 5 V | нет |
voltage level (V) |
| Delay | 1 ns | нет |
time delay (s) |
Схема сдвига уровня Ц-А¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Схема сдвига уровня Ц-А |
Описание |
verilog-модель схемы сдвига уровня (цифрового в аналоговый) |
| Schematic entry | DLS_1ton |
| Netlist entry | Y |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | DLS_1ton |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| LEVEL | 5 V | нет |
уровень напряжения |
| Delay | 1 ns | нет |
time delay (s) |
4Bit Bin2Grey¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4Bit Bin2Grey |
Описание |
verilog-модель преобразователя 4-битного двоичного кода в код Грея |
| Schematic entry | binarytogrey4bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | binarytogrey4bit |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4Bit Grey2Bin¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4Bit Grey2Bin |
Описание |
verilog-модель преобразователя 4-битного кода Грея в двоичный |
| Schematic entry | greytobinary4bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | greytobinary4bit |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
1-битный компаратор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 1-битный компаратор |
Описание |
verilog-модель 1-битного компаратора |
| Schematic entry | comp_1bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | comp_1bit |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2-битный компаратор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 2-битный компаратор |
Описание |
verilog-модель 2-битного компаратора |
| Schematic entry | comp_2bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | comp_2bit |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4-битный компаратор¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4-битный компаратор |
Описание |
verilog-модель 4-битного компаратора |
| Schematic entry | comp_4bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | comp_4bit |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4Bit Hpri-Bin¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | 4Bit HPRI-Bin |
Описание |
verilog-модель 4-битного шифратора по наивысшему приоритету (двоичная форма) |
| Schematic entry | hpribin4bit |
| Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
| Bitmap file | hpribin4bit |
Свойства |
2 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| TR | 6 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
| Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
Vhdl File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Файл VHDL |
Описание |
Файл VHDL |
| Schematic entry | VHDL |
| Netlist entry | X |
Тип |
DigitalComponent |
| Bitmap file | vhdlfile |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
sub.vhdl | нет |
Имя файла VHDL |
Verilog File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Файл Verilog |
Описание |
Файл Verilog |
| Schematic entry | Verilog |
| Netlist entry | X |
Тип |
DigitalComponent |
| Bitmap file | vhdlfile |
Свойства |
1 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
sub.v | нет |
Имя Verilog-файла |
Digital Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | цифровое моделирование |
Описание |
цифровое моделирование |
| Schematic entry | .Digi |
| Netlist entry | Digi |
Тип |
DigitalComponent |
| Bitmap file | digi |
Свойства |
3 |
| Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
TruthTable | да |
type of simulation [TruthTable, TimeList] |
| time | 10 ns | нет |
продолжительность моделирования по списку моментов времени |
| Model | VHDL | нет |
netlist format [VHDL, Verilog] |
File Components¶
Spice Netlist¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | схема SPICE |
Описание |
схемный файл SPICE |
| Schematic entry | SPICE |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spicefile |
Свойства |
4 |
| Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
да |
x | |
| Ports | нет |
x | |
| Sim | да |
нет |
x |
| Preprocessor | none | нет |
x |
1-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | файл с S-параметрами двухполюсника |
Описание |
файл с S параметрами |
| Schematic entry | SPfile |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spfile1 |
Свойства |
5 |
| Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
test.s1p | да |
имя файла с S параметрами |
Данные |
rectangular | нет |
data type [rectangular, polar] |
| Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [linear, cubic] |
| duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
| Ports | 1 | нет |
количество портов |
2-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | файл S-параметров четырехполюсника |
Описание |
файл с S параметрами |
| Schematic entry | SPfile |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spfile2 |
Свойства |
5 |
| Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
test.s2p | да |
имя файла с S параметрами |
Данные |
rectangular | нет |
data type [rectangular, polar] |
| Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [linear, cubic] |
| duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
| Ports | 2 | нет |
количество портов |
N-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | файл S-параметров n-портового устройства |
Описание |
файл с S параметрами |
| Schematic entry | SPfile |
| Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | spfile3 |
Свойства |
5 |
| Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
test.s3p | да |
имя файла с S параметрами |
Данные |
rectangular | нет |
data type [rectangular, polar] |
| Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [linear, cubic] |
| duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
| Ports | 3 | нет |
количество портов |
Подсхема¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Подсхема |
Описание |
подсхема |
| Schematic entry | Sub |
| Netlist entry | SUB |
Тип |
Component |
| Bitmap file | подсхема |
Свойства |
1 |
| Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Файл |
нет |
имя схемного файла Qucs |
Simulations¶
Dc Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | моделирование на постоянном токе |
Описание |
моделирование на постоянном токе |
| Schematic entry | .DC |
| Netlist entry | DC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | dc |
Свойства |
9 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| reltol | 0.001 | нет |
относительный допуск для конвергенции |
| abstol | 1 pA | нет |
абсолютный допуск для токов |
| vntol | 1 uV | нет |
абсолютный допуск для напряжений |
| saveOPs | нет |
нет |
put operating points into dataset [yes, no] |
| MaxIter | 150 | нет |
максимальное число итераций до возникновения ощибки |
| saveAll | нет |
нет |
save subcircuit nodes into dataset [yes, no] |
| convHelper | none | нет |
preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping] |
| Solver | CroutLU | нет |
method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD] |
Transient Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Моделирование переходного процесса |
Описание |
моделирование переходного процесса |
| Schematic entry | .TR |
| Netlist entry | TR |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | tran |
Свойства |
20 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Start | 0 | да |
начальное время в секундах |
| Stop | 1 ms | да |
конечное время в секундах |
| Points | 11 | нет |
число шагов времени моделирования |
| IntegrationMethod | Trapezoidal | нет |
integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton] |
| Order | 2 | нет |
order of integration method (1-6) |
| InitialStep | 1 ns | нет |
начальный размер шага в секундах |
| MinStep | 1e-16 | нет |
минимальный размер шага в секундах |
| MaxIter | 150 | нет |
максимальное число итераций до возникновения ощибки |
| reltol | 0.001 | нет |
относительный допуск для конвергенции |
| abstol | 1 pA | нет |
абсолютный допуск для токов |
| vntol | 1 uV | нет |
абсолютный допуск для напряжений |
| Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
| LTEreltol | 1e-3 | нет |
относительный допуск на локальные ошибки усечения |
| LTEabstol | 1e-6 | нет |
абсолютный допуск на локальные ошибки усечения |
| LTEfactor | 1 | нет |
верхний предел переоценки ошибок усечения |
| Solver | CroutLU | нет |
method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD] |
| relaxTSR | нет |
нет |
relax time step raster [no, yes] |
| initialDC | да |
нет |
perform an initial DC analysis [yes, no] |
| MaxStep | 0 | нет |
максимальный размер шага в секундах |
Ac Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | моделирование на переменном токе |
Описание |
моделирование на переменном токе |
| Schematic entry | .AC |
| Netlist entry | AC |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | ac |
Свойства |
5 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Start | 1 GHz | да |
начальная частота в герцах |
| Stop | 10 GHz | да |
конечная частота в герцах |
| Points | 19 | да |
количество шагов моделирования |
| Noise | нет |
нет |
calculate noise voltages [yes, no] |
S-Parameter Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Моделирование S-параметров |
Описание |
Моделирование S параметров |
| Schematic entry | .SP |
| Netlist entry | SP |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | sparameter |
Свойства |
9 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Start | 1 GHz | да |
начальная частота в герцах |
| Stop | 10 GHz | да |
конечная частота в герцах |
| Points | 19 | да |
количество шагов моделирования |
| Noise | нет |
нет |
calculate noise parameters [yes, no] |
| NoiseIP | 1 | нет |
входной порт для фактора шума |
| NoiseOP | 2 | нет |
выходной порт для фактора шума |
| saveCVs | нет |
нет |
put characteristic values into dataset [yes, no] |
| saveAll | нет |
нет |
save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no] |
Harmonic Balance¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Гармонический баланс |
Описание |
Моделирование гармонического баланса |
| Schematic entry | .HB |
| Netlist entry | HB |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | hb |
Свойства |
6 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
| n | 4 | да |
число гармоник |
| iabstol | 1 pA | нет |
абсолютный допуск для токов |
| vabstol | 1 uV | нет |
абсолютный допуск для напряжений |
| reltol | 0.001 | нет |
относительный допуск для конвергенции |
| MaxIter | 150 | нет |
максимальное число итераций до возникновения ощибки |
Parameter Sweep¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | Развертка параметра |
Описание |
Развертка параметра |
| Schematic entry | .SW |
| Netlist entry | SW |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | sweep |
Свойства |
6 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Sim | да |
моделирование для вариации параметра |
|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
| Param | R1 | да |
параметр для развертки |
| Start | 5 Ohm | да |
начальное значение развертки |
| Stop | 50 Ohm | да |
конечное значение развертки |
| Points | 20 | да |
количество шагов моделирования |
Digital Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | цифровое моделирование |
Описание |
цифровое моделирование |
| Schematic entry | .Digi |
| Netlist entry | Digi |
Тип |
DigitalComponent |
| Bitmap file | digi |
Свойства |
3 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
Тип |
TruthTable | да |
type of simulation [TruthTable, TimeList] |
| time | 10 ns | нет |
продолжительность моделирования по списку моментов времени |
| Model | VHDL | нет |
netlist format [VHDL, Verilog] |
Оптимизация¶
Symbol¶
Component Data¶
| Field | Значение |
|---|---|
| Caption | оптимизация |
Описание |
Оптимизация |
| Schematic entry | .Opt |
| Netlist entry | Opt |
Тип |
AnalogComponent |
| Bitmap file | optimize |
Свойства |
2 |
| Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
|---|---|---|---|
| Sim | нет |
||
| DE | 3|50|2|20|0.85|1|3|1e-6|10|100 | нет |