Component Reference¶
Lumped Components¶
Резистор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Резистор |
Описание |
резистор |
Schematic entry | R |
Netlist entry | R |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | резистор |
Свойства |
6 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
R | 50 Ohm | да |
Омическое сопротивление в омах |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tc1 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент первого порядка |
Tc2 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент второго порядка |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Symbol | european | нет |
schematic symbol [european, US] |
Resistor Us¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Резистор US |
Описание |
резистор |
Schematic entry | R |
Netlist entry | R |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | resistor_us |
Свойства |
6 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
R | 50 Ohm | да |
Омическое сопротивление в омах |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tc1 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент первого порядка |
Tc2 | 0.0 | нет |
температурный коэффициент второго порядка |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Symbol | US | нет |
schematic symbol [european, US] |
Конденсатор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Конденсатор |
Описание |
конденсатор |
Schematic entry | C |
Netlist entry | C |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | конденсатор |
Свойства |
3 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
C | 1 pF | да |
емкость в фарадах |
В |
нет |
начальное напряжение для моделирования переходных процессов |
|
Symbol | neutral | нет |
schematic symbol [neutral, polar] |
Катушка индуктивности¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Катушка индуктивности |
Описание |
катушка индуктивности |
Schematic entry | L |
Netlist entry | L |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | катушка индуктивности |
Свойства |
2 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L | 1 nH | да |
индуктивность в генри |
I | нет |
начальный ток для моделирования переходных процессов |
Земля¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Земля |
Описание |
земля (опорный потенциал) |
Schematic entry | GND |
Netlist entry | |
Тип |
Component |
Bitmap file | gnd |
Свойства |
0 |
Category | дискретные компоненты |
Порт подсхемы¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Порт подсхемы |
Описание |
порт подсхемы |
Schematic entry | Port |
Netlist entry | P |
Тип |
Component |
Bitmap file | subport |
Свойства |
2 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Num | 1 | да |
номер порта в подсхеме |
Тип |
analog | нет |
type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout] |
Трансформатор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Трансформатор |
Описание |
идеальный трансформатор |
Schematic entry | Tr |
Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | transformer |
Свойства |
1 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
T | 1 | да |
коэффициент трансформации напряжения |
Symmetric Transformer¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | симметричный трансформатор |
Описание |
идеальный симметричный трансформатор |
Schematic entry | sTr |
Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | symtrans |
Свойства |
2 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
T1 | 1 | да |
коэффициент трансформации напряжения обмотки 1 |
T2 | 1 | да |
коэффициент трансформации напряжения обмотки 2 |
Dc Block¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | развязка от постоянного тока |
Описание |
развязка |
Schematic entry | DCBlock |
Netlist entry | C |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | dcblock |
Свойства |
1 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
C | 1 uF | нет |
для моделирования переходных процессов: емкость в фарадах |
Dc Feed¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | подвод постоянного тока |
Описание |
подача постоянного тока |
Schematic entry | DCFeed |
Netlist entry | L |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | dcfeed |
Свойства |
1 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L | 1 uH | нет |
для моделирования переходных процессов: индуктивность в генри |
Смещение T¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Смещение T |
Описание |
смещение T |
Schematic entry | BiasT |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | biast |
Свойства |
2 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L | 1 uH | нет |
для моделирования переходных процессов: индуктивность в генри |
C | 1 uF | нет |
для моделирования переходных процессов: емкость в фарадах |
Аттенюатор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Аттенюатор |
Описание |
ослабляющий член |
Schematic entry | Attenuator |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ослабляющий член |
Свойства |
3 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L | 10 dB | да |
ослабление мощности |
Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Усилитель¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Усилитель |
Описание |
идеальный усилитель |
Schematic entry | Amp |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | amplifier |
Свойства |
4 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
G | 10 | да |
усиление напряжения |
Z1 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление входного порта |
Z2 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление выходного порта |
NF | 0 dB | нет |
фактор шума |
Изолятор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Изолятор |
Описание |
изолятор |
Schematic entry | Isolator |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | изолятор |
Свойства |
3 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Z1 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление входного порта |
Z2 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление выходного порта |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Циркулятор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Циркулятор |
Описание |
циркулятор |
Schematic entry | Circulator |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | циркулятор |
Свойства |
3 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Z1 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление порта 1 |
Z2 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление порта 2 |
Z3 | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление порта 3 |
Гиратор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Гиратор |
Описание |
гиратор (преобразователь полного сопротивления) |
Schematic entry | Gyrator |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | gyrator |
Свойства |
2 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
R | 50 Ohm | да |
коэффициент гирации |
Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Фазосдвигатель¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Фазосдвигатель |
Описание |
фазосдвигатель |
Schematic entry | PShift |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pshifter |
Свойства |
2 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
phi | 90 | да |
сдвиг фазы в градусах |
Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Устройство связи¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Устройство связи |
Описание |
идеальное устройство связи |
Schematic entry | Coupler |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | coupler |
Свойства |
3 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
k | 0.7071 | да |
коэффициент связи |
phi | 180 | да |
фазовый сдвиг связного пути в градусах |
Z | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Hybrid¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Hybrid |
Описание |
hybrid (unsymmetrical 3dB coupler) |
Schematic entry | Hybrid |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | hybrid |
Свойства |
2 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
phi | 90 | да |
сдвиг фазы в градусах |
Zref | 50 Ohm | нет |
опорное полное сопротивление |
Измеритель тока¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Измеритель тока |
Описание |
измеритель тока |
Schematic entry | IProbe |
Netlist entry | Pr |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | iprobe |
Свойства |
0 |
Category | дискретные компоненты |
Измеритель напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Измеритель напряжения |
Описание |
измеритель напряжения |
Schematic entry | VProbe |
Netlist entry | Pr |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vprobe |
Свойства |
0 |
Category | дискретные компоненты |
Индуктивно связанные катушки¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Индуктивно связанные катушки |
Описание |
две индуктивно связанных катушки |
Schematic entry | MUT |
Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mutual |
Свойства |
3 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L1 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 1 |
L2 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 2 |
k | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 1 и 2 |
3 индукивно связанных катушки¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 3 индукивно связанных катушки |
Описание |
три индуктивно связанных катушки |
Schematic entry | MUT2 |
Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mutual2 |
Свойства |
6 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L1 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 1 |
L2 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 2 |
L3 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 3 |
k12 | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 1 и 2 |
k13 | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 1 и 3 |
k23 | 0.9 | нет |
коэффициент связи между обмоткой 2 и 3 |
N Mutual Inductors¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | N Mutual Inductors |
Описание |
several mutual inductors |
Schematic entry | MUTX |
Netlist entry | Tr |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mutualx |
Свойства |
11 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
coils | 4 | нет |
number of mutual inductances |
L1 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 1 |
L2 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 2 |
L3 | 1 mH | нет |
индуктивность обмотки 3 |
L4 | 1 mH | нет |
inductance of coil 4 |
k12 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 1 and coil 2 |
k13 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 1 and coil 3 |
k14 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 1 and coil 4 |
k23 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 2 and coil 3 |
k24 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 2 and coil 4 |
k34 | 0.9 | нет |
coupling factor between coil 3 and coil 4 |
Переключатель¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Переключатель |
Описание |
переключатель (управляемый по времени) |
Schematic entry | Switch |
Netlist entry | S |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | switch |
Свойства |
6 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
init | off | нет |
initial state [on, off] |
time | 1 ms | нет |
time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated) |
Ron | 0 | нет |
сопротивление в состоянии “on” в омах |
Roff | 1e12 | нет |
сопротивление в состоянии “off” в омах |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
MaxDuration | 1e-6 | нет |
Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number) |
Реле¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Реле |
Описание |
реле |
Schematic entry | Relais |
Netlist entry | S |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | relais |
Свойства |
5 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Vt | 0.5 V | нет |
пороговое напряжение в вольтах |
Vh | 0.1 V | нет |
напряжение гистерезиса в вольтах |
Ron | 0 | нет |
сопротивление в “on”-состоянии в омах |
Roff | 1e12 | нет |
сопротивление в “off”-состоянии в омах |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Equation Defined Rf Device¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Заданное уравнением ВЧ устройство |
Описание |
заданное уравнением ВЧ устройство |
Schematic entry | RFEDD |
Netlist entry | RF |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | rfedd |
Свойства |
7 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
Y | нет |
type of parameters [Y, Z, S] |
Ports | 2 | нет |
количество портов |
duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency] |
P11 | 0 | нет |
parameter equation 11 |
P12 | 0 | нет |
parameter equation 12 |
P21 | 0 | нет |
parameter equation 21 |
P22 | 0 | нет |
parameter equation 22 |
Equation Defined 2-Port Rf Device¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Заданное уравнением 2-портовое ВЧ устройство |
Описание |
заданное уравнением 2-портовое ВЧ устройство |
Schematic entry | RFEDD2P |
Netlist entry | RF |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | rfedd |
Свойства |
6 |
Category | дискретные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
Y | нет |
type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T] |
duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency] |
P11 | 0 | нет |
parameter equation 11 |
P12 | 0 | нет |
parameter equation 12 |
P21 | 0 | нет |
parameter equation 21 |
P22 | 0 | нет |
parameter equation 22 |
Sources¶
Dc Voltage Source¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | источник напряжения постоянного тока |
Описание |
идеальный источник постоянного напряжения |
Schematic entry | Vdc |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | dc_voltage |
Свойства |
1 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
U | 1 V | да |
напряжение в вольтах |
Dc Current Source¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | источник постоянного тока |
Описание |
идеальный источник постоянного тока |
Schematic entry | Idc |
Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | dc_current |
Свойства |
1 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
I | 1 mA | да |
ток в амперах |
Ac Voltage Source¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | источник напряжения переменного тока |
Описание |
идеальный источник переменного напряжения |
Schematic entry | Vac |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ac_voltage |
Свойства |
4 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
U | 1 V | да |
пиковое напряжение в вольтах |
f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
Theta | 0 | нет |
коэффициент затухания (только для переходного моделирования) |
Ac Current Source¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | источник переменного тока |
Описание |
идеальный источник переменного тока |
Schematic entry | Iac |
Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ac_current |
Свойства |
4 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
I | 1 mA | да |
пиковая величина тока в амперах |
f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
Theta | 0 | нет |
коэффициент затухания (только для переходного моделирования) |
Источник питания¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник питания |
Описание |
источник питания переменного тока |
Schematic entry | Pac |
Netlist entry | P |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | source |
Свойства |
5 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Num | 1 | да |
номер порта |
Z | 50 Ohm | да |
полное сопротивление порта |
P | 0 dBm | нет |
(доступная) AC мощность в ваттах |
f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Источник шумового напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник шумового напряжения |
Описание |
источник шумового напряжения |
Schematic entry | Vnoise |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | noise_volt |
Свойства |
4 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
u | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности шумового напряжения в В²/Гц |
e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Источник шумового тока¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник шумового тока |
Описание |
шумовой источник тока |
Schematic entry | Inoise |
Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | noise_current |
Свойства |
4 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
i | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности шумового тока в А²/Гц |
e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Источник тока, управляемый напряжением¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник тока, управляемый напряжением |
Описание |
источник тока, управляемый напряжением |
Schematic entry | VCCS |
Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vccs |
Свойства |
2 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
G | 1 S | да |
прямая передаточная проводимость |
T | 0 | нет |
время задержки |
Источник тока, управляемый током¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник тока, управляемый током |
Описание |
источник тока, управляемый током |
Schematic entry | CCCS |
Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | cccs |
Свойства |
2 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
G | 1 | да |
коэффициент прямой передачи |
T | 0 | нет |
время задержки |
Источник напряжения, управляемый напряжением¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник напряжения, управляемый напряжением |
Описание |
источник напряжения, управляемый напряжением |
Schematic entry | VCVS |
Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vcvs |
Свойства |
2 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
G | 1 | да |
коэффициент прямой передачи |
T | 0 | нет |
время задержки |
Источник напряжения, управляемый током¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник напряжения, управляемый током |
Описание |
источник напряжения, управляемый током |
Schematic entry | CCVS |
Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ccvs |
Свойства |
2 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
G | 1 Ohm | да |
коэффициент прямой передачи |
T | 0 | нет |
время задержки |
Источник импульсного напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник импульсного напряжения |
Описание |
идеальный источник импульсного напряжения |
Schematic entry | Vpulse |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vpulse |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
U1 | 0 V | да |
напряжение до и после импульса |
U2 | 1 V | да |
напряжение во время импульса |
T1 | 0 | да |
время начала импульса |
T2 | 1 ms | да |
время окончания импульса |
Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
Источник импульсного тока¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник импульсного тока |
Описание |
идеальный источник импульсного тока |
Schematic entry | Ipulse |
Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ipulse |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
I1 | 0 | да |
ток до и после импульса |
I2 | 1 A | да |
ток во время импульса |
T1 | 0 | да |
время начала импульса |
T2 | 1 ms | да |
время окончания импульса |
Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
Источник напряжения прямоугольной формы¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник напряжения прямоугольной формы |
Описание |
идеальный источник напряжения прямоугольной формы |
Schematic entry | Vrect |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vrect |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
U | 1 V | да |
напряжение вершины импульса |
TH | 1 ms | да |
длительность вершины импульса |
TL | 1 ms | да |
длительность нижнего уровня импульса |
Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
Td | 0 ns | нет |
начальное время задержки |
Источник тока прямоугольной формы¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник тока прямоугольной формы |
Описание |
идеальный источник тока прямоугольной формы |
Schematic entry | Irect |
Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | irect |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
I | 1 mA | да |
ток на вершине импульса |
TH | 1 ms | да |
длительность вершины импульса |
TL | 1 ms | да |
длительность нижнего уровня импульса |
Tr | 1 ns | нет |
время нарастания фронта импульса |
Tf | 1 ns | нет |
время спада среза импульса |
Td | 0 ns | нет |
начальное время задержки |
Коррелированнные источники шума¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Коррелированнные источники шума |
Описание |
корреллированные источники тока |
Schematic entry | VVnoise |
Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | noise_vv |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
v1 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности напряжения шума источника 1 |
v2 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности напряжения шума источника 2 |
C | 0.5 | да |
нормированный коэффициент коррелляции |
e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Коррелированнные источники шума¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Коррелированнные источники шума |
Описание |
корреллированные источники тока |
Schematic entry | IVnoise |
Netlist entry | SRC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | noise_iv |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
i1 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности тока источника 1 |
v2 | 1e-6 | да |
спектральная плотность мощности напряжения шума источника 2 |
C | 0.5 | да |
нормированный коэффициент коррелляции |
e | 0 | нет |
показатель степени частоты |
c | 1 | нет |
коэффициент частоты |
a | 0 | нет |
аддитивный член частоты |
Am Modulated Source¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник с АМ-модуляцией |
Описание |
источник переменного напряжения с амплитудным модулятором |
Schematic entry | AM_Mod |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | am_mod |
Свойства |
4 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
U | 1 V | да |
пиковое напряжение в вольтах |
f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
м |
1.0 | нет |
уровень модуляции |
Pm Modulated Source¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник с импульсной модуляцией |
Описание |
источник переменного напряжения с фазовым модулятором |
Schematic entry | PM_Mod |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pm_mod |
Свойства |
4 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
U | 1 V | да |
пиковое напряжение в вольтах |
f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
Phase | 0 | нет |
начальная фаза в градусах |
M | 1.0 | нет |
индекс модуляции |
Источник экспоненциального импульсного тока¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник экспоненциального импульсного тока |
Описание |
экспоненциальный источник тока |
Schematic entry | Iexp |
Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | iexp |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
I1 | 0 | да |
ток перед возрастающим фронтом |
I2 | 1 A | да |
максимальный ток импульса |
T1 | 0 | да |
время начала экспоненциально нарастающего фронта |
T2 | 1 ms | да |
начало экспоненциального спада |
Tr | 1 ns | нет |
постоянная времени нарастающего фронта |
Tf | 1 ns | нет |
постоянная времени спадающего фронта |
Источник экспоненциального импульсного напряжения¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник экспоненциального импульсного напряжения |
Описание |
источник экспоненциального напряжения |
Schematic entry | Vexp |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vexp |
Свойства |
6 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
U1 | 0 V | да |
напряжение перед возрастающим фронтом |
U2 | 1 V | да |
максимальное напряжение импульса |
T1 | 0 | да |
время начала экспоненциально нарастающего фронта |
T2 | 1 ms | да |
начало экспоненциального спада |
Tr | 1 ns | нет |
время нарастания импульса |
Tf | 1 ns | нет |
время спада импульса |
Источник напряжения на основе файла¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник напряжения на основе файла |
Описание |
источник напряжения на основе файла |
Schematic entry | Vfile |
Netlist entry | V |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vfile |
Свойства |
5 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
vfile.dat | да |
имя файла с отсчетами |
Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [hold, linear, cubic] |
Repeat | нет |
нет |
repeat waveform [no, yes] |
G | 1 | нет |
усиление напряжения |
T | 0 | нет |
время задержки |
Источник тока на основе файла¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Источник тока на основе файла |
Описание |
источник тока на основе файла |
Schematic entry | Ifile |
Netlist entry | I |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ifile |
Свойства |
5 |
Category | источники |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
ifile.dat | да |
имя файла с отсчетами |
Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [hold, linear, cubic] |
Repeat | нет |
нет |
repeat waveform [no, yes] |
G | 1 | нет |
усиление тока |
T | 0 | нет |
время задержки |
Probes¶
Transmission Lines¶
Линия передачи¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Линия передачи |
Описание |
идеальная линия передачи |
Schematic entry | TLIN |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | tline |
Свойства |
4 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Z | 50 Ohm | да |
характеристическое полное сопротивление |
L | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
Alpha | 0 dB | нет |
коэффициент ослабления на единицу длины, в 1/м |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Линия передачи с 4 выводами¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Линия передачи с 4 выводами |
Описание |
идеальная линия передачи с 4 выводами |
Schematic entry | TLIN4P |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | tline_4port |
Свойства |
4 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Z | 50 Ohm | да |
характеристическое полное сопротивление |
L | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
Alpha | 0 dB | нет |
коэффициент ослабления на единицу длины, в 1/м |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Coupled Transmission Line¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Coupled Transmission Line |
Описание |
coupled transmission lines |
Schematic entry | CTLIN |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ctline |
Свойства |
8 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Ze | 50 Ohm | да |
characteristic impedance of even mode |
Zo | 50 Ohm | да |
characteristic impedance of odd mode |
L | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
Ere | 1 | нет |
relative dielectric constant of even mode |
Ero | 1 | нет |
relative dielectric constant of odd mode |
Ae | 0 dB | нет |
attenuation factor per length of even mode |
Ao | 0 dB | нет |
attenuation factor per length of odd mode |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Витая пара¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Витая пара |
Описание |
линия передачи витой парой |
Schematic entry | TWIST |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | twistedpair |
Свойства |
9 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
d | 0.5 mm | да |
диаметр проводника |
D | 0.8 mm | да |
диаметр провода (проводник и изолятор) |
L | 1.5 | да |
физическая длина линии |
T | 100 | нет |
витков на 1 м |
er | 4 | нет |
диэлектрическая постоянная изолятора |
mur | 1 | нет |
относительная проницаемость проводника |
rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление проводника |
tand | 4e-4 | нет |
тангенс угла диэлектрических потерь |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Коаксиальная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Коаксиальная линия |
Описание |
коаксиальная линия передачи |
Schematic entry | COAX |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | coaxial |
Свойства |
8 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
er | 2.29 | да |
относительная проницаемость диэлектрика |
rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление проводника |
mur | 1 | нет |
относительная проницаемость проводника |
D | 2.95 mm | нет |
внутренний диаметр экрана |
d | 0.9 mm | нет |
диаметр внутреннего проводника |
L | 1500 mm | да |
механическая длина линии |
tand | 4e-4 | нет |
тангенс угла диэлектрических потерь |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Прямоугольный волновод¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Прямоугольный волновод |
Описание |
Прямоугольный волновод |
Schematic entry | RECTLINE |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | rectline |
Свойства |
9 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
a | 2.95 mm | да |
самая широкая сторона |
b | 0.9 mm | да |
самая короткая сторона |
L | 1500 mm | да |
механическая длина линии |
er | 1 | нет |
относительная проницаемость диэлектрика |
mur | 1 | нет |
относительная проницаемость проводника |
tand | 0 | нет |
тангенс угла диэлектрических потерь |
rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление проводника |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Material | unspecified | нет |
material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold] |
Rlcg Transmission Line¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | RLCG Transmission Line |
Описание |
Линия передачи RLCG |
Schematic entry | RLCG |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | rlcg |
Свойства |
6 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
R | 0.0 | нет |
resistive load (Ohm/m) |
L | 0.6e-6 | да |
inductive load (H/m) |
C | 240e-12 | да |
capacitive load (F/m) |
G | 0.0 | нет |
conductive load (S/m) |
Length | 1 mm | да |
электрическая длина линии |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Подложка¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Подложка |
Описание |
параметры подложки |
Schematic entry | SUBST |
Netlist entry | Subst |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | подложка |
Свойства |
6 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
er | 9.8 | да |
относительная диэлектрическая проницаемость |
h | 1 mm | да |
толщина в метрах |
t | 35 um | да |
толщина металлизации |
tand | 2e-4 | да |
тангенс угла диэлектрических потерь |
rho | 0.022e-6 | да |
удельное сопротивление металла |
D | 0.15e-6 | да |
среднеквадратичная шероховатость подложки |
Микрополосковая линия¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Микрополосковая линия |
Описание |
микрополосковая линия |
Schematic entry | MLIN |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | msline |
Свойства |
6 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
L | 10 mm | да |
длина линии |
Model | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
DispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Связанная микрополосковая линия¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Связанная микрополосковая линия |
Описание |
связанная микрополосковая линия |
Schematic entry | MCOUPLED |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mscoupled |
Свойства |
7 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
L | 10 mm | да |
длина линии |
S | 1 mm | да |
расстояние между линиями |
Model | Kirschning | нет |
microstrip model [Kirschning, Hammerstad] |
DispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger] |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Microstrip Lange Coupler¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Microstrip Lange Coupler |
Описание |
microstrip lange coupler |
Schematic entry | MLANGE |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mslange |
Свойства |
7 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
L | 10 mm | да |
длина линии |
S | 1 mm | да |
расстояние между линиями |
Model | Kirschning | нет |
microstrip model [Kirschning, Hammerstad] |
DispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger] |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
угол микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | угол микрополосковой линии |
Описание |
угол микрополосковой линии |
Schematic entry | MCORN |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mscorner |
Свойства |
2 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
подложка |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
Выровненный изгиб микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Выровненный изгиб микрополосковой линии |
Описание |
выровненный изгиб микрополосковой линии |
Schematic entry | MMBEND |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | msmbend |
Свойства |
2 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
подложка |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
Скачок ширины микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Скачок ширины микрополосковой линии |
Описание |
скачок полного сопротивления микрополосковой линии |
Schematic entry | MSTEP |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | msstep |
Свойства |
5 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
подложка |
W1 | 2 mm | да |
1 ширина линии |
W2 | 1 mm | да |
2 ширина линии |
MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Тройник микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Тройник микрополосковой линии |
Описание |
тройник микрополосковой линии |
Schematic entry | MTEE |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mstee |
Свойства |
8 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
подложка |
W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
W2 | 1 mm | да |
ширина линии 2 |
W3 | 2 mm | да |
ширина линии 3 |
MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Temp | 26.85 | нет |
температура в °C |
Symbol | showNumbers | нет |
show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers] |
Пересечение микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Пересечение микрополосковой линии |
Описание |
пересечение микрополосковой линии |
Schematic entry | MCROSS |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mscross |
Свойства |
8 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
подложка |
W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
W2 | 2 mm | да |
ширина линии 2 |
W3 | 1 mm | да |
ширина линии 3 |
W4 | 2 mm | да |
ширина линии 4 |
MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Symbol | showNumbers | нет |
show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers] |
Разомкнутая микрополосковая линия¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Разомкнутая микрополосковая линия |
Описание |
разомкнутая микрополосковая линия |
Schematic entry | MOPEN |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | msopen |
Свойства |
5 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Model | Kirschning | нет |
microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos] |
Разрыв микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Разрыв микрополосковой линии |
Описание |
разрыв микрополосковой линии |
Schematic entry | MGAP |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | msgap |
Свойства |
6 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
W2 | 1 mm | да |
ширина линии 2 |
S | 1 mm | да |
расстояние между концами микрополосковой линии |
MSModel | Hammerstad | нет |
quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider] |
MSDispModel | Kirschning | нет |
microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick] |
Переходное отверстие микрополосковой линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Переходное отверстие микрополосковой линии |
Описание |
переходное отверстие микрополосковой линии |
Schematic entry | MVIA |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | msvia |
Свойства |
3 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
подложка |
D | 1 mm | да |
диаметр круглого переходного отверстия |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Микрополосковый радиальный шлейф¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Микрополосковый радиальный шлейф |
Описание |
микрополосковый радиальный шлейф |
Schematic entry | MRSTUB |
Netlist entry | MS |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | msrstub |
Свойства |
4 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
ri | 1 mm | нет |
внутренний радиус |
ro | 10 mm | да |
внешний радиус |
alpha | 90 | да |
stub angle (degrees) |
Копланарная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Копланарная линия |
Описание |
копланарная линия |
Schematic entry | CLIN |
Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | coplanar |
Свойства |
6 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
S | 1 mm | да |
ширина зазора |
L | 10 mm | да |
длина линии |
Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Approx | да |
нет |
use approximation instead of precise equation [yes, no] |
Разомкнутая копланарная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Разомкнутая копланарная линия |
Описание |
разомкнутая копланарная линия |
Schematic entry | COPEN |
Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | cpwopen |
Свойства |
5 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
S | 1 mm | да |
ширина зазора |
G | 5 mm | да |
ширина разрыва на конце линии |
Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Замкнутая копланарная линия¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Замкнутая копланарная линия |
Описание |
замкнутая копланарная линия |
Schematic entry | CSHORT |
Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | cpwshort |
Свойства |
4 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
S | 1 mm | да |
ширина зазора |
Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Разрыв копланарной линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Разрыв копланарной линии |
Описание |
разрыв копланарной линии |
Schematic entry | CGAP |
Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | cpwgap |
Свойства |
4 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W | 1 mm | да |
ширина линии |
S | 1 mm | да |
ширина зазора |
G | 0.5 mm | да |
ширина промежутка между двумя линиями |
Скачок ширины копланарной линии¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Скачок ширины копланарной линии |
Описание |
скачок ширины копланарной линии |
Schematic entry | CSTEP |
Netlist entry | CL |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | cpwstep |
Свойства |
5 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Subst | Subst1 | да |
название подложки |
W1 | 1 mm | да |
ширина линии 1 |
W2 | 2 mm | да |
ширина линии 2 |
S | 3 mm | да |
расстояние между земляными плоскостями |
Backside | Air | нет |
material at the backside of the substrate [Metal, Air] |
Соединительный проводник¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Соединительный проводник |
Описание |
соединительный проводник |
Schematic entry | BOND |
Netlist entry | Line |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | bondwire |
Свойства |
8 |
Category | линии передачи |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L | 3 mm | да |
длина проводника |
D | 50 um | да |
диаметр проводника |
H | 2 mm | да |
высота над земляной плоскостью |
rho | 0.022e-6 | нет |
удельное сопротивление металла |
mur | 1 | нет |
относительная проницаемость металла |
Model | FREESPACE | нет |
bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES] |
Subst | Subst1 | да |
подложка |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Nonlinear Components¶
Диод¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Диод |
Описание |
диод |
Schematic entry | Diode |
Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | диод |
Свойства |
29 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Is | 1e-15 A | да |
ток насыщения |
N | 1 | да |
коэффициент эмиссии |
Cj0 | 10 fF | да |
емкость перехода при нулевом смещении |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
Vj | 0.7 V | нет |
потенциал перехода |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Cp | 0.0 fF | нет |
линейная емкость |
Isr | 0.0 | нет |
рекомбинационный ток |
Nr | 2.0 | нет |
коэффициент идеальности диода для Isr |
Rs | 0.0 Ohm | нет |
омическое последовательное сопротивление |
Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода |
Ikf | 0 | нет |
Граничный ток при большом уровне инжекции (0=бесконечность) |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Bv | 0 | нет |
обратное напряжение пробоя |
Ibv | 1 mA | нет |
ток при обратном напряжении пробоя |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
Tbv | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент Bv |
Trs | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент Rs |
Ttt1 | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент Tt |
Ttt2 | 0.0 | нет |
квадратный температурный коэффициент Tt |
Tm1 | 0.0 | нет |
линейный температурный коэффициент M |
Tm2 | 0.0 | нет |
квадратный температурный коэффициент M |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для диода |
Symbol | normal | нет |
schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor] |
Npn Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | npn транзистор |
Описание |
биполярный транзистор |
Schematic entry | _BJT |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npn |
Свойства |
48 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
Pnp Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | pnp транзистор |
Описание |
биполярный транзистор |
Schematic entry | _BJT |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pnp |
Свойства |
48 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
Npn Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | npn транзистор |
Описание |
биполярный транзистор с подложкой |
Schematic entry | BJT |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub |
Свойства |
48 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
Pnp Transistor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | pnp транзистор |
Описание |
биполярный транзистор с подложкой |
Schematic entry | BJT |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pnpsub |
Свойства |
48 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
Is | 1e-16 | да |
ток насыщения |
Nf | 1 | да |
коэффициент прямой эмиссии |
Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
Ikf | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента прямой передачи тока |
Ikr | 0 | нет |
порог большого тока для коэффициента обратной передачи тока |
Vaf | 0 | да |
прямое напряжение Эрли |
Var | 0 | нет |
обратное напряжение Эрли |
Ise | 0 | нет |
базо-эмиттерный ток утечки в режиме насыщения |
Ne | 1.5 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-эмиттерного тока утечки |
Isc | 0 | нет |
базо-коллекторный ток утечки в режиме насыщения |
Nc | 2 | нет |
коэффициент эмиссии для базо-коллекторного тока утечки |
Bf | 100 | да |
прямой коэффициент передачи тока |
Br | 1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
Rbm | 0 | нет |
минимальное сопротивление базы для больших токов |
Irb | 0 | нет |
ток базы для среднего значения сопротивления базы |
Rc | 0 | нет |
активное сопротивление коллектора |
Re | 0 | нет |
активное сопротивление эмиттера |
Rb | 0 | нет |
сопротивление базы при нулевом смещении (может зависеть от большого тока) |
Cje | 0 | нет |
емкость база-эмиттер при нулевом смещении |
Vje | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов базо-эмиттерного перехода |
Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
Cjc | 0 | нет |
емкость коллекторного перехода при нулевом смещении |
Vjc | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов коллекторного перехода |
Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
Xcjc | 1.0 | нет |
доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
Cjs | 0 | нет |
емкость коллектор-подложка при нулевом смещении |
Vjs | 0.75 | нет |
контактная разность потенциалов подложки |
Mjs | 0 | нет |
множитель экспоненты контакта подложки с коллектором |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tf | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда в прямом включении |
Xtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости от смещения для Tf |
Vtf | 0.0 | нет |
коэффициент зависимости Tf от напряжения база-коллектор |
Itf | 0.0 | нет |
токовая зависимость Tf при больших токах |
Tr | 0.0 | нет |
идеальное время переноса заряда при инверсном включении |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Kb | 0.0 | нет |
коэффициент дробового шума |
Ab | 1.0 | нет |
показатель степени дробового шума |
Fb | 1.0 | нет |
граничная частота дробового шума в герцах |
Ptf | 0.0 | нет |
сдвиг фазы в градусах |
Xtb | 0.0 | нет |
температурный показатель для коэффициента передачи в прямом и обратном включении |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Eg | 1.11 | нет |
ширина запрещенной зоны в eV |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для биполярного транзистора |
N-Jfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-JFET |
Описание |
полевой транзистор с pn-переходом |
Schematic entry | JFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | nfet |
Свойства |
24 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
nfet | да |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | -2.0 V | да |
пороговое напряжение |
Beta | 1e-4 | да |
передаточная проводимость |
Lambda | 0.0 | да |
параметр для модуляции длины канала |
Rd | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление стока |
Rs | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление истока |
Is | 1e-14 | нет |
ток насыщения затвора |
N | 1.0 | нет |
коэффициента эмиссии затвора |
Isr | 1e-14 | нет |
ток рекомбинации управляющего p-n-перехода |
Nr | 2.0 | нет |
коэффициент эмиссии Isr |
Cgs | 0.0 | нет |
емкость затвор-исток при нулевом смещении |
Cgd | 0.0 | нет |
емкость затвор-сток при нулевом смещении |
Pb | 1.0 | нет |
потенциал затвора |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент емкости перехода при прямом смещении |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности управляющего p-n-перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Vt0tc | 0.0 | нет |
температурный коэффициент Vt0 |
Betatce | 0.0 | нет |
экспоненциальный температурный коэффициент Beta |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для полевого транзистора с управляющим pn-переходом |
P-Jfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | полевой транзистор с p-каналом |
Описание |
полевой транзистор с pn-переходом |
Schematic entry | JFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pfet |
Свойства |
24 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pfet | да |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | -2.0 V | да |
пороговое напряжение |
Beta | 1e-4 | да |
передаточная проводимость |
Lambda | 0.0 | да |
параметр для модуляции длины канала |
Rd | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление стока |
Rs | 0.0 | нет |
паразитное сопротивление истока |
Is | 1e-14 | нет |
ток насыщения затвора |
N | 1.0 | нет |
коэффициента эмиссии затвора |
Isr | 1e-14 | нет |
ток рекомбинации управляющего p-n-перехода |
Nr | 2.0 | нет |
коэффициент эмиссии Isr |
Cgs | 0.0 | нет |
емкость затвор-исток при нулевом смещении |
Cgd | 0.0 | нет |
емкость затвор-сток при нулевом смещении |
Pb | 1.0 | нет |
потенциал затвора |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент емкости перехода при прямом смещении |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности управляющего p-n-перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Vt0tc | 0.0 | нет |
температурный коэффициент Vt0 |
Betatce | 0.0 | нет |
экспоненциальный температурный коэффициент Beta |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой получены параметры модели |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для полевого транзистора с управляющим pn-переходом |
N-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-МОП |
Описание |
МОП полевой транзистор |
Schematic entry | _MOSFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | nmosfet |
Свойства |
44 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | 1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
W | 1 um | нет |
ширина канала |
L | 1 um | нет |
длина канала |
Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
P-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | МОП полевой транзистор с p-каналом |
Описание |
МОП полевой транзистор |
Schematic entry | _MOSFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pmosfet |
Свойства |
44 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
W | 1 um | нет |
ширина канала |
L | 1 um | нет |
длина канала |
Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
Depletion Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | МОП полевой транзистор обедненного типа |
Описание |
МОП полевой транзистор |
Schematic entry | _MOSFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | dmosfet |
Свойства |
44 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
W | 1 um | нет |
ширина канала |
L | 1 um | нет |
длина канала |
Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
N-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-МОП |
Описание |
МОП полевой транзистор с подложкой |
Schematic entry | MOSFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | nmosfet_sub |
Свойства |
44 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | 1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
W | 1 um | нет |
ширина канала |
L | 1 um | нет |
длина канала |
Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
P-Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | МОП полевой транзистор с p-каналом |
Описание |
МОП полевой транзистор с подложкой |
Schematic entry | MOSFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pmosfet_sub |
Свойства |
44 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
W | 1 um | нет |
ширина канала |
L | 1 um | нет |
длина канала |
Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
Depletion Mosfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | МОП полевой транзистор обедненного типа |
Описание |
МОП полевой транзистор с подложкой |
Schematic entry | MOSFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | dmosfet_sub |
Свойства |
44 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
nfet | нет |
polarity [nfet, pfet] |
Vt0 | -1.0 V | да |
пороговое напряжение при нулевом смещении |
Kp | 2e-5 | да |
коэффициент передачи в А/В² |
Gamma | 0.0 | нет |
параметр порогового напряжения подложки в sqrt(В) |
Phi | 0.6 V | нет |
поверхностный потенциал |
Lambda | 0.0 | да |
коэффициент модуляции длины канала в 1/В |
Rd | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление стока |
Rs | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление истока |
Rg | 0.0 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Is | 1e-14 A | нет |
ток насыщения подложки |
N | 1.0 | нет |
коэффициент идеальности для перехода к подложке |
W | 1 um | нет |
ширина канала |
L | 1 um | нет |
длина канала |
Ld | 0.0 | нет |
длина побочной диффузии |
Tox | 0.1 um | нет |
толщина окисла |
Cgso | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и истока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgdo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и стока на метр ширины канала в Ф/м |
Cgbo | 0.0 | нет |
емкость перекрытия затвора и подложки на метр ширины канала в Ф/м |
Cbd | 0.0 F | нет |
емкость подложка-сток при нулевом смещении |
Cbs | 0.0 F | нет |
емкость подложка-исток при нулевом смещении |
Pb | 0.8 V | нет |
контактная разность потенциалов подложка-переход |
Mj | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности для нижней области подложки |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент барьерной емкости подложка-переход при прямом смещении |
Cjsw | 0.0 | нет |
емкость периферийной области подложки при нулевом смещении на метр периметра перехода в Ф/м |
Mjsw | 0.33 | нет |
коэффициент неидеальности для периферийной области подложки |
Tt | 0.0 ps | нет |
время перехода для подложки |
Nsub | 0.0 | нет |
плотность легирования подложки в 1/см³ |
Nss | 0.0 | нет |
коэффициент поверхностной плотности заряда в 1/см² |
Tpg | 1 | нет |
материал затвора: 0 = алюминий; -1 = как у подложки; 1 = противоположный подложке |
Uo | 600.0 | нет |
поверхностная подвижность в см²/Вс |
Rsh | 0.0 | нет |
диффузионное поверхностное сопротивление стока и истока в Ом/квадрат |
Nrd | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов стока |
Nrs | 1 | нет |
количество эквивалентных квадратов истока |
Cj | 0.0 | нет |
емкость нижней области подложки при нулевом смещении на кв. метр площади перехода в Ф/м² |
Js | 0.0 | нет |
ток насыщения подложка-переход на кв. метр площади перехода в А/м² |
Ad | 0.0 | нет |
Drain-Diffusionsfläche in m² |
As | 0.0 | нет |
диффузионная поверхность истока в м² |
Pd | 0.0 m | нет |
периметр стокового перехода |
Ps | 0.0 m | нет |
периметр истокового перехода |
Kf | 0.0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Tnom | 26.85 | нет |
температура, при которой измерены параметры модели |
Opamp¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | ОУ |
Описание |
операционный усилитель |
Schematic entry | OpAmp |
Netlist entry | OP |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | opamp |
Свойства |
2 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
G | 1e6 | да |
усиление напряжения |
Umax | 15 V | нет |
абсолютное значение максимального и минимального выходного напряжения |
Заданное уравнением устройство¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Заданное уравнением устройство |
Описание |
заданное уравнением устройство |
Schematic entry | EDD |
Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | edd |
Свойства |
4 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
explicit | нет |
type of equations [explicit, implicit] |
Branches | 1 | нет |
число ветвей |
I1 | 0 | да |
current equation 1 |
Q1 | 0 | нет |
charge equation 1 |
Диак¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Диак |
Описание |
диак (симметричный диодный тиристор) |
Schematic entry | Diac |
Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | diac |
Свойства |
7 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Vbo | 30 V | да |
(симметричное) напряжение включения |
Ibo | 50 uA | нет |
(симметричный) ток включения |
Cj0 | 10 pF | нет |
паразитная емкость |
Is | 1e-10 A | нет |
ток насыщения |
N | 2 | нет |
коэффициент эмиссии |
Ri | 10 Ohm | нет |
собственное сопротивление перехода |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Триак¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Триак |
Описание |
триак (симметричный тиристор) |
Schematic entry | Triac |
Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | triac |
Свойства |
8 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Vbo | 400 V | нет |
(симметричное) напряжение включения |
Igt | 50 uA | да |
(симметричный) отпирающий ток управляющего электрода |
Cj0 | 10 pF | нет |
паразитная емкость |
Is | 1e-10 A | нет |
ток насыщения |
N | 2 | нет |
коэффициент эмиссии |
Ri | 10 Ohm | нет |
собственное сопротивление перехода |
Rg | 5 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Тиристор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Тиристор |
Описание |
однооперационный тринистор |
Schematic entry | SCR |
Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | thyristor |
Свойства |
8 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Vbo | 400 V | нет |
напряжение включения |
Igt | 50 uA | да |
отпирающий ток управляющего электрода |
Cj0 | 10 pF | нет |
паразитная емкость |
Is | 1e-10 A | нет |
ток насыщения |
N | 2 | нет |
коэффициент эмиссии |
Ri | 10 Ohm | нет |
собственное сопротивление перехода |
Rg | 5 Ohm | нет |
сопротивление затвора |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Туннельный диод¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Туннельный диод |
Описание |
resonance tunnel diode |
Schematic entry | RTD |
Netlist entry | D |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | tunneldiode |
Свойства |
16 |
Category | нелинейные компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Ip | 4 mA | да |
peak current |
Iv | 0.6 mA | да |
valley current |
Vv | 0.8 V | да |
valley voltage |
Wr | 2.7e-20 | нет |
resonance energy in Ws |
eta | 1e-20 | нет |
Fermi energy in Ws |
dW | 4.5e-21 | нет |
resonance width in Ws |
Tmax | 0.95 | нет |
maximum of transmission |
de | 0.9 | нет |
fitting factor for electron density |
dv | 2.0 | нет |
fitting factor for voltage drop |
nv | 16 | нет |
fitting factor for diode current |
Cj0 | 80 fF | нет |
zero-bias depletion capacitance |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
Vj | 0.5 V | нет |
потенциал перехода |
te | 0.6 ps | нет |
life-time of electrons |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
Area | 1.0 | нет |
площадь по умолчанию для диода |
Verilog-A Devices¶
Hicum L2 V2.1¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | HICUM L2 v2.1 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.1 Verilog-модель |
Schematic entry | hicumL2V2p1 |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
101 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
c10 | 1.516E-31 | нет |
Константа GICCR |
qp0 | 5.939E-15 | нет |
Заряд дырок при нулевом смещении |
ich | 1.0E11 | нет |
Поправка для больших токов для 2D- и 3D-эффектов |
hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hfc | 0.03999 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hjei | 0.435 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
hjci | 0.09477 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
ibeis | 3.47E-20 | нет |
Внутренний Б-Э ток насыщения |
mbei | 1.025 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
ireis | 390E-12 | нет |
Внутренний Б-Э рекомбинационный ток насыщения |
mrei | 3 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
ibeps | 4.18321E-21 | нет |
Периферийный ток насыщения Б-Э перехода |
mbep | 1.045 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
ireps | 1.02846E-14 | нет |
Периферийный Б-Э рекомбинационный ток насыщения |
mrep | 3 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
ibcis | 3.02613E-18 | нет |
Внутренний Б-К ток насыщения |
mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
ibcxs | 4.576E-29 | нет |
Внешний Б-К ток насыщения |
mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
ibets | 0.0 | нет |
Б-Э туннельный ток насыщения |
abet | 36.74 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
favl | 14.97 | нет |
Фактор лавинного тока |
qavl | 7.2407E-14 | нет |
Показатель степени для лавинного тока |
alfav | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент для FAVL |
alqav | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент для QAVL |
rbi0 | 7.9 | нет |
Внутреннее сопротивление базы при нулевом смещении |
rbx | 13.15 | нет |
Внешнее последовательное сопротивление базы |
fgeo | 0.724 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
fdqr0 | 0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
re | 9.77 | нет |
Последовательное сопротивление эмиттера |
rcx | 10 | нет |
Внешнее последовательное сопротивление коллектора |
itss | 2.81242E-19 | нет |
Насыщенный ток переноса заряда транзистора на подложке |
msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
iscs | 7.6376E-17 | нет |
Ток насыщения перехода К-П |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
tsf | 1.733E-8 | нет |
Время пролета для транзистора подложки в прямом направлении |
rsu | 800 | нет |
Последовательное сопротивление подложки |
csu | 1.778E-14 | нет |
Шунтирующая емкость подложки |
cjei0 | 5.24382E-14 | нет |
Внутренняя емкость Б-Э перехода при нулевом смещении |
vdei | 0.9956 | нет |
Внутренняя контактная разность потенциалов Б-Э |
zei | 0.4 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
aljei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjep0 | 0 | нет |
Периферийная емкость перехода Б-Э при нулевом смещении |
vdep | 1 | нет |
Периферийная контактная разность потенциалов Б-Э |
zep | 0.01 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
aljep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjci0 | 4.46887E-15 | нет |
Внутренняя емкость Б-К перехода при нулевом смещении |
vdci | 0.7 | нет |
Внутренняя контактная разность потенциалов Б-К |
zci | 0.38 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
vptci | 100 | нет |
Внутреннее напряжение проникновения Б-К |
cjcx0 | 1.55709E-14 | нет |
Внешняя емкость Б-К перехода при нулевом смещении |
vdcx | 0.733 | нет |
Внешняя контактная разность потенциалов Б-К |
zcx | 0.34 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
vptcx | 100 | нет |
Внешнее напряжение проникновения Б-К |
fbc | 0.3487 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
cjs0 | 17.68E-15 | нет |
Емкость перехода К-П при нулевом смещении |
vds | 0.621625 | нет |
Контактная разность потенциалов К-П |
zs | 0.122136 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
vpts | 1000 | нет |
Напряжение проникновения К-П |
t0 | 1.28E-12 | нет |
Время пролета в прямом направлении при низком токе при VBC=0 В |
dt0h | 260E-15 | нет |
Постоянная времени модуляции ширины слоя пространственного заряда базы и Б-К |
tbvl | 2.0E-13 | нет |
Постоянная времени для моделирования запирания носителей при низком VCE |
tef0 | 0.0 | нет |
Время хранения в нейтральном эмиттере |
gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
thcs | 46E-15 | нет |
Постоянная времени насыщения при высоких плотностях тока |
alhc | 0.08913 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
fthc | 0.8778 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
rci0 | 50.4277 | нет |
Внутреннее сопротивление коллектора при малом электрическом поле |
vlim | 0.9 | нет |
Напряжение разделения омического режима и режима скорости насыщения |
vces | 0.01 | нет |
Внутреннее напряжение насыщения К-Э |
vpt | 10 | нет |
Напряжение проникновения коллектора |
tr | 1.0E-11 | нет |
Время хранения в инверсном режиме |
ceox | 1.71992E-15 | нет |
Полная паразитная емкость Б-Э |
ccox | 4.9E-15 | нет |
Полная паразитная емкость Б-К |
alqf | 0.1288 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
alit | 1.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
kf | 2.83667E-9 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
krbi | 1.0 | нет |
Коэффициент шума внутреннего сопротивления базы |
latb | 10.479 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
latl | 0.300012 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
vgb | 1.112 | нет |
Напряжение, экстраполированное на 0 К |
alt0 | 0.0017580 | нет |
Относительный температурный коэффициент первого порядка для параметра T0 |
kt0 | 4.07E-6 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
zetaci | 0.7 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
alvs | 0.001 | нет |
Относительный температурный коэффициент скорости дрейфа насыщения |
alces | 0.000125 | нет |
Относительный температурный коэффициент VCES |
zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
zetarbx | 0.2 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.21 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.7 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
alb | 0.007 | нет |
Относительный температурный коэффициент усиления тока в прямом режиме для модели V2.1 |
rth | 1293.95 | нет |
Тепловое сопротивление |
cth | 7.22203E-11 | нет |
Теплоемкость |
tnom | 27.0 | нет |
Температура, при которой даются параметры модели |
dt | 0.0 | нет |
Изменение температуры относительно изменения температуры кристалла для определенного транзистора |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Fbh Hbt¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | FBH ГБТ |
Описание |
Модель ГБТ Института высокочастотной техники имени Фердинанда Брауна (FBH) в Берлине |
Schematic entry | HBT_X |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npn_therm |
Свойства |
80 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Mode | 1 | нет |
Игнорировано |
Noise | 1 | нет |
Игнорировано |
Debug | 0 | нет |
Игнорировано |
DebugPlus | 0 | нет |
Игнорировано |
Temp | 25.0 | нет |
Рабочая температура устройства, градусы Цельсия |
Rth | 0.1 | нет |
Тепловое сопротивление, К/Вт |
Cth | 700e-9 | нет |
Теплоемкость |
N | 1 | нет |
Масштабный коэффициент, число эмиттерных зон |
L | 30e-6 | нет |
Длина эмиттерной зоны, м |
W | 1e-6 | нет |
Ширинаэмиттерной зоны, м |
Jsf | 20e-24 | нет |
Плотность тока насыщения в прямом включении, А/мкм² |
nf | 1.0 | нет |
Коэффициент эмиссии тока в прямом включении |
Vg | 1.3 | нет |
Тепловая энергия активации в прямом включении, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
Jse | 0.0 | нет |
Плотность тока утечки Б-Э в режиме насыщения, А/мкм² |
ne | 0.0 | нет |
Коэффициент эмиссии для Б-Э тока утечки |
Rbxx | 1e6 | нет |
Ограничительный резистор диода утечки Б-Э, Ом |
Vgb | 0.0 | нет |
Тепловая энергия активации утечки Б-Э, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
Jsee | 0.0 | нет |
Плотность тока утечки 2-го перехода Б-Э в режиме насыщения, А/мкм² |
nee | 0.0 | нет |
Коэффициент эмиссии для тока утечки 2-го перехода Б-Э |
Rbbxx | 1e6 | нет |
2-й ограничительный резистор диода утечки Б-Э, Ом |
Vgbb | 0.0 | нет |
2-я тепловая энергия активации утечки Б-Э, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
Jsr | 20e-18 | нет |
Плотность обратного тока насыщения, А/мкм² |
nr | 1.0 | нет |
Коэффициент эмиссии обратного тока |
Vgr | 0.0 | нет |
Тепловая энергия активации в обратном включении, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
XCjc | 0.5 | нет |
Доля Cjc, приходящаяся на внутренний вывод базы |
Jsc | 0.0 | нет |
Плотность тока утечки Б-К в режиме насыщения, А/мкм² (0. отключает диод) |
nc | 0.0 | нет |
Коэффициент эмиссии для Б-К тока утечки (0. отключает диод) |
Rcxx | 1e6 | нет |
Ограничительный резистор диода утечки Б-К, Ом |
Vgc | 0.0 | нет |
Тепловая энергия активации утечки Б-К, В, (0 == отключение температурной зависимости) |
Bf | 100.0 | нет |
Идеальный прямой коэффициент передачи тока |
kBeta | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент усиления тока в прямом включении, -1/К, (0 == отключение температурной зависимости) |
Br | 1.0 | нет |
Идеальный обратный коэффициент передачи тока |
VAF | 0.0 | нет |
Прямое напряжение Эрли, В, (0 == отключение эффекта Эрли) |
VAR | 0.0 | нет |
Обратное напряжение Эрли, В, (0 == отключение эффекта Эрли) |
IKF | 0.0 | нет |
Граничный прямой ток при большом уровне инжекции, А, (0 == отключение эффекта Вебстера) |
IKR | 0.0 | нет |
Граничный обратный ток при большом уровне инжекции, А, (0 == отключение эффекта Вебстера) |
Mc | 0.0 | нет |
Показатель пробоя К-Э, (0 == отключение пробоя коллектора) |
BVceo | 0.0 | нет |
Напряжение пробоя К-Э, В, (0 == отключение пробоя коллектора) |
kc | 0.0 | нет |
Фактор пробоя К-Э, (0 == отключение пробоя коллектора) |
BVebo | 0.0 | нет |
Напряжение пробоя Б-Э, В (0 == отключение пробоя эмиттера) |
Tr | 1.0e-15 | нет |
Идеальное время пролета при инверсном включении, сек |
Trx | 1.0e-15 | нет |
Внешняя диффузионная емкость базы, Ф |
Tf | 1.0e-12 | нет |
Идеальное время пролета в прямом включении, сек |
Tft | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент времени пролета в прямом включении |
Thcs | 0.0 | нет |
Коэффициент дополнительного времени пролета при расширении базы |
Ahc | 0.0 | нет |
Сглаживающий параметр для Thcs |
Cje | 1.0e-15 | нет |
Емкость Б-Э при нулевом смещении, Ф/мкм² |
mje | 0.5 | нет |
Множитель экспоненты для Б-Э |
Vje | 1.3 | нет |
Контактная разность потенциалов Б-Э, В |
Cjc | 1.0e-15 | нет |
Емкость Б-К при нулевом смещении, Ф/мкм² |
mjc | 0.5 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
Vjc | 1.3 | нет |
Контактная разность потенциалов Б-К, В |
kjc | 1.0 | нет |
не используется |
Cmin | 0.1e-15 | нет |
Минимальная емкость Б-К (зависимость от Vbc), Ф/мкм² |
J0 | 1e-3 | нет |
Ток коллектора, когда Cbc достигает Cmin, А/мкм² (0 == отключение уменьшения Cbc) |
XJ0 | 1.0 | нет |
Доля Cmin, нижний предел емкости БК (зависимость от Ic) |
Rci0 | 1e-3 | нет |
Начало расширения базы при низких напряжениях, Ом*мкм² (0 == отключение пропечатывания) |
Jk | 4e-4 | нет |
Начало расширенияя базы при высоких напряжениях, А/мкм² (0 == отключение пропечатывания базы) |
RJk | 1e-3 | нет |
Наклон Jk при больших токах, Ом*мкм² |
Vces | 1e-3 | нет |
Сдвиг напряжения при начале расширения базы, В |
Rc | 1.0 | нет |
Сопротивление коллектора, Ом/полоска |
Re | 1.0 | нет |
Сопротивление эмиттера, Ом/полоска |
Rb | 1.0 | нет |
Внешнее сопротивление базы, Ом/полоска |
Rb2 | 1.0 | нет |
Внутреннее омическое сопротивление базы, Ом/полоска |
Lc | 0.0 | нет |
Индуктивность коллектора, Гн |
Le | 0.0 | нет |
Индуктивность эмиттера, Гн |
Lb | 0.0 | нет |
Индуктивность базы, Гн |
Cq | 0.0 | нет |
Внешняя емкость Б-К, Ф |
Cpb | 0.0 | нет |
Внешняя емкость базы, Ф |
Cpc | 0.0 | нет |
Внешняя емкость коллектора, Ф |
Kfb | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
Afb | 0.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
Ffeb | 0.0 | нет |
Частотная зависимость 1/f-шума |
Kb | 0.0 | нет |
Коэффициент дробового шума |
Ab | 0.0 | нет |
Показатель степени дробового шума |
Fb | 0.0 | нет |
Граничная частота дробового шума, Гц |
Kfe | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
Afe | 0.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
Ffee | 0.0 | нет |
Частотная зависимость 1/f-шума |
Tnom | 20.0 | нет |
Температура окружающей среды, при которой определены параметры модели |
Modular Opamp¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Модульный ОУ |
Описание |
Verilog-модель модульного операционного усилителя |
Schematic entry | mod_amp |
Netlist entry | OP |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | mod_amp |
Свойства |
17 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
GBP | 1e6 | нет |
Произведение усиления на полосу частот (Гц) |
AOLDC | 106.0 | нет |
Дифференциальное усиление при разомкнутой ОС на постоянном токе (Дб) |
FP2 | 3e6 | нет |
Частота второго полюса (Гц) |
RO | 75 | нет |
Выходное сопротивление (Ом) |
CD | 1e-12 | нет |
Дифференциальная входная емкость (Ф) |
RD | 2e6 | нет |
Дифференциальное входное сопротивление (Ом) |
IOFF | 20e-9 | нет |
Разность входных токов смещения (А) |
IB | 80e-9 | нет |
Входной ток смещения (А) |
VOFF | 7e-4 | нет |
Входное напряжение смещения (В) |
CMRRDC | 90.0 | нет |
Коэффициент ослабления синфазного сигнала по постоянному току (Дб) |
FCM | 200.0 | нет |
Граничная частота синфазного сигнала (Гц) |
PSRT | 5e5 | нет |
Скорость нарастания (В/с) |
NSRT | 5e5 | нет |
Скорость убывания (В/с) |
VLIMP | 14 | нет |
Максимальное положительное выходное напряжение (В) |
VLIMN | -14 | нет |
Максимальное отрицательное выходное напряжение (В) |
ILMAX | 35e-3 | нет |
Максимальный выходной ток (А) |
CSCALE | 50 | нет |
Коэффициент масштаба для ограничения тока |
Hicum L2 V2.22¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | HICUM L2 v2.22 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.22 Verilog-модель |
Schematic entry | hic2_full |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
114 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
vpt | 0.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
alqf | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
alit | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Логарифмический усилитель¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Логарифмический усилитель |
Описание |
Verilog-модель логарифмического усилителя |
Schematic entry | log_amp |
Netlist entry | LA |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | log_amp |
Свойства |
17 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Kv | 1.0 | нет |
коэффициент масштабирования |
Dk | 0.3 | нет |
scale factor error (%) |
Ib1 | 5e-12 | нет |
input I1 bias current (A) |
Ibr | 5e-12 | нет |
input reference bias current (A) |
M | 5 | нет |
число разрядов |
N | 0.1 | нет |
conformity error (%) |
Vosout | 3e-3 | нет |
output offset error (V) |
Rinp | 1e6 | нет |
amplifier input resistance (Ohm) |
Fc | 1e3 | нет |
amplifier 3dB frequency (Hz) |
Ro | 1e-3 | нет |
amplifier output resistance (Ohm) |
Ntc | 0.002 | нет |
conformity error temperature coefficient (%/Celsius) |
Vosouttc | 80e-6 | нет |
offset temperature coefficient (V/Celsius) |
Dktc | 0.03 | нет |
scale factor error temperature coefficient (%/Celsius) |
Ib1tc | 0.5e-12 | нет |
input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius) |
Ibrtc | 0.5e-12 | нет |
input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius) |
Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Npn Hicum L0 V1.12¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | npn HICUM L0 v1.12 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.12 Verilog-модель |
Schematic entry | hic0_full |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
86 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
tfh | 1.0e6 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.12¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | pnp HICUM L0 v1.12 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.12 Verilog-модель |
Schematic entry | hic0_full |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
86 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
tfh | 1.0e6 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Потенциометр¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Потенциометр |
Описание |
Verilog-модель потенциометра |
Schematic entry | potentiometer |
Netlist entry | POT |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | potentiometer |
Свойства |
11 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
R_pot | 1e4 | нет |
nominal device resistance (Ohm) |
Rotation | 120 | нет |
shaft/wiper arm rotation (degrees) |
Taper_Coeff | 0 | нет |
коэффициент спадания резистивной зависимости |
LEVEL | 1 | нет |
device type selector [1, 2, 3] |
Max_Rotation | 240.0 | нет |
maximum shaft/wiper rotation (degrees) |
Conformity | 0.2 | нет |
conformity error (%) |
Linearity | 0.2 | нет |
linearity error (%) |
Contact_Res | 1 | нет |
wiper arm contact resistance (Ohm) |
Temp_Coeff | 100 | нет |
resistance temperature coefficient (PPM/Celsius) |
Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Mesfet¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | МеП |
Описание |
Verilog-устройство МеП полевой транзистор |
Schematic entry | MESFET |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | МеП |
Свойства |
52 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
LEVEL | 1 | нет |
выбор модели |
Vto | -1.8 | нет |
pinch-off voltage (V) |
Beta | 3e-3 | нет |
transconductance parameter (A/(V*V)) |
Alpha | 2.25 | нет |
saturation voltage parameter (1/V) |
Lambda | 0.05 | нет |
channel length modulation parameter (1/V) |
B | 0.3 | нет |
doping profile parameter (1/V) |
Qp | 2.1 | нет |
параметр степенной зависимости |
Delta | 0.1 | нет |
power feedback parameter (1/W) |
Vmax | 0.5 | нет |
maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V) |
Vdelta1 | 0.3 | нет |
capacitance saturation transition voltage (V) |
Vdelta2 | 0.2 | нет |
capacitance threshold transition voltage (V) |
Gamma | 0.015 | нет |
коэффициент нагрузки стока по постоянному току |
Nsc | 1 | нет |
параметр подпороговой проводимости |
Is | 1e-14 | нет |
diode saturation current (I) |
N | 1 | нет |
коэффициент эмиссии диода |
Vbi | 1.0 | нет |
built-in gate potential (V) |
Bv | 60 | нет |
gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V) |
Xti | 3.0 | нет |
температурный коэффициент тока насыщения диода |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tau | 1e-9 | нет |
transit time under gate (s) |
Rin | 1e-3 | нет |
channel resistance (Ohm) |
Area | 1 | нет |
фактор поверхности |
Eg | 1.11 | нет |
energy gap (eV) |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
Cgd | 0.2e-12 | нет |
zero bias gate-drain junction capacitance (F) |
Cgs | 1e-12 | нет |
zero bias gate-source junction capacitance (F) |
Cds | 1e-12 | нет |
zero bias drain-source junction capacitance (F) |
Betatc | 0 | нет |
Beta temperature coefficient (%/Celsius) |
Alphatc | 0 | нет |
Alpha temperature coefficient (%/Celsius) |
Gammatc | 0 | нет |
Gamma temperature coefficient (%/Celsius) |
Ng | 2.65 | нет |
Подпороговый наклон характеристики затвора |
Nd | -0.19 | нет |
подпороговый параметр нагрузки стока |
ILEVELS | 3 | нет |
выбор уравнения для тока затвор-исток |
ILEVELD | 3 | нет |
выбор уравнения для тока затвор-сток |
QLEVELS | 2 | нет |
выбор уравнения для заряда на переходе затвор-исток |
QLEVELD | 2 | нет |
выбор уравнения для заряда на переходе затвор-сток |
QLEVELDS | 2 | нет |
выбор уравнения для заряда на переходе сток-исток |
Vtotc | 0 | нет |
Температурный коэффициент Vt0 |
Rg | 5.1 | нет |
gate resistance (Ohms) |
Rd | 1.3 | нет |
drain resistance (Ohms) |
Rs | 1.3 | нет |
source resistance (Ohms) |
Rgtc | 0 | нет |
gate resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
Rdtc | 0 | нет |
drain resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
Rstc | 0 | нет |
source resistance temperature coefficient (1/Celsius) |
Ibv | 1e-3 | нет |
gate reverse breakdown currrent (A) |
Rf | 10 | нет |
forward bias slope resistance (Ohms) |
R1 | 10 | нет |
breakdown slope resistance (Ohms) |
Af | 1 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Kf | 0 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Gdsnoi | 1 | нет |
коэффициент дробового шума |
Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Epfl-Ekv Nmos 2.6¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | nМОП EPFL-EKV 2.6 |
Описание |
Verilog-модель EPFL-EKV МОП 2.6 |
Schematic entry | EKV26MOS |
Netlist entry | M |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | EKV26nMOS |
Свойства |
55 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
nmos | да |
polarity [nmos, pmos] |
LEVEL | 1 | нет |
длинный = 1, короткий = 2 |
L | 0.5e-6 | нет |
length parameter (m) |
W | 10e-6 | нет |
Width parameter (m) |
Np | 1.0 | нет |
число параллельных устройств |
Ns | 1.0 | нет |
число последовательных устройств |
Cox | 3.45e-3 | нет |
gate oxide capacitance per unit area (F/m**2) |
Xj | 0.15e-6 | нет |
metallurgical junction depth (m) |
Dw | -0.02e-6 | нет |
channel width correction (m) |
Dl | -0.05e-6 | нет |
channel length correction (m) |
Vto | 0.6 | нет |
long channel threshold voltage (V) |
Gamma | 0.71 | нет |
body effect parameter (V**(1/2)) |
Phi | 0.97 | нет |
bulk Fermi potential (V) |
Kp | 150e-6 | нет |
transconductance parameter (A/V**2) |
Theta | 50e-3 | нет |
mobility reduction coefficient (1/V) |
EO | 88.0e6 | нет |
mobility coefficient (V/m) |
Ucrit | 4.5e6 | нет |
longitudinal critical field (V/m) |
Lambda | 0.23 | нет |
коэффициент длины обеднения |
Weta | 0.05 | нет |
коэффициент влияния узкого канала |
Leta | 0.28 | нет |
продольное критическое поле |
Q0 | 280e-6 | нет |
reverse short channel charge density (A*s/m**2) |
Lk | 0.5e-6 | нет |
characteristic length (m) |
Tcv | 1.5e-3 | нет |
threshold voltage temperature coefficient (V/K) |
Bex | -1.5 | нет |
температурный коэффициент подвижности |
Ucex | 1.7 | нет |
Температурный показатель продольного критического поля |
Ibbt | 0.0 | нет |
Ibb temperature coefficient (1/K) |
Hdif | 0.9e-6 | нет |
heavily doped diffusion length (m) |
Rsh | 510.0 | нет |
drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square) |
Rsc | 0.0 | нет |
source contact resistance (Ohm) |
Rdc | 0.0 | нет |
drain contact resistance (Ohm) |
Cgso | 1.5e-10 | нет |
gate to source overlap capacitance (F/m) |
Cgdo | 1.5e-10 | нет |
gate to drain overlap capacitance (F/m) |
Cgbo | 4.0e-10 | нет |
gate to bulk overlap capacitance (F/m) |
Iba | 2e8 | нет |
first impact ionization coefficient (1/m) |
Ibb | 3.5e8 | нет |
second impact ionization coefficient (V/m) |
Ibn | 1.0 | нет |
фактор напряжения насыщения для ударной ионизации |
Kf | 1.0e-27 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Avto | 0.0 | нет |
area related theshold voltage mismatch parameter (V*m) |
Akp | 0.0 | нет |
area related gain mismatch parameter (m) |
Agamma | 0.0 | нет |
area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m) |
N | 1.0 | нет |
коэффициент эмиссии |
Is | 1e-14 | нет |
saturation current (A) |
Bv | 100 | нет |
reverse breakdown voltage (V) |
Ibv | 1e-3 | нет |
current at reverse breakdown voltage (A) |
Vj | 1.0 | нет |
junction potential (V) |
Cj0 | 300e-15 | нет |
zero-bias junction capacitance (F) |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
Area | 1.0 | нет |
относительная площадь диода |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tt | 0.1e-9 | нет |
transit time (s) |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Xpart | 0.4 | нет |
параметр разделения заряда |
Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Epfl-Ekv Pmos 2.6¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | pМОП EPFL-EKV 2.6 |
Описание |
Verilog-модель EPFL-EKV МОП 2.6 |
Schematic entry | EKV26MOS |
Netlist entry | M |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | EKV26pMOS |
Свойства |
55 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pmos | да |
polarity [nmos, pmos] |
LEVEL | 1 | нет |
длинный = 1, короткий = 2 |
L | 0.5e-6 | нет |
length parameter (m) |
W | 10e-6 | нет |
Width parameter (m) |
Np | 1.0 | нет |
число параллельных устройств |
Ns | 1.0 | нет |
число последовательных устройств |
Cox | 3.45e-3 | нет |
gate oxide capacitance per unit area (F/m**2) |
Xj | 0.15e-6 | нет |
metallurgical junction depth (m) |
Dw | -0.03e-6 | нет |
channel width correction (m) |
Dl | -0.05e-6 | нет |
channel length correction (m) |
Vto | -0.55 | нет |
long channel threshold voltage (V) |
Gamma | 0.69 | нет |
body effect parameter (V**(1/2)) |
Phi | 0.87 | нет |
bulk Fermi potential (V) |
Kp | 35e-6 | нет |
transconductance parameter (A/V**2) |
Theta | 50e-3 | нет |
mobility reduction coefficient (1/V) |
EO | 51.0e6 | нет |
mobility coefficient (V/m) |
Ucrit | 18.0e6 | нет |
longitudinal critical field (V/m) |
Lambda | 1.1 | нет |
коэффициент длины обеднения |
Weta | 0.0 | нет |
коэффициент влияния узкого канала |
Leta | 0.45 | нет |
продольное критическое поле |
Q0 | 200e-6 | нет |
reverse short channel charge density (A*s/m**2) |
Lk | 0.6e-6 | нет |
characteristic length (m) |
Tcv | -1.4e-3 | нет |
threshold voltage temperature coefficient (V/K) |
Bex | -1.4 | нет |
температурный коэффициент подвижности |
Ucex | 2.0 | нет |
Температурный показатель продольного критического поля |
Ibbt | 0.0 | нет |
Ibb temperature coefficient (1/K) |
Hdif | 0.9e-6 | нет |
heavily doped diffusion length (m) |
Rsh | 990.0 | нет |
drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square) |
Rsc | 0.0 | нет |
source contact resistance (Ohm) |
Rdc | 0.0 | нет |
drain contact resistance (Ohm) |
Cgso | 1.5e-10 | нет |
gate to source overlap capacitance (F/m) |
Cgdo | 1.5e-10 | нет |
gate to drain overlap capacitance (F/m) |
Cgbo | 4.0e-10 | нет |
gate to bulk overlap capacitance (F/m) |
Iba | 0.0 | нет |
first impact ionization coefficient (1/m) |
Ibb | 3.0e8 | нет |
second impact ionization coefficient (V/m) |
Ibn | 1.0 | нет |
фактор напряжения насыщения для ударной ионизации |
Kf | 1.0e-28 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Avto | 0.0 | нет |
area related theshold voltage mismatch parameter (V*m) |
Akp | 0.0 | нет |
area related gain mismatch parameter (m) |
Agamma | 0.0 | нет |
area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m) |
N | 1.0 | нет |
коэффициент эмиссии |
Is | 1e-14 | нет |
saturation current (A) |
Bv | 100 | нет |
reverse breakdown voltage (V) |
Ibv | 1e-3 | нет |
current at reverse breakdown voltage (A) |
Vj | 1.0 | нет |
junction potential (V) |
Cj0 | 300e-15 | нет |
zero-bias junction capacitance (F) |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
Area | 1.0 | нет |
относительная площадь диода |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tt | 0.1e-9 | нет |
transit time (s) |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Xpart | 0.4 | нет |
параметр разделения заряда |
Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Bsim3V34Nmos¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | bsim3v34nMOS |
Описание |
bsim3v34nMOS verilog device |
Schematic entry | bsim3v34nMOS |
Netlist entry | BSIM3_ |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | bsim3v34nMOS |
Свойства |
408 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L | 0.35e-6 | нет |
- |
W | 5.0e-6 | нет |
- |
PS | 8.0e-6 | нет |
- |
PD | 8.0e-6 | нет |
- |
AS | 12.0e-12 | нет |
- |
AD | 12.0e-12 | нет |
- |
NRS | 10.0 | нет |
- |
NRD | 10.0 | нет |
- |
NQSMOD | 0 | нет |
- |
GMIN | 1e-12 | нет |
- |
VERSION | 3.24 | нет |
- |
PARAMCHK | 0 | нет |
- |
MOBMOD | 1 | нет |
- |
CAPMOD | 3 | нет |
- |
NOIMOD | 4 | нет |
- |
BINUNIT | 1 | нет |
- |
TOX | 150.0e-10 | нет |
- |
TOXM | 150.0e-10 | нет |
- |
CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
CDSCB | 0.0 | нет |
- |
CDSCD | 0.0 | нет |
- |
CIT | 0.0 | нет |
- |
NFACTOR | 1 | нет |
- |
XJ | 0.15e-6 | нет |
- |
VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
AT | 3.3e4 | нет |
- |
A0 | 1.0 | нет |
- |
AGS | 0.0 | нет |
- |
A1 | 0.0 | нет |
- |
A2 | 1.0 | нет |
- |
KETA | -0.047 | нет |
- |
NSUB | -99.0 | нет |
- |
NCH | -99.0 | нет |
- |
NGATE | 0 | нет |
- |
GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
VBX | -99.0 | нет |
- |
VBM | -3.0 | нет |
- |
XT | -99.0 | нет |
- |
K1 | -99.0 | нет |
- |
KT1 | -0.11 | нет |
- |
KT1L | 0.0 | нет |
- |
KT2 | 0.022 | нет |
- |
K2 | -99.0 | нет |
- |
K3 | 80.0 | нет |
- |
K3B | 0.0 | нет |
- |
W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
NLX | 1.74e-7 | нет |
- |
DVT0 | 2.2 | нет |
- |
DVT1 | 0.53 | нет |
- |
DVT2 | -0.032 | нет |
- |
DVT0W | 0.0 | нет |
- |
DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
DVT2W | -0.032 | нет |
- |
DROUT | 0.56 | нет |
- |
DSUB | 0.56 | нет |
- |
VTHO | 0.7 | нет |
- |
VTH0 | 0.7 | нет |
- |
UA | 2.25e-9 | нет |
- |
UA1 | 4.31e-9 | нет |
- |
UB | 5.87e-19 | нет |
- |
UB1 | -7.61e-18 | нет |
- |
UC | -99.0 | нет |
- |
UC1 | -99.0 | нет |
- |
U0 | -99.0 | нет |
- |
UTE | -1.5 | нет |
- |
VOFF | -0.08 | нет |
- |
TNOM | 26.85 | нет |
- |
CGSO | -99.0 | нет |
- |
CGDO | -99.0 | нет |
- |
CGBO | -99.0 | нет |
- |
XPART | 0.4 | нет |
- |
ELM | 5.0 | нет |
- |
DELTA | 0.01 | нет |
- |
RSH | 0.0 | нет |
- |
RDSW | 0 | нет |
- |
PRWG | 0.0 | нет |
- |
PRWB | 0.0 | нет |
- |
PRT | 0.0 | нет |
- |
ETA0 | 0.08 | нет |
- |
ETAB | -0.07 | нет |
- |
PCLM | 1.3 | нет |
- |
PDIBLC1 | 0.39 | нет |
- |
PDIBLC2 | 0.0086 | нет |
- |
PDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
PVAG | 0.0 | нет |
- |
JS | 1.0E-4 | нет |
- |
JSW | 0.0 | нет |
- |
PB | 1.0 | нет |
- |
NJ | 1.0 | нет |
- |
XTI | 3.0 | нет |
- |
MJ | 0.5 | нет |
- |
PBSW | 1.0 | нет |
- |
MJSW | 0.33 | нет |
- |
PBSWG | 1.0 | нет |
- |
MJSWG | 0.33 | нет |
- |
CJ | 5.0E-4 | нет |
- |
VFBCV | -1.0 | нет |
- |
VFB | -99.0 | нет |
- |
CJSW | 5.0E-10 | нет |
- |
CJSWG | 5.0e-10 | нет |
- |
TPB | 0.0 | нет |
- |
TCJ | 0.0 | нет |
- |
TPBSW | 0.0 | нет |
- |
TCJSW | 0.0 | нет |
- |
TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
ACDE | 1.0 | нет |
- |
MOIN | 15.0 | нет |
- |
NOFF | 1.0 | нет |
- |
VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
LINT | 0.0 | нет |
- |
LL | 0.0 | нет |
- |
LLC | 0.0 | нет |
- |
LLN | 1.0 | нет |
- |
LW | 0.0 | нет |
- |
LWC | 0.0 | нет |
- |
LWN | 1.0 | нет |
- |
LWL | 0.0 | нет |
- |
LWLC | 0.0 | нет |
- |
LMIN | 0.0 | нет |
- |
LMAX | 1.0 | нет |
- |
WR | 1.0 | нет |
- |
WINT | 0.0 | нет |
- |
DWG | 0.0 | нет |
- |
DWB | 0.0 | нет |
- |
WL | 0.0 | нет |
- |
WLC | 0.0 | нет |
- |
WLN | 1.0 | нет |
- |
WW | 0.0 | нет |
- |
WWC | 0.0 | нет |
- |
WWN | 1.0 | нет |
- |
WWL | 0.0 | нет |
- |
WWLC | 0.0 | нет |
- |
WMIN | 0.0 | нет |
- |
WMAX | 1.0 | нет |
- |
B0 | 0.0 | нет |
- |
B1 | 0.0 | нет |
- |
CGSL | 0.0 | нет |
- |
CGDL | 0.0 | нет |
- |
CKAPPA | 0.6 | нет |
- |
CF | -99.0 | нет |
- |
CLC | 0.1e-6 | нет |
- |
CLE | 0.6 | нет |
- |
DWC | 0.0 | нет |
- |
DLC | -99.0 | нет |
- |
ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
BETA0 | 30.0 | нет |
- |
IJTH | 0.1 | нет |
- |
LCDSC | 0.0 | нет |
- |
LCDSCB | 0.0 | нет |
- |
LCDSCD | 0.0 | нет |
- |
LCIT | 0.0 | нет |
- |
LNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
LXJ | 0.0 | нет |
- |
LVSAT | 0.0 | нет |
- |
LAT | 0.0 | нет |
- |
LA0 | 0.0 | нет |
- |
LAGS | 0.0 | нет |
- |
LA1 | 0.0 | нет |
- |
LA2 | 0.0 | нет |
- |
LKETA | 0.0 | нет |
- |
LNSUB | 0.0 | нет |
- |
LNCH | 0.0 | нет |
- |
LNGATE | 0.0 | нет |
- |
LGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
LGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
LVBX | -99.0 | нет |
- |
LVBM | 0.0 | нет |
- |
LXT | 0.0 | нет |
- |
LK1 | -99.0 | нет |
- |
LKT1 | 0.0 | нет |
- |
LKT1L | 0.0 | нет |
- |
LKT2 | 0.0 | нет |
- |
LK2 | -99.0 | нет |
- |
LK3 | 0.0 | нет |
- |
LK3B | 0.0 | нет |
- |
LW0 | 0.0 | нет |
- |
LNLX | 0.0 | нет |
- |
LDVT0 | 0.0 | нет |
- |
LDVT1 | 0.0 | нет |
- |
LDVT2 | 0.0 | нет |
- |
LDVT0W | 0.0 | нет |
- |
LDVT1W | 0.0 | нет |
- |
LDVT2W | 0.0 | нет |
- |
LDROUT | 0.0 | нет |
- |
LDSUB | 0.0 | нет |
- |
LVTH0 | 0.0 | нет |
- |
LVTHO | 0.0 | нет |
- |
LUA | 0.0 | нет |
- |
LUA1 | 0.0 | нет |
- |
LUB | 0.0 | нет |
- |
LUB1 | 0.0 | нет |
- |
LUC | 0.0 | нет |
- |
LUC1 | 0.0 | нет |
- |
LU0 | 0.0 | нет |
- |
LUTE | 0.0 | нет |
- |
LVOFF | 0.0 | нет |
- |
LELM | 0.0 | нет |
- |
LDELTA | 0.0 | нет |
- |
LRDSW | 0.0 | нет |
- |
LPRWG | 0.0 | нет |
- |
LPRWB | 0.0 | нет |
- |
LPRT | 0.0 | нет |
- |
LETA0 | 0.0 | нет |
- |
LETAB | 0.0 | нет |
- |
LPCLM | 0.0 | нет |
- |
LPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
LPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
LPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
LPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
LPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
LPVAG | 0.0 | нет |
- |
LWR | 0.0 | нет |
- |
LDWG | 0.0 | нет |
- |
LDWB | 0.0 | нет |
- |
LB0 | 0.0 | нет |
- |
LB1 | 0.0 | нет |
- |
LCGSL | 0.0 | нет |
- |
LCGDL | 0.0 | нет |
- |
LCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
LCF | 0.0 | нет |
- |
LCLC | 0.0 | нет |
- |
LCLE | 0.0 | нет |
- |
LALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
LALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
LBETA0 | 0.0 | нет |
- |
LVFBCV | 0.0 | нет |
- |
LVFB | 0.0 | нет |
- |
LACDE | 0.0 | нет |
- |
LMOIN | 0.0 | нет |
- |
LNOFF | 0.0 | нет |
- |
LVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
WCDSC | 0.0 | нет |
- |
WCDSCB | 0.0 | нет |
- |
WCDSCD | 0.0 | нет |
- |
WCIT | 0.0 | нет |
- |
WNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
WXJ | 0.0 | нет |
- |
WVSAT | 0.0 | нет |
- |
WAT | 0.0 | нет |
- |
WA0 | 0.0 | нет |
- |
WAGS | 0.0 | нет |
- |
WA1 | 0.0 | нет |
- |
WA2 | 0.0 | нет |
- |
WKETA | 0.0 | нет |
- |
WNSUB | 0.0 | нет |
- |
WNCH | 0.0 | нет |
- |
WNGATE | 0.0 | нет |
- |
WGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
WGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
WVBX | -99.0 | нет |
- |
WVBM | 0.0 | нет |
- |
WXT | 0.0 | нет |
- |
WK1 | -99.0 | нет |
- |
WKT1 | 0.0 | нет |
- |
WKT1L | 0.0 | нет |
- |
WKT2 | 0.0 | нет |
- |
WK2 | -99.0 | нет |
- |
WK3 | 0.0 | нет |
- |
WK3B | 0.0 | нет |
- |
WW0 | 0.0 | нет |
- |
WNLX | 0.0 | нет |
- |
WDVT0 | 0.0 | нет |
- |
WDVT1 | 0.0 | нет |
- |
WDVT2 | 0.0 | нет |
- |
WDVT0W | 0.0 | нет |
- |
WDVT1W | 0.0 | нет |
- |
WDVT2W | 0.0 | нет |
- |
WDROUT | 0.0 | нет |
- |
WDSUB | 0.0 | нет |
- |
WVTH0 | 0.0 | нет |
- |
WVTHO | 0.0 | нет |
- |
WUA | 0.0 | нет |
- |
WUA1 | 0.0 | нет |
- |
WUB | 0.0 | нет |
- |
WUB1 | 0.0 | нет |
- |
WUC | 0.0 | нет |
- |
WUC1 | 0.0 | нет |
- |
WU0 | 0.0 | нет |
- |
WUTE | 0.0 | нет |
- |
WVOFF | 0.0 | нет |
- |
WELM | 0.0 | нет |
- |
WDELTA | 0.0 | нет |
- |
WRDSW | 0.0 | нет |
- |
WPRWG | 0.0 | нет |
- |
WPRWB | 0.0 | нет |
- |
WPRT | 0.0 | нет |
- |
WETA0 | 0.0 | нет |
- |
WETAB | 0.0 | нет |
- |
WPCLM | 0.0 | нет |
- |
WPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
WPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
WPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
WPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
WPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
WPVAG | 0.0 | нет |
- |
WWR | 0.0 | нет |
- |
WDWG | 0.0 | нет |
- |
WDWB | 0.0 | нет |
- |
WB0 | 0.0 | нет |
- |
WB1 | 0.0 | нет |
- |
WCGSL | 0.0 | нет |
- |
WCGDL | 0.0 | нет |
- |
WCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
WCF | 0.0 | нет |
- |
WCLC | 0.0 | нет |
- |
WCLE | 0.0 | нет |
- |
WALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
WALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
WBETA0 | 0.0 | нет |
- |
WVFBCV | 0.0 | нет |
- |
WVFB | 0.0 | нет |
- |
WACDE | 0.0 | нет |
- |
WMOIN | 0.0 | нет |
- |
WNOFF | 0.0 | нет |
- |
WVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
PCDSC | 0.0 | нет |
- |
PCDSCB | 0.0 | нет |
- |
PCDSCD | 0.0 | нет |
- |
PCIT | 0.0 | нет |
- |
PNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
PXJ | 0.0 | нет |
- |
PVSAT | 0.0 | нет |
- |
PAT | 0.0 | нет |
- |
PA0 | 0.0 | нет |
- |
PAGS | 0.0 | нет |
- |
PA1 | 0.0 | нет |
- |
PA2 | 0.0 | нет |
- |
PKETA | 0.0 | нет |
- |
PNSUB | 0.0 | нет |
- |
PNCH | 0.0 | нет |
- |
PNGATE | 0.0 | нет |
- |
PGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
PGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
PVBX | -99.0 | нет |
- |
PVBM | 0.0 | нет |
- |
PXT | 0.0 | нет |
- |
PK1 | -99.0 | нет |
- |
PKT1 | 0.0 | нет |
- |
PKT1L | 0.0 | нет |
- |
PKT2 | 0.0 | нет |
- |
PK2 | -99.0 | нет |
- |
PK3 | 0.0 | нет |
- |
PK3B | 0.0 | нет |
- |
PW0 | 0.0 | нет |
- |
PNLX | 0.0 | нет |
- |
PDVT0 | 0.0 | нет |
- |
PDVT1 | 0.0 | нет |
- |
PDVT2 | 0.0 | нет |
- |
PDVT0W | 0.0 | нет |
- |
PDVT1W | 0.0 | нет |
- |
PDVT2W | 0.0 | нет |
- |
PDROUT | 0.0 | нет |
- |
PDSUB | 0.0 | нет |
- |
PVTH0 | 0.0 | нет |
- |
PVTHO | 0.0 | нет |
- |
PUA | 0.0 | нет |
- |
PUA1 | 0.0 | нет |
- |
PUB | 0.0 | нет |
- |
PUB1 | 0.0 | нет |
- |
PUC | 0.0 | нет |
- |
PUC1 | 0.0 | нет |
- |
PU0 | 0.0 | нет |
- |
PUTE | 0.0 | нет |
- |
PVOFF | 0.0 | нет |
- |
PELM | 0.0 | нет |
- |
PDELTA | 0.0 | нет |
- |
PRDSW | 0.0 | нет |
- |
PPRWG | 0.0 | нет |
- |
PPRWB | 0.0 | нет |
- |
PPRT | 0.0 | нет |
- |
PETA0 | 0.0 | нет |
- |
PETAB | 0.0 | нет |
- |
PPCLM | 0.0 | нет |
- |
PPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
PPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
PPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
PPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
PPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
PPVAG | 0.0 | нет |
- |
PWR | 0.0 | нет |
- |
PDWG | 0.0 | нет |
- |
PDWB | 0.0 | нет |
- |
PB0 | 0.0 | нет |
- |
PB1 | 0.0 | нет |
- |
PCGSL | 0.0 | нет |
- |
PCGDL | 0.0 | нет |
- |
PCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
PCF | 0.0 | нет |
- |
PCLC | 0.0 | нет |
- |
PCLE | 0.0 | нет |
- |
PALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
PALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
PBETA0 | 0.0 | нет |
- |
PVFBCV | 0.0 | нет |
- |
PVFB | 0.0 | нет |
- |
PACDE | 0.0 | нет |
- |
PMOIN | 0.0 | нет |
- |
PNOFF | 0.0 | нет |
- |
PVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
KF | 0.0 | нет |
- |
AF | 1.0 | нет |
- |
EF | 1.0 | нет |
- |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Bsim3V34Pmos¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | bsim3v34pMOS |
Описание |
bsim3v34pMOS verilog device |
Schematic entry | bsim3v34pMOS |
Netlist entry | BSIM3_ |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | bsim3v34pMOS |
Свойства |
408 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
L | 3.5e-6 | нет |
- |
W | 5.0e-6 | нет |
- |
PS | 8.0e-6 | нет |
- |
PD | 8.0e-6 | нет |
- |
AS | 12.0e-12 | нет |
- |
AD | 12.0e-12 | нет |
- |
NRS | 10.0 | нет |
- |
NRD | 10.0 | нет |
- |
NQSMOD | 0 | нет |
- |
GMIN | 1e-12 | нет |
- |
VERSION | 3.24 | нет |
- |
PARAMCHK | 0 | нет |
- |
MOBMOD | 1 | нет |
- |
CAPMOD | 3 | нет |
- |
NOIMOD | 4 | нет |
- |
BINUNIT | 1 | нет |
- |
TOX | 150.0e-10 | нет |
- |
TOXM | 150.0e-10 | нет |
- |
CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
CDSCB | 0.0 | нет |
- |
CDSCD | 0.0 | нет |
- |
CIT | 0.0 | нет |
- |
NFACTOR | 1 | нет |
- |
XJ | 0.15e-6 | нет |
- |
VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
AT | 3.3e4 | нет |
- |
A0 | 1.0 | нет |
- |
AGS | 0.0 | нет |
- |
A1 | 0.0 | нет |
- |
A2 | 1.0 | нет |
- |
KETA | -0.047 | нет |
- |
NSUB | -99.0 | нет |
- |
NCH | -99.0 | нет |
- |
NGATE | 0 | нет |
- |
GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
VBX | -99.0 | нет |
- |
VBM | -3.0 | нет |
- |
XT | -99.0 | нет |
- |
K1 | -99.0 | нет |
- |
KT1 | -0.11 | нет |
- |
KT1L | 0.0 | нет |
- |
KT2 | 0.022 | нет |
- |
K2 | -99.0 | нет |
- |
K3 | 80.0 | нет |
- |
K3B | 0.0 | нет |
- |
W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
NLX | 1.74e-7 | нет |
- |
DVT0 | 2.2 | нет |
- |
DVT1 | 0.53 | нет |
- |
DVT2 | -0.032 | нет |
- |
DVT0W | 0.0 | нет |
- |
DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
DVT2W | -0.032 | нет |
- |
DROUT | 0.56 | нет |
- |
DSUB | 0.56 | нет |
- |
VTHO | -0.7 | нет |
- |
VTH0 | -0.7 | нет |
- |
UA | 2.25e-9 | нет |
- |
UA1 | 4.31e-9 | нет |
- |
UB | 5.87e-19 | нет |
- |
UB1 | -7.61e-18 | нет |
- |
UC | -99.0 | нет |
- |
UC1 | -99.0 | нет |
- |
U0 | -99.0 | нет |
- |
UTE | -1.5 | нет |
- |
VOFF | -0.08 | нет |
- |
TNOM | 26.85 | нет |
- |
CGSO | -99.0 | нет |
- |
CGDO | -99.0 | нет |
- |
CGBO | -99.0 | нет |
- |
XPART | 0.4 | нет |
- |
ELM | 5.0 | нет |
- |
DELTA | 0.01 | нет |
- |
RSH | 0.0 | нет |
- |
RDSW | 0 | нет |
- |
PRWG | 0.0 | нет |
- |
PRWB | 0.0 | нет |
- |
PRT | 0.0 | нет |
- |
ETA0 | 0.08 | нет |
- |
ETAB | -0.07 | нет |
- |
PCLM | 1.3 | нет |
- |
PDIBLC1 | 0.39 | нет |
- |
PDIBLC2 | 0.0086 | нет |
- |
PDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
PVAG | 0.0 | нет |
- |
JS | 1.0E-4 | нет |
- |
JSW | 0.0 | нет |
- |
PB | 1.0 | нет |
- |
NJ | 1.0 | нет |
- |
XTI | 3.0 | нет |
- |
MJ | 0.5 | нет |
- |
PBSW | 1.0 | нет |
- |
MJSW | 0.33 | нет |
- |
PBSWG | 1.0 | нет |
- |
MJSWG | 0.33 | нет |
- |
CJ | 5.0E-4 | нет |
- |
VFBCV | -1.0 | нет |
- |
VFB | -99.0 | нет |
- |
CJSW | 5.0E-10 | нет |
- |
CJSWG | 5.0e-10 | нет |
- |
TPB | 0.0 | нет |
- |
TCJ | 0.0 | нет |
- |
TPBSW | 0.0 | нет |
- |
TCJSW | 0.0 | нет |
- |
TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
ACDE | 1.0 | нет |
- |
MOIN | 15.0 | нет |
- |
NOFF | 1.0 | нет |
- |
VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
LINT | 0.0 | нет |
- |
LL | 0.0 | нет |
- |
LLC | 0.0 | нет |
- |
LLN | 1.0 | нет |
- |
LW | 0.0 | нет |
- |
LWC | 0.0 | нет |
- |
LWN | 1.0 | нет |
- |
LWL | 0.0 | нет |
- |
LWLC | 0.0 | нет |
- |
LMIN | 0.0 | нет |
- |
LMAX | 1.0 | нет |
- |
WR | 1.0 | нет |
- |
WINT | 0.0 | нет |
- |
DWG | 0.0 | нет |
- |
DWB | 0.0 | нет |
- |
WL | 0.0 | нет |
- |
WLC | 0.0 | нет |
- |
WLN | 1.0 | нет |
- |
WW | 0.0 | нет |
- |
WWC | 0.0 | нет |
- |
WWN | 1.0 | нет |
- |
WWL | 0.0 | нет |
- |
WWLC | 0.0 | нет |
- |
WMIN | 0.0 | нет |
- |
WMAX | 1.0 | нет |
- |
B0 | 0.0 | нет |
- |
B1 | 0.0 | нет |
- |
CGSL | 0.0 | нет |
- |
CGDL | 0.0 | нет |
- |
CKAPPA | 0.6 | нет |
- |
CF | -99.0 | нет |
- |
CLC | 0.1e-6 | нет |
- |
CLE | 0.6 | нет |
- |
DWC | 0.0 | нет |
- |
DLC | -99.0 | нет |
- |
ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
BETA0 | 30.0 | нет |
- |
IJTH | 0.1 | нет |
- |
LCDSC | 0.0 | нет |
- |
LCDSCB | 0.0 | нет |
- |
LCDSCD | 0.0 | нет |
- |
LCIT | 0.0 | нет |
- |
LNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
LXJ | 0.0 | нет |
- |
LVSAT | 0.0 | нет |
- |
LAT | 0.0 | нет |
- |
LA0 | 0.0 | нет |
- |
LAGS | 0.0 | нет |
- |
LA1 | 0.0 | нет |
- |
LA2 | 0.0 | нет |
- |
LKETA | 0.0 | нет |
- |
LNSUB | 0.0 | нет |
- |
LNCH | 0.0 | нет |
- |
LNGATE | 0.0 | нет |
- |
LGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
LGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
LVBX | -99.0 | нет |
- |
LVBM | 0.0 | нет |
- |
LXT | 0.0 | нет |
- |
LK1 | -99.0 | нет |
- |
LKT1 | 0.0 | нет |
- |
LKT1L | 0.0 | нет |
- |
LKT2 | 0.0 | нет |
- |
LK2 | -99.0 | нет |
- |
LK3 | 0.0 | нет |
- |
LK3B | 0.0 | нет |
- |
LW0 | 0.0 | нет |
- |
LNLX | 0.0 | нет |
- |
LDVT0 | 0.0 | нет |
- |
LDVT1 | 0.0 | нет |
- |
LDVT2 | 0.0 | нет |
- |
LDVT0W | 0.0 | нет |
- |
LDVT1W | 0.0 | нет |
- |
LDVT2W | 0.0 | нет |
- |
LDROUT | 0.0 | нет |
- |
LDSUB | 0.0 | нет |
- |
LVTH0 | 0.0 | нет |
- |
LVTHO | 0.0 | нет |
- |
LUA | 0.0 | нет |
- |
LUA1 | 0.0 | нет |
- |
LUB | 0.0 | нет |
- |
LUB1 | 0.0 | нет |
- |
LUC | 0.0 | нет |
- |
LUC1 | 0.0 | нет |
- |
LU0 | 0.0 | нет |
- |
LUTE | 0.0 | нет |
- |
LVOFF | 0.0 | нет |
- |
LELM | 0.0 | нет |
- |
LDELTA | 0.0 | нет |
- |
LRDSW | 0.0 | нет |
- |
LPRWG | 0.0 | нет |
- |
LPRWB | 0.0 | нет |
- |
LPRT | 0.0 | нет |
- |
LETA0 | 0.0 | нет |
- |
LETAB | 0.0 | нет |
- |
LPCLM | 0.0 | нет |
- |
LPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
LPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
LPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
LPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
LPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
LPVAG | 0.0 | нет |
- |
LWR | 0.0 | нет |
- |
LDWG | 0.0 | нет |
- |
LDWB | 0.0 | нет |
- |
LB0 | 0.0 | нет |
- |
LB1 | 0.0 | нет |
- |
LCGSL | 0.0 | нет |
- |
LCGDL | 0.0 | нет |
- |
LCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
LCF | 0.0 | нет |
- |
LCLC | 0.0 | нет |
- |
LCLE | 0.0 | нет |
- |
LALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
LALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
LBETA0 | 0.0 | нет |
- |
LVFBCV | 0.0 | нет |
- |
LVFB | 0.0 | нет |
- |
LACDE | 0.0 | нет |
- |
LMOIN | 0.0 | нет |
- |
LNOFF | 0.0 | нет |
- |
LVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
WCDSC | 0.0 | нет |
- |
WCDSCB | 0.0 | нет |
- |
WCDSCD | 0.0 | нет |
- |
WCIT | 0.0 | нет |
- |
WNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
WXJ | 0.0 | нет |
- |
WVSAT | 0.0 | нет |
- |
WAT | 0.0 | нет |
- |
WA0 | 0.0 | нет |
- |
WAGS | 0.0 | нет |
- |
WA1 | 0.0 | нет |
- |
WA2 | 0.0 | нет |
- |
WKETA | 0.0 | нет |
- |
WNSUB | 0.0 | нет |
- |
WNCH | 0.0 | нет |
- |
WNGATE | 0.0 | нет |
- |
WGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
WGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
WVBX | -99.0 | нет |
- |
WVBM | 0.0 | нет |
- |
WXT | 0.0 | нет |
- |
WK1 | -99.0 | нет |
- |
WKT1 | 0.0 | нет |
- |
WKT1L | 0.0 | нет |
- |
WKT2 | 0.0 | нет |
- |
WK2 | -99.0 | нет |
- |
WK3 | 0.0 | нет |
- |
WK3B | 0.0 | нет |
- |
WW0 | 0.0 | нет |
- |
WNLX | 0.0 | нет |
- |
WDVT0 | 0.0 | нет |
- |
WDVT1 | 0.0 | нет |
- |
WDVT2 | 0.0 | нет |
- |
WDVT0W | 0.0 | нет |
- |
WDVT1W | 0.0 | нет |
- |
WDVT2W | 0.0 | нет |
- |
WDROUT | 0.0 | нет |
- |
WDSUB | 0.0 | нет |
- |
WVTH0 | 0.0 | нет |
- |
WVTHO | 0.0 | нет |
- |
WUA | 0.0 | нет |
- |
WUA1 | 0.0 | нет |
- |
WUB | 0.0 | нет |
- |
WUB1 | 0.0 | нет |
- |
WUC | 0.0 | нет |
- |
WUC1 | 0.0 | нет |
- |
WU0 | 0.0 | нет |
- |
WUTE | 0.0 | нет |
- |
WVOFF | 0.0 | нет |
- |
WELM | 0.0 | нет |
- |
WDELTA | 0.0 | нет |
- |
WRDSW | 0.0 | нет |
- |
WPRWG | 0.0 | нет |
- |
WPRWB | 0.0 | нет |
- |
WPRT | 0.0 | нет |
- |
WETA0 | 0.0 | нет |
- |
WETAB | 0.0 | нет |
- |
WPCLM | 0.0 | нет |
- |
WPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
WPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
WPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
WPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
WPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
WPVAG | 0.0 | нет |
- |
WWR | 0.0 | нет |
- |
WDWG | 0.0 | нет |
- |
WDWB | 0.0 | нет |
- |
WB0 | 0.0 | нет |
- |
WB1 | 0.0 | нет |
- |
WCGSL | 0.0 | нет |
- |
WCGDL | 0.0 | нет |
- |
WCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
WCF | 0.0 | нет |
- |
WCLC | 0.0 | нет |
- |
WCLE | 0.0 | нет |
- |
WALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
WALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
WBETA0 | 0.0 | нет |
- |
WVFBCV | 0.0 | нет |
- |
WVFB | 0.0 | нет |
- |
WACDE | 0.0 | нет |
- |
WMOIN | 0.0 | нет |
- |
WNOFF | 0.0 | нет |
- |
WVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
PCDSC | 0.0 | нет |
- |
PCDSCB | 0.0 | нет |
- |
PCDSCD | 0.0 | нет |
- |
PCIT | 0.0 | нет |
- |
PNFACTOR | 0.0 | нет |
- |
PXJ | 0.0 | нет |
- |
PVSAT | 0.0 | нет |
- |
PAT | 0.0 | нет |
- |
PA0 | 0.0 | нет |
- |
PAGS | 0.0 | нет |
- |
PA1 | 0.0 | нет |
- |
PA2 | 0.0 | нет |
- |
PKETA | 0.0 | нет |
- |
PNSUB | 0.0 | нет |
- |
PNCH | 0.0 | нет |
- |
PNGATE | 0.0 | нет |
- |
PGAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
PGAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
PVBX | -99.0 | нет |
- |
PVBM | 0.0 | нет |
- |
PXT | 0.0 | нет |
- |
PK1 | -99.0 | нет |
- |
PKT1 | 0.0 | нет |
- |
PKT1L | 0.0 | нет |
- |
PKT2 | 0.0 | нет |
- |
PK2 | -99.0 | нет |
- |
PK3 | 0.0 | нет |
- |
PK3B | 0.0 | нет |
- |
PW0 | 0.0 | нет |
- |
PNLX | 0.0 | нет |
- |
PDVT0 | 0.0 | нет |
- |
PDVT1 | 0.0 | нет |
- |
PDVT2 | 0.0 | нет |
- |
PDVT0W | 0.0 | нет |
- |
PDVT1W | 0.0 | нет |
- |
PDVT2W | 0.0 | нет |
- |
PDROUT | 0.0 | нет |
- |
PDSUB | 0.0 | нет |
- |
PVTH0 | 0.0 | нет |
- |
PVTHO | 0.0 | нет |
- |
PUA | 0.0 | нет |
- |
PUA1 | 0.0 | нет |
- |
PUB | 0.0 | нет |
- |
PUB1 | 0.0 | нет |
- |
PUC | 0.0 | нет |
- |
PUC1 | 0.0 | нет |
- |
PU0 | 0.0 | нет |
- |
PUTE | 0.0 | нет |
- |
PVOFF | 0.0 | нет |
- |
PELM | 0.0 | нет |
- |
PDELTA | 0.0 | нет |
- |
PRDSW | 0.0 | нет |
- |
PPRWG | 0.0 | нет |
- |
PPRWB | 0.0 | нет |
- |
PPRT | 0.0 | нет |
- |
PETA0 | 0.0 | нет |
- |
PETAB | 0.0 | нет |
- |
PPCLM | 0.0 | нет |
- |
PPDIBLC1 | 0.0 | нет |
- |
PPDIBLC2 | 0.0 | нет |
- |
PPDIBLCB | 0.0 | нет |
- |
PPSCBE1 | 0.0 | нет |
- |
PPSCBE2 | 0.0 | нет |
- |
PPVAG | 0.0 | нет |
- |
PWR | 0.0 | нет |
- |
PDWG | 0.0 | нет |
- |
PDWB | 0.0 | нет |
- |
PB0 | 0.0 | нет |
- |
PB1 | 0.0 | нет |
- |
PCGSL | 0.0 | нет |
- |
PCGDL | 0.0 | нет |
- |
PCKAPPA | 0.0 | нет |
- |
PCF | 0.0 | нет |
- |
PCLC | 0.0 | нет |
- |
PCLE | 0.0 | нет |
- |
PALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
PALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
PBETA0 | 0.0 | нет |
- |
PVFBCV | 0.0 | нет |
- |
PVFB | 0.0 | нет |
- |
PACDE | 0.0 | нет |
- |
PMOIN | 0.0 | нет |
- |
PNOFF | 0.0 | нет |
- |
PVOFFCV | 0.0 | нет |
- |
KF | 0.0 | нет |
- |
AF | 1.0 | нет |
- |
EF | 1.0 | нет |
- |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Bsim4V30Nmos¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | bsim4v30nMOS |
Описание |
bsim4v30nMOS verilog device |
Schematic entry | bsim4v30nMOS |
Netlist entry | BSIM4_ |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | bsim4v30nMOS |
Свойства |
278 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
GMIN | 1e-12 | нет |
- |
PS | 12e-6 | нет |
- |
PD | 12e-6 | нет |
- |
AS | 12e-12 | нет |
- |
AD | 12e-12 | нет |
- |
CGBO | -99.0 | нет |
- |
CGDO | -99.0 | нет |
- |
CGSO | -99.0 | нет |
- |
L | 3e-6 | нет |
- |
W | 6e-6 | нет |
- |
MOBMOD | -99.0 | нет |
- |
RDSMOD | -99.0 | нет |
- |
IGCMOD | 0 | нет |
- |
IGBMOD | 0 | нет |
- |
CAPMOD | 2 | нет |
- |
RGATEMOD | 2 | нет |
- |
RBODYMOD | 0 | нет |
- |
DIOMOD | 1 | нет |
- |
TEMPMOD | -99.0 | нет |
- |
GEOMOD | 0 | нет |
- |
RGEOMOD | 0 | нет |
- |
PERMOD | 1 | нет |
- |
TNOIMOD | 0 | нет |
- |
FNOIMOD | 0 | нет |
- |
EPSROX | 3.9 | нет |
- |
TOXE | -99.0 | нет |
- |
TOXP | -99.0 | нет |
- |
TOXM | -99.0 | нет |
- |
DTOX | 0.0 | нет |
- |
XJ | 1.5e-7 | нет |
- |
GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
NDEP | -99.0 | нет |
- |
NSUB | 6.0e16 | нет |
- |
NGATE | 0.0 | нет |
- |
NSD | 1.0e20 | нет |
- |
VBX | -99.0 | нет |
- |
XT | 1.55e-7 | нет |
- |
RSH | 0.0 | нет |
- |
RSHG | 0.0 | нет |
- |
VTH0 | 0.6 | нет |
- |
VFB | -99.0 | нет |
- |
PHIN | 0.0 | нет |
- |
K1 | -99.0 | нет |
- |
K2 | -99.0 | нет |
- |
K3 | 80.0 | нет |
- |
K3B | 0.0 | нет |
- |
W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
LPE0 | 1.74e-7 | нет |
- |
LPEB | 0.0 | нет |
- |
VBM | -3.0 | нет |
- |
DVT0 | 2.2 | нет |
- |
DVT1 | 0.53 | нет |
- |
DVT2 | -0.032 | нет |
- |
DVTP0 | 0.0 | нет |
- |
DVTP1 | 0.0 | нет |
- |
DVT0W | 0.0 | нет |
- |
DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
DVT2W | -0.032 | нет |
- |
U0 | -99.0 | нет |
- |
UA | -99.0 | нет |
- |
UB | 1.0e-19 | нет |
- |
UC | -99.0 | нет |
- |
EU | -99.0 | нет |
- |
VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
A0 | 1.0 | нет |
- |
AGS | 0.0 | нет |
- |
B0 | 0.0 | нет |
- |
B1 | 0.0 | нет |
- |
KETA | -0.047 | нет |
- |
A1 | 0.0 | нет |
- |
A2 | 1.0 | нет |
- |
WINT | 0.0 | нет |
- |
LINT | 0.0 | нет |
- |
DWG | 0.0 | нет |
- |
DWB | 0.0 | нет |
- |
VOFF | -0.08 | нет |
- |
VOFFL | 0.0 | нет |
- |
MINV | 0.0 | нет |
- |
NFACTOR | 1.0 | нет |
- |
ETA0 | 0.08 | нет |
- |
ETAB | -0.07 | нет |
- |
DROUT | 0.56 | нет |
- |
DSUB | 0.56 | нет |
- |
CIT | 0.0 | нет |
- |
CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
CDSCB | 0.0 | нет |
- |
CDSCD | 0.0 | нет |
- |
PCLM | 1.3 | нет |
- |
PDIBL1 | 0.39 | нет |
- |
PDIBL2 | 0.0086 | нет |
- |
PDIBLB | 0.0 | нет |
- |
PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
PVAG | 0.0 | нет |
- |
DELTA | 0.01 | нет |
- |
FPROUT | 0.0 | нет |
- |
PDITS | 0.0 | нет |
- |
PDITSD | 0.0 | нет |
- |
PDITSL | 0.0 | нет |
- |
LAMBDA | -99.0 | нет |
- |
VTL | -99.0 | нет |
- |
LC | 5.0e-9 | нет |
- |
XN | 3.0 | нет |
- |
RDSW | 200.0 | нет |
- |
RDSWMIN | 0.0 | нет |
- |
RDW | 100.0 | нет |
- |
RDWMIN | 0.0 | нет |
- |
RSW | 100.0 | нет |
- |
RSWMIN | 0.0 | нет |
- |
PRWG | 1.0 | нет |
- |
PRWB | 0.0 | нет |
- |
WR | 1.0 | нет |
- |
NRS | -99.0 | нет |
- |
NRD | -99.0 | нет |
- |
ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
BETA0 | 30.0 | нет |
- |
AGIDL | 0.0 | нет |
- |
BGIDL | 2.3e9 | нет |
- |
CGIDL | 0.5 | нет |
- |
EGIDL | 0.8 | нет |
- |
AIGBACC | 0.43 | нет |
- |
BIGBACC | 0.054 | нет |
- |
CIGBACC | 0.075 | нет |
- |
NIGBACC | 1.0 | нет |
- |
AIGBINV | 0.35 | нет |
- |
BIGBINV | 0.03 | нет |
- |
CIGBINV | 0.006 | нет |
- |
EIGBINV | 1.1 | нет |
- |
NIGBINV | 3.0 | нет |
- |
AIGC | -99.0 | нет |
- |
BIGC | -99.0 | нет |
- |
CIGC | -99.0 | нет |
- |
AIGSD | -99.0 | нет |
- |
BIGSD | -99.0 | нет |
- |
CIGSD | -99.0 | нет |
- |
DLCIG | 0.0 | нет |
- |
NIGC | 1.0 | нет |
- |
POXEDGE | 1.0 | нет |
- |
PIGCD | 1.0 | нет |
- |
NTOX | 1.0 | нет |
- |
TOXREF | 3.0e-9 | нет |
- |
XPART | 0.4 | нет |
- |
CGS0 | 0.0 | нет |
- |
CGD0 | 0.0 | нет |
- |
CGB0 | 0.0 | нет |
- |
CGSL | 0.0 | нет |
- |
CGDL | 0.0 | нет |
- |
CKAPPAS | 0.6 | нет |
- |
CKAPPAD | 0.6 | нет |
- |
CF | -99.0 | нет |
- |
CLC | 1.0e-7 | нет |
- |
CLE | 0.6 | нет |
- |
DLC | 0.0 | нет |
- |
DWC | 0.0 | нет |
- |
VFBCV | -1.0 | нет |
- |
NOFF | 1.0 | нет |
- |
VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
ACDE | 1.0 | нет |
- |
MOIN | 15.0 | нет |
- |
XRCRG1 | 12.0 | нет |
- |
XRCRG2 | 1.0 | нет |
- |
RBPB | 50.0 | нет |
- |
RBPD | 50.0 | нет |
- |
RBPS | 50.0 | нет |
- |
RBDB | 50.0 | нет |
- |
RBSB | 50.0 | нет |
- |
GBMIN | 1.0e-12 | нет |
- |
DMCG | 0.0 | нет |
- |
DMCI | 0.0 | нет |
- |
DMDG | 0.0 | нет |
- |
DMCGT | 0.0 | нет |
- |
NF | 1.0 | нет |
- |
DWJ | 0.0 | нет |
- |
MIN | 0.0 | нет |
- |
XGW | 0.0 | нет |
- |
XGL | 0.0 | нет |
- |
XL | 0.0 | нет |
- |
XW | 0.0 | нет |
- |
NGCON | 1.0 | нет |
- |
IJTHSREV | 0.1 | нет |
- |
IJTHDREV | 0.1 | нет |
- |
IJTHSFWD | 0.1 | нет |
- |
IJTHDFWD | 0.1 | нет |
- |
XJBVS | 1.0 | нет |
- |
XJBVD | 1.0 | нет |
- |
BVS | 10.0 | нет |
- |
BVD | 10.0 | нет |
- |
JSS | 1.0e-4 | нет |
- |
JSD | 1.0e-4 | нет |
- |
JSWS | 0.0 | нет |
- |
JSWD | 0.0 | нет |
- |
JSWGS | 0.0 | нет |
- |
JSWGD | 0.0 | нет |
- |
CJS | 5.0e-4 | нет |
- |
CJD | 5.0e-4 | нет |
- |
MJS | 0.5 | нет |
- |
MJD | 0.5 | нет |
- |
MJSWS | 0.33 | нет |
- |
MJSWD | 0.33 | нет |
- |
CJSWS | 5.0e-10 | нет |
- |
CJSWD | 5.0e-10 | нет |
- |
CJSWGS | 5.0e-10 | нет |
- |
CJSWGD | 5.0e-10 | нет |
- |
MJSWGS | 0.33 | нет |
- |
MJSWGD | 0.33 | нет |
- |
PBS | 1.0 | нет |
- |
PBD | 1.0 | нет |
- |
PBSWS | 1.0 | нет |
- |
PBSWD | 1.0 | нет |
- |
PBSWGS | 1.0 | нет |
- |
PBSWGD | 1.0 | нет |
- |
TNOM | 27 | нет |
- |
UTE | -1.5 | нет |
- |
KT1 | -0.11 | нет |
- |
KT1L | 0.0 | нет |
- |
KT2 | 0.022 | нет |
- |
UA1 | 1.0e-9 | нет |
- |
UB1 | -1.0e-18 | нет |
- |
UC1 | -99.0 | нет |
- |
AT | 3.3e4 | нет |
- |
PRT | 0.0 | нет |
- |
NJS | 1.0 | нет |
- |
NJD | 1.0 | нет |
- |
XTIS | 3.0 | нет |
- |
XTID | 3.0 | нет |
- |
TPB | 0.0 | нет |
- |
TPBSW | 0.0 | нет |
- |
TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
TCJ | 0.0 | нет |
- |
TCJSW | 0.0 | нет |
- |
TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
SA | 0.0 | нет |
- |
SB | 0.0 | нет |
- |
SD | 0.0 | нет |
- |
SAREF | 1e-6 | нет |
- |
SBREF | 1e-6 | нет |
- |
WLOD | 0.0 | нет |
- |
KU0 | 0.0 | нет |
- |
KVSAT | 0.0 | нет |
- |
TKU0 | 0.0 | нет |
- |
LKU0 | 0.0 | нет |
- |
WKU0 | 0.0 | нет |
- |
PKU0 | 0.0 | нет |
- |
LLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
WLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
KVTH0 | 0.0 | нет |
- |
LKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
WKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
PKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
LLODVTH | 0.0 | нет |
- |
WLODVTH | 0.0 | нет |
- |
STK2 | 0.0 | нет |
- |
LODK2 | 1.0 | нет |
- |
STETA0 | 0.0 | нет |
- |
LODETA0 | 1.0 | нет |
- |
WL | 0.0 | нет |
- |
WLN | 1.0 | нет |
- |
WW | 0.0 | нет |
- |
WWN | 1.0 | нет |
- |
WWL | 0.0 | нет |
- |
LL | 0.0 | нет |
- |
LLN | 1.0 | нет |
- |
LW | 0.0 | нет |
- |
LWN | 1.0 | нет |
- |
LWL | 0.0 | нет |
- |
LLC | 0.0 | нет |
- |
LWC | 0.0 | нет |
- |
LWLC | 0.0 | нет |
- |
WLC | 0.0 | нет |
- |
WWC | 0.0 | нет |
- |
WWLC | 0.0 | нет |
- |
NTNOI | 1.0 | нет |
- |
KF | 0.0 | нет |
- |
AF | 1.0 | нет |
- |
EF | 1.0 | нет |
- |
TEMP | 27 | нет |
- |
Bsim4V30Pmos¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | bsim4v30pMOS |
Описание |
bsim4v30pMOS verilog device |
Schematic entry | bsim4v30pMOS |
Netlist entry | BSIM4_ |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | bsim4v30pMOS |
Свойства |
278 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
GMIN | 1e-12 | нет |
- |
PS | 12e-6 | нет |
- |
PD | 12e-6 | нет |
- |
AS | 12e-12 | нет |
- |
AD | 12e-12 | нет |
- |
CGBO | -99.0 | нет |
- |
CGDO | -99.0 | нет |
- |
CGSO | -99.0 | нет |
- |
L | 3e-6 | нет |
- |
W | 6e-6 | нет |
- |
MOBMOD | -99.0 | нет |
- |
RDSMOD | -99.0 | нет |
- |
IGCMOD | 0 | нет |
- |
IGBMOD | 0 | нет |
- |
CAPMOD | 2 | нет |
- |
RGATEMOD | 2 | нет |
- |
RBODYMOD | 0 | нет |
- |
DIOMOD | 1 | нет |
- |
TEMPMOD | -99.0 | нет |
- |
GEOMOD | 0 | нет |
- |
RGEOMOD | 0 | нет |
- |
PERMOD | 1 | нет |
- |
TNOIMOD | 0 | нет |
- |
FNOIMOD | 0 | нет |
- |
EPSROX | 3.9 | нет |
- |
TOXE | -99.0 | нет |
- |
TOXP | -99.0 | нет |
- |
TOXM | -99.0 | нет |
- |
DTOX | 0.0 | нет |
- |
XJ | 1.5e-7 | нет |
- |
GAMMA1 | -99.0 | нет |
- |
GAMMA2 | -99.0 | нет |
- |
NDEP | -99.0 | нет |
- |
NSUB | 6.0e16 | нет |
- |
NGATE | 0.0 | нет |
- |
NSD | 1.0e20 | нет |
- |
VBX | -99.0 | нет |
- |
XT | 1.55e-7 | нет |
- |
RSH | 0.0 | нет |
- |
RSHG | 0.0 | нет |
- |
VTH0 | -0.6 | нет |
- |
VFB | -99.0 | нет |
- |
PHIN | 0.0 | нет |
- |
K1 | -99.0 | нет |
- |
K2 | -99.0 | нет |
- |
K3 | 80.0 | нет |
- |
K3B | 0.0 | нет |
- |
W0 | 2.5e-6 | нет |
- |
LPE0 | 1.74e-7 | нет |
- |
LPEB | 0.0 | нет |
- |
VBM | -3.0 | нет |
- |
DVT0 | 2.2 | нет |
- |
DVT1 | 0.53 | нет |
- |
DVT2 | -0.032 | нет |
- |
DVTP0 | 0.0 | нет |
- |
DVTP1 | 0.0 | нет |
- |
DVT0W | 0.0 | нет |
- |
DVT1W | 5.3e6 | нет |
- |
DVT2W | -0.032 | нет |
- |
U0 | -99.0 | нет |
- |
UA | -99.0 | нет |
- |
UB | 1.0e-19 | нет |
- |
UC | -99.0 | нет |
- |
EU | -99.0 | нет |
- |
VSAT | 8.0e4 | нет |
- |
A0 | 1.0 | нет |
- |
AGS | 0.0 | нет |
- |
B0 | 0.0 | нет |
- |
B1 | 0.0 | нет |
- |
KETA | -0.047 | нет |
- |
A1 | 0.0 | нет |
- |
A2 | 1.0 | нет |
- |
WINT | 0.0 | нет |
- |
LINT | 0.0 | нет |
- |
DWG | 0.0 | нет |
- |
DWB | 0.0 | нет |
- |
VOFF | -0.08 | нет |
- |
VOFFL | 0.0 | нет |
- |
MINV | 0.0 | нет |
- |
NFACTOR | 1.0 | нет |
- |
ETA0 | 0.08 | нет |
- |
ETAB | -0.07 | нет |
- |
DROUT | 0.56 | нет |
- |
DSUB | 0.56 | нет |
- |
CIT | 0.0 | нет |
- |
CDSC | 2.4e-4 | нет |
- |
CDSCB | 0.0 | нет |
- |
CDSCD | 0.0 | нет |
- |
PCLM | 1.3 | нет |
- |
PDIBL1 | 0.39 | нет |
- |
PDIBL2 | 0.0086 | нет |
- |
PDIBLB | 0.0 | нет |
- |
PSCBE1 | 4.24e8 | нет |
- |
PSCBE2 | 1.0e-5 | нет |
- |
PVAG | 0.0 | нет |
- |
DELTA | 0.01 | нет |
- |
FPROUT | 0.0 | нет |
- |
PDITS | 0.0 | нет |
- |
PDITSD | 0.0 | нет |
- |
PDITSL | 0.0 | нет |
- |
LAMBDA | -99.0 | нет |
- |
VTL | -99.0 | нет |
- |
LC | 5.0e-9 | нет |
- |
XN | 3.0 | нет |
- |
RDSW | 200.0 | нет |
- |
RDSWMIN | 0.0 | нет |
- |
RDW | 100.0 | нет |
- |
RDWMIN | 0.0 | нет |
- |
RSW | 100.0 | нет |
- |
RSWMIN | 0.0 | нет |
- |
PRWG | 1.0 | нет |
- |
PRWB | 0.0 | нет |
- |
WR | 1.0 | нет |
- |
NRS | -99.0 | нет |
- |
NRD | -99.0 | нет |
- |
ALPHA0 | 0.0 | нет |
- |
ALPHA1 | 0.0 | нет |
- |
BETA0 | 30.0 | нет |
- |
AGIDL | 0.0 | нет |
- |
BGIDL | 2.3e9 | нет |
- |
CGIDL | 0.5 | нет |
- |
EGIDL | 0.8 | нет |
- |
AIGBACC | 0.43 | нет |
- |
BIGBACC | 0.054 | нет |
- |
CIGBACC | 0.075 | нет |
- |
NIGBACC | 1.0 | нет |
- |
AIGBINV | 0.35 | нет |
- |
BIGBINV | 0.03 | нет |
- |
CIGBINV | 0.006 | нет |
- |
EIGBINV | 1.1 | нет |
- |
NIGBINV | 3.0 | нет |
- |
AIGC | -99.0 | нет |
- |
BIGC | -99.0 | нет |
- |
CIGC | -99.0 | нет |
- |
AIGSD | -99.0 | нет |
- |
BIGSD | -99.0 | нет |
- |
CIGSD | -99.0 | нет |
- |
DLCIG | 0.0 | нет |
- |
NIGC | 1.0 | нет |
- |
POXEDGE | 1.0 | нет |
- |
PIGCD | 1.0 | нет |
- |
NTOX | 1.0 | нет |
- |
TOXREF | 3.0e-9 | нет |
- |
XPART | 0.4 | нет |
- |
CGS0 | 0.0 | нет |
- |
CGD0 | 0.0 | нет |
- |
CGB0 | 0.0 | нет |
- |
CGSL | 0.0 | нет |
- |
CGDL | 0.0 | нет |
- |
CKAPPAS | 0.6 | нет |
- |
CKAPPAD | 0.6 | нет |
- |
CF | -99.0 | нет |
- |
CLC | 1.0e-7 | нет |
- |
CLE | 0.6 | нет |
- |
DLC | 0.0 | нет |
- |
DWC | 0.0 | нет |
- |
VFBCV | -1.0 | нет |
- |
NOFF | 1.0 | нет |
- |
VOFFCV | 0.0 | нет |
- |
ACDE | 1.0 | нет |
- |
MOIN | 15.0 | нет |
- |
XRCRG1 | 12.0 | нет |
- |
XRCRG2 | 1.0 | нет |
- |
RBPB | 50.0 | нет |
- |
RBPD | 50.0 | нет |
- |
RBPS | 50.0 | нет |
- |
RBDB | 50.0 | нет |
- |
RBSB | 50.0 | нет |
- |
GBMIN | 1.0e-12 | нет |
- |
DMCG | 0.0 | нет |
- |
DMCI | 0.0 | нет |
- |
DMDG | 0.0 | нет |
- |
DMCGT | 0.0 | нет |
- |
NF | 1.0 | нет |
- |
DWJ | 0.0 | нет |
- |
MIN | 0.0 | нет |
- |
XGW | 0.0 | нет |
- |
XGL | 0.0 | нет |
- |
XL | 0.0 | нет |
- |
XW | 0.0 | нет |
- |
NGCON | 1.0 | нет |
- |
IJTHSREV | 0.1 | нет |
- |
IJTHDREV | 0.1 | нет |
- |
IJTHSFWD | 0.1 | нет |
- |
IJTHDFWD | 0.1 | нет |
- |
XJBVS | 1.0 | нет |
- |
XJBVD | 1.0 | нет |
- |
BVS | 10.0 | нет |
- |
BVD | 10.0 | нет |
- |
JSS | 1.0e-4 | нет |
- |
JSD | 1.0e-4 | нет |
- |
JSWS | 0.0 | нет |
- |
JSWD | 0.0 | нет |
- |
JSWGS | 0.0 | нет |
- |
JSWGD | 0.0 | нет |
- |
CJS | 5.0e-4 | нет |
- |
CJD | 5.0e-4 | нет |
- |
MJS | 0.5 | нет |
- |
MJD | 0.5 | нет |
- |
MJSWS | 0.33 | нет |
- |
MJSWD | 0.33 | нет |
- |
CJSWS | 5.0e-10 | нет |
- |
CJSWD | 5.0e-10 | нет |
- |
CJSWGS | 5.0e-10 | нет |
- |
CJSWGD | 5.0e-10 | нет |
- |
MJSWGS | 0.33 | нет |
- |
MJSWGD | 0.33 | нет |
- |
PBS | 1.0 | нет |
- |
PBD | 1.0 | нет |
- |
PBSWS | 1.0 | нет |
- |
PBSWD | 1.0 | нет |
- |
PBSWGS | 1.0 | нет |
- |
PBSWGD | 1.0 | нет |
- |
TNOM | 27 | нет |
- |
UTE | -1.5 | нет |
- |
KT1 | -0.11 | нет |
- |
KT1L | 0.0 | нет |
- |
KT2 | 0.022 | нет |
- |
UA1 | 1.0e-9 | нет |
- |
UB1 | -1.0e-18 | нет |
- |
UC1 | -99.0 | нет |
- |
AT | 3.3e4 | нет |
- |
PRT | 0.0 | нет |
- |
NJS | 1.0 | нет |
- |
NJD | 1.0 | нет |
- |
XTIS | 3.0 | нет |
- |
XTID | 3.0 | нет |
- |
TPB | 0.0 | нет |
- |
TPBSW | 0.0 | нет |
- |
TPBSWG | 0.0 | нет |
- |
TCJ | 0.0 | нет |
- |
TCJSW | 0.0 | нет |
- |
TCJSWG | 0.0 | нет |
- |
SA | 0.0 | нет |
- |
SB | 0.0 | нет |
- |
SD | 0.0 | нет |
- |
SAREF | 1e-6 | нет |
- |
SBREF | 1e-6 | нет |
- |
WLOD | 0.0 | нет |
- |
KU0 | 0.0 | нет |
- |
KVSAT | 0.0 | нет |
- |
TKU0 | 0.0 | нет |
- |
LKU0 | 0.0 | нет |
- |
WKU0 | 0.0 | нет |
- |
PKU0 | 0.0 | нет |
- |
LLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
WLODKU0 | 0.0 | нет |
- |
KVTH0 | 0.0 | нет |
- |
LKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
WKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
PKVTH0 | 0.0 | нет |
- |
LLODVTH | 0.0 | нет |
- |
WLODVTH | 0.0 | нет |
- |
STK2 | 0.0 | нет |
- |
LODK2 | 1.0 | нет |
- |
STETA0 | 0.0 | нет |
- |
LODETA0 | 1.0 | нет |
- |
WL | 0.0 | нет |
- |
WLN | 1.0 | нет |
- |
WW | 0.0 | нет |
- |
WWN | 1.0 | нет |
- |
WWL | 0.0 | нет |
- |
LL | 0.0 | нет |
- |
LLN | 1.0 | нет |
- |
LW | 0.0 | нет |
- |
LWN | 1.0 | нет |
- |
LWL | 0.0 | нет |
- |
LLC | 0.0 | нет |
- |
LWC | 0.0 | нет |
- |
LWLC | 0.0 | нет |
- |
WLC | 0.0 | нет |
- |
WWC | 0.0 | нет |
- |
WWLC | 0.0 | нет |
- |
NTNOI | 1.0 | нет |
- |
KF | 0.0 | нет |
- |
AF | 1.0 | нет |
- |
EF | 1.0 | нет |
- |
TEMP | 27 | нет |
- |
Npn Hicum L0 V1.2¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | npn HICUM L0 v1.2 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2 Verilog-модель |
Schematic entry | hicumL0V1p2 |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
94 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.2¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | pnp HICUM L0 v1.2 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2 Verilog-модель |
Schematic entry | hicumL0V1p2 |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
94 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Npn Hicum L0 V1.2G¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | npn HICUM L0 v1.2g |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2g verilog device |
Schematic entry | hicumL0V1p2g |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
99 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
iqfe | 0.0 | нет |
high-injection roll-off current |
ahq | 0.0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100.0 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100.0 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
zetaiqf | 0.0 | нет |
TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge) |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
delte | 0.0 | нет |
Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
deltc | 0.0 | нет |
Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
zetaver | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of ver |
zetavef | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of vef |
ibhrec | 0.0 | нет |
Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.2G¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | pnp HICUM L0 v1.2g |
Описание |
HICUM Level 0 v1.2g verilog device |
Schematic entry | hicumL0V1p2g |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
99 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
iqfe | 0.0 | нет |
high-injection roll-off current |
ahq | 0.0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100.0 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100.0 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100.0 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
zetaiqf | 0.0 | нет |
TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge) |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
delte | 0.0 | нет |
Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
deltc | 0.0 | нет |
Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation |
zetaver | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of ver |
zetavef | 0.0 | нет |
Bandgap TC parameter of vef |
ibhrec | 0.0 | нет |
Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Npn Hicum L0 V1.3¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | npn HICUM L0 v1.3 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.3 verilog device |
Schematic entry | hicumL0V1p3 |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
102 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
npn | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
it_mod | 0 | нет |
Flag for using third order solution for transfer current |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
aver | 0.0 | нет |
bias dependence for reverse Early voltage |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
tef_temp | 1 | нет |
Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off |
zetaver | -1.0 | нет |
TC of Reverse Early voltage |
zetavgbe | 1.0 | нет |
TC of AVER |
dvgbe | 0.0 | нет |
Bandgap difference between base and BE-junction |
aliqfh | 0 | нет |
Frist-order TC of iqfh (1/K) |
kiqfh | 0 | нет |
Second-order TC of iqfh (1/K^2) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Pnp Hicum L0 V1.3¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | pnp HICUM L0 v1.3 |
Описание |
HICUM Level 0 v1.3 verilog device |
Schematic entry | hicumL0V1p3 |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | pnpsub_therm |
Свойства |
102 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
pnp | да |
polarity [npn, pnp] |
is | 1.0e-16 | нет |
(Modified) saturation current (A) |
it_mod | 0 | нет |
Flag for using third order solution for transfer current |
mcf | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности прямого коллекторного тока |
mcr | 1.00 | нет |
Коэффициент неидеальности обратного коллекторного тока |
vef | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
ver | 1.0e6 | нет |
reverse Early voltage (normalization volt.) (V) |
aver | 0.0 | нет |
bias dependence for reverse Early voltage |
iqf | 1.0e6 | нет |
forward d.c. high-injection roll-off current (A) |
fiqf | 0 | нет |
флаг для включения критического тока для базы |
iqr | 1.0e6 | нет |
inverse d.c. high-injection roll-off current (A) |
iqfh | 1.0e6 | нет |
high-injection correction current (A) |
tfh | 0.0 | нет |
поправка на сильную инжекцию |
ahq | 0 | нет |
Коэффициент сглаживания для ширины инжекции при постоянном токе |
ibes | 1e-18 | нет |
BE saturation current (A) |
mbe | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-Э |
ires | 0.0 | нет |
BE recombination saturation current (A) |
mre | 2.0 | нет |
рекомбинационный кэффициент неидеальности Б-Э |
ibcs | 0.0 | нет |
BC saturation current (A) |
mbc | 1.0 | нет |
коэффициент неидеальности для Б-К |
cje0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias BE depletion capacitance (F) |
vde | 0.9 | нет |
BE built-in voltage (V) |
ze | 0.5 | нет |
Показатель степени для перехода Б-Э |
aje | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения к значению при нулевом смещении |
vdedc | 0.9 | нет |
BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V) |
zedc | 0.5 | нет |
показатель степени БЭ-заряда для постояного тока переноса заряда |
ajedc | 2.5 | нет |
Отношение емкости БЭ (максимальной к значению при нулевом смещении) для постоянного тока переноса заряда |
t0 | 0.0 | нет |
low current transit time at Vbici=0 (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Base width modulation contribution (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
SCR width modulation contribution (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Storage time in neutral emitter (s) |
gte | 1.0 | нет |
Показатель степени для времени переноса заряда эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Коэффициент сглаживания для токовой зависимости |
tr | 0.0 | нет |
Storage time at inverse operation (s) |
rci0 | 150 | нет |
Low-field collector resistance under emitter (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage dividing ohmic and satur.region (V) |
vpt | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
vces | 0.1 | нет |
Saturation voltage (V) |
cjci0 | 1.0e-20 | нет |
Total zero-bias BC depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
BC built-in voltage (V) |
zci | 0.333 | нет |
Множитель экспоненты для Б-К |
vptci | 100 | нет |
Punch-through voltage of BC junction (V) |
cjcx0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias external BC depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External BC built-in voltage (V) |
zcx | 0.333 | нет |
Внешний множитель экспоненты для Б-К |
vptcx | 100 | нет |
Punch-through voltage (V) |
fbc | 1.0 | нет |
Коэффициент расщепления = Cjci0/Cjc0 |
rbi0 | 0.0 | нет |
Internal base resistance at zero-bias (Ohm) |
vr0e | 2.5 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
vr0c | 1.0e6 | нет |
forward Early voltage (normalization volt.) (V) |
fgeo | 0.656 | нет |
Геометрический фактор |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
re | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидельности тока переноса заряда транзистора на подложке |
iscs | 0.0 | нет |
SC saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для П-К |
cjs0 | 1.0e-20 | нет |
Zero-bias SC depletion capacitance (F) |
vds | 0.3 | нет |
SC built-in voltage (V) |
zs | 0.3 | нет |
Внешний множитель экспоненты для П-К |
vpts | 100 | нет |
SC punch-through voltage (V) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Collector-base isolation (overlap) capacitance (F) |
cbepar | 0.0 | нет |
Emitter-base oxide capacitance (F) |
eavl | 0.0 | нет |
Множитель экспоненты |
kavl | 0.0 | нет |
Предмножитель |
kf | 0.0 | нет |
flicker noise coefficient (M^(1-AF)) |
af | 2.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
vgb | 1.2 | нет |
Bandgap-voltage (V) |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap-voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap-voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap-voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K) |
alt0 | 0.0 | нет |
Frist-order TC of tf0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Second-order TC of tf0 (1/K^2) |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент диффузии эпитаксиального слоя (коллектора) |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of satur.drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of vces (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
ТК собственного сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
ТК внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
ТК сопротивлений эмиттера |
zetaiqf | 0.0 | нет |
Температурный коэффициент iqf |
alkav | 0.0 | нет |
TC of avalanche prefactor (1/K) |
aleav | 0.0 | нет |
TC of avalanche exponential factor (1/K) |
zetarth | 0.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости теплового сопротивления от температуры |
tef_temp | 1 | нет |
Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off |
zetaver | -1.0 | нет |
TC of Reverse Early voltage |
zetavgbe | 1.0 | нет |
TC of AVER |
dvgbe | 0.0 | нет |
Bandgap difference between base and BE-junction |
aliqfh | 0 | нет |
Frist-order TC of iqfh (1/K) |
kiqfh | 0 | нет |
Second-order TC of iqfh (1/K^2) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для расчета саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (Ws/K) |
tnom | 27 | нет |
Temperature for which parameters are valid (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change for particular transistor (K) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Hicum L2 V2.23¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | HICUM L2 v2.23 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.23 Verilog-модель |
Schematic entry | hicumL2V2p23 |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
114 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
vpt | 0.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
alqf | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
alit | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
Temp | 27 | нет |
температура моделирования |
Hicum L2 V2.24¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | HICUM L2 v2.24 |
Описание |
HICUM Level 2 v2.24 verilog device |
Schematic entry | hicumL2V2p24 |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | npnsub_therm |
Свойства |
114 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
vpt | 100.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
alqf | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
alit | 0.0 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
Temp | 27.0 | нет |
температура моделирования |
Hicum L2 V2.31¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | HICUM L2 V2.31 |
Описание |
hicumL2V2p31n verilog device |
Schematic entry | hicumL2V2p31n |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | hicumL2V2p31n |
Свойства |
129 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
c10 | 2.0E-30 | нет |
GICCR constant (A^2s) |
qp0 | 2.0E-14 | нет |
Zero-bias hole charge (Coul) |
ich | 0.0 | нет |
High-current correction for 2D and 3D effects (A) |
hf0 | 1.0 | нет |
Weight factor for the low current minority charge |
hfe | 1.0 | нет |
Весовой фактор эмиттерных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hfc | 1.0 | нет |
Весовой фактор коллекторных неосновных носителей заряда в ГБТ |
hjei | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-Э перехода в ГБТ |
ahjei | 0.0 | нет |
Parameter describing the slope of hjEi(VBE) |
rhjei | 1.0 | нет |
Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage |
hjci | 1.0 | нет |
Весовой фактор заряда Б-К перехода в ГБТ |
ibeis | 1.0E-18 | нет |
Internal B-E saturation current (A) |
mbei | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э тока |
ireis | 0.0 | нет |
Internal B-E recombination saturation current (A) |
mrei | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-Э рекомбинационного тока |
ibeps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E saturation current (A) |
mbep | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности Б-Э периферийного тока |
ireps | 0.0 | нет |
Peripheral B-E recombination saturation current (A) |
mrep | 2.0 | нет |
Коэффициент идеальности периферийного Б-Э рекомбинационного тока |
mcf | 1.0 | нет |
Коэффициент неидеальности для III-V ГБТ |
tbhrec | 0.0 | нет |
Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s) |
ibcis | 1.0E-16 | нет |
Internal B-C saturation current (A) |
mbci | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внутреннего Б-К тока |
ibcxs | 0.0 | нет |
External B-C saturation current (A) |
mbcx | 1.0 | нет |
Коэффициент идеальности внешнего Б-К тока |
ibets | 0.0 | нет |
B-E tunneling saturation current (A) |
abet | 40 | нет |
Показатель степени для туннельного тока |
tunode | 1 | нет |
Задает место соединения базы для туннельного тока |
favl | 0.0 | нет |
Avalanche current factor (1/V) |
qavl | 0.0 | нет |
Exponent factor for avalanche current (Coul) |
alfav | 0.0 | нет |
Relative TC for FAVL (1/K) |
alqav | 0.0 | нет |
Relative TC for QAVL (1/K) |
rbi0 | 0.0 | нет |
Zero bias internal base resistance (Ohm) |
rbx | 0.0 | нет |
External base series resistance (Ohm) |
fgeo | 0.6557 | нет |
Фактор геометрической зависимости вытеснения эмиттерного тока |
fdqr0 | 0.0 | нет |
Поправочный коэффциент для модуляции Б-Э и Б-К слоя простанственного заряда |
fcrbi | 0.0 | нет |
Отношение шунтирующей на ВЧ к полной внутренней емкости (побочный неквазистатический эффект) |
fqi | 1.0 | нет |
Отношение внутреннего к полному заряду неосновных носителей |
re | 0.0 | нет |
Emitter series resistance (Ohm) |
rcx | 0.0 | нет |
External collector series resistance (Ohm) |
itss | 0.0 | нет |
Substrate transistor transfer saturation current (A) |
msf | 1.0 | нет |
Прямой коэффициент идеальности тока переноса заряда подложки |
iscs | 0.0 | нет |
C-S diode saturation current (A) |
msc | 1.0 | нет |
Коэффициента идеальности тока перехода К-П |
tsf | 0.0 | нет |
Transit time for forward operation of substrate transistor (s) |
rsu | 0.0 | нет |
Substrate series resistance (Ohm) |
csu | 0.0 | нет |
Substrate shunt capacitance (F) |
cjei0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdei | 0.9 | нет |
Internal B-E built-in potential (V) |
zei | 0.5 | нет |
Внутренний коэффициент неидеальности Б-Э |
ajei | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения внутренней емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjep0 | 1.0E-20 | нет |
Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F) |
vdep | 0.9 | нет |
Peripheral B-E built-in potential (V) |
zep | 0.5 | нет |
Периферийный коэффициент неидеальности перехода Б-Э |
ajep | 2.5 | нет |
Отношение максимального значения периферийной емкости Б-Э к величине при нулевом смещении |
cjci0 | 1.0E-20 | нет |
Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdci | 0.7 | нет |
Internal B-C built-in potential (V) |
zci | 0.4 | нет |
Внутренний кэффициент неидеальности Б-К |
vptci | 100 | нет |
Internal B-C punch-through voltage (V) |
cjcx0 | 1.0E-20 | нет |
External B-C zero-bias depletion capacitance (F) |
vdcx | 0.7 | нет |
External B-C built-in potential (V) |
zcx | 0.4 | нет |
Внешний коэффициент неидеальности Б-К |
vptcx | 100 | нет |
External B-C punch-through voltage (V) |
fbcpar | 0.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-К |
fbepar | 1.0 | нет |
Разделительный фактор паразитной емкости Б-Э |
cjs0 | 0.0 | нет |
C-S zero-bias depletion capacitance (F) |
vds | 0.6 | нет |
C-S built-in potential (V) |
zs | 0.5 | нет |
Коэффициент неидеальности перехода К-П |
vpts | 100 | нет |
C-S punch-through voltage (V) |
t0 | 0.0 | нет |
Low current forward transit time at VBC=0V (s) |
dt0h | 0.0 | нет |
Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s) |
tbvl | 0.0 | нет |
Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s) |
tef0 | 0.0 | нет |
Neutral emitter storage time (s) |
gtfe | 1.0 | нет |
Множитель в показателе степени для зависимости тока от времени хранения нейтрального эмиттера |
thcs | 0.0 | нет |
Saturation time constant at high current densities (s) |
ahc | 0.1 | нет |
Фактор сглаживания для зависимости тока от времени пролета базы и коллектора |
fthc | 0.0 | нет |
Разделительный фактор для базовой и коллекторной частей |
rci0 | 150 | нет |
Internal collector resistance at low electric field (Ohm) |
vlim | 0.5 | нет |
Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V) |
vces | 0.1 | нет |
Internal C-E saturation voltage (V) |
vpt | 100.0 | нет |
Collector punch-through voltage (V) |
tr | 0.0 | нет |
Storage time for inverse operation (s) |
vcbar | 0.0 | нет |
Barrier voltage (V) |
icbar | 0.0 | нет |
Normalization parameter (A) |
acbar | 0.01 | нет |
Smoothing parameter for barrier voltage |
delck | 2.0 | нет |
fitting factor for critical current |
cbepar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-E capacitance (F) |
cbcpar | 0.0 | нет |
Total parasitic B-C capacitance (F) |
alqf | 0.167 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки неосновных носителей заряда |
alit | 0.333 | нет |
Фактор для дополнительного времени задержки тока переноса заряда |
flnqs | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения вертикального неквазистатического эффекта |
kf | 0.0 | нет |
Коэффициент 1/f-шума |
af | 2.0 | нет |
Показатель степени 1/f-шума |
cfbe | -1 | нет |
Флаг, определяющий, где поместить источник фликкер-шума |
flcono | 0 | нет |
Flag for turning on and off of correlated noise implementation |
kfre | 0.0 | нет |
Emitter resistance flicker noise coefficient |
afre | 2.0 | нет |
Emitter resistance flicker noise exponent factor |
latb | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении ширины эмиттера |
latl | 0.0 | нет |
Масштабный множитель для коллекторных неосновных носителей в направлении длины эмиттера |
vgb | 1.17 | нет |
Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V) |
alt0 | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter T0 (1/K) |
kt0 | 0.0 | нет |
Относительный температурный коэффициент второго порядка для параметра T0 |
zetaci | 0.0 | нет |
Температурный показатель для RCI0 |
alvs | 0.0 | нет |
Relative TC of saturation drift velocity (1/K) |
alces | 0.0 | нет |
Relative TC of VCES (1/K) |
zetarbi | 0.0 | нет |
Температурный показатель внутреннего сопротивления базы |
zetarbx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления базы |
zetarcx | 0.0 | нет |
Температурный показатель внешнего сопротивления коллектора |
zetare | 0.0 | нет |
Температурный показатель сопротивления эмиттера |
zetacx | 1.0 | нет |
Температурный показатель подвижности во времени пролета транзистора подложки |
vge | 1.17 | нет |
Effective emitter bandgap voltage (V) |
vgc | 1.17 | нет |
Effective collector bandgap voltage (V) |
vgs | 1.17 | нет |
Effective substrate bandgap voltage (V) |
f1vg | -1.02377e-4 | нет |
Коэффициент K1 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
f2vg | 4.3215e-4 | нет |
Коэффициент K2 в зависящем от T уравнении потенциального барьера |
zetact | 3.0 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока переноса |
zetabet | 3.5 | нет |
Коэффициент в показателе степени в температурной зависимости тока Б-Э перехода |
alb | 0.0 | нет |
Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K) |
dvgbe | 0 | нет |
Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V) |
zetahjei | 1 | нет |
Temperature coefficient for ahjEi |
zetavgbe | 1 | нет |
Temperature coefficient for hjEi0 |
flsh | 0 | нет |
Флаг для включения и выключения эффекта саморазогрева |
rth | 0.0 | нет |
Thermal resistance (K/W) |
zetarth | 0.0 | нет |
Temperature coefficient for Rth |
alrth | 0.0 | нет |
First order relative TC of parameter Rth (1/K) |
cth | 0.0 | нет |
Thermal capacitance (J/W) |
flcomp | 0.0 | нет |
Флаг для совместимости с моделью v2.1 (0=v2.1) |
tnom | 27.0 | нет |
Temperature at which parameters are specified (C) |
dt | 0.0 | нет |
Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K) |
Temp | 27.0 | нет |
температура моделирования |
Фотодиод¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Фотодиод |
Описание |
Verilog-модель фотодиода |
Schematic entry | photodiode |
Netlist entry | PD |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | photodiode |
Свойства |
23 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
N | 1.35 | нет |
коэффициент эмиссии фотодиода |
Rseries | 1e-3 | нет |
series lead resistance (Ohm) |
Is | 0.34e-12 | нет |
diode dark current (A) |
Bv | 60 | нет |
reverse breakdown voltage (V) |
Ibv | 1e-3 | нет |
current at reverse breakdown voltage (A) |
Vj | 0.7 | нет |
junction potential (V) |
Cj0 | 60e-12 | нет |
zero-bias junction capacitance (F) |
M | 0.5 | нет |
коэффициент неидеальности |
Area | 1.0 | нет |
относительная площадь диода |
Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
Fc | 0.5 | нет |
коэффициент аппроксимации барьерной емкости при прямом смещении |
Tt | 10e-9 | нет |
transit time (s) |
Xti | 3.0 | нет |
температурный показатель тока насыщения |
Eg | 1.16 | нет |
energy gap (eV) |
Responsivity | 0.5 | нет |
responsivity (A/W) |
Rsh | 5e8 | нет |
shunt resistance (Ohm) |
QEpercent | 80 | нет |
quantum efficiency (%) |
Lambda | 900 | нет |
light wavelength (nm) |
LEVEL | 1 | нет |
настройка калькулятора чувствительности |
Kf | 1e-12 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1.0 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Ffe | 1.0 | нет |
частотная зависимость 1/f-шума |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Фототранзистор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Фототранзистор |
Описание |
Verilog-модель фототранзистора |
Schematic entry | phototransistor |
Netlist entry | PT |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | phototransistor |
Свойства |
30 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Bf | 100 | нет |
прямой коэффициент передачи тока |
Br | 0.1 | нет |
обратный коэффициент передачи тока |
Is | 1e-10 | нет |
dark current (A) |
Nf | 1 | нет |
коэффициент прямой эмиссии |
Nr | 1 | нет |
коэффициент обратной эмиссии |
Vaf | 100 | нет |
forward early voltage (V) |
Var | 100 | нет |
reverse early voltage (V) |
Mje | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-эмиттерного перехода |
Vje | 0.75 | нет |
base-emitter junction built-in potential (V) |
Cje | 1e-12 | нет |
base-emitter zero-bias depletion capacitance (F) |
Mjc | 0.33 | нет |
множитель экспоненты базо-коллекторного перехода |
Vjc | 0.75 | нет |
base-collector junction built-in potential (V) |
Cjc | 2e-12 | нет |
base-collector zero-bias depletion capacitance (F) |
Tr | 100n | нет |
ideal reverse transit time (s) |
Tf | 0.1n | нет |
ideal forward transit time (s) |
Ikf | 10 | нет |
high current corner for forward beta (A) |
Ikr | 10 | нет |
high current corner for reverse beta (A) |
Rc | 10 | нет |
collector series resistance (Ohm) |
Re | 1 | нет |
emitter series resistance (Ohm) |
Rb | 100 | нет |
base series resistance (Ohm) |
Kf | 1e-12 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Ffe | 1 | нет |
коэффициент 1/f-шума |
Af | 1 | нет |
показатель степени 1/f-шума |
Responsivity | 1.5 | нет |
responsivity at relative selectivity=100% (A/W) |
P0 | 2.6122e3 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
P1 | -1.489e1 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
P2 | 3.0332e-2 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
P3 | -2.5708e-5 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
P4 | 7.6923e-9 | нет |
коэффициент полинома относительной избирательности |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования |
Nigbt¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | NIGBT |
Описание |
NIGBT verilog device |
Schematic entry | nigbt |
Netlist entry | T |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | nigbt |
Свойства |
19 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Agd | 5.0e-6 | нет |
gate-drain overlap area (m**2) |
Area | 1.0e-5 | нет |
area of the device (m**2) |
Kp | 0.38 | нет |
MOS transconductance (A/V**2) |
Tau | 7.1e-6 | нет |
ambipolar recombination lifetime (s) |
Wb | 9.0e-5 | нет |
metallurgical base width (m) |
BVf | 1.0 | нет |
avalanche uniformity factor |
BVn | 4.0 | нет |
avalanche multiplication exponent |
Cgs | 1.24e-8 | нет |
gate-source capacitance per unit area (F/cm**2) |
Coxd | 3.5e-8 | нет |
gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2) |
Jsne | 6.5e-13 | нет |
emitter saturation current density (A/cm**2) |
Kf | 1.0 | нет |
triode region factor |
Mun | 1.5e-3 | нет |
electron mobility (cm**2/Vs) |
Mup | 4.5e-2 | нет |
hole mobility (cm**2/Vs) |
Nb | 2.0e14 | нет |
base doping (1/cm**3) |
Theta | 0.02 | нет |
transverse field factor (1/V) |
Vt | 4.7 | нет |
threshold voltage (V) |
Vtd | 1.0e-3 | нет |
gate-drain overlap depletion threshold (V) |
Tnom | 26.85 | нет |
parameter measurement temperature (Celsius) |
Temp | 26.85 | нет |
simulation temperature (Celsius) |
Voltage Controlled Resistor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Voltage Controlled Resistor |
Описание |
источник напряжения, управляемый напряжением |
Schematic entry | vcresistor |
Netlist entry | VCR |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | vcresistor |
Свойства |
1 |
Category | устройства verilog-a |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
gain | 1 | да |
resistance gain |
Digital Components¶
Digital Source¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | цифровой источник |
Описание |
цифровой источник |
Schematic entry | DigiSource |
Netlist entry | S |
Тип |
Component |
Bitmap file | digi_source |
Свойства |
4 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Num | 1 | да |
номер порта |
init | low | нет |
initial output value [low, high] |
times | 1ns; 1ns | нет |
моменты времени для изменения выходного значения |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
Инвертор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Инвертор |
Описание |
логический инвертор |
Schematic entry | Inv |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | inverter |
Свойства |
4 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Or¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-входовое ИЛИ |
Описание |
логическое ИЛИ |
Schematic entry | OR |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | or |
Свойства |
5 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Nor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-входовое НЕ-ИЛИ |
Описание |
логическое НЕ-ИЛИ |
Schematic entry | NOR |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | nor |
Свойства |
5 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port And¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-входовое И |
Описание |
логическое И |
Schematic entry | AND |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | and |
Свойства |
5 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Nand¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-входовое НЕ-И |
Описание |
логическое НЕ-И |
Schematic entry | NAND |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | nand |
Свойства |
5 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Xor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-входовое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ |
Описание |
логическое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ |
Schematic entry | XOR |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | xor |
Свойства |
5 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
N-Port Xnor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | n-входовое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ НЕ-ИЛИ |
Описание |
логическое ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ НЕ-ИЛИ |
Schematic entry | XNOR |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | xnor |
Свойства |
5 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
in | 2 | нет |
число входов |
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
Буфер¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Буфер |
Описание |
логический буфер |
Schematic entry | Buf |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | buffer |
Свойства |
4 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
В |
1 V | нет |
напряжение высокого уровня |
t | 0 | нет |
время задержки |
TR | 10 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Symbol | old | нет |
schematic symbol [old, DIN40900] |
4X2 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4x2 И-Или |
Описание |
verilog-модель 4x2 и-или |
Schematic entry | andor4x2 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | andor4x2 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4X3 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4x3 И-Или |
Описание |
verilog-модель 4x3 и-или |
Schematic entry | andor4x3 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | andor4x3 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4X4 Andor¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4x4 И-Или |
Описание |
verilog-модель 4x4 и-или |
Schematic entry | andor4x4 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | andor4x4 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Мультиплексор 2в1 |
Описание |
verilog-модель мультиплексора 2в1 |
Schematic entry | mux2to1 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | mux2to1 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Мультиплексор 4в1 |
Описание |
verilog-модель мультиплексора 4в1 |
Schematic entry | mux4to1 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | mux4to1 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
8To1 Mux¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Мультиплексор 8в1 |
Описание |
verilog-модель мультиплексора 8в1 |
Schematic entry | mux8to1 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | mux8to1 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2To4 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Демультиплексор 2на4 |
Описание |
verilog-модель демультиплексора 2на4 |
Schematic entry | dmux2to4 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | dmux2to4 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
3To8 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Демультиплексор 3на8 |
Описание |
verilog-модель демультиплексора 3на8 |
Schematic entry | dmux3to8 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | dmux3to8 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4To16 Demux¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Демультиплексор 4на16 |
Описание |
verilog-модель демультиплексора 4на16 |
Schematic entry | dmux4to16 |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | dmux4to16 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
1Bit Halfadder¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 1-битный полусумматор |
Описание |
verilog-модель 1-битного полусумматора |
Schematic entry | ha1b |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | ha1b |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
1Bit Fulladder¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 1-битный полный сумматор |
Описание |
verilog-модель 1-битного полного сумматора |
Schematic entry | fa1b |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | fa1b |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2Bit Fulladder¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 2-битный полный сумматор |
Описание |
verilog-модель 2-битного полного сумматора |
Schematic entry | fa2b |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | fa2b |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
Rs-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | RS-триггер |
Описание |
RS-триггер |
Schematic entry | RSFF |
Netlist entry | Y |
Тип |
DigitalComponent |
Bitmap file | rsflipflop |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
t | 0 | нет |
время задержки |
D-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | D-триггер |
Описание |
D-триггер с асинхронным сбросом |
Schematic entry | DFF |
Netlist entry | Y |
Тип |
DigitalComponent |
Bitmap file | dflipflop |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
t | 0 | нет |
время задержки |
D-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | D-триггер с SR |
Описание |
verilog-модель D-триггера с установкой и сбросом |
Schematic entry | dff_SR |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | dff_SR |
Свойства |
3 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
Jk-Flipflop¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | JK-триггер |
Описание |
JK-триггер с асинхронными входами установки и сброса |
Schematic entry | JKFF |
Netlist entry | Y |
Тип |
DigitalComponent |
Bitmap file | jkflipflop |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
t | 0 | нет |
время задержки |
Jk-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | JK триггер с SR |
Описание |
verilog-модель JK триггера с установкой и сбросом |
Schematic entry | jkff_SR |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | jkff_SR |
Свойства |
3 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
T-Flipflop W/ Sr¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | T-триггер с SR |
Описание |
verilog-модель T-триггера с установкой и сбросом |
Schematic entry | tff_SR |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | tff_SR |
Свойства |
3 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
Управляемая D-защелка¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Управляемая D-защелка |
Описание |
verilog-модель управляемой D-защелки |
Schematic entry | gatedDlatch |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | gatedDlatch |
Свойства |
3 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR_H | 6 | нет |
верхний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
TR_L | 5 | нет |
нижний масштабный коэффициент передаточной функции затвора с перекрестными связями |
Delay | 1 ns | нет |
cross coupled gate delay (s) |
Логический 0¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Логический 0 |
Описание |
verilog-модель логического 0 |
Schematic entry | logic_0 |
Netlist entry | S |
Тип |
Component |
Bitmap file | logic_0 |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
LEVEL | 0 | нет |
logic 0 voltage level (V) |
Логическая 1¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Логическая 1 |
Описание |
verilog-модель логической 1 |
Schematic entry | logic_1 |
Netlist entry | S |
Тип |
Component |
Bitmap file | logic_1 |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
LEVEL | 1 | нет |
logic 1 voltage level (V) |
2-битный генератор кодов¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 2-битный генератор кодов |
Описание |
verilog-модель 2-битного генератора кодов |
Schematic entry | pad2bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | pad2bit |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Number | 0 | нет |
выходное значение генератора испытательных сигналов |
3-битный генератор кодов¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 3-битный генератор кодов |
Описание |
verilog-модель 3-битного генератора кодов |
Schematic entry | pad3bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | pad3bit |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Number | 0 | нет |
выходное значение генератора испытательных сигналов |
4-битный генератор кодов¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4-битный генератор кодов |
Описание |
verilog-модель 4-битного генератора кодов |
Schematic entry | pad4bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | pad4bit |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Number | 0 | нет |
выходное значение генератора испытательных сигналов |
Схема сдвига уровня А-Ц¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Схема сдвига уровня А-Ц |
Описание |
verilog-модель схемы сдвига уровня (аналогового в цифровой) |
Schematic entry | DLS_nto1 |
Netlist entry | Y |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | DLS_nto1 |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
LEVEL | 5 V | нет |
voltage level (V) |
Delay | 1 ns | нет |
time delay (s) |
Схема сдвига уровня Ц-А¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Схема сдвига уровня Ц-А |
Описание |
verilog-модель схемы сдвига уровня (цифрового в аналоговый) |
Schematic entry | DLS_1ton |
Netlist entry | Y |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | DLS_1ton |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
LEVEL | 5 V | нет |
уровень напряжения |
Delay | 1 ns | нет |
time delay (s) |
4Bit Bin2Grey¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4Bit Bin2Grey |
Описание |
verilog-модель преобразователя 4-битного двоичного кода в код Грея |
Schematic entry | binarytogrey4bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | binarytogrey4bit |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4Bit Grey2Bin¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4Bit Grey2Bin |
Описание |
verilog-модель преобразователя 4-битного кода Грея в двоичный |
Schematic entry | greytobinary4bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | greytobinary4bit |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
1-битный компаратор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 1-битный компаратор |
Описание |
verilog-модель 1-битного компаратора |
Schematic entry | comp_1bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | comp_1bit |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
2-битный компаратор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 2-битный компаратор |
Описание |
verilog-модель 2-битного компаратора |
Schematic entry | comp_2bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | comp_2bit |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4-битный компаратор¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4-битный компаратор |
Описание |
verilog-модель 4-битного компаратора |
Schematic entry | comp_4bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | comp_4bit |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
крупномасштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
4Bit Hpri-Bin¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | 4Bit HPRI-Bin |
Описание |
verilog-модель 4-битного шифратора по наивысшему приоритету (двоичная форма) |
Schematic entry | hpribin4bit |
Netlist entry | Y |
Тип |
Component |
Bitmap file | hpribin4bit |
Свойства |
2 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
TR | 6 | нет |
масштабный коэффициент передаточной функции |
Delay | 1 ns | нет |
output delay (s) |
Vhdl File¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Файл VHDL |
Описание |
Файл VHDL |
Schematic entry | VHDL |
Netlist entry | X |
Тип |
DigitalComponent |
Bitmap file | vhdlfile |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
sub.vhdl | нет |
Имя файла VHDL |
Verilog File¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Файл Verilog |
Описание |
Файл Verilog |
Schematic entry | Verilog |
Netlist entry | X |
Тип |
DigitalComponent |
Bitmap file | vhdlfile |
Свойства |
1 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
sub.v | нет |
Имя Verilog-файла |
Digital Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | цифровое моделирование |
Описание |
цифровое моделирование |
Schematic entry | .Digi |
Netlist entry | Digi |
Тип |
DigitalComponent |
Bitmap file | digi |
Свойства |
3 |
Category | цифровые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
TruthTable | да |
type of simulation [TruthTable, TimeList] |
time | 10 ns | нет |
продолжительность моделирования по списку моментов времени |
Model | VHDL | нет |
netlist format [VHDL, Verilog] |
File Components¶
Spice Netlist¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | схема SPICE |
Описание |
схемный файл SPICE |
Schematic entry | SPICE |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | spicefile |
Свойства |
4 |
Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
да |
x | |
Ports | нет |
x | |
Sim | да |
нет |
x |
Preprocessor | none | нет |
x |
1-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | файл с S-параметрами двухполюсника |
Описание |
файл с S параметрами |
Schematic entry | SPfile |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | spfile1 |
Свойства |
5 |
Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
test.s1p | да |
имя файла с S параметрами |
Данные |
rectangular | нет |
data type [rectangular, polar] |
Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [linear, cubic] |
duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
Ports | 1 | нет |
количество портов |
2-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | файл S-параметров четырехполюсника |
Описание |
файл с S параметрами |
Schematic entry | SPfile |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | spfile2 |
Свойства |
5 |
Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
test.s2p | да |
имя файла с S параметрами |
Данные |
rectangular | нет |
data type [rectangular, polar] |
Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [linear, cubic] |
duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
Ports | 2 | нет |
количество портов |
N-Port S Parameter File¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | файл S-параметров n-портового устройства |
Описание |
файл с S параметрами |
Schematic entry | SPfile |
Netlist entry | X |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | spfile3 |
Свойства |
5 |
Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
test.s3p | да |
имя файла с S параметрами |
Данные |
rectangular | нет |
data type [rectangular, polar] |
Interpolator | линейный |
нет |
interpolation type [linear, cubic] |
duringDC | open | нет |
representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified] |
Ports | 3 | нет |
количество портов |
Подсхема¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Подсхема |
Описание |
подсхема |
Schematic entry | Sub |
Netlist entry | SUB |
Тип |
Component |
Bitmap file | подсхема |
Свойства |
1 |
Category | файловые компоненты |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Файл |
нет |
имя схемного файла Qucs |
Simulations¶
Dc Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | моделирование на постоянном токе |
Описание |
моделирование на постоянном токе |
Schematic entry | .DC |
Netlist entry | DC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | dc |
Свойства |
9 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
reltol | 0.001 | нет |
относительный допуск для конвергенции |
abstol | 1 pA | нет |
абсолютный допуск для токов |
vntol | 1 uV | нет |
абсолютный допуск для напряжений |
saveOPs | нет |
нет |
put operating points into dataset [yes, no] |
MaxIter | 150 | нет |
максимальное число итераций до возникновения ощибки |
saveAll | нет |
нет |
save subcircuit nodes into dataset [yes, no] |
convHelper | none | нет |
preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping] |
Solver | CroutLU | нет |
method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD] |
Transient Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Моделирование переходного процесса |
Описание |
моделирование переходного процесса |
Schematic entry | .TR |
Netlist entry | TR |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | tran |
Свойства |
20 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
Start | 0 | да |
начальное время в секундах |
Stop | 1 ms | да |
конечное время в секундах |
Points | 11 | нет |
число шагов времени моделирования |
IntegrationMethod | Trapezoidal | нет |
integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton] |
Order | 2 | нет |
order of integration method (1-6) |
InitialStep | 1 ns | нет |
начальный размер шага в секундах |
MinStep | 1e-16 | нет |
минимальный размер шага в секундах |
MaxIter | 150 | нет |
максимальное число итераций до возникновения ощибки |
reltol | 0.001 | нет |
относительный допуск для конвергенции |
abstol | 1 pA | нет |
абсолютный допуск для токов |
vntol | 1 uV | нет |
абсолютный допуск для напряжений |
Temp | 26.85 | нет |
температура моделирования в °C |
LTEreltol | 1e-3 | нет |
относительный допуск на локальные ошибки усечения |
LTEabstol | 1e-6 | нет |
абсолютный допуск на локальные ошибки усечения |
LTEfactor | 1 | нет |
верхний предел переоценки ошибок усечения |
Solver | CroutLU | нет |
method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD] |
relaxTSR | нет |
нет |
relax time step raster [no, yes] |
initialDC | да |
нет |
perform an initial DC analysis [yes, no] |
MaxStep | 0 | нет |
максимальный размер шага в секундах |
Ac Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | моделирование на переменном токе |
Описание |
моделирование на переменном токе |
Schematic entry | .AC |
Netlist entry | AC |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | ac |
Свойства |
5 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
Start | 1 GHz | да |
начальная частота в герцах |
Stop | 10 GHz | да |
конечная частота в герцах |
Points | 19 | да |
количество шагов моделирования |
Noise | нет |
нет |
calculate noise voltages [yes, no] |
S-Parameter Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Моделирование S-параметров |
Описание |
Моделирование S параметров |
Schematic entry | .SP |
Netlist entry | SP |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | sparameter |
Свойства |
9 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
Start | 1 GHz | да |
начальная частота в герцах |
Stop | 10 GHz | да |
конечная частота в герцах |
Points | 19 | да |
количество шагов моделирования |
Noise | нет |
нет |
calculate noise parameters [yes, no] |
NoiseIP | 1 | нет |
входной порт для фактора шума |
NoiseOP | 2 | нет |
выходной порт для фактора шума |
saveCVs | нет |
нет |
put characteristic values into dataset [yes, no] |
saveAll | нет |
нет |
save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no] |
Harmonic Balance¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Гармонический баланс |
Описание |
Моделирование гармонического баланса |
Schematic entry | .HB |
Netlist entry | HB |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | hb |
Свойства |
6 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
f | 1 GHz | нет |
частота в герцах |
n | 4 | да |
число гармоник |
iabstol | 1 pA | нет |
абсолютный допуск для токов |
vabstol | 1 uV | нет |
абсолютный допуск для напряжений |
reltol | 0.001 | нет |
относительный допуск для конвергенции |
MaxIter | 150 | нет |
максимальное число итераций до возникновения ощибки |
Parameter Sweep¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | Развертка параметра |
Описание |
Развертка параметра |
Schematic entry | .SW |
Netlist entry | SW |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | sweep |
Свойства |
6 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Sim | да |
моделирование для вариации параметра |
|
Тип |
lin | да |
sweep type [lin, log, list, const] |
Param | R1 | да |
параметр для развертки |
Start | 5 Ohm | да |
начальное значение развертки |
Stop | 50 Ohm | да |
конечное значение развертки |
Points | 20 | да |
количество шагов моделирования |
Digital Simulation¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | цифровое моделирование |
Описание |
цифровое моделирование |
Schematic entry | .Digi |
Netlist entry | Digi |
Тип |
DigitalComponent |
Bitmap file | digi |
Свойства |
3 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Тип |
TruthTable | да |
type of simulation [TruthTable, TimeList] |
time | 10 ns | нет |
продолжительность моделирования по списку моментов времени |
Model | VHDL | нет |
netlist format [VHDL, Verilog] |
Оптимизация¶
Symbol¶
Component Data¶
Field | Значение |
---|---|
Caption | оптимизация |
Описание |
Оптимизация |
Schematic entry | .Opt |
Netlist entry | Opt |
Тип |
AnalogComponent |
Bitmap file | optimize |
Свойства |
2 |
Category | виды моделирования |
Component Parameters¶
Имя |
Значение |
Display | Описание |
---|---|---|---|
Sim | нет |
||
DE | 3|50|2|20|0.85|1|3|1e-6|10|100 | нет |