Component Reference¶

Lumped Components¶

Motstånd¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Motstånd
Beskrivning	motstånd
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	motstånd
Egenskaper	6
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
R	50 Ohm	ja	omskt motstånd i ohm
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tc1	0.0	nej	första ordningens temperaturkoefficient
Tc2	0.0	nej	andra ordningens temperaturkoefficient
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Symbol	european	nej	schematic symbol [european, US]

Resistor Us¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Motstånd US
Beskrivning	motstånd
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	resistor_us
Egenskaper	6
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
R	50 Ohm	ja	omskt motstånd i ohm
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tc1	0.0	nej	första ordningens temperaturkoefficient
Tc2	0.0	nej	andra ordningens temperaturkoefficient
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Symbol	US	nej	schematic symbol [european, US]

Kondensator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Kondensator
Beskrivning	kondensator
Schematic entry	`C`
Netlist entry	`C`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	kondensator
Egenskaper	3
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
C	1 pF	ja	kapacitans i F
V		nej	initial voltage for transient simulation
Symbol	neutral	nej	schematic symbol [neutral, polar]

Ledare¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Ledare
Beskrivning	ledare
Schematic entry	`L`
Netlist entry	`L`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ledare
Egenskaper	2
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L	1 nH	ja	induktans i H
I		nej	initial current for transient simulation

Jord¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Jord
Beskrivning	jord (referenspotential)
Schematic entry	`GND`
Netlist entry
Typ	Komponent
Bitmap file	gnd
Egenskaper	0
Category	lumped components

Delkretsport¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Delkretsport
Beskrivning	en delkrets port
Schematic entry	`Port`
Netlist entry	`P`
Typ	Komponent
Bitmap file	subport
Egenskaper	2
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Num	1	ja	nummer på porten inom delkretsen
Typ	analog	nej	type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout]

Transformator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Transformator
Beskrivning	ideal transformator
Schematic entry	`Tr`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	transformer
Egenskaper	1
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
T	1	ja	spänningsomsättning

Symmetric Transformer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	symmetrisk transformator
Beskrivning	ideal symetrisk transformator
Schematic entry	`sTr`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	symtrans
Egenskaper	2
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
T1	1	ja	spänningsomsättning hos spole 1
T2	1	ja	spänningsomsättning hos spole 2

Dc Block¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	dc-blockering
Beskrivning	dc-blockering
Schematic entry	`DCBlock`
Netlist entry	`C`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dcblock
Egenskaper	1
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
C	1 uF	nej	för transientsimulering: kapacitans i C

Dc Feed¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	dc-matning
Beskrivning	dc-matning
Schematic entry	`DCFeed`
Netlist entry	`L`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dcfeed
Egenskaper	1
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L	1 uH	nej	för transientsimulering: induktans i H

Bias T¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Bias T
Beskrivning	bias t
Schematic entry	`BiasT`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	biast
Egenskaper	2
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L	1 uH	nej	för transientsimulering: induktans i H
C	1 uF	nej	för transientsimulering: kapacitans i C

Dämpsats¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Dämpsats
Beskrivning	dämpsats
Schematic entry	`Attenuator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dämpsats
Egenskaper	3
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L	10 dB	ja	effektdämpning
Zref	50 Ohm	nej	referensimpedans
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Förstärkare¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Förstärkare
Beskrivning	ideal förstärkare
Schematic entry	`Amp`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	amplifier
Egenskaper	4
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
G	10	ja	spänningsförstärkning
Z1	50 Ohm	nej	referensimpedans för inport
Z2	50 Ohm	nej	referensimpedans för utport
NF	0 dB	nej	noise figure

Isolator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Isolator
Beskrivning	isolator
Schematic entry	`Isolator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	isolator
Egenskaper	3
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Z1	50 Ohm	nej	referensimpedans för inport
Z2	50 Ohm	nej	referensimpedans för utport
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Cirkulator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Cirkulator
Beskrivning	cirkulator
Schematic entry	`Circulator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cirkulator
Egenskaper	3
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Z1	50 Ohm	nej	referensimpedans i port 1
Z2	50 Ohm	nej	referensimpedans i port 2
Z3	50 Ohm	nej	referensimpedans i port 3

Gyrator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Gyrator
Beskrivning	gyrator (impedansinverterare)
Schematic entry	`Gyrator`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	gyrator
Egenskaper	2
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
R	50 Ohm	ja	gyratorförhållande
Zref	50 Ohm	nej	referensimpedans

Fasvridare¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Fasvridare
Beskrivning	fasvridare
Schematic entry	`PShift`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pshifter
Egenskaper	2
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
phi	90	ja	fasvridning i grader
Zref	50 Ohm	nej	referensimpedans

Coupler¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Coupler
Beskrivning	ideal coupler
Schematic entry	`Coupler`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	coupler
Egenskaper	3
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
k	0.7071	ja	coupling factor
phi	180	ja	phase shift of coupling path in degree
Z	50 Ohm	nej	referensimpedans

Hybrid¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Hybrid
Beskrivning	hybrid (unsymmetrical 3dB coupler)
Schematic entry	`Hybrid`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	hybrid
Egenskaper	2
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
phi	90	ja	fasvridning i grader
Zref	50 Ohm	nej	referensimpedans

Strömprob¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Strömprob
Beskrivning	strömprob
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Egenskaper	0
Category	lumped components

Spänningsprob¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Spänningsprob
Beskrivning	spänningsprob
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Egenskaper	0
Category	lumped components

Ömsesidiga induktanser¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Ömsesidiga induktanser
Beskrivning	två ömsesidiga induktanser
Schematic entry	`MUT`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mutual
Egenskaper	3
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L1	1 mH	nej	induktans hos spole 1
L2	1 mH	nej	induktans hos spole 2
k	0.9	nej	kopplingsfaktor mellan spole 1 och 2

3 ömsesidiga induktanser¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	3 ömsesidiga induktanser
Beskrivning	tre ömsesidiga induktanser
Schematic entry	`MUT2`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mutual2
Egenskaper	6
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L1	1 mH	nej	induktans hos spole 1
L2	1 mH	nej	induktans hos spole 2
L3	1 mH	nej	induktans hos spole 3
k12	0.9	nej	kopplingsfaktor mellan spole 1 och 2
k13	0.9	nej	kopplingsfaktor mellan spole 1 och 3
k23	0.9	nej	kopplingsfaktor mellan spole 2 och 3

N Mutual Inductors¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	N Mutual Inductors
Beskrivning	several mutual inductors
Schematic entry	`MUTX`
Netlist entry	`Tr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mutualx
Egenskaper	11
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
coils	4	nej	number of mutual inductances
L1	1 mH	nej	induktans hos spole 1
L2	1 mH	nej	induktans hos spole 2
L3	1 mH	nej	induktans hos spole 3
L4	1 mH	nej	inductance of coil 4
k12	0.9	nej	coupling factor between coil 1 and coil 2
k13	0.9	nej	coupling factor between coil 1 and coil 3
k14	0.9	nej	coupling factor between coil 1 and coil 4
k23	0.9	nej	coupling factor between coil 2 and coil 3
k24	0.9	nej	coupling factor between coil 2 and coil 4
k34	0.9	nej	coupling factor between coil 3 and coil 4

Omkopplare¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Omkopplare
Beskrivning	omkopplare (tidsstyrd)
Schematic entry	`Switch`
Netlist entry	`S`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	switch
Egenskaper	6
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
init	off	nej	initial state [on, off]
time	1 ms	nej	time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated)
Ron	0	nej	resistans vid “on”-tillstånd i ohm
Roff	1e12	nej	resistans vid “off”-tillstånd i ohm
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
MaxDuration	1e-6	nej	Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number)

Relay¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Relay
Beskrivning	relay
Schematic entry	`Relais`
Netlist entry	`S`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	relais
Egenskaper	5
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Vt	0.5 V	nej	spänningströskel i V
Vh	0.1 V	nej	hysteresspänning i V
Ron	0	nej	resistans vid “on”-tillstånd i Ohm
Roff	1e12	nej	resistans vid “off”-tillstånd i Ohm
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Equation Defined Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Equation Defined RF Device
Beskrivning	equation defined RF device
Schematic entry	`RFEDD`
Netlist entry	`RF`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Egenskaper	7
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	Y	nej	type of parameters [Y, Z, S]
Ports	2	nej	antal portar
duringDC	open	nej	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	nej	parameter equation 11
P12	0	nej	parameter equation 12
P21	0	nej	parameter equation 21
P22	0	nej	parameter equation 22

Equation Defined 2-Port Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Equation Defined 2-port RF Device
Beskrivning	equation defined 2-port RF device
Schematic entry	`RFEDD2P`
Netlist entry	`RF`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Egenskaper	6
Category	lumped components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	Y	nej	type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T]
duringDC	open	nej	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	nej	parameter equation 11
P12	0	nej	parameter equation 12
P21	0	nej	parameter equation 21
P22	0	nej	parameter equation 22

Sources¶

Dc Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	likströmsspänningskälla
Beskrivning	ideal likströmsspänningskälla
Schematic entry	`Vdc`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dc_voltage
Egenskaper	1
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
U	1 V	ja	spänning i V

Dc Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	dc-strömkälla
Beskrivning	idideal dc-strömkälla
Schematic entry	`Idc`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dc_current
Egenskaper	1
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
I	1 mA	ja	ström i A

Ac Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	växelströmsspänningskälla
Beskrivning	ideal växelströmsspänninsgkälla
Schematic entry	`Vac`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ac_voltage
Egenskaper	4
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
U	1 V	ja	toppspänning i V
f	1 GHz	nej	frekvens i Hz
Phase	0	nej	begynnelsefas i grader
Theta	0	nej	dämpningsfaktor (endast transient simulering)

Ac Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	ac-strömkälla
Beskrivning	ideal ac-strömkälla
Schematic entry	`Iac`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ac_current
Egenskaper	4
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
I	1 mA	ja	toppström i A
f	1 GHz	nej	frekvens i Hz
Phase	0	nej	begynnelsefas i grader
Theta	0	nej	dämpningsfaktor (endast transient simulering)

Effektkälla¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Effektkälla
Beskrivning	växelströmskraftkälla
Schematic entry	`Pac`
Netlist entry	`P`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	source
Egenskaper	5
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Num	1	ja	portens nummer
Z	50 Ohm	ja	portimpedans
P	0 dBm	nej	(available) ac power in Watts
f	1 GHz	nej	frekvens i Hz
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Brusspänningskälla¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Brusspänningskälla
Beskrivning	brusspänningskälla
Schematic entry	`Vnoise`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_volt
Egenskaper	4
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
u	1e-6	ja	spänningseffekttäthet i V²/Hz
e	0	nej	frekvensexponent
c	1	nej	frekvenskoefficient
a	0	nej	additativ frekvensterm

Brusströmkälla¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Brusströmkälla
Beskrivning	brusströmkälla
Schematic entry	`Inoise`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_current
Egenskaper	4
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
i	1e-6	ja	strömeffektspektraltäthet i A²/Hz
e	0	nej	frekvensexponent
c	1	nej	frekvenskoefficient
a	0	nej	additativ frekvensterm

Spänningsstyrd strömkälla¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Spänningsstyrd strömkälla
Beskrivning	spänningsstyrd strömkälla
Schematic entry	`VCCS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vccs
Egenskaper	2
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
G	1 S	ja	framtranskondutans
T	0	nej	fördröjningstid

Strömstrýrd strömkälla¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Strömstrýrd strömkälla
Beskrivning	strömstyrd strömkälla
Schematic entry	`CCCS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cccs
Egenskaper	2
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
G	1	ja	forward transfer factor
T	0	nej	fördröjningstid

Spänningsstyrd spänningskälla¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Spänningsstyrd spänningskälla
Beskrivning	spänningsstyrd spänningskälla
Schematic entry	`VCVS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vcvs
Egenskaper	2
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
G	1	ja	forward transfer factor
T	0	nej	fördröjningstid

Strömstyrd spänningskälla¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Strömstyrd spänningskälla
Beskrivning	strömstyrd spänningskälla
Schematic entry	`CCVS`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ccvs
Egenskaper	2
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
G	1 Ohm	ja	forward transfer factor
T	0	nej	fördröjningstid

Spänningspuls¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Spänningspuls
Beskrivning	ideal spänningspulskälla
Schematic entry	`Vpulse`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vpulse
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
U1	0 V	ja	spänning före och efter pulsen
U2	1 V	ja	pulsens spänning
T1	0	ja	starttidpunkt för pulsen
T2	1 ms	ja	sluttidpunkt för pulsen
Tr	1 ns	nej	stigtid på inledande flanken
Tf	1 ns	nej	falltid på avslutade flanken

Strömpuls¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Strömpuls
Beskrivning	ideal strömpulskälla
Schematic entry	`Ipulse`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ipulse
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
I1	0	ja	ström före och efter pulsen
I2	1 A	ja	pulsens ström
T1	0	ja	starttidpunkt för pulsen
T2	1 ms	ja	sluttidpunkt för pulsen
Tr	1 ns	nej	stigtid på inledande flanken
Tf	1 ns	nej	falltid på avslutade flanken

Rektangelspänning¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Rektangelspänning
Beskrivning	ideal rektangulär spänningskälla
Schematic entry	`Vrect`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vrect
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
U	1 V	ja	spänning hög vid signal
TH	1 ms	ja	längd på stor puls
TL	1 ms	ja	längd på små pulser
Tr	1 ns	nej	stigtid på inledande flanken
Tf	1 ns	nej	falltid på avslutade flanken
Td	0 ns	nej	initial delay time

Rektangelström¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Rektangelström
Beskrivning	ideal rektangelformad strömkälla
Schematic entry	`Irect`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	irect
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
I	1 mA	ja	ström vid stor puls
TH	1 ms	ja	längd på stor puls
TL	1 ms	ja	längd på små pulser
Tr	1 ns	nej	stigtid på inledande flanken
Tf	1 ns	nej	falltid på avslutade flanken
Td	0 ns	nej	initial delay time

Korrelerade bruskällor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Korrelerade bruskällor
Beskrivning	korrelerade strömkällor
Schematic entry	`IInoise`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_ii
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
i1	1e-6	ja	current power spectral density of source 1
i2	1e-6	ja	current power spectral density of source 2
C	0.5	ja	normaliserad korrelationskoefficient
e	0	nej	frekvensexponent
c	1	nej	frekvenskoefficient
a	0	nej	additativ frekvensterm

Korrelerade bruskällor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Korrelerade bruskällor
Beskrivning	korrelerade strömkällor
Schematic entry	`VVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_vv
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
v1	1e-6	ja	voltage power spectral density of source 1
v2	1e-6	ja	voltage power spectral density of source 2
C	0.5	ja	normaliserad korrelationskoefficient
e	0	nej	frekvensexponent
c	1	nej	frekvenskoefficient
a	0	nej	additativ frekvensterm

Korrelerade bruskällor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Korrelerade bruskällor
Beskrivning	korrelerade strömkällor
Schematic entry	`IVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	noise_iv
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
i1	1e-6	ja	current power spectral density of source 1
v2	1e-6	ja	voltage power spectral density of source 2
C	0.5	ja	normaliserad korrelationskoefficient
e	0	nej	frekvensexponent
c	1	nej	frekvenskoefficient
a	0	nej	additativ frekvensterm

Am Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	AM-modulationskälla
Beskrivning	växelströmsspänningskälla med amplitudmodulator
Schematic entry	`AM_Mod`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	am_mod
Egenskaper	4
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
U	1 V	ja	toppspänning i V
f	1 GHz	nej	frekvens i Hz
Phase	0	nej	begynnelsefas i grader
m	1.0	nej	modulationsnivå

Pm Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	PM-modulerad källa
Beskrivning	växleströmsspänninsgkälla med fasmodulator
Schematic entry	`PM_Mod`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pm_mod
Egenskaper	4
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
U	1 V	ja	toppspänning i V
f	1 GHz	nej	frekvens i Hz
Phase	0	nej	begynnelsefas i grader
M	1.0	nej	modulationsindex

Exponential Current Pulse¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Exponential Current Pulse
Beskrivning	exponential current source
Schematic entry	`Iexp`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	iexp
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
I1	0	ja	current before rising edge
I2	1 A	ja	maximum current of the pulse
T1	0	ja	start time of the exponentially rising edge
T2	1 ms	ja	start of exponential decay
Tr	1 ns	nej	time constant of the rising edge
Tf	1 ns	nej	time constant of the falling edge

Exponential Voltage Pulse¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Exponential Voltage Pulse
Beskrivning	exponential voltage source
Schematic entry	`Vexp`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vexp
Egenskaper	6
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
U1	0 V	ja	voltage before rising edge
U2	1 V	ja	maximum voltage of the pulse
T1	0	ja	start time of the exponentially rising edge
T2	1 ms	ja	start of exponential decay
Tr	1 ns	nej	rise time of the rising edge
Tf	1 ns	nej	fall time of the falling edge

File Based Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	File Based Voltage Source
Beskrivning	file based voltage source
Schematic entry	`Vfile`
Netlist entry	`V`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vfile
Egenskaper	5
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File	vfile.dat	ja	name of the sample file
Interpolator	linjär	nej	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	nej	nej	repeat waveform [no, yes]
G	1	nej	spänningsförstärkning
T	0	nej	fördröjningstid

File Based Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	File Based Current Source
Beskrivning	file based current source
Schematic entry	`Ifile`
Netlist entry	`I`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ifile
Egenskaper	5
Category	sources

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File	ifile.dat	ja	name of the sample file
Interpolator	linjär	nej	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	nej	nej	repeat waveform [no, yes]
G	1	nej	current gain
T	0	nej	fördröjningstid

Probes¶

Strömprob¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Strömprob
Beskrivning	strömprob
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Egenskaper	0
Category	probes

Spänningsprob¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Spänningsprob
Beskrivning	spänningsprob
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Egenskaper	0
Category	probes

Transmission Lines¶

Transmissionsledning¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Transmissionsledning
Beskrivning	ideal transmissionslinje
Schematic entry	`TLIN`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tline
Egenskaper	4
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Z	50 Ohm	ja	karaktäristisk impedans
L	1 mm	ja	ledningens elektriska längd
Alpha	0 dB	nej	dämpningsfaktor per längdenhet i 1/m
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

4-Terminal Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4-Terminal Transmission Line
Beskrivning	ideal 4-terminal transmission line
Schematic entry	`TLIN4P`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tline_4port
Egenskaper	4
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Z	50 Ohm	ja	karaktäristisk impedans
L	1 mm	ja	ledningens elektriska längd
Alpha	0 dB	nej	dämpningsfaktor per längdenhet i 1/m
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Coupled Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Coupled Transmission Line
Beskrivning	coupled transmission lines
Schematic entry	`CTLIN`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ctline
Egenskaper	8
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Ze	50 Ohm	ja	characteristic impedance of even mode
Zo	50 Ohm	ja	characteristic impedance of odd mode
L	1 mm	ja	ledningens elektriska längd
Ere	1	nej	relative dielectric constant of even mode
Ero	1	nej	relative dielectric constant of odd mode
Ae	0 dB	nej	attenuation factor per length of even mode
Ao	0 dB	nej	attenuation factor per length of odd mode
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Twisted-Pair¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Twisted-Pair
Beskrivning	twisted pair transmission line
Schematic entry	`TWIST`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	twistedpair
Egenskaper	9
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
d	0.5 mm	ja	diameter of conductor
D	0.8 mm	ja	diameter of wire (conductor and insulator)
L	1.5	ja	physical length of the line
T	100	nej	twists per length in 1/m
er	4	nej	dielectric constant of insulator
mur	1	nej	relative permeability of conductor
rho	0.022e-6	nej	specifika resistans hos ledare
tand	4e-4	nej	förlusttangent
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Koaxialledning¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Koaxialledning
Beskrivning	koaxioaltransmissionslinje
Schematic entry	`COAX`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	coaxial
Egenskaper	8
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
er	2.29	ja	dielektrikats relativa permittivitet
rho	0.022e-6	nej	specifika resistans hos ledare
mur	1	nej	relative permeability of conductor
D	2.95 mm	nej	skärmens innerdiameter
d	0.9 mm	nej	diameter hos innerledrare
L	1500 mm	ja	mekanisk längd på linjen
tand	4e-4	nej	förlusttangent
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Rektangulär vågledare¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Rektangulär vågledare
Beskrivning	Rektangulär vågledare
Schematic entry	`RECTLINE`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rectline
Egenskaper	9
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
a	2.95 mm	ja	widest side
b	0.9 mm	ja	shortest side
L	1500 mm	ja	mekanisk längd på linjen
er	1	nej	dielektrikats relativa permittivitet
mur	1	nej	relative permeability of conductor
tand	0	nej	förlusttangent
rho	0.022e-6	nej	specifika resistans hos ledare
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Material	unspecified	nej	material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold]

Rlcg Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	RLCG Transmission Line
Beskrivning	RLCG transmission line
Schematic entry	`RLCG`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	rlcg
Egenskaper	6
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
R	0.0	nej	resistive load (Ohm/m)
L	0.6e-6	ja	inductive load (H/m)
C	240e-12	ja	capacitive load (F/m)
G	0.0	nej	conductive load (S/m)
Längd	1 mm	ja	ledningens elektriska längd
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Substrat¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Substrat
Beskrivning	substartdefinition
Schematic entry	`SUBST`
Netlist entry	`Subst`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	substrat
Egenskaper	6
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
er	9.8	ja	relativ permitivitet
h	1 mm	ja	tjocklek i m
t	35 um	ja	tjocklek hos metalliseringen
tand	2e-4	ja	förlusttangent
rho	0.022e-6	ja	specificera motståmndet i metall
D	0.15e-6	ja	rms substratgrovhet

Mikrostripledning¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Mikrostripledning
Beskrivning	mikrostripledning
Schematic entry	`MLIN`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msline
Egenskaper	6
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
L	10 mm	ja	längd på ledningen
Model	Hammerstad	nej	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
DispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Kopplad mikrostripledning¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Kopplad mikrostripledning
Beskrivning	kopplad mikrostripledning
Schematic entry	`MCOUPLED`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mscoupled
Egenskaper	7
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
L	10 mm	ja	längd på ledningen
S	1 mm	ja	avstånd mellan ledningar
Model	Kirschning	nej	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Microstrip Lange Coupler¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Microstrip Lange Coupler
Beskrivning	microstrip lange coupler
Schematic entry	`MLANGE`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mslange
Egenskaper	7
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
L	10 mm	ja	längd på ledningen
S	1 mm	ja	avstånd mellan ledningar
Model	Kirschning	nej	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Mikrostriphörn¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Mikrostriphörn
Beskrivning	mikrostriphörn
Schematic entry	`MCORN`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mscorner
Egenskaper	2
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	substrat
W	1 mm	ja	linjebredd

Microstrip Mitered Bend¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Microstrip Mitered Bend
Beskrivning	microstrip mitered bend
Schematic entry	`MMBEND`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msmbend
Egenskaper	2
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	substrat
W	1 mm	ja	linjebredd

Mikrostripsteg¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Mikrostripsteg
Beskrivning	mikrostripimpedanssteg
Schematic entry	`MSTEP`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msstep
Egenskaper	5
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	substrat
W1	2 mm	ja	bredd 1 på ledningen
W2	1 mm	ja	bredd 2 på ledningen
MSModel	Hammerstad	nej	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Mikrostrip T¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Mikrostrip T
Beskrivning	mikrostrip T
Schematic entry	`MTEE`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mstee
Egenskaper	8
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	substrat
W1	1 mm	ja	bredd på ledning 1
W2	1 mm	ja	bredd på ledning 2
W3	2 mm	ja	bredd på ledning 3
MSModel	Hammerstad	nej	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	nej	temperatur i grader Celsius
Symbol	showNumbers	nej	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Mikrostripkross¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Mikrostripkross
Beskrivning	mikrostripkross
Schematic entry	`MCROSS`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mscross
Egenskaper	8
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	substrat
W1	1 mm	ja	bredd på ledning 1
W2	2 mm	ja	bredd på ledning 2
W3	1 mm	ja	bredd på ledning 3
W4	2 mm	ja	bredd på ledning 4
MSModel	Hammerstad	nej	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Symbol	showNumbers	nej	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Microstrip Open¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Microstrip Open
Beskrivning	microstrip open
Schematic entry	`MOPEN`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msopen
Egenskaper	5
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
MSModel	Hammerstad	nej	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Model	Kirschning	nej	microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos]

Mikrostripgap¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Mikrostripgap
Beskrivning	mikrostripgap
Schematic entry	`MGAP`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msgap
Egenskaper	6
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W1	1 mm	ja	bredd på ledningen 1
W2	1 mm	ja	bredd på ledningen 2
S	1 mm	ja	avstånd mellan mikrostripändarna
MSModel	Hammerstad	nej	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	nej	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Mikrostripvia¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Mikrostripvia
Beskrivning	mikrostripvia
Schematic entry	`MVIA`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msvia
Egenskaper	3
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	substrat
D	1 mm	ja	diameter på rund vialedare
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Microstrip Radial Stub¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Microstrip Radial Stub
Beskrivning	microstrip radial stub
Schematic entry	`MRSTUB`
Netlist entry	`MS`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	msrstub
Egenskaper	4
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
ri	1 mm	nej	inner radius
ro	10 mm	ja	outer radius
alpha	90	ja	stub angle (degrees)

Coplanar Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Coplanar Line
Beskrivning	coplanar line
Schematic entry	`CLIN`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	coplanar
Egenskaper	6
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
S	1 mm	ja	bredd på ett gap
L	10 mm	ja	längd på ledningen
Backside	Air	nej	material at the backside of the substrate [Metal, Air]
Approx	ja	nej	use approximation instead of precise equation [yes, no]

Coplanar Open¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Coplanar Open
Beskrivning	coplanar open
Schematic entry	`COPEN`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwopen
Egenskaper	5
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
S	1 mm	ja	bredd på ett gap
G	5 mm	ja	bredd på gap vid slutet på ledningen
Backside	Air	nej	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Coplanar Short¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Coplanar Short
Beskrivning	coplanar short
Schematic entry	`CSHORT`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwshort
Egenskaper	4
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
S	1 mm	ja	bredd på ett gap
Backside	Air	nej	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Coplanar Gap¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Coplanar Gap
Beskrivning	coplanar gap
Schematic entry	`CGAP`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwgap
Egenskaper	4
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W	1 mm	ja	bredd på ledningen
S	1 mm	ja	bredd på ett gap
G	0.5 mm	ja	bredd på gapet mellan två ledningar

Coplanar Step¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Coplanar Step
Beskrivning	coplanar step
Schematic entry	`CSTEP`
Netlist entry	`CL`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	cpwstep
Egenskaper	5
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Subst	Subst1	ja	namn på substratdefinition
W1	1 mm	ja	bredd på ledning 1
W2	2 mm	ja	bredd på ledning 2
S	3 mm	ja	avstånd mellan jordplanen
Backside	Air	nej	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Bond Wire¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Bond Wire
Beskrivning	bond wire
Schematic entry	`BOND`
Netlist entry	`Line`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bondwire
Egenskaper	8
Category	transmission lines

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L	3 mm	ja	length of the wire
D	50 um	ja	diameter of the wire
H	2 mm	ja	height above ground plane
rho	0.022e-6	nej	specific resistance of the metal
mur	1	nej	relative permeability of the metal
Model	FREESPACE	nej	bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES]
Subst	Subst1	ja	substrat
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius

Nonlinear Components¶

Diod¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Diod
Beskrivning	diod
Schematic entry	`Diode`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	diod
Egenskaper	29
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Is	1e-15 A	ja	mättnadsström
N	1	ja	emissionskoefficient
Cj0	10 fF	ja	zero-bias junction capacitance
M	0.5	nej	grading coefficient
Vj	0.7 V	nej	övergångspotential
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Cp	0.0 fF	nej	linjär kapacitans
Isr	0.0	nej	rekombinationsströmsparametar
Nr	2.0	nej	emissionskoefficient för lsr
Rs	0.0 Ohm	nej	ohmsk serieresistans
Tt	0.0 ps	nej	löptid
Ikf	0	nej	high-injection knee current (0=infinity)
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Bv	0	nej	omvänd överslagsspänning
Ibv	1 mA	nej	ström vid omvänd överslagsspänning
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Eg	1.11	nej	energibandgap i eV
Tbv	0.0	nej	Bv linjär temperaturkoefficient
Trs	0.0	nej	Rs linjär temperaturkoefficient
Ttt1	0.0	nej	Tt linjär temperaturkoefficient
Ttt2	0.0	nej	Tt kvadratisk temperaturkoefficient
Tm1	0.0	nej	M linjär temperaturkoefficient
Tm2	0.0	nej	M kvadratisk temperaturkoefficient
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Area	1.0	nej	standardyta för diod
Symbol	normal	nej	schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor]

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	npn-transistor
Beskrivning	bipolär transistor
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npn
Egenskaper	48
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	npn	ja	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	ja	mättnadsström
Nf	1	ja	framemissionskoefficient
Nr	1	nej	backemissionskoefficient
Ikf	0	nej	högströmsbrytpunkt för fram-beta
Ikr	0	nej	högströmsbrytpunkt för bak-beta
Vaf	0	ja	forward early voltage
Var	0	nej	reverse early voltage
Ise	0	nej	bas-emitter läckmättnadsström
Ne	1.5	nej	bas-emitter läckemissionskoefficient
Isc	0	nej	bas-kollektor läckmättnadsström
Nc	2	nej	bas-kollektor läckemissionskoefficient
Bf	100	ja	forward beta
Br	1	nej	reverse beta
Rbm	0	nej	minimum basresistans för höga strömmar
Irb	0	nej	ström för mittpunkt på basresistans
Rc	0	nej	kollektorns ohmska resistans
Re	0	nej	emitterns ohmska resistans
Rb	0	nej	noll-förspänd basresistans (kan vara högströmsberoende)
Cje	0	nej	base-emitter zero-bias depletion capacitance
Vje	0.75	nej	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	nej	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	nej	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	nej	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	nej	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	nej	del av Cjc som går till intern baspinne
Cjs	0	nej	nollförspänd kollektorsubstratkapacitans
Vjs	0.75	nej	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nej	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nej	ideal forward transit time
Xtf	0.0	nej	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nej	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nej	storströmseffekt på Tf
Tr	0.0	nej	ideal omvänd löptid
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Kb	0.0	nej	skurbruskoefficient
Ab	1.0	nej	skurbrusexponent
Fb	1.0	nej	skurbrusbrytfrekvens i Hz
Ptf	0.0	nej	överskottsfas i grader
Xtb	0.0	nej	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Eg	1.11	nej	energibandgap i eV
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Area	1.0	nej	standardyta för bipolär transistor

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	pnp-transistor
Beskrivning	bipolär transistor
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnp
Egenskaper	48
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pnp	ja	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	ja	mättnadsström
Nf	1	ja	framemissionskoefficient
Nr	1	nej	backemissionskoefficient
Ikf	0	nej	högströmsbrytpunkt för fram-beta
Ikr	0	nej	högströmsbrytpunkt för bak-beta
Vaf	0	ja	forward early voltage
Var	0	nej	reverse early voltage
Ise	0	nej	bas-emitter läckmättnadsström
Ne	1.5	nej	bas-emitter läckemissionskoefficient
Isc	0	nej	bas-kollektor läckmättnadsström
Nc	2	nej	bas-kollektor läckemissionskoefficient
Bf	100	ja	forward beta
Br	1	nej	reverse beta
Rbm	0	nej	minimum basresistans för höga strömmar
Irb	0	nej	ström för mittpunkt på basresistans
Rc	0	nej	kollektorns ohmska resistans
Re	0	nej	emitterns ohmska resistans
Rb	0	nej	noll-förspänd basresistans (kan vara högströmsberoende)
Cje	0	nej	base-emitter zero-bias depletion capacitance
Vje	0.75	nej	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	nej	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	nej	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	nej	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	nej	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	nej	del av Cjc som går till intern baspinne
Cjs	0	nej	nollförspänd kollektorsubstratkapacitans
Vjs	0.75	nej	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nej	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nej	ideal forward transit time
Xtf	0.0	nej	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nej	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nej	storströmseffekt på Tf
Tr	0.0	nej	ideal omvänd löptid
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Kb	0.0	nej	skurbruskoefficient
Ab	1.0	nej	skurbrusexponent
Fb	1.0	nej	skurbrusbrytfrekvens i Hz
Ptf	0.0	nej	överskottsfas i grader
Xtb	0.0	nej	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Eg	1.11	nej	energibandgap i eV
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Area	1.0	nej	standardyta för bipolär transistor

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	npn-transistor
Beskrivning	bipolär junction-transistor med substrat
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub
Egenskaper	48
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	npn	ja	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	ja	mättnadsström
Nf	1	ja	framemissionskoefficient
Nr	1	nej	backemissionskoefficient
Ikf	0	nej	högströmsbrytpunkt för fram-beta
Ikr	0	nej	högströmsbrytpunkt för bak-beta
Vaf	0	ja	forward early voltage
Var	0	nej	reverse early voltage
Ise	0	nej	bas-emitter läckmättnadsström
Ne	1.5	nej	bas-emitter läckemissionskoefficient
Isc	0	nej	bas-kollektor läckmättnadsström
Nc	2	nej	bas-kollektor läckemissionskoefficient
Bf	100	ja	forward beta
Br	1	nej	reverse beta
Rbm	0	nej	minimum basresistans för höga strömmar
Irb	0	nej	ström för mittpunkt på basresistans
Rc	0	nej	kollektorns ohmska resistans
Re	0	nej	emitterns ohmska resistans
Rb	0	nej	noll-förspänd basresistans (kan vara högströmsberoende)
Cje	0	nej	base-emitter zero-bias depletion capacitance
Vje	0.75	nej	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	nej	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	nej	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	nej	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	nej	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	nej	del av Cjc som går till intern baspinne
Cjs	0	nej	nollförspänd kollektorsubstratkapacitans
Vjs	0.75	nej	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nej	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nej	ideal forward transit time
Xtf	0.0	nej	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nej	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nej	storströmseffekt på Tf
Tr	0.0	nej	ideal omvänd löptid
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Kb	0.0	nej	skurbruskoefficient
Ab	1.0	nej	skurbrusexponent
Fb	1.0	nej	skurbrusbrytfrekvens i Hz
Ptf	0.0	nej	överskottsfas i grader
Xtb	0.0	nej	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Eg	1.11	nej	energibandgap i eV
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Area	1.0	nej	standardyta för bipolär transistor

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	pnp-transistor
Beskrivning	bipolär junction-transistor med substrat
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub
Egenskaper	48
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pnp	ja	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	ja	mättnadsström
Nf	1	ja	framemissionskoefficient
Nr	1	nej	backemissionskoefficient
Ikf	0	nej	högströmsbrytpunkt för fram-beta
Ikr	0	nej	högströmsbrytpunkt för bak-beta
Vaf	0	ja	forward early voltage
Var	0	nej	reverse early voltage
Ise	0	nej	bas-emitter läckmättnadsström
Ne	1.5	nej	bas-emitter läckemissionskoefficient
Isc	0	nej	bas-kollektor läckmättnadsström
Nc	2	nej	bas-kollektor läckemissionskoefficient
Bf	100	ja	forward beta
Br	1	nej	reverse beta
Rbm	0	nej	minimum basresistans för höga strömmar
Irb	0	nej	ström för mittpunkt på basresistans
Rc	0	nej	kollektorns ohmska resistans
Re	0	nej	emitterns ohmska resistans
Rb	0	nej	noll-förspänd basresistans (kan vara högströmsberoende)
Cje	0	nej	base-emitter zero-bias depletion capacitance
Vje	0.75	nej	base-emitter junction built-in potential
Mje	0.33	nej	base-emitter junction exponential factor
Cjc	0	nej	base-collector zero-bias depletion capacitance
Vjc	0.75	nej	base-collector junction built-in potential
Mjc	0.33	nej	base-collector junction exponential factor
Xcjc	1.0	nej	del av Cjc som går till intern baspinne
Cjs	0	nej	nollförspänd kollektorsubstratkapacitans
Vjs	0.75	nej	substrate junction built-in potential
Mjs	0	nej	substrate junction exponential factor
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tf	0.0	nej	ideal forward transit time
Xtf	0.0	nej	coefficient of bias-dependence for Tf
Vtf	0.0	nej	voltage dependence of Tf on base-collector voltage
Itf	0.0	nej	storströmseffekt på Tf
Tr	0.0	nej	ideal omvänd löptid
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Kb	0.0	nej	skurbruskoefficient
Ab	1.0	nej	skurbrusexponent
Fb	1.0	nej	skurbrusbrytfrekvens i Hz
Ptf	0.0	nej	överskottsfas i grader
Xtb	0.0	nej	temperature exponent for forward- and reverse beta
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Eg	1.11	nej	energibandgap i eV
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Area	1.0	nej	standardyta för bipolär transistor

N-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-JFET
Beskrivning	junction field-effect transistor
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nfet
Egenskaper	24
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	nfet	ja	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	ja	tröskelspänning
Beta	1e-4	ja	transkonduktansparameter
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparameter
Rd	0.0	nej	parasitic drain resistance
Rs	0.0	nej	parsitisk källresistans
Is	1e-14	nej	gate-junction mättnadsström
N	1.0	nej	gate-junction emissionskoefficient
Isr	1e-14	nej	gate-junction rekombinationsströmsparameter
Nr	2.0	nej	lsr emissionskoefficient
Cgs	0.0	nej	zero-bias gate-source junction capacitance
Cgd	0.0	nej	zero-bias gate-drain junction capacitance
Pb	1.0	nej	gate-junction potential
Fc	0.5	nej	forward-bias junction capacitance coefficient
M	0.5	nej	gate P-N grading coefficient
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Vt0tc	0.0	nej	Vt0 temperaturkoefficient
Betatce	0.0	nej	Beta exponentiell temperaturkoefficient
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Area	1.0	nej	standardyta för JFET

P-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	p-JFET
Beskrivning	junction field-effect transistor
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pfet
Egenskaper	24
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pfet	ja	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	ja	tröskelspänning
Beta	1e-4	ja	transkonduktansparameter
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparameter
Rd	0.0	nej	parasitic drain resistance
Rs	0.0	nej	parsitisk källresistans
Is	1e-14	nej	gate-junction mättnadsström
N	1.0	nej	gate-junction emissionskoefficient
Isr	1e-14	nej	gate-junction rekombinationsströmsparameter
Nr	2.0	nej	lsr emissionskoefficient
Cgs	0.0	nej	zero-bias gate-source junction capacitance
Cgd	0.0	nej	zero-bias gate-drain junction capacitance
Pb	1.0	nej	gate-junction potential
Fc	0.5	nej	forward-bias junction capacitance coefficient
M	0.5	nej	gate P-N grading coefficient
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Vt0tc	0.0	nej	Vt0 temperaturkoefficient
Betatce	0.0	nej	Beta exponentiell temperaturkoefficient
Tnom	26.85	nej	temperatur vid vilken parametrar extraherats
Area	1.0	nej	standardyta för JFET

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-MOSFET
Beskrivning	MOS fälteffektransistor
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet
Egenskaper	44
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	nfet	nej	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	ja	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	ja	transkonduktanskoefficient i A/V²
Gamma	0.0	nej	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nej	ytpotential
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparametar i 1/V
Rd	0.0 Ohm	nej	drain ohmic resistance
Rs	0.0 Ohm	nej	source ohmic resistance
Rg	0.0 Ohm	nej	gate ohmic resistance
Is	1e-14 A	nej	bulk junction saturation current
N	1.0	nej	bulk junction emission coefficient
W	1 um	nej	kanalbredd
L	1 um	nej	kanallängd
Ld	0.0	nej	lateral diffusionslängd
Tox	0.1 um	nej	oxidtjocklek
Cgso	0.0	nej	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	nej	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	nej	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	nej	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	nej	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	nej	bulk junction potential
Mj	0.5	nej	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nej	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nej	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nej	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nej	bulk transit time
Nsub	0.0	nej	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	nej	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nej	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	nej	ytrörlighet i cm²/Vs
Rsh	0.0	nej	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	nej	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nej	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nej	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nej	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nej	drain diffusion area in m^2
As	0.0	nej	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	nej	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nej	source junction perimeter
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tnom	26.85	nej	parametermätningstemperatur

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	p-MOSFET
Beskrivning	MOS fälteffektransistor
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet
Egenskaper	44
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pfet	nej	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	ja	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	ja	transkonduktanskoefficient i A/V²
Gamma	0.0	nej	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nej	ytpotential
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparametar i 1/V
Rd	0.0 Ohm	nej	drain ohmic resistance
Rs	0.0 Ohm	nej	source ohmic resistance
Rg	0.0 Ohm	nej	gate ohmic resistance
Is	1e-14 A	nej	bulk junction saturation current
N	1.0	nej	bulk junction emission coefficient
W	1 um	nej	kanalbredd
L	1 um	nej	kanallängd
Ld	0.0	nej	lateral diffusionslängd
Tox	0.1 um	nej	oxidtjocklek
Cgso	0.0	nej	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	nej	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	nej	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	nej	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	nej	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	nej	bulk junction potential
Mj	0.5	nej	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nej	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nej	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nej	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nej	bulk transit time
Nsub	0.0	nej	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	nej	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nej	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	nej	ytrörlighet i cm²/Vs
Rsh	0.0	nej	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	nej	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nej	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nej	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nej	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nej	drain diffusion area in m^2
As	0.0	nej	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	nej	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nej	source junction perimeter
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tnom	26.85	nej	parametermätningstemperatur

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	depletion MOSFET
Beskrivning	MOS fälteffektransistor
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet
Egenskaper	44
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	nfet	nej	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	ja	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	ja	transkonduktanskoefficient i A/V²
Gamma	0.0	nej	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nej	ytpotential
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparametar i 1/V
Rd	0.0 Ohm	nej	drain ohmic resistance
Rs	0.0 Ohm	nej	source ohmic resistance
Rg	0.0 Ohm	nej	gate ohmic resistance
Is	1e-14 A	nej	bulk junction saturation current
N	1.0	nej	bulk junction emission coefficient
W	1 um	nej	kanalbredd
L	1 um	nej	kanallängd
Ld	0.0	nej	lateral diffusionslängd
Tox	0.1 um	nej	oxidtjocklek
Cgso	0.0	nej	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	nej	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	nej	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	nej	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	nej	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	nej	bulk junction potential
Mj	0.5	nej	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nej	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nej	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nej	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nej	bulk transit time
Nsub	0.0	nej	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	nej	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nej	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	nej	ytrörlighet i cm²/Vs
Rsh	0.0	nej	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	nej	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nej	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nej	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nej	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nej	drain diffusion area in m^2
As	0.0	nej	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	nej	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nej	source junction perimeter
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tnom	26.85	nej	parametermätningstemperatur

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-MOSFET
Beskrivning	MOS field-effect transistor with substrate
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet_sub
Egenskaper	44
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	nfet	nej	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	ja	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	ja	transkonduktanskoefficient i A/V²
Gamma	0.0	nej	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nej	ytpotential
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparametar i 1/V
Rd	0.0 Ohm	nej	drain ohmic resistance
Rs	0.0 Ohm	nej	source ohmic resistance
Rg	0.0 Ohm	nej	gate ohmic resistance
Is	1e-14 A	nej	bulk junction saturation current
N	1.0	nej	bulk junction emission coefficient
W	1 um	nej	kanalbredd
L	1 um	nej	kanallängd
Ld	0.0	nej	lateral diffusionslängd
Tox	0.1 um	nej	oxidtjocklek
Cgso	0.0	nej	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	nej	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	nej	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	nej	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	nej	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	nej	bulk junction potential
Mj	0.5	nej	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nej	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nej	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nej	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nej	bulk transit time
Nsub	0.0	nej	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	nej	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nej	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	nej	ytrörlighet i cm²/Vs
Rsh	0.0	nej	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	nej	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nej	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nej	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nej	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nej	drain diffusion area in m^2
As	0.0	nej	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	nej	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nej	source junction perimeter
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tnom	26.85	nej	parametermätningstemperatur

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	p-MOSFET
Beskrivning	MOS field-effect transistor with substrate
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet_sub
Egenskaper	44
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pfet	nej	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	ja	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	ja	transkonduktanskoefficient i A/V²
Gamma	0.0	nej	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nej	ytpotential
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparametar i 1/V
Rd	0.0 Ohm	nej	drain ohmic resistance
Rs	0.0 Ohm	nej	source ohmic resistance
Rg	0.0 Ohm	nej	gate ohmic resistance
Is	1e-14 A	nej	bulk junction saturation current
N	1.0	nej	bulk junction emission coefficient
W	1 um	nej	kanalbredd
L	1 um	nej	kanallängd
Ld	0.0	nej	lateral diffusionslängd
Tox	0.1 um	nej	oxidtjocklek
Cgso	0.0	nej	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	nej	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	nej	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	nej	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	nej	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	nej	bulk junction potential
Mj	0.5	nej	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nej	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nej	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nej	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nej	bulk transit time
Nsub	0.0	nej	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	nej	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nej	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	nej	ytrörlighet i cm²/Vs
Rsh	0.0	nej	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	nej	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nej	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nej	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nej	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nej	drain diffusion area in m^2
As	0.0	nej	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	nej	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nej	source junction perimeter
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tnom	26.85	nej	parametermätningstemperatur

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	depletion MOSFET
Beskrivning	MOS field-effect transistor with substrate
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet_sub
Egenskaper	44
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	nfet	nej	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	ja	zero-bias threshold voltage
Kp	2e-5	ja	transkonduktanskoefficient i A/V²
Gamma	0.0	nej	bulk threshold in sqrt(V)
Phi	0.6 V	nej	ytpotential
Lambda	0.0	ja	kanallängdsmodulationsparametar i 1/V
Rd	0.0 Ohm	nej	drain ohmic resistance
Rs	0.0 Ohm	nej	source ohmic resistance
Rg	0.0 Ohm	nej	gate ohmic resistance
Is	1e-14 A	nej	bulk junction saturation current
N	1.0	nej	bulk junction emission coefficient
W	1 um	nej	kanalbredd
L	1 um	nej	kanallängd
Ld	0.0	nej	lateral diffusionslängd
Tox	0.1 um	nej	oxidtjocklek
Cgso	0.0	nej	gate-source overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgdo	0.0	nej	gate-drain overlap capacitance per meter of channel width in F/m
Cgbo	0.0	nej	gate-bulk overlap capacitance per meter of channel length in F/m
Cbd	0.0 F	nej	zero-bias bulk-drain junction capacitance
Cbs	0.0 F	nej	zero-bias bulk-source junction capacitance
Pb	0.8 V	nej	bulk junction potential
Mj	0.5	nej	bulk junction bottom grading coefficient
Fc	0.5	nej	bulk junction forward-bias depletion capacitance coefficient
Cjsw	0.0	nej	zero-bias bulk junction periphery capacitance per meter of junction perimeter in F/m
Mjsw	0.33	nej	bulk junction periphery grading coefficient
Tt	0.0 ps	nej	bulk transit time
Nsub	0.0	nej	substrate bulk doping density in 1/cm^3
Nss	0.0	nej	surface state density in 1/cm^2
Tpg	1	nej	gate material type: 0 = alumina; -1 = same as bulk; 1 = opposite to bulk
Uo	600.0	nej	ytrörlighet i cm²/Vs
Rsh	0.0	nej	drain and source diffusion sheet resistance in Ohms/square
Nrd	1	nej	number of equivalent drain squares
Nrs	1	nej	number of equivalent source squares
Cj	0.0	nej	zero-bias bulk junction bottom capacitance per square meter of junction area in F/m^2
Js	0.0	nej	bulk junction saturation current per square meter of junction area in A/m^2
Ad	0.0	nej	drain diffusion area in m^2
As	0.0	nej	source diffusion area in m^2
Pd	0.0 m	nej	drain junction perimeter
Ps	0.0 m	nej	source junction perimeter
Kf	0.0	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Tnom	26.85	nej	parametermätningstemperatur

Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	OpAmp
Beskrivning	operationsförstärkare
Schematic entry	`OpAmp`
Netlist entry	`OP`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	opamp
Egenskaper	2
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
G	1e6	ja	spänningsförstärkning
Umax	15 V	nej	absolutvärde på maximum och minimum utspänning

Equation Defined Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Equation Defined Device
Beskrivning	equation defined device
Schematic entry	`EDD`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	edd
Egenskaper	4
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	explicit	nej	type of equations [explicit, implicit]
Branches	1	nej	number of branches
I1	0	ja	current equation 1
Q1	0	nej	charge equation 1

Diac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Diac
Beskrivning	diac (bidirectional trigger diode)
Schematic entry	`Diac`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	diac
Egenskaper	7
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Vbo	30 V	ja	(bidirectional) breakover voltage
Ibo	50 uA	nej	(bidirectional) breakover current
Cj0	10 pF	nej	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	nej	mättnadsström
N	2	nej	emissionskoefficient
Ri	10 Ohm	nej	intrinsic junction resistance
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Triac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Triac
Beskrivning	triac (bidirectional thyristor)
Schematic entry	`Triac`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	triac
Egenskaper	8
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Vbo	400 V	nej	(bidirectional) breakover voltage
Igt	50 uA	ja	(bidirectional) gate trigger current
Cj0	10 pF	nej	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	nej	mättnadsström
N	2	nej	emissionskoefficient
Ri	10 Ohm	nej	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	nej	gate resistance
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Thyristor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Thyristor
Beskrivning	silicon controlled rectifier (SCR)
Schematic entry	`SCR`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	thyristor
Egenskaper	8
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Vbo	400 V	nej	breakover voltage
Igt	50 uA	ja	gate trigger current
Cj0	10 pF	nej	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	nej	mättnadsström
N	2	nej	emissionskoefficient
Ri	10 Ohm	nej	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	nej	gate resistance
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Tunnel Diode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Tunnel Diode
Beskrivning	resonance tunnel diode
Schematic entry	`RTD`
Netlist entry	`D`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tunneldiode
Egenskaper	16
Category	nonlinear components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Ip	4 mA	ja	peak current
Iv	0.6 mA	ja	valley current
Vv	0.8 V	ja	valley voltage
Wr	2.7e-20	nej	resonance energy in Ws
eta	1e-20	nej	Fermi energy in Ws
dW	4.5e-21	nej	resonance width in Ws
Tmax	0.95	nej	maximum of transmission
de	0.9	nej	fitting factor for electron density
dv	2.0	nej	fitting factor for voltage drop
nv	16	nej	fitting factor for diode current
Cj0	80 fF	nej	zero-bias depletion capacitance
M	0.5	nej	grading coefficient
Vj	0.5 V	nej	övergångspotential
te	0.6 ps	nej	life-time of electrons
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
Area	1.0	nej	standardyta för diod

Verilog-A Devices¶

Hicum L2 V2.1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	HICUM L2 v2.1
Beskrivning	HICUM Level 2 v2.1 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p1`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Egenskaper	101
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
c10	1.516E-31	nej	GICCR constant
qp0	5.939E-15	nej	Zero-bias hole charge
ich	1.0E11	nej	High-current correction for 2D and 3D effects
hfe	1.0	nej	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	0.03999	nej	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	0.435	nej	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	0.09477	nej	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	3.47E-20	nej	Internal B-E saturation current
mbei	1.025	nej	Internal B-E current ideality factor
ireis	390E-12	nej	Internal B-E recombination saturation current
mrei	3	nej	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	4.18321E-21	nej	Peripheral B-E saturation current
mbep	1.045	nej	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	1.02846E-14	nej	Peripheral B-E recombination saturation current
mrep	3	nej	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nej	Non-ideality factor for III-V HBTs
ibcis	3.02613E-18	nej	Internal B-C saturation current
mbci	1.0	nej	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	4.576E-29	nej	External B-C saturation current
mbcx	1.0	nej	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nej	B-E tunneling saturation current
abet	36.74	nej	Exponent factor for tunneling current
favl	14.97	nej	Avalanche current factor
qavl	7.2407E-14	nej	Exponent factor for avalanche current
alfav	0.0	nej	Relative TC for FAVL
alqav	0.0	nej	Relative TC for QAVL
rbi0	7.9	nej	Zero bias internal base resistance
rbx	13.15	nej	External base series resistance
fgeo	0.724	nej	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0	nej	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nej	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nej	Ration of internal to total minority charge
re	9.77	nej	Emitter series resistance
rcx	10	nej	External collector series resistance
itss	2.81242E-19	nej	Substrate transistor transfer saturation current
msf	1.0	nej	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	7.6376E-17	nej	C-S diode saturation current
msc	1.0	nej	Ideality factor of C-S diode current
tsf	1.733E-8	nej	Transit time for forward operation of substrate transistor
rsu	800	nej	Substrate series resistance
csu	1.778E-14	nej	Substrate shunt capacitance
cjei0	5.24382E-14	nej	Internal B-E zero-bias depletion capacitance
vdei	0.9956	nej	Internal B-E built-in potential
zei	0.4	nej	Internal B-E grading coefficient
aljei	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	0	nej	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance
vdep	1	nej	Peripheral B-E built-in potential
zep	0.01	nej	Peripheral B-E grading coefficient
aljep	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	4.46887E-15	nej	Internal B-C zero-bias depletion capacitance
vdci	0.7	nej	Internal B-C built-in potential
zci	0.38	nej	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nej	Internal B-C punch-through voltage
cjcx0	1.55709E-14	nej	External B-C zero-bias depletion capacitance
vdcx	0.733	nej	External B-C built-in potential
zcx	0.34	nej	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nej	External B-C punch-through voltage
fbc	0.3487	nej	Partitioning factor of parasitic B-C capacitance
cjs0	17.68E-15	nej	C-S zero-bias depletion capacitance
vds	0.621625	nej	C-S built-in potential
zs	0.122136	nej	C-S grading coefficient
vpts	1000	nej	C-S punch-through voltage
t0	1.28E-12	nej	Low current forward transit time at VBC=0V
dt0h	260E-15	nej	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation
tbvl	2.0E-13	nej	Time constant for modelling carrier jam at low VCE
tef0	0.0	nej	Neutral emitter storage time
gtfe	1.0	nej	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	46E-15	nej	Saturation time constant at high current densities
alhc	0.08913	nej	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.8778	nej	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	50.4277	nej	Internal collector resistance at low electric field
vlim	0.9	nej	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime
vces	0.01	nej	Internal C-E saturation voltage
vpt	10	nej	Collector punch-through voltage
tr	1.0E-11	nej	Storage time for inverse operation
ceox	1.71992E-15	nej	Total parasitic B-E capacitance
ccox	4.9E-15	nej	Total parasitic B-C capacitance
alqf	0.1288	nej	Factor for additional delay time of minority charge
alit	1.0	nej	Factor for additional delay time of transfer current
kf	2.83667E-9	nej	Flicker noise coefficient
af	2.0	nej	Flicker noise exponent factor
krbi	1.0	nej	Noise factor for internal base resistance
latb	10.479	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.300012	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.112	nej	Bandgap voltage extrapolated to 0 K
alt0	0.0017580	nej	First order relative TC of parameter T0
kt0	4.07E-6	nej	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.7	nej	Temperature exponent for RCI0
zetacx	1.0	nej	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
alvs	0.001	nej	Relative TC of saturation drift velocity
alces	0.000125	nej	Relative TC of VCES
zetarbi	0.0	nej	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.2	nej	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.21	nej	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.7	nej	Temperature exponent of emitter resistance
alb	0.007	nej	Relative TC of forward current gain for V2.1 model
rth	1293.95	nej	Thermal resistance
cth	7.22203E-11	nej	Thermal capacitance
tnom	27.0	nej	Temperature at which parameters are specified
dt	0.0	nej	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor
Temp	27	nej	simulation temperature

Fbh Hbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	FBH HBT
Beskrivning	HBT model by Ferdinand-Braun-Institut (FBH), Berlin
Schematic entry	`HBT_X`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npn_therm
Egenskaper	80
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Mode	1	nej	Ignored
Noise	1	nej	Ignored
Debug	0	nej	Ignored
DebugPlus	0	nej	Ignored
Temp	25.0	nej	Device operating temperature, Celsius
Rth	0.1	nej	Thermal resistance, K/W
Cth	700e-9	nej	Thermal capacitance
N	1	nej	Scaling factor, number of emitter fingers
L	30e-6	nej	Length of emitter finger, m
W	1e-6	nej	Width of emitter finger, m
Jsf	20e-24	nej	Forward saturation current density, A/um^2
nf	1.0	nej	Forward current emission coefficient
Vg	1.3	nej	Forward thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jse	0.0	nej	B-E leakage saturation current density, A/um^2
ne	0.0	nej	B-E leakage emission coefficient
Rbxx	1e6	nej	Limiting resistor of B-E leakage diode, Ohm
Vgb	0.0	nej	B-E leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jsee	0.0	nej	2nd B-E leakage saturation current density, A/um^2
nee	0.0	nej	2nd B-E leakage emission coefficient
Rbbxx	1e6	nej	2nd Limiting resistor of B-E leakage diode, Ohm
Vgbb	0.0	nej	2nd B-E leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Jsr	20e-18	nej	Reverse saturation current density, A/um^2
nr	1.0	nej	Reverse current emission coefficient
Vgr	0.0	nej	Reverse thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
XCjc	0.5	nej	Fraction of Cjc that goes to internal base node
Jsc	0.0	nej	B-C leakage saturation current density, A/um^2 (0. switches off diode)
nc	0.0	nej	B-C leakage emission coefficient (0. switches off diode)
Rcxx	1e6	nej	Limiting resistor of B-C leakage diode, Ohm
Vgc	0.0	nej	B-C leakage thermal activation energy, V, (0 == disables temperature dependence)
Bf	100.0	nej	Ideal forward beta
kBeta	0.0	nej	Temperature coefficient of forward current gain, -1/K, (0 == disables temperature dependence)
Br	1.0	nej	Ideal reverse beta
VAF	0.0	nej	Forward Early voltage, V, (0 == disables Early Effect)
VAR	0.0	nej	Reverse Early voltage, V, (0 == disables Early Effect)
IKF	0.0	nej	Forward high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect)
IKR	0.0	nej	Reverse high-injection knee current, A, (0 == disables Webster Effect)
Mc	0.0	nej	C-E breakdown exponent, (0 == disables collector break-down)
BVceo	0.0	nej	C-E breakdown voltage, V, (0 == disables collector break-down)
kc	0.0	nej	C-E breakdown factor, (0 == disables collector break-down)
BVebo	0.0	nej	B-E breakdown voltage, V, (0 == disables emitter break-down)
Tr	1.0e-15	nej	Ideal reverse transit time, s
Trx	1.0e-15	nej	Extrinsic BC diffusion capacitance, F
Tf	1.0e-12	nej	Ideal forward transit time, s
Tft	0.0	nej	Temperature coefficient of forward transit time
Thcs	0.0	nej	Excess transit time coefficient at base push-out
Ahc	0.0	nej	Smoothing parameter for Thcs
Cje	1.0e-15	nej	B-E zero-bias depletion capacitance, F/um^2
mje	0.5	nej	B-E junction exponential factor
Vje	1.3	nej	B-E junction built-in potential, V
Cjc	1.0e-15	nej	B-C zero-bias depletion capacitance, F/um^2
mjc	0.5	nej	B-C junction exponential factor
Vjc	1.3	nej	B-C junction built-in potential, V
kjc	1.0	nej	not used
Cmin	0.1e-15	nej	Minimum B-C depletion capacitance (Vbc dependence), F/um^2
J0	1e-3	nej	Collector current where Cbc reaches Cmin, A/um^2 (0 == disables Cbc reduction)
XJ0	1.0	nej	Fraction of Cmin, lower limit of BC capacitance (Ic dependence)
Rci0	1e-3	nej	Onset of base push-out at low voltages, Ohm*um^2 (0 == disables base push-out)
Jk	4e-4	nej	Onset of base push-out at high voltages, A/um^2, (0 == disables base push-out)
RJk	1e-3	nej	Slope of Jk at high currents , Ohm*um^2
Vces	1e-3	nej	Voltage shift of base push-out onset, V
Rc	1.0	nej	Collector resistance, Ohm/finger
Re	1.0	nej	Emitter resistance, Ohm/finger
Rb	1.0	nej	Extrinsic base resistance, Ohm/finger
Rb2	1.0	nej	Inner Base ohmic resistance, Ohm/finger
Lc	0.0	nej	Collector inductance, H
Le	0.0	nej	Emitter inductance, H
Lb	0.0	nej	Base inductance, H
Cq	0.0	nej	Extrinsic B-C capacitance, F
Cpb	0.0	nej	Extrinsic base capacitance, F
Cpc	0.0	nej	Extrinsic collector capacitance, F
Kfb	0.0	nej	Flicker-noise coefficient
Afb	0.0	nej	Flicker-noise exponent
Ffeb	0.0	nej	Flicker-noise frequency exponent
Kb	0.0	nej	Burst noise coefficient
Ab	0.0	nej	Burst noise exponent
Fb	0.0	nej	Burst noise corner frequency, Hz
Kfe	0.0	nej	Flicker-noise coefficient
Afe	0.0	nej	Flicker-noise exponent
Ffee	0.0	nej	Flicker-noise frequency exponent
Tnom	20.0	nej	Ambient temperature at which the parameters were determined

Modular Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Modular OpAmp
Beskrivning	Modular Operational Amplifier verilog device
Schematic entry	`mod_amp`
Netlist entry	`OP`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	mod_amp
Egenskaper	17
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
GBP	1e6	nej	Gain bandwidth product (Hz)
AOLDC	106.0	nej	Open-loop differential gain at DC (dB)
FP2	3e6	nej	Second pole frequency (Hz)
RO	75	nej	Output resistance (Ohm)
CD	1e-12	nej	Differential input capacitance (F)
RD	2e6	nej	Differential input resistance (Ohm)
IOFF	20e-9	nej	Input offset current (A)
IB	80e-9	nej	Input bias current (A)
VOFF	7e-4	nej	Input offset voltage (V)
CMRRDC	90.0	nej	Common-mode rejection ratio at DC (dB)
FCM	200.0	nej	Common-mode zero corner frequency (Hz)
PSRT	5e5	nej	Positive slew rate (V/s)
NSRT	5e5	nej	Negative slew rate (V/s)
VLIMP	14	nej	Positive output voltage limit (V)
VLIMN	-14	nej	Negative output voltage limit (V)
ILMAX	35e-3	nej	Maximum DC output current (A)
CSCALE	50	nej	Current limit scale factor

Hicum L2 V2.22¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	HICUM L2 v2.22
Beskrivning	HICUM Level 2 v2.22 verilog device
Schematic entry	`hic2_full`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Egenskaper	114
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
c10	2.0E-30	nej	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nej	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nej	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	nej	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nej	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nej	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	nej	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nej	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nej	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nej	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nej	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nej	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nej	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nej	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nej	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nej	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nej	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nej	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nej	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nej	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nej	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nej	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nej	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nej	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nej	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nej	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nej	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nej	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nej	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nej	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nej	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nej	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nej	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nej	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nej	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nej	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nej	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nej	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nej	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nej	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nej	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nej	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nej	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nej	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nej	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nej	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nej	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nej	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nej	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nej	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nej	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nej	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nej	C-S grading coefficient
vpts	100	nej	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nej	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nej	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nej	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nej	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nej	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nej	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nej	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nej	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nej	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	nej	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nej	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	nej	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nej	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	nej	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	nej	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nej	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nej	Flicker noise coefficient
af	2.0	nej	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nej	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nej	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nej	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nej	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nej	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nej	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	nej	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	nej	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nej	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	nej	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nej	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nej	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nej	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	nej	simulation temperature

Logarithmic Amplifier¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Logarithmic Amplifier
Beskrivning	Logarithmic Amplifier verilog device
Schematic entry	`log_amp`
Netlist entry	`LA`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	log_amp
Egenskaper	17
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Kv	1.0	nej	scale factor
Dk	0.3	nej	scale factor error (%)
Ib1	5e-12	nej	input I1 bias current (A)
Ibr	5e-12	nej	input reference bias current (A)
M	5	nej	number of decades
N	0.1	nej	conformity error (%)
Vosout	3e-3	nej	output offset error (V)
Rinp	1e6	nej	amplifier input resistance (Ohm)
Fc	1e3	nej	amplifier 3dB frequency (Hz)
Ro	1e-3	nej	amplifier output resistance (Ohm)
Ntc	0.002	nej	conformity error temperature coefficient (%/Celsius)
Vosouttc	80e-6	nej	offset temperature coefficient (V/Celsius)
Dktc	0.03	nej	scale factor error temperature coefficient (%/Celsius)
Ib1tc	0.5e-12	nej	input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Ibrtc	0.5e-12	nej	input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Tnom	26.85	nej	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Npn Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	npn HICUM L0 v1.12
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Egenskaper	86
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	npn	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	nej	high-injection correction factor
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Pnp Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	pnp HICUM L0 v1.12
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Egenskaper	86
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pnp	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	nej	high-injection correction factor
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Potentiometer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Potentiometer
Beskrivning	Potentiometer verilog device
Schematic entry	`potentiometer`
Netlist entry	`POT`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	potentiometer
Egenskaper	11
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
R_pot	1e4	nej	nominal device resistance (Ohm)
Rotation	120	nej	shaft/wiper arm rotation (degrees)
Taper_Coeff	0	nej	resistive law taper coefficient
LEVEL	1	nej	device type selector [1, 2, 3]
Max_Rotation	240.0	nej	maximum shaft/wiper rotation (degrees)
Conformity	0.2	nej	conformity error (%)
Linearity	0.2	nej	linearity error (%)
Contact_Res	1	nej	wiper arm contact resistance (Ohm)
Temp_Coeff	100	nej	resistance temperature coefficient (PPM/Celsius)
Tnom	26.85	nej	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Mesfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	MESFET
Beskrivning	MESFET verilog device
Schematic entry	`MESFET`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	MESFET
Egenskaper	52
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
LEVEL	1	nej	model selector
Vto	-1.8	nej	pinch-off voltage (V)
Beta	3e-3	nej	transconductance parameter (A/(V*V))
Alpha	2.25	nej	saturation voltage parameter (1/V)
Lambda	0.05	nej	channel length modulation parameter (1/V)
B	0.3	nej	doping profile parameter (1/V)
Qp	2.1	nej	power law exponent parameter
Delta	0.1	nej	power feedback parameter (1/W)
Vmax	0.5	nej	maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V)
Vdelta1	0.3	nej	capacitance saturation transition voltage (V)
Vdelta2	0.2	nej	capacitance threshold transition voltage (V)
Gamma	0.015	nej	dc drain pull coefficient
Nsc	1	nej	subthreshold conductance parameter
Is	1e-14	nej	diode saturation current (I)
N	1	nej	diode emission coefficient
Vbi	1.0	nej	built-in gate potential (V)
Bv	60	nej	gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V)
Xti	3.0	nej	diode saturation current temperature coefficient
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tau	1e-9	nej	transit time under gate (s)
Rin	1e-3	nej	channel resistance (Ohm)
Area	1	nej	area factor
Eg	1.11	nej	energy gap (eV)
M	0.5	nej	grading coefficient
Cgd	0.2e-12	nej	zero bias gate-drain junction capacitance (F)
Cgs	1e-12	nej	zero bias gate-source junction capacitance (F)
Cds	1e-12	nej	zero bias drain-source junction capacitance (F)
Betatc	0	nej	Beta temperature coefficient (%/Celsius)
Alphatc	0	nej	Alpha temperature coefficient (%/Celsius)
Gammatc	0	nej	Gamma temperature coefficient (%/Celsius)
Ng	2.65	nej	Subthreshold slope gate parameter
Nd	-0.19	nej	subthreshold drain pull parameter
ILEVELS	3	nej	gate-source current equation selector
ILEVELD	3	nej	gate-drain current equation selector
QLEVELS	2	nej	gate-source charge equation selector
QLEVELD	2	nej	gate-drain charge equation selector
QLEVELDS	2	nej	drain-source charge equation selector
Vtotc	0	nej	Vto temperature coefficient
Rg	5.1	nej	gate resistance (Ohms)
Rd	1.3	nej	drain resistance (Ohms)
Rs	1.3	nej	source resistance (Ohms)
Rgtc	0	nej	gate resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rdtc	0	nej	drain resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rstc	0	nej	source resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Ibv	1e-3	nej	gate reverse breakdown currrent (A)
Rf	10	nej	forward bias slope resistance (Ohms)
R1	10	nej	breakdown slope resistance (Ohms)
Af	1	nej	flicker-brusexponent
Kf	0	nej	flicker-bruskoefficient
Gdsnoi	1	nej	shot noise coefficient
Tnom	26.85	nej	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Epfl-Ekv Nmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	EPFL-EKV NMOS 2.6
Beskrivning	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26nMOS
Egenskaper	55
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	nmos	ja	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	nej	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	nej	length parameter (m)
W	10e-6	nej	Width parameter (m)
Np	1.0	nej	parallel multiple device number
Ns	1.0	nej	series multiple device number
Cox	3.45e-3	nej	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	nej	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.02e-6	nej	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	nej	channel length correction (m)
Vto	0.6	nej	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.71	nej	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.97	nej	bulk Fermi potential (V)
Kp	150e-6	nej	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	nej	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	88.0e6	nej	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	4.5e6	nej	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	0.23	nej	depletion length coefficient
Weta	0.05	nej	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.28	nej	longitudinal critical field
Q0	280e-6	nej	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.5e-6	nej	characteristic length (m)
Tcv	1.5e-3	nej	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.5	nej	mobility temperature coefficient
Ucex	1.7	nej	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	nej	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	nej	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	510.0	nej	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	nej	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	nej	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	nej	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	nej	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	nej	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	2e8	nej	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.5e8	nej	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	nej	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-27	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Avto	0.0	nej	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	nej	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	nej	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	nej	emissionskoefficient
Is	1e-14	nej	saturation current (A)
Bv	100	nej	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	nej	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	nej	junction potential (V)
Cj0	300e-15	nej	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	nej	grading coefficient
Area	1.0	nej	diode relative area
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	0.1e-9	nej	transit time (s)
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Xpart	0.4	nej	charge partition parameter
Tnom	26.85	nej	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Epfl-Ekv Pmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	EPFL-EKV PMOS 2.6
Beskrivning	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26pMOS
Egenskaper	55
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pmos	ja	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	nej	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	nej	length parameter (m)
W	10e-6	nej	Width parameter (m)
Np	1.0	nej	parallel multiple device number
Ns	1.0	nej	series multiple device number
Cox	3.45e-3	nej	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	nej	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.03e-6	nej	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	nej	channel length correction (m)
Vto	-0.55	nej	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.69	nej	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.87	nej	bulk Fermi potential (V)
Kp	35e-6	nej	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	nej	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	51.0e6	nej	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	18.0e6	nej	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	1.1	nej	depletion length coefficient
Weta	0.0	nej	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.45	nej	longitudinal critical field
Q0	200e-6	nej	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.6e-6	nej	characteristic length (m)
Tcv	-1.4e-3	nej	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.4	nej	mobility temperature coefficient
Ucex	2.0	nej	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	nej	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	nej	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	990.0	nej	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	nej	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	nej	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	nej	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	nej	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	nej	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	0.0	nej	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.0e8	nej	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	nej	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-28	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Avto	0.0	nej	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	nej	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	nej	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	nej	emissionskoefficient
Is	1e-14	nej	saturation current (A)
Bv	100	nej	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	nej	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	nej	junction potential (V)
Cj0	300e-15	nej	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	nej	grading coefficient
Area	1.0	nej	diode relative area
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	0.1e-9	nej	transit time (s)
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Xpart	0.4	nej	charge partition parameter
Tnom	26.85	nej	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Bsim3V34Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	bsim3v34nMOS
Beskrivning	bsim3v34nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34nMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34nMOS
Egenskaper	408
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L	0.35e-6	nej	-
W	5.0e-6	nej	-
PS	8.0e-6	nej	-
PD	8.0e-6	nej	-
AS	12.0e-12	nej	-
AD	12.0e-12	nej	-
NRS	10.0	nej	-
NRD	10.0	nej	-
NQSMOD	0	nej	-
GMIN	1e-12	nej	-
VERSION	3.24	nej	-
PARAMCHK	0	nej	-
MOBMOD	1	nej	-
CAPMOD	3	nej	-
NOIMOD	4	nej	-
BINUNIT	1	nej	-
TOX	150.0e-10	nej	-
TOXM	150.0e-10	nej	-
CDSC	2.4e-4	nej	-
CDSCB	0.0	nej	-
CDSCD	0.0	nej	-
CIT	0.0	nej	-
NFACTOR	1	nej	-
XJ	0.15e-6	nej	-
VSAT	8.0e4	nej	-
AT	3.3e4	nej	-
A0	1.0	nej	-
AGS	0.0	nej	-
A1	0.0	nej	-
A2	1.0	nej	-
KETA	-0.047	nej	-
NSUB	-99.0	nej	-
NCH	-99.0	nej	-
NGATE	0	nej	-
GAMMA1	-99.0	nej	-
GAMMA2	-99.0	nej	-
VBX	-99.0	nej	-
VBM	-3.0	nej	-
XT	-99.0	nej	-
K1	-99.0	nej	-
KT1	-0.11	nej	-
KT1L	0.0	nej	-
KT2	0.022	nej	-
K2	-99.0	nej	-
K3	80.0	nej	-
K3B	0.0	nej	-
W0	2.5e-6	nej	-
NLX	1.74e-7	nej	-
DVT0	2.2	nej	-
DVT1	0.53	nej	-
DVT2	-0.032	nej	-
DVT0W	0.0	nej	-
DVT1W	5.3e6	nej	-
DVT2W	-0.032	nej	-
DROUT	0.56	nej	-
DSUB	0.56	nej	-
VTHO	0.7	nej	-
VTH0	0.7	nej	-
UA	2.25e-9	nej	-
UA1	4.31e-9	nej	-
UB	5.87e-19	nej	-
UB1	-7.61e-18	nej	-
UC	-99.0	nej	-
UC1	-99.0	nej	-
U0	-99.0	nej	-
UTE	-1.5	nej	-
VOFF	-0.08	nej	-
TNOM	26.85	nej	-
CGSO	-99.0	nej	-
CGDO	-99.0	nej	-
CGBO	-99.0	nej	-
XPART	0.4	nej	-
ELM	5.0	nej	-
DELTA	0.01	nej	-
RSH	0.0	nej	-
RDSW	0	nej	-
PRWG	0.0	nej	-
PRWB	0.0	nej	-
PRT	0.0	nej	-
ETA0	0.08	nej	-
ETAB	-0.07	nej	-
PCLM	1.3	nej	-
PDIBLC1	0.39	nej	-
PDIBLC2	0.0086	nej	-
PDIBLCB	0.0	nej	-
PSCBE1	4.24e8	nej	-
PSCBE2	1.0e-5	nej	-
PVAG	0.0	nej	-
JS	1.0E-4	nej	-
JSW	0.0	nej	-
PB	1.0	nej	-
NJ	1.0	nej	-
XTI	3.0	nej	-
MJ	0.5	nej	-
PBSW	1.0	nej	-
MJSW	0.33	nej	-
PBSWG	1.0	nej	-
MJSWG	0.33	nej	-
CJ	5.0E-4	nej	-
VFBCV	-1.0	nej	-
VFB	-99.0	nej	-
CJSW	5.0E-10	nej	-
CJSWG	5.0e-10	nej	-
TPB	0.0	nej	-
TCJ	0.0	nej	-
TPBSW	0.0	nej	-
TCJSW	0.0	nej	-
TPBSWG	0.0	nej	-
TCJSWG	0.0	nej	-
ACDE	1.0	nej	-
MOIN	15.0	nej	-
NOFF	1.0	nej	-
VOFFCV	0.0	nej	-
LINT	0.0	nej	-
LL	0.0	nej	-
LLC	0.0	nej	-
LLN	1.0	nej	-
LW	0.0	nej	-
LWC	0.0	nej	-
LWN	1.0	nej	-
LWL	0.0	nej	-
LWLC	0.0	nej	-
LMIN	0.0	nej	-
LMAX	1.0	nej	-
WR	1.0	nej	-
WINT	0.0	nej	-
DWG	0.0	nej	-
DWB	0.0	nej	-
WL	0.0	nej	-
WLC	0.0	nej	-
WLN	1.0	nej	-
WW	0.0	nej	-
WWC	0.0	nej	-
WWN	1.0	nej	-
WWL	0.0	nej	-
WWLC	0.0	nej	-
WMIN	0.0	nej	-
WMAX	1.0	nej	-
B0	0.0	nej	-
B1	0.0	nej	-
CGSL	0.0	nej	-
CGDL	0.0	nej	-
CKAPPA	0.6	nej	-
CF	-99.0	nej	-
CLC	0.1e-6	nej	-
CLE	0.6	nej	-
DWC	0.0	nej	-
DLC	-99.0	nej	-
ALPHA0	0.0	nej	-
ALPHA1	0.0	nej	-
BETA0	30.0	nej	-
IJTH	0.1	nej	-
LCDSC	0.0	nej	-
LCDSCB	0.0	nej	-
LCDSCD	0.0	nej	-
LCIT	0.0	nej	-
LNFACTOR	0.0	nej	-
LXJ	0.0	nej	-
LVSAT	0.0	nej	-
LAT	0.0	nej	-
LA0	0.0	nej	-
LAGS	0.0	nej	-
LA1	0.0	nej	-
LA2	0.0	nej	-
LKETA	0.0	nej	-
LNSUB	0.0	nej	-
LNCH	0.0	nej	-
LNGATE	0.0	nej	-
LGAMMA1	-99.0	nej	-
LGAMMA2	-99.0	nej	-
LVBX	-99.0	nej	-
LVBM	0.0	nej	-
LXT	0.0	nej	-
LK1	-99.0	nej	-
LKT1	0.0	nej	-
LKT1L	0.0	nej	-
LKT2	0.0	nej	-
LK2	-99.0	nej	-
LK3	0.0	nej	-
LK3B	0.0	nej	-
LW0	0.0	nej	-
LNLX	0.0	nej	-
LDVT0	0.0	nej	-
LDVT1	0.0	nej	-
LDVT2	0.0	nej	-
LDVT0W	0.0	nej	-
LDVT1W	0.0	nej	-
LDVT2W	0.0	nej	-
LDROUT	0.0	nej	-
LDSUB	0.0	nej	-
LVTH0	0.0	nej	-
LVTHO	0.0	nej	-
LUA	0.0	nej	-
LUA1	0.0	nej	-
LUB	0.0	nej	-
LUB1	0.0	nej	-
LUC	0.0	nej	-
LUC1	0.0	nej	-
LU0	0.0	nej	-
LUTE	0.0	nej	-
LVOFF	0.0	nej	-
LELM	0.0	nej	-
LDELTA	0.0	nej	-
LRDSW	0.0	nej	-
LPRWG	0.0	nej	-
LPRWB	0.0	nej	-
LPRT	0.0	nej	-
LETA0	0.0	nej	-
LETAB	0.0	nej	-
LPCLM	0.0	nej	-
LPDIBLC1	0.0	nej	-
LPDIBLC2	0.0	nej	-
LPDIBLCB	0.0	nej	-
LPSCBE1	0.0	nej	-
LPSCBE2	0.0	nej	-
LPVAG	0.0	nej	-
LWR	0.0	nej	-
LDWG	0.0	nej	-
LDWB	0.0	nej	-
LB0	0.0	nej	-
LB1	0.0	nej	-
LCGSL	0.0	nej	-
LCGDL	0.0	nej	-
LCKAPPA	0.0	nej	-
LCF	0.0	nej	-
LCLC	0.0	nej	-
LCLE	0.0	nej	-
LALPHA0	0.0	nej	-
LALPHA1	0.0	nej	-
LBETA0	0.0	nej	-
LVFBCV	0.0	nej	-
LVFB	0.0	nej	-
LACDE	0.0	nej	-
LMOIN	0.0	nej	-
LNOFF	0.0	nej	-
LVOFFCV	0.0	nej	-
WCDSC	0.0	nej	-
WCDSCB	0.0	nej	-
WCDSCD	0.0	nej	-
WCIT	0.0	nej	-
WNFACTOR	0.0	nej	-
WXJ	0.0	nej	-
WVSAT	0.0	nej	-
WAT	0.0	nej	-
WA0	0.0	nej	-
WAGS	0.0	nej	-
WA1	0.0	nej	-
WA2	0.0	nej	-
WKETA	0.0	nej	-
WNSUB	0.0	nej	-
WNCH	0.0	nej	-
WNGATE	0.0	nej	-
WGAMMA1	-99.0	nej	-
WGAMMA2	-99.0	nej	-
WVBX	-99.0	nej	-
WVBM	0.0	nej	-
WXT	0.0	nej	-
WK1	-99.0	nej	-
WKT1	0.0	nej	-
WKT1L	0.0	nej	-
WKT2	0.0	nej	-
WK2	-99.0	nej	-
WK3	0.0	nej	-
WK3B	0.0	nej	-
WW0	0.0	nej	-
WNLX	0.0	nej	-
WDVT0	0.0	nej	-
WDVT1	0.0	nej	-
WDVT2	0.0	nej	-
WDVT0W	0.0	nej	-
WDVT1W	0.0	nej	-
WDVT2W	0.0	nej	-
WDROUT	0.0	nej	-
WDSUB	0.0	nej	-
WVTH0	0.0	nej	-
WVTHO	0.0	nej	-
WUA	0.0	nej	-
WUA1	0.0	nej	-
WUB	0.0	nej	-
WUB1	0.0	nej	-
WUC	0.0	nej	-
WUC1	0.0	nej	-
WU0	0.0	nej	-
WUTE	0.0	nej	-
WVOFF	0.0	nej	-
WELM	0.0	nej	-
WDELTA	0.0	nej	-
WRDSW	0.0	nej	-
WPRWG	0.0	nej	-
WPRWB	0.0	nej	-
WPRT	0.0	nej	-
WETA0	0.0	nej	-
WETAB	0.0	nej	-
WPCLM	0.0	nej	-
WPDIBLC1	0.0	nej	-
WPDIBLC2	0.0	nej	-
WPDIBLCB	0.0	nej	-
WPSCBE1	0.0	nej	-
WPSCBE2	0.0	nej	-
WPVAG	0.0	nej	-
WWR	0.0	nej	-
WDWG	0.0	nej	-
WDWB	0.0	nej	-
WB0	0.0	nej	-
WB1	0.0	nej	-
WCGSL	0.0	nej	-
WCGDL	0.0	nej	-
WCKAPPA	0.0	nej	-
WCF	0.0	nej	-
WCLC	0.0	nej	-
WCLE	0.0	nej	-
WALPHA0	0.0	nej	-
WALPHA1	0.0	nej	-
WBETA0	0.0	nej	-
WVFBCV	0.0	nej	-
WVFB	0.0	nej	-
WACDE	0.0	nej	-
WMOIN	0.0	nej	-
WNOFF	0.0	nej	-
WVOFFCV	0.0	nej	-
PCDSC	0.0	nej	-
PCDSCB	0.0	nej	-
PCDSCD	0.0	nej	-
PCIT	0.0	nej	-
PNFACTOR	0.0	nej	-
PXJ	0.0	nej	-
PVSAT	0.0	nej	-
PAT	0.0	nej	-
PA0	0.0	nej	-
PAGS	0.0	nej	-
PA1	0.0	nej	-
PA2	0.0	nej	-
PKETA	0.0	nej	-
PNSUB	0.0	nej	-
PNCH	0.0	nej	-
PNGATE	0.0	nej	-
PGAMMA1	-99.0	nej	-
PGAMMA2	-99.0	nej	-
PVBX	-99.0	nej	-
PVBM	0.0	nej	-
PXT	0.0	nej	-
PK1	-99.0	nej	-
PKT1	0.0	nej	-
PKT1L	0.0	nej	-
PKT2	0.0	nej	-
PK2	-99.0	nej	-
PK3	0.0	nej	-
PK3B	0.0	nej	-
PW0	0.0	nej	-
PNLX	0.0	nej	-
PDVT0	0.0	nej	-
PDVT1	0.0	nej	-
PDVT2	0.0	nej	-
PDVT0W	0.0	nej	-
PDVT1W	0.0	nej	-
PDVT2W	0.0	nej	-
PDROUT	0.0	nej	-
PDSUB	0.0	nej	-
PVTH0	0.0	nej	-
PVTHO	0.0	nej	-
PUA	0.0	nej	-
PUA1	0.0	nej	-
PUB	0.0	nej	-
PUB1	0.0	nej	-
PUC	0.0	nej	-
PUC1	0.0	nej	-
PU0	0.0	nej	-
PUTE	0.0	nej	-
PVOFF	0.0	nej	-
PELM	0.0	nej	-
PDELTA	0.0	nej	-
PRDSW	0.0	nej	-
PPRWG	0.0	nej	-
PPRWB	0.0	nej	-
PPRT	0.0	nej	-
PETA0	0.0	nej	-
PETAB	0.0	nej	-
PPCLM	0.0	nej	-
PPDIBLC1	0.0	nej	-
PPDIBLC2	0.0	nej	-
PPDIBLCB	0.0	nej	-
PPSCBE1	0.0	nej	-
PPSCBE2	0.0	nej	-
PPVAG	0.0	nej	-
PWR	0.0	nej	-
PDWG	0.0	nej	-
PDWB	0.0	nej	-
PB0	0.0	nej	-
PB1	0.0	nej	-
PCGSL	0.0	nej	-
PCGDL	0.0	nej	-
PCKAPPA	0.0	nej	-
PCF	0.0	nej	-
PCLC	0.0	nej	-
PCLE	0.0	nej	-
PALPHA0	0.0	nej	-
PALPHA1	0.0	nej	-
PBETA0	0.0	nej	-
PVFBCV	0.0	nej	-
PVFB	0.0	nej	-
PACDE	0.0	nej	-
PMOIN	0.0	nej	-
PNOFF	0.0	nej	-
PVOFFCV	0.0	nej	-
KF	0.0	nej	-
AF	1.0	nej	-
EF	1.0	nej	-
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Bsim3V34Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	bsim3v34pMOS
Beskrivning	bsim3v34pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34pMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34pMOS
Egenskaper	408
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
L	3.5e-6	nej	-
W	5.0e-6	nej	-
PS	8.0e-6	nej	-
PD	8.0e-6	nej	-
AS	12.0e-12	nej	-
AD	12.0e-12	nej	-
NRS	10.0	nej	-
NRD	10.0	nej	-
NQSMOD	0	nej	-
GMIN	1e-12	nej	-
VERSION	3.24	nej	-
PARAMCHK	0	nej	-
MOBMOD	1	nej	-
CAPMOD	3	nej	-
NOIMOD	4	nej	-
BINUNIT	1	nej	-
TOX	150.0e-10	nej	-
TOXM	150.0e-10	nej	-
CDSC	2.4e-4	nej	-
CDSCB	0.0	nej	-
CDSCD	0.0	nej	-
CIT	0.0	nej	-
NFACTOR	1	nej	-
XJ	0.15e-6	nej	-
VSAT	8.0e4	nej	-
AT	3.3e4	nej	-
A0	1.0	nej	-
AGS	0.0	nej	-
A1	0.0	nej	-
A2	1.0	nej	-
KETA	-0.047	nej	-
NSUB	-99.0	nej	-
NCH	-99.0	nej	-
NGATE	0	nej	-
GAMMA1	-99.0	nej	-
GAMMA2	-99.0	nej	-
VBX	-99.0	nej	-
VBM	-3.0	nej	-
XT	-99.0	nej	-
K1	-99.0	nej	-
KT1	-0.11	nej	-
KT1L	0.0	nej	-
KT2	0.022	nej	-
K2	-99.0	nej	-
K3	80.0	nej	-
K3B	0.0	nej	-
W0	2.5e-6	nej	-
NLX	1.74e-7	nej	-
DVT0	2.2	nej	-
DVT1	0.53	nej	-
DVT2	-0.032	nej	-
DVT0W	0.0	nej	-
DVT1W	5.3e6	nej	-
DVT2W	-0.032	nej	-
DROUT	0.56	nej	-
DSUB	0.56	nej	-
VTHO	-0.7	nej	-
VTH0	-0.7	nej	-
UA	2.25e-9	nej	-
UA1	4.31e-9	nej	-
UB	5.87e-19	nej	-
UB1	-7.61e-18	nej	-
UC	-99.0	nej	-
UC1	-99.0	nej	-
U0	-99.0	nej	-
UTE	-1.5	nej	-
VOFF	-0.08	nej	-
TNOM	26.85	nej	-
CGSO	-99.0	nej	-
CGDO	-99.0	nej	-
CGBO	-99.0	nej	-
XPART	0.4	nej	-
ELM	5.0	nej	-
DELTA	0.01	nej	-
RSH	0.0	nej	-
RDSW	0	nej	-
PRWG	0.0	nej	-
PRWB	0.0	nej	-
PRT	0.0	nej	-
ETA0	0.08	nej	-
ETAB	-0.07	nej	-
PCLM	1.3	nej	-
PDIBLC1	0.39	nej	-
PDIBLC2	0.0086	nej	-
PDIBLCB	0.0	nej	-
PSCBE1	4.24e8	nej	-
PSCBE2	1.0e-5	nej	-
PVAG	0.0	nej	-
JS	1.0E-4	nej	-
JSW	0.0	nej	-
PB	1.0	nej	-
NJ	1.0	nej	-
XTI	3.0	nej	-
MJ	0.5	nej	-
PBSW	1.0	nej	-
MJSW	0.33	nej	-
PBSWG	1.0	nej	-
MJSWG	0.33	nej	-
CJ	5.0E-4	nej	-
VFBCV	-1.0	nej	-
VFB	-99.0	nej	-
CJSW	5.0E-10	nej	-
CJSWG	5.0e-10	nej	-
TPB	0.0	nej	-
TCJ	0.0	nej	-
TPBSW	0.0	nej	-
TCJSW	0.0	nej	-
TPBSWG	0.0	nej	-
TCJSWG	0.0	nej	-
ACDE	1.0	nej	-
MOIN	15.0	nej	-
NOFF	1.0	nej	-
VOFFCV	0.0	nej	-
LINT	0.0	nej	-
LL	0.0	nej	-
LLC	0.0	nej	-
LLN	1.0	nej	-
LW	0.0	nej	-
LWC	0.0	nej	-
LWN	1.0	nej	-
LWL	0.0	nej	-
LWLC	0.0	nej	-
LMIN	0.0	nej	-
LMAX	1.0	nej	-
WR	1.0	nej	-
WINT	0.0	nej	-
DWG	0.0	nej	-
DWB	0.0	nej	-
WL	0.0	nej	-
WLC	0.0	nej	-
WLN	1.0	nej	-
WW	0.0	nej	-
WWC	0.0	nej	-
WWN	1.0	nej	-
WWL	0.0	nej	-
WWLC	0.0	nej	-
WMIN	0.0	nej	-
WMAX	1.0	nej	-
B0	0.0	nej	-
B1	0.0	nej	-
CGSL	0.0	nej	-
CGDL	0.0	nej	-
CKAPPA	0.6	nej	-
CF	-99.0	nej	-
CLC	0.1e-6	nej	-
CLE	0.6	nej	-
DWC	0.0	nej	-
DLC	-99.0	nej	-
ALPHA0	0.0	nej	-
ALPHA1	0.0	nej	-
BETA0	30.0	nej	-
IJTH	0.1	nej	-
LCDSC	0.0	nej	-
LCDSCB	0.0	nej	-
LCDSCD	0.0	nej	-
LCIT	0.0	nej	-
LNFACTOR	0.0	nej	-
LXJ	0.0	nej	-
LVSAT	0.0	nej	-
LAT	0.0	nej	-
LA0	0.0	nej	-
LAGS	0.0	nej	-
LA1	0.0	nej	-
LA2	0.0	nej	-
LKETA	0.0	nej	-
LNSUB	0.0	nej	-
LNCH	0.0	nej	-
LNGATE	0.0	nej	-
LGAMMA1	-99.0	nej	-
LGAMMA2	-99.0	nej	-
LVBX	-99.0	nej	-
LVBM	0.0	nej	-
LXT	0.0	nej	-
LK1	-99.0	nej	-
LKT1	0.0	nej	-
LKT1L	0.0	nej	-
LKT2	0.0	nej	-
LK2	-99.0	nej	-
LK3	0.0	nej	-
LK3B	0.0	nej	-
LW0	0.0	nej	-
LNLX	0.0	nej	-
LDVT0	0.0	nej	-
LDVT1	0.0	nej	-
LDVT2	0.0	nej	-
LDVT0W	0.0	nej	-
LDVT1W	0.0	nej	-
LDVT2W	0.0	nej	-
LDROUT	0.0	nej	-
LDSUB	0.0	nej	-
LVTH0	0.0	nej	-
LVTHO	0.0	nej	-
LUA	0.0	nej	-
LUA1	0.0	nej	-
LUB	0.0	nej	-
LUB1	0.0	nej	-
LUC	0.0	nej	-
LUC1	0.0	nej	-
LU0	0.0	nej	-
LUTE	0.0	nej	-
LVOFF	0.0	nej	-
LELM	0.0	nej	-
LDELTA	0.0	nej	-
LRDSW	0.0	nej	-
LPRWG	0.0	nej	-
LPRWB	0.0	nej	-
LPRT	0.0	nej	-
LETA0	0.0	nej	-
LETAB	0.0	nej	-
LPCLM	0.0	nej	-
LPDIBLC1	0.0	nej	-
LPDIBLC2	0.0	nej	-
LPDIBLCB	0.0	nej	-
LPSCBE1	0.0	nej	-
LPSCBE2	0.0	nej	-
LPVAG	0.0	nej	-
LWR	0.0	nej	-
LDWG	0.0	nej	-
LDWB	0.0	nej	-
LB0	0.0	nej	-
LB1	0.0	nej	-
LCGSL	0.0	nej	-
LCGDL	0.0	nej	-
LCKAPPA	0.0	nej	-
LCF	0.0	nej	-
LCLC	0.0	nej	-
LCLE	0.0	nej	-
LALPHA0	0.0	nej	-
LALPHA1	0.0	nej	-
LBETA0	0.0	nej	-
LVFBCV	0.0	nej	-
LVFB	0.0	nej	-
LACDE	0.0	nej	-
LMOIN	0.0	nej	-
LNOFF	0.0	nej	-
LVOFFCV	0.0	nej	-
WCDSC	0.0	nej	-
WCDSCB	0.0	nej	-
WCDSCD	0.0	nej	-
WCIT	0.0	nej	-
WNFACTOR	0.0	nej	-
WXJ	0.0	nej	-
WVSAT	0.0	nej	-
WAT	0.0	nej	-
WA0	0.0	nej	-
WAGS	0.0	nej	-
WA1	0.0	nej	-
WA2	0.0	nej	-
WKETA	0.0	nej	-
WNSUB	0.0	nej	-
WNCH	0.0	nej	-
WNGATE	0.0	nej	-
WGAMMA1	-99.0	nej	-
WGAMMA2	-99.0	nej	-
WVBX	-99.0	nej	-
WVBM	0.0	nej	-
WXT	0.0	nej	-
WK1	-99.0	nej	-
WKT1	0.0	nej	-
WKT1L	0.0	nej	-
WKT2	0.0	nej	-
WK2	-99.0	nej	-
WK3	0.0	nej	-
WK3B	0.0	nej	-
WW0	0.0	nej	-
WNLX	0.0	nej	-
WDVT0	0.0	nej	-
WDVT1	0.0	nej	-
WDVT2	0.0	nej	-
WDVT0W	0.0	nej	-
WDVT1W	0.0	nej	-
WDVT2W	0.0	nej	-
WDROUT	0.0	nej	-
WDSUB	0.0	nej	-
WVTH0	0.0	nej	-
WVTHO	0.0	nej	-
WUA	0.0	nej	-
WUA1	0.0	nej	-
WUB	0.0	nej	-
WUB1	0.0	nej	-
WUC	0.0	nej	-
WUC1	0.0	nej	-
WU0	0.0	nej	-
WUTE	0.0	nej	-
WVOFF	0.0	nej	-
WELM	0.0	nej	-
WDELTA	0.0	nej	-
WRDSW	0.0	nej	-
WPRWG	0.0	nej	-
WPRWB	0.0	nej	-
WPRT	0.0	nej	-
WETA0	0.0	nej	-
WETAB	0.0	nej	-
WPCLM	0.0	nej	-
WPDIBLC1	0.0	nej	-
WPDIBLC2	0.0	nej	-
WPDIBLCB	0.0	nej	-
WPSCBE1	0.0	nej	-
WPSCBE2	0.0	nej	-
WPVAG	0.0	nej	-
WWR	0.0	nej	-
WDWG	0.0	nej	-
WDWB	0.0	nej	-
WB0	0.0	nej	-
WB1	0.0	nej	-
WCGSL	0.0	nej	-
WCGDL	0.0	nej	-
WCKAPPA	0.0	nej	-
WCF	0.0	nej	-
WCLC	0.0	nej	-
WCLE	0.0	nej	-
WALPHA0	0.0	nej	-
WALPHA1	0.0	nej	-
WBETA0	0.0	nej	-
WVFBCV	0.0	nej	-
WVFB	0.0	nej	-
WACDE	0.0	nej	-
WMOIN	0.0	nej	-
WNOFF	0.0	nej	-
WVOFFCV	0.0	nej	-
PCDSC	0.0	nej	-
PCDSCB	0.0	nej	-
PCDSCD	0.0	nej	-
PCIT	0.0	nej	-
PNFACTOR	0.0	nej	-
PXJ	0.0	nej	-
PVSAT	0.0	nej	-
PAT	0.0	nej	-
PA0	0.0	nej	-
PAGS	0.0	nej	-
PA1	0.0	nej	-
PA2	0.0	nej	-
PKETA	0.0	nej	-
PNSUB	0.0	nej	-
PNCH	0.0	nej	-
PNGATE	0.0	nej	-
PGAMMA1	-99.0	nej	-
PGAMMA2	-99.0	nej	-
PVBX	-99.0	nej	-
PVBM	0.0	nej	-
PXT	0.0	nej	-
PK1	-99.0	nej	-
PKT1	0.0	nej	-
PKT1L	0.0	nej	-
PKT2	0.0	nej	-
PK2	-99.0	nej	-
PK3	0.0	nej	-
PK3B	0.0	nej	-
PW0	0.0	nej	-
PNLX	0.0	nej	-
PDVT0	0.0	nej	-
PDVT1	0.0	nej	-
PDVT2	0.0	nej	-
PDVT0W	0.0	nej	-
PDVT1W	0.0	nej	-
PDVT2W	0.0	nej	-
PDROUT	0.0	nej	-
PDSUB	0.0	nej	-
PVTH0	0.0	nej	-
PVTHO	0.0	nej	-
PUA	0.0	nej	-
PUA1	0.0	nej	-
PUB	0.0	nej	-
PUB1	0.0	nej	-
PUC	0.0	nej	-
PUC1	0.0	nej	-
PU0	0.0	nej	-
PUTE	0.0	nej	-
PVOFF	0.0	nej	-
PELM	0.0	nej	-
PDELTA	0.0	nej	-
PRDSW	0.0	nej	-
PPRWG	0.0	nej	-
PPRWB	0.0	nej	-
PPRT	0.0	nej	-
PETA0	0.0	nej	-
PETAB	0.0	nej	-
PPCLM	0.0	nej	-
PPDIBLC1	0.0	nej	-
PPDIBLC2	0.0	nej	-
PPDIBLCB	0.0	nej	-
PPSCBE1	0.0	nej	-
PPSCBE2	0.0	nej	-
PPVAG	0.0	nej	-
PWR	0.0	nej	-
PDWG	0.0	nej	-
PDWB	0.0	nej	-
PB0	0.0	nej	-
PB1	0.0	nej	-
PCGSL	0.0	nej	-
PCGDL	0.0	nej	-
PCKAPPA	0.0	nej	-
PCF	0.0	nej	-
PCLC	0.0	nej	-
PCLE	0.0	nej	-
PALPHA0	0.0	nej	-
PALPHA1	0.0	nej	-
PBETA0	0.0	nej	-
PVFBCV	0.0	nej	-
PVFB	0.0	nej	-
PACDE	0.0	nej	-
PMOIN	0.0	nej	-
PNOFF	0.0	nej	-
PVOFFCV	0.0	nej	-
KF	0.0	nej	-
AF	1.0	nej	-
EF	1.0	nej	-
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Bsim4V30Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	bsim4v30nMOS
Beskrivning	bsim4v30nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30nMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30nMOS
Egenskaper	278
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
GMIN	1e-12	nej	-
PS	12e-6	nej	-
PD	12e-6	nej	-
AS	12e-12	nej	-
AD	12e-12	nej	-
CGBO	-99.0	nej	-
CGDO	-99.0	nej	-
CGSO	-99.0	nej	-
L	3e-6	nej	-
W	6e-6	nej	-
MOBMOD	-99.0	nej	-
RDSMOD	-99.0	nej	-
IGCMOD	0	nej	-
IGBMOD	0	nej	-
CAPMOD	2	nej	-
RGATEMOD	2	nej	-
RBODYMOD	0	nej	-
DIOMOD	1	nej	-
TEMPMOD	-99.0	nej	-
GEOMOD	0	nej	-
RGEOMOD	0	nej	-
PERMOD	1	nej	-
TNOIMOD	0	nej	-
FNOIMOD	0	nej	-
EPSROX	3.9	nej	-
TOXE	-99.0	nej	-
TOXP	-99.0	nej	-
TOXM	-99.0	nej	-
DTOX	0.0	nej	-
XJ	1.5e-7	nej	-
GAMMA1	-99.0	nej	-
GAMMA2	-99.0	nej	-
NDEP	-99.0	nej	-
NSUB	6.0e16	nej	-
NGATE	0.0	nej	-
NSD	1.0e20	nej	-
VBX	-99.0	nej	-
XT	1.55e-7	nej	-
RSH	0.0	nej	-
RSHG	0.0	nej	-
VTH0	0.6	nej	-
VFB	-99.0	nej	-
PHIN	0.0	nej	-
K1	-99.0	nej	-
K2	-99.0	nej	-
K3	80.0	nej	-
K3B	0.0	nej	-
W0	2.5e-6	nej	-
LPE0	1.74e-7	nej	-
LPEB	0.0	nej	-
VBM	-3.0	nej	-
DVT0	2.2	nej	-
DVT1	0.53	nej	-
DVT2	-0.032	nej	-
DVTP0	0.0	nej	-
DVTP1	0.0	nej	-
DVT0W	0.0	nej	-
DVT1W	5.3e6	nej	-
DVT2W	-0.032	nej	-
U0	-99.0	nej	-
UA	-99.0	nej	-
UB	1.0e-19	nej	-
UC	-99.0	nej	-
EU	-99.0	nej	-
VSAT	8.0e4	nej	-
A0	1.0	nej	-
AGS	0.0	nej	-
B0	0.0	nej	-
B1	0.0	nej	-
KETA	-0.047	nej	-
A1	0.0	nej	-
A2	1.0	nej	-
WINT	0.0	nej	-
LINT	0.0	nej	-
DWG	0.0	nej	-
DWB	0.0	nej	-
VOFF	-0.08	nej	-
VOFFL	0.0	nej	-
MINV	0.0	nej	-
NFACTOR	1.0	nej	-
ETA0	0.08	nej	-
ETAB	-0.07	nej	-
DROUT	0.56	nej	-
DSUB	0.56	nej	-
CIT	0.0	nej	-
CDSC	2.4e-4	nej	-
CDSCB	0.0	nej	-
CDSCD	0.0	nej	-
PCLM	1.3	nej	-
PDIBL1	0.39	nej	-
PDIBL2	0.0086	nej	-
PDIBLB	0.0	nej	-
PSCBE1	4.24e8	nej	-
PSCBE2	1.0e-5	nej	-
PVAG	0.0	nej	-
DELTA	0.01	nej	-
FPROUT	0.0	nej	-
PDITS	0.0	nej	-
PDITSD	0.0	nej	-
PDITSL	0.0	nej	-
LAMBDA	-99.0	nej	-
VTL	-99.0	nej	-
LC	5.0e-9	nej	-
XN	3.0	nej	-
RDSW	200.0	nej	-
RDSWMIN	0.0	nej	-
RDW	100.0	nej	-
RDWMIN	0.0	nej	-
RSW	100.0	nej	-
RSWMIN	0.0	nej	-
PRWG	1.0	nej	-
PRWB	0.0	nej	-
WR	1.0	nej	-
NRS	-99.0	nej	-
NRD	-99.0	nej	-
ALPHA0	0.0	nej	-
ALPHA1	0.0	nej	-
BETA0	30.0	nej	-
AGIDL	0.0	nej	-
BGIDL	2.3e9	nej	-
CGIDL	0.5	nej	-
EGIDL	0.8	nej	-
AIGBACC	0.43	nej	-
BIGBACC	0.054	nej	-
CIGBACC	0.075	nej	-
NIGBACC	1.0	nej	-
AIGBINV	0.35	nej	-
BIGBINV	0.03	nej	-
CIGBINV	0.006	nej	-
EIGBINV	1.1	nej	-
NIGBINV	3.0	nej	-
AIGC	-99.0	nej	-
BIGC	-99.0	nej	-
CIGC	-99.0	nej	-
AIGSD	-99.0	nej	-
BIGSD	-99.0	nej	-
CIGSD	-99.0	nej	-
DLCIG	0.0	nej	-
NIGC	1.0	nej	-
POXEDGE	1.0	nej	-
PIGCD	1.0	nej	-
NTOX	1.0	nej	-
TOXREF	3.0e-9	nej	-
XPART	0.4	nej	-
CGS0	0.0	nej	-
CGD0	0.0	nej	-
CGB0	0.0	nej	-
CGSL	0.0	nej	-
CGDL	0.0	nej	-
CKAPPAS	0.6	nej	-
CKAPPAD	0.6	nej	-
CF	-99.0	nej	-
CLC	1.0e-7	nej	-
CLE	0.6	nej	-
DLC	0.0	nej	-
DWC	0.0	nej	-
VFBCV	-1.0	nej	-
NOFF	1.0	nej	-
VOFFCV	0.0	nej	-
ACDE	1.0	nej	-
MOIN	15.0	nej	-
XRCRG1	12.0	nej	-
XRCRG2	1.0	nej	-
RBPB	50.0	nej	-
RBPD	50.0	nej	-
RBPS	50.0	nej	-
RBDB	50.0	nej	-
RBSB	50.0	nej	-
GBMIN	1.0e-12	nej	-
DMCG	0.0	nej	-
DMCI	0.0	nej	-
DMDG	0.0	nej	-
DMCGT	0.0	nej	-
NF	1.0	nej	-
DWJ	0.0	nej	-
MIN	0.0	nej	-
XGW	0.0	nej	-
XGL	0.0	nej	-
XL	0.0	nej	-
XW	0.0	nej	-
NGCON	1.0	nej	-
IJTHSREV	0.1	nej	-
IJTHDREV	0.1	nej	-
IJTHSFWD	0.1	nej	-
IJTHDFWD	0.1	nej	-
XJBVS	1.0	nej	-
XJBVD	1.0	nej	-
BVS	10.0	nej	-
BVD	10.0	nej	-
JSS	1.0e-4	nej	-
JSD	1.0e-4	nej	-
JSWS	0.0	nej	-
JSWD	0.0	nej	-
JSWGS	0.0	nej	-
JSWGD	0.0	nej	-
CJS	5.0e-4	nej	-
CJD	5.0e-4	nej	-
MJS	0.5	nej	-
MJD	0.5	nej	-
MJSWS	0.33	nej	-
MJSWD	0.33	nej	-
CJSWS	5.0e-10	nej	-
CJSWD	5.0e-10	nej	-
CJSWGS	5.0e-10	nej	-
CJSWGD	5.0e-10	nej	-
MJSWGS	0.33	nej	-
MJSWGD	0.33	nej	-
PBS	1.0	nej	-
PBD	1.0	nej	-
PBSWS	1.0	nej	-
PBSWD	1.0	nej	-
PBSWGS	1.0	nej	-
PBSWGD	1.0	nej	-
TNOM	27	nej	-
UTE	-1.5	nej	-
KT1	-0.11	nej	-
KT1L	0.0	nej	-
KT2	0.022	nej	-
UA1	1.0e-9	nej	-
UB1	-1.0e-18	nej	-
UC1	-99.0	nej	-
AT	3.3e4	nej	-
PRT	0.0	nej	-
NJS	1.0	nej	-
NJD	1.0	nej	-
XTIS	3.0	nej	-
XTID	3.0	nej	-
TPB	0.0	nej	-
TPBSW	0.0	nej	-
TPBSWG	0.0	nej	-
TCJ	0.0	nej	-
TCJSW	0.0	nej	-
TCJSWG	0.0	nej	-
SA	0.0	nej	-
SB	0.0	nej	-
SD	0.0	nej	-
SAREF	1e-6	nej	-
SBREF	1e-6	nej	-
WLOD	0.0	nej	-
KU0	0.0	nej	-
KVSAT	0.0	nej	-
TKU0	0.0	nej	-
LKU0	0.0	nej	-
WKU0	0.0	nej	-
PKU0	0.0	nej	-
LLODKU0	0.0	nej	-
WLODKU0	0.0	nej	-
KVTH0	0.0	nej	-
LKVTH0	0.0	nej	-
WKVTH0	0.0	nej	-
PKVTH0	0.0	nej	-
LLODVTH	0.0	nej	-
WLODVTH	0.0	nej	-
STK2	0.0	nej	-
LODK2	1.0	nej	-
STETA0	0.0	nej	-
LODETA0	1.0	nej	-
WL	0.0	nej	-
WLN	1.0	nej	-
WW	0.0	nej	-
WWN	1.0	nej	-
WWL	0.0	nej	-
LL	0.0	nej	-
LLN	1.0	nej	-
LW	0.0	nej	-
LWN	1.0	nej	-
LWL	0.0	nej	-
LLC	0.0	nej	-
LWC	0.0	nej	-
LWLC	0.0	nej	-
WLC	0.0	nej	-
WWC	0.0	nej	-
WWLC	0.0	nej	-
NTNOI	1.0	nej	-
KF	0.0	nej	-
AF	1.0	nej	-
EF	1.0	nej	-
TEMP	27	nej	-

Bsim4V30Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	bsim4v30pMOS
Beskrivning	bsim4v30pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30pMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30pMOS
Egenskaper	278
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
GMIN	1e-12	nej	-
PS	12e-6	nej	-
PD	12e-6	nej	-
AS	12e-12	nej	-
AD	12e-12	nej	-
CGBO	-99.0	nej	-
CGDO	-99.0	nej	-
CGSO	-99.0	nej	-
L	3e-6	nej	-
W	6e-6	nej	-
MOBMOD	-99.0	nej	-
RDSMOD	-99.0	nej	-
IGCMOD	0	nej	-
IGBMOD	0	nej	-
CAPMOD	2	nej	-
RGATEMOD	2	nej	-
RBODYMOD	0	nej	-
DIOMOD	1	nej	-
TEMPMOD	-99.0	nej	-
GEOMOD	0	nej	-
RGEOMOD	0	nej	-
PERMOD	1	nej	-
TNOIMOD	0	nej	-
FNOIMOD	0	nej	-
EPSROX	3.9	nej	-
TOXE	-99.0	nej	-
TOXP	-99.0	nej	-
TOXM	-99.0	nej	-
DTOX	0.0	nej	-
XJ	1.5e-7	nej	-
GAMMA1	-99.0	nej	-
GAMMA2	-99.0	nej	-
NDEP	-99.0	nej	-
NSUB	6.0e16	nej	-
NGATE	0.0	nej	-
NSD	1.0e20	nej	-
VBX	-99.0	nej	-
XT	1.55e-7	nej	-
RSH	0.0	nej	-
RSHG	0.0	nej	-
VTH0	-0.6	nej	-
VFB	-99.0	nej	-
PHIN	0.0	nej	-
K1	-99.0	nej	-
K2	-99.0	nej	-
K3	80.0	nej	-
K3B	0.0	nej	-
W0	2.5e-6	nej	-
LPE0	1.74e-7	nej	-
LPEB	0.0	nej	-
VBM	-3.0	nej	-
DVT0	2.2	nej	-
DVT1	0.53	nej	-
DVT2	-0.032	nej	-
DVTP0	0.0	nej	-
DVTP1	0.0	nej	-
DVT0W	0.0	nej	-
DVT1W	5.3e6	nej	-
DVT2W	-0.032	nej	-
U0	-99.0	nej	-
UA	-99.0	nej	-
UB	1.0e-19	nej	-
UC	-99.0	nej	-
EU	-99.0	nej	-
VSAT	8.0e4	nej	-
A0	1.0	nej	-
AGS	0.0	nej	-
B0	0.0	nej	-
B1	0.0	nej	-
KETA	-0.047	nej	-
A1	0.0	nej	-
A2	1.0	nej	-
WINT	0.0	nej	-
LINT	0.0	nej	-
DWG	0.0	nej	-
DWB	0.0	nej	-
VOFF	-0.08	nej	-
VOFFL	0.0	nej	-
MINV	0.0	nej	-
NFACTOR	1.0	nej	-
ETA0	0.08	nej	-
ETAB	-0.07	nej	-
DROUT	0.56	nej	-
DSUB	0.56	nej	-
CIT	0.0	nej	-
CDSC	2.4e-4	nej	-
CDSCB	0.0	nej	-
CDSCD	0.0	nej	-
PCLM	1.3	nej	-
PDIBL1	0.39	nej	-
PDIBL2	0.0086	nej	-
PDIBLB	0.0	nej	-
PSCBE1	4.24e8	nej	-
PSCBE2	1.0e-5	nej	-
PVAG	0.0	nej	-
DELTA	0.01	nej	-
FPROUT	0.0	nej	-
PDITS	0.0	nej	-
PDITSD	0.0	nej	-
PDITSL	0.0	nej	-
LAMBDA	-99.0	nej	-
VTL	-99.0	nej	-
LC	5.0e-9	nej	-
XN	3.0	nej	-
RDSW	200.0	nej	-
RDSWMIN	0.0	nej	-
RDW	100.0	nej	-
RDWMIN	0.0	nej	-
RSW	100.0	nej	-
RSWMIN	0.0	nej	-
PRWG	1.0	nej	-
PRWB	0.0	nej	-
WR	1.0	nej	-
NRS	-99.0	nej	-
NRD	-99.0	nej	-
ALPHA0	0.0	nej	-
ALPHA1	0.0	nej	-
BETA0	30.0	nej	-
AGIDL	0.0	nej	-
BGIDL	2.3e9	nej	-
CGIDL	0.5	nej	-
EGIDL	0.8	nej	-
AIGBACC	0.43	nej	-
BIGBACC	0.054	nej	-
CIGBACC	0.075	nej	-
NIGBACC	1.0	nej	-
AIGBINV	0.35	nej	-
BIGBINV	0.03	nej	-
CIGBINV	0.006	nej	-
EIGBINV	1.1	nej	-
NIGBINV	3.0	nej	-
AIGC	-99.0	nej	-
BIGC	-99.0	nej	-
CIGC	-99.0	nej	-
AIGSD	-99.0	nej	-
BIGSD	-99.0	nej	-
CIGSD	-99.0	nej	-
DLCIG	0.0	nej	-
NIGC	1.0	nej	-
POXEDGE	1.0	nej	-
PIGCD	1.0	nej	-
NTOX	1.0	nej	-
TOXREF	3.0e-9	nej	-
XPART	0.4	nej	-
CGS0	0.0	nej	-
CGD0	0.0	nej	-
CGB0	0.0	nej	-
CGSL	0.0	nej	-
CGDL	0.0	nej	-
CKAPPAS	0.6	nej	-
CKAPPAD	0.6	nej	-
CF	-99.0	nej	-
CLC	1.0e-7	nej	-
CLE	0.6	nej	-
DLC	0.0	nej	-
DWC	0.0	nej	-
VFBCV	-1.0	nej	-
NOFF	1.0	nej	-
VOFFCV	0.0	nej	-
ACDE	1.0	nej	-
MOIN	15.0	nej	-
XRCRG1	12.0	nej	-
XRCRG2	1.0	nej	-
RBPB	50.0	nej	-
RBPD	50.0	nej	-
RBPS	50.0	nej	-
RBDB	50.0	nej	-
RBSB	50.0	nej	-
GBMIN	1.0e-12	nej	-
DMCG	0.0	nej	-
DMCI	0.0	nej	-
DMDG	0.0	nej	-
DMCGT	0.0	nej	-
NF	1.0	nej	-
DWJ	0.0	nej	-
MIN	0.0	nej	-
XGW	0.0	nej	-
XGL	0.0	nej	-
XL	0.0	nej	-
XW	0.0	nej	-
NGCON	1.0	nej	-
IJTHSREV	0.1	nej	-
IJTHDREV	0.1	nej	-
IJTHSFWD	0.1	nej	-
IJTHDFWD	0.1	nej	-
XJBVS	1.0	nej	-
XJBVD	1.0	nej	-
BVS	10.0	nej	-
BVD	10.0	nej	-
JSS	1.0e-4	nej	-
JSD	1.0e-4	nej	-
JSWS	0.0	nej	-
JSWD	0.0	nej	-
JSWGS	0.0	nej	-
JSWGD	0.0	nej	-
CJS	5.0e-4	nej	-
CJD	5.0e-4	nej	-
MJS	0.5	nej	-
MJD	0.5	nej	-
MJSWS	0.33	nej	-
MJSWD	0.33	nej	-
CJSWS	5.0e-10	nej	-
CJSWD	5.0e-10	nej	-
CJSWGS	5.0e-10	nej	-
CJSWGD	5.0e-10	nej	-
MJSWGS	0.33	nej	-
MJSWGD	0.33	nej	-
PBS	1.0	nej	-
PBD	1.0	nej	-
PBSWS	1.0	nej	-
PBSWD	1.0	nej	-
PBSWGS	1.0	nej	-
PBSWGD	1.0	nej	-
TNOM	27	nej	-
UTE	-1.5	nej	-
KT1	-0.11	nej	-
KT1L	0.0	nej	-
KT2	0.022	nej	-
UA1	1.0e-9	nej	-
UB1	-1.0e-18	nej	-
UC1	-99.0	nej	-
AT	3.3e4	nej	-
PRT	0.0	nej	-
NJS	1.0	nej	-
NJD	1.0	nej	-
XTIS	3.0	nej	-
XTID	3.0	nej	-
TPB	0.0	nej	-
TPBSW	0.0	nej	-
TPBSWG	0.0	nej	-
TCJ	0.0	nej	-
TCJSW	0.0	nej	-
TCJSWG	0.0	nej	-
SA	0.0	nej	-
SB	0.0	nej	-
SD	0.0	nej	-
SAREF	1e-6	nej	-
SBREF	1e-6	nej	-
WLOD	0.0	nej	-
KU0	0.0	nej	-
KVSAT	0.0	nej	-
TKU0	0.0	nej	-
LKU0	0.0	nej	-
WKU0	0.0	nej	-
PKU0	0.0	nej	-
LLODKU0	0.0	nej	-
WLODKU0	0.0	nej	-
KVTH0	0.0	nej	-
LKVTH0	0.0	nej	-
WKVTH0	0.0	nej	-
PKVTH0	0.0	nej	-
LLODVTH	0.0	nej	-
WLODVTH	0.0	nej	-
STK2	0.0	nej	-
LODK2	1.0	nej	-
STETA0	0.0	nej	-
LODETA0	1.0	nej	-
WL	0.0	nej	-
WLN	1.0	nej	-
WW	0.0	nej	-
WWN	1.0	nej	-
WWL	0.0	nej	-
LL	0.0	nej	-
LLN	1.0	nej	-
LW	0.0	nej	-
LWN	1.0	nej	-
LWL	0.0	nej	-
LLC	0.0	nej	-
LWC	0.0	nej	-
LWLC	0.0	nej	-
WLC	0.0	nej	-
WWC	0.0	nej	-
WWLC	0.0	nej	-
NTNOI	1.0	nej	-
KF	0.0	nej	-
AF	1.0	nej	-
EF	1.0	nej	-
TEMP	27	nej	-

Npn Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	npn HICUM L0 v1.2
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Egenskaper	94
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	npn	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nej	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nej	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nej	high-injection correction factor
ahq	0	nej	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nej	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nej	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nej	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nej	TC of iqf
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nej	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nej	simulation temperature

Pnp Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	pnp HICUM L0 v1.2
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Egenskaper	94
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pnp	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nej	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nej	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nej	high-injection correction factor
ahq	0	nej	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nej	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nej	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nej	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nej	TC of iqf
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nej	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nej	simulation temperature

Npn Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	npn HICUM L0 v1.2g
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Egenskaper	99
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	npn	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nej	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nej	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	nej	high-injection roll-off current
ahq	0.0	nej	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nej	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nej	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nej	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100.0	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100.0	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100.0	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nej	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	nej	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	nej	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	nej	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	nej	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	nej	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	nej	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	nej	simulation temperature

Pnp Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	pnp HICUM L0 v1.2g
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Egenskaper	99
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pnp	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nej	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nej	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	nej	high-injection roll-off current
ahq	0.0	nej	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nej	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nej	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nej	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100.0	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100.0	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100.0	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nej	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	nej	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	nej	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	nej	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	nej	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	nej	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	nej	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	nej	simulation temperature

Npn Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	npn HICUM L0 v1.3
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Egenskaper	102
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	npn	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	nej	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nej	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	nej	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nej	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nej	high-injection correction factor
ahq	0	nej	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nej	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nej	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nej	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nej	TC of iqf
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nej	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	nej	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	nej	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	nej	TC of AVER
dvgbe	0.0	nej	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	nej	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	nej	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nej	simulation temperature

Pnp Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	pnp HICUM L0 v1.3
Beskrivning	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Egenskaper	102
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	pnp	ja	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	nej	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	nej	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	nej	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	nej	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	nej	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	nej	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	nej	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	nej	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	nej	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	nej	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	nej	high-injection correction factor
ahq	0	nej	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	nej	BE saturation current (A)
mbe	1.0	nej	BE non-ideality factor
ires	0.0	nej	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	nej	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	nej	BC saturation current (A)
mbc	1.0	nej	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	nej	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	nej	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	nej	BE exponent factor
aje	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	nej	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	nej	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	nej	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	nej	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	nej	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	nej	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	nej	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	nej	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	nej	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	nej	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	nej	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	nej	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	nej	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	nej	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	nej	BC exponent factor
vptci	100	nej	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	nej	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	nej	External BC exponent factor
vptcx	100	nej	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	nej	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	nej	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	nej	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	nej	Geometry factor
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	nej	SC saturation current (A)
msc	1.0	nej	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	nej	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	nej	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	nej	External SC exponent factor
vpts	100	nej	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	nej	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	nej	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	nej	Exponent factor
kavl	0.0	nej	Prefactor
kf	0.0	nej	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	nej	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	nej	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	nej	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	nej	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	nej	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	nej	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	TC of external collector resistance
zetare	0.0	nej	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	nej	TC of iqf
alkav	0.0	nej	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	nej	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	nej	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	nej	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	nej	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	nej	TC of AVER
dvgbe	0.0	nej	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	nej	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	nej	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	nej	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	nej	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	nej	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	nej	simulation temperature

Hicum L2 V2.23¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	HICUM L2 v2.23
Beskrivning	HICUM Level 2 v2.23 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p23`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Egenskaper	114
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
c10	2.0E-30	nej	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nej	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nej	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	nej	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nej	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nej	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	nej	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nej	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nej	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nej	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nej	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nej	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nej	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nej	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nej	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nej	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nej	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nej	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nej	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nej	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nej	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nej	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nej	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nej	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nej	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nej	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nej	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nej	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nej	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nej	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nej	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nej	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nej	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nej	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nej	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nej	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nej	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nej	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nej	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nej	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nej	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nej	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nej	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nej	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nej	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nej	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nej	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nej	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nej	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nej	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nej	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nej	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nej	C-S grading coefficient
vpts	100	nej	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nej	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nej	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nej	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nej	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nej	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nej	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nej	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nej	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nej	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	nej	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nej	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	nej	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nej	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	nej	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	nej	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nej	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nej	Flicker noise coefficient
af	2.0	nej	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nej	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nej	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nej	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nej	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nej	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nej	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	nej	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	nej	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nej	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	nej	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nej	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nej	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nej	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	nej	simulation temperature

Hicum L2 V2.24¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	HICUM L2 v2.24
Beskrivning	HICUM Level 2 v2.24 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p24`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Egenskaper	114
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
c10	2.0E-30	nej	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nej	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nej	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	nej	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nej	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nej	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
hjci	1.0	nej	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nej	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nej	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nej	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nej	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nej	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nej	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nej	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nej	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nej	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nej	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nej	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nej	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nej	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nej	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nej	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nej	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nej	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nej	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nej	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nej	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nej	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nej	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nej	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nej	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nej	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nej	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nej	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nej	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nej	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nej	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nej	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nej	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nej	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nej	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nej	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nej	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nej	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nej	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nej	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nej	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nej	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nej	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nej	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nej	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nej	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nej	C-S grading coefficient
vpts	100	nej	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nej	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nej	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nej	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nej	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nej	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nej	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nej	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nej	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nej	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	nej	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nej	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	nej	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nej	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	nej	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.0	nej	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nej	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nej	Flicker noise coefficient
af	2.0	nej	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nej	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nej	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nej	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nej	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nej	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nej	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	nej	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	nej	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nej	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	nej	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nej	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nej	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nej	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	nej	simulation temperature

Hicum L2 V2.31¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	HICUM L2 V2.31
Beskrivning	hicumL2V2p31n verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p31n`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	hicumL2V2p31n
Egenskaper	129
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
c10	2.0E-30	nej	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	nej	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	nej	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hf0	1.0	nej	Weight factor for the low current minority charge
hfe	1.0	nej	Emitter minority charge weighting factor in HBTs
hfc	1.0	nej	Collector minority charge weighting factor in HBTs
hjei	1.0	nej	B-E depletion charge weighting factor in HBTs
ahjei	0.0	nej	Parameter describing the slope of hjEi(VBE)
rhjei	1.0	nej	Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage
hjci	1.0	nej	B-C depletion charge weighting factor in HBTs
ibeis	1.0E-18	nej	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	nej	Internal B-E current ideality factor
ireis	0.0	nej	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	nej	Internal B-E recombination current ideality factor
ibeps	0.0	nej	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	nej	Peripheral B-E current ideality factor
ireps	0.0	nej	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	nej	Peripheral B-E recombination current ideality factor
mcf	1.0	nej	Non-ideality factor for III-V HBTs
tbhrec	0.0	nej	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	nej	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	nej	Internal B-C current ideality factor
ibcxs	0.0	nej	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	nej	External B-C current ideality factor
ibets	0.0	nej	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	nej	Exponent factor for tunneling current
tunode	1	nej	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	nej	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	nej	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	nej	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	nej	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	nej	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	nej	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	nej	Factor for geometry dependence of emitter current crowding
fdqr0	0.0	nej	Correction factor for modulation by B-E and B-C space charge layer
fcrbi	0.0	nej	Ratio of HF shunt to total internal capacitance (lateral NQS effect)
fqi	1.0	nej	Ration of internal to total minority charge
re	0.0	nej	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	nej	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	nej	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	nej	Forward ideality factor of substrate transfer current
iscs	0.0	nej	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	nej	Ideality factor of C-S diode current
tsf	0.0	nej	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	nej	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	nej	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	nej	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	nej	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	nej	Internal B-E grading coefficient
ajei	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of internal B-E capacitance
cjep0	1.0E-20	nej	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	nej	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	nej	Peripheral B-E grading coefficient
ajep	2.5	nej	Ratio of maximum to zero-bias value of peripheral B-E capacitance
cjci0	1.0E-20	nej	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	nej	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	nej	Internal B-C grading coefficient
vptci	100	nej	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	nej	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	nej	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	nej	External B-C grading coefficient
vptcx	100	nej	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	nej	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	nej	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	nej	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	nej	C-S grading coefficient
vpts	100	nej	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	nej	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	nej	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	nej	Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	nej	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	nej	Exponent factor for current dependence of neutral emitter storage time
thcs	0.0	nej	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	nej	Smoothing factor for current dependence of base and collector transit time
fthc	0.0	nej	Partitioning factor for base and collector portion
rci0	150	nej	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	nej	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	nej	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	nej	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	nej	Storage time for inverse operation (s)
vcbar	0.0	nej	Barrier voltage (V)
icbar	0.0	nej	Normalization parameter (A)
acbar	0.01	nej	Smoothing parameter for barrier voltage
delck	2.0	nej	fitting factor for critical current
cbepar	0.0	nej	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	nej	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.167	nej	Factor for additional delay time of minority charge
alit	0.333	nej	Factor for additional delay time of transfer current
flnqs	0	nej	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	nej	Flicker noise coefficient
af	2.0	nej	Flicker noise exponent factor
cfbe	-1	nej	Flag for determining where to tag the flicker noise source
flcono	0	nej	Flag for turning on and off of correlated noise implementation
kfre	0.0	nej	Emitter resistance flicker noise coefficient
afre	2.0	nej	Emitter resistance flicker noise exponent factor
latb	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter width
latl	0.0	nej	Scaling factor for collector minority charge in direction of emitter length
vgb	1.17	nej	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	nej	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	nej	Second order relative TC of parameter T0
zetaci	0.0	nej	Temperature exponent for RCI0
alvs	0.0	nej	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	nej	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	nej	Temperature exponent of internal base resistance
zetarbx	0.0	nej	Temperature exponent of external base resistance
zetarcx	0.0	nej	Temperature exponent of external collector resistance
zetare	0.0	nej	Temperature exponent of emitter resistance
zetacx	1.0	nej	Temperature exponent of mobility in substrate transistor transit time
vge	1.17	nej	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	nej	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	nej	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	nej	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	nej	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	nej	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	nej	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	nej	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
dvgbe	0	nej	Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V)
zetahjei	1	nej	Temperature coefficient for ahjEi
zetavgbe	1	nej	Temperature coefficient for hjEi0
flsh	0	nej	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	nej	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	nej	Temperature coefficient for Rth
alrth	0.0	nej	First order relative TC of parameter Rth (1/K)
cth	0.0	nej	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	nej	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	nej	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	nej	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	nej	simulation temperature

Photodiode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Photodiode
Beskrivning	Photodiode verilog device
Schematic entry	`photodiode`
Netlist entry	`PD`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	photodiode
Egenskaper	23
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
N	1.35	nej	photodiode emission coefficient
Rseries	1e-3	nej	series lead resistance (Ohm)
Is	0.34e-12	nej	diode dark current (A)
Bv	60	nej	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	nej	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	0.7	nej	junction potential (V)
Cj0	60e-12	nej	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	nej	grading coefficient
Area	1.0	nej	diode relative area
Tnom	26.85	nej	parameter measurement temperature (Celsius)
Fc	0.5	nej	forward-bias depletion capacitance coefficient
Tt	10e-9	nej	transit time (s)
Xti	3.0	nej	mättnadströmstemperaturkoefficient
Eg	1.16	nej	energy gap (eV)
Responsivity	0.5	nej	responsivity (A/W)
Rsh	5e8	nej	shunt resistance (Ohm)
QEpercent	80	nej	quantum efficiency (%)
Lambda	900	nej	light wavelength (nm)
LEVEL	1	nej	responsivity calculator selector
Kf	1e-12	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1.0	nej	flicker-brusexponent
Ffe	1.0	nej	flicker-brus frekvensexponet
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Phototransistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Phototransistor
Beskrivning	Phototransistor verilog device
Schematic entry	`phototransistor`
Netlist entry	`PT`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	phototransistor
Egenskaper	30
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Bf	100	nej	forward beta
Br	0.1	nej	reverse beta
Is	1e-10	nej	dark current (A)
Nf	1	nej	framemissionskoefficient
Nr	1	nej	backemissionskoefficient
Vaf	100	nej	forward early voltage (V)
Var	100	nej	reverse early voltage (V)
Mje	0.33	nej	base-emitter junction exponential factor
Vje	0.75	nej	base-emitter junction built-in potential (V)
Cje	1e-12	nej	base-emitter zero-bias depletion capacitance (F)
Mjc	0.33	nej	base-collector junction exponential factor
Vjc	0.75	nej	base-collector junction built-in potential (V)
Cjc	2e-12	nej	base-collector zero-bias depletion capacitance (F)
Tr	100n	nej	ideal reverse transit time (s)
Tf	0.1n	nej	ideal forward transit time (s)
Ikf	10	nej	high current corner for forward beta (A)
Ikr	10	nej	high current corner for reverse beta (A)
Rc	10	nej	collector series resistance (Ohm)
Re	1	nej	emitter series resistance (Ohm)
Rb	100	nej	base series resistance (Ohm)
Kf	1e-12	nej	flicker-bruskoefficient
Ffe	1	nej	flicker-bruskoefficient
Af	1	nej	flicker-brusexponent
Responsivity	1.5	nej	responsivity at relative selectivity=100% (A/W)
P0	2.6122e3	nej	relative selectivity polynomial coefficient
P1	-1.489e1	nej	relative selectivity polynomial coefficient
P2	3.0332e-2	nej	relative selectivity polynomial coefficient
P3	-2.5708e-5	nej	relative selectivity polynomial coefficient
P4	7.6923e-9	nej	relative selectivity polynomial coefficient
Temp	26.85	nej	simulation temperature

Nigbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	NIGBT
Beskrivning	NIGBT verilog device
Schematic entry	`nigbt`
Netlist entry	`T`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	nigbt
Egenskaper	19
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Agd	5.0e-6	nej	gate-drain overlap area (m**2)
Area	1.0e-5	nej	area of the device (m**2)
Kp	0.38	nej	MOS transconductance (A/V**2)
Tau	7.1e-6	nej	ambipolar recombination lifetime (s)
Wb	9.0e-5	nej	metallurgical base width (m)
BVf	1.0	nej	avalanche uniformity factor
BVn	4.0	nej	avalanche multiplication exponent
Cgs	1.24e-8	nej	gate-source capacitance per unit area (F/cm**2)
Coxd	3.5e-8	nej	gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2)
Jsne	6.5e-13	nej	emitter saturation current density (A/cm**2)
Kf	1.0	nej	triode region factor
Mun	1.5e-3	nej	electron mobility (cm**2/Vs)
Mup	4.5e-2	nej	hole mobility (cm**2/Vs)
Nb	2.0e14	nej	base doping (1/cm**3)
Theta	0.02	nej	transverse field factor (1/V)
Vt	4.7	nej	threshold voltage (V)
Vtd	1.0e-3	nej	gate-drain overlap depletion threshold (V)
Tnom	26.85	nej	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	nej	simulation temperature (Celsius)

Voltage Controlled Resistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Voltage Controlled Resistor
Beskrivning	spänningsstyrd spänningskälla
Schematic entry	`vcresistor`
Netlist entry	`VCR`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	vcresistor
Egenskaper	1
Category	verilog-a devices

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
gain	1	ja	resistance gain

Digital Components¶

Digital Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	digital källa
Beskrivning	digital källa
Schematic entry	`DigiSource`
Netlist entry	`S`
Typ	Komponent
Bitmap file	digi_source
Egenskaper	4
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Num	1	ja	portens nummer
init	low	nej	initial output value [low, high]
times	1ns; 1ns	nej	lista på tider för att byta utdatavärde
V	1 V	nej	spänning av hög nivå

Inverterare¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Inverterare
Beskrivning	logisk inverterare
Schematic entry	`Inv`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	inverter
Egenskaper	4
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Or¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-ports OR
Beskrivning	logiskt OR
Schematic entry	`OR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	or
Egenskaper	5
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
in	2	nej	antal ingångsportar
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-ports NOR
Beskrivning	logiskt NOR
Schematic entry	`NOR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	nor
Egenskaper	5
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
in	2	nej	antal ingångsportar
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port And¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-ports AND
Beskrivning	logiskt AND (OCH)
Schematic entry	`AND`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	and
Egenskaper	5
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
in	2	nej	antal ingångsportar
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nand¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-ports NAND
Beskrivning	logiskt N
Schematic entry	`NAND`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	nand
Egenskaper	5
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
in	2	nej	antal ingångsportar
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-ports XOR
Beskrivning	logiskt XOR
Schematic entry	`XOR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	xor
Egenskaper	5
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
in	2	nej	antal ingångsportar
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xnor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	nports XNOR
Beskrivning	logiskt XNOR
Schematic entry	`XNOR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	xnor
Egenskaper	5
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
in	2	nej	antal ingångsportar
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

Buffer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Buffer
Beskrivning	logical buffer
Schematic entry	`Buf`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	buffer
Egenskaper	4
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
V	1 V	nej	spänning av hög nivå
t	0	nej	fördröjningstid
TR	10	nej	transfer function scaling factor
Symbol	old	nej	schematic symbol [old, DIN40900]

4X2 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4x2 AndOr
Beskrivning	4x2 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x2`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	andor4x2
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

4X3 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4x3 AndOr
Beskrivning	4x3 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x3`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	andor4x3
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

4X4 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4x4 AndOr
Beskrivning	4x4 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x4`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	andor4x4
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

2To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	2to1 Mux
Beskrivning	2to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux2to1`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	mux2to1
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

4To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4to1 Mux
Beskrivning	4to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux4to1`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	mux4to1
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

8To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	8to1 Mux
Beskrivning	8to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux8to1`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	mux8to1
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

2To4 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	2to4 Demux
Beskrivning	2to4 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux2to4`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	dmux2to4
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

3To8 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	3to8 Demux
Beskrivning	3to8 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux3to8`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	dmux3to8
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

4To16 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4to16 Demux
Beskrivning	4to16 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux4to16`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	dmux4to16
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

1Bit Halfadder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	1Bit HalfAdder
Beskrivning	1bit half adder verilog device
Schematic entry	`ha1b`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	ha1b
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

1Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	1Bit FullAdder
Beskrivning	1bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa1b`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	fa1b
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

2Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	2Bit FullAdder
Beskrivning	2bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa2b`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	fa2b
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

Rs-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	RS-FlipFlop
Beskrivning	RS flip flop
Schematic entry	`RSFF`
Netlist entry	`Y`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	rsflipflop
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
t	0	nej	fördröjningstid

D-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	D-FlipFlop
Beskrivning	D flip flop with asynchron reset
Schematic entry	`DFF`
Netlist entry	`Y`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	dflipflop
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
t	0	nej	fördröjningstid

D-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	D-FlipFlop w/ SR
Beskrivning	D flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`dff_SR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	dff_SR
Egenskaper	3
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR_H	6	nej	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nej	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nej	cross coupled gate delay (s)

Jk-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	JK-FlipFlop
Beskrivning	JK flip flop with asynchron set and reset
Schematic entry	`JKFF`
Netlist entry	`Y`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	jkflipflop
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
t	0	nej	fördröjningstid

Jk-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	JK-FlipFlop w/ SR
Beskrivning	jk flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`jkff_SR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	jkff_SR
Egenskaper	3
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR_H	6	nej	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nej	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nej	cross coupled gate delay (s)

T-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	T-FlipFlop w/ SR
Beskrivning	T flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`tff_SR`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	tff_SR
Egenskaper	3
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR_H	6	nej	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nej	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nej	cross coupled gate delay (s)

Gated D-Latch¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Gated D-Latch
Beskrivning	gated D latch verilog device
Schematic entry	`gatedDlatch`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	gatedDlatch
Egenskaper	3
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR_H	6	nej	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	nej	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	nej	cross coupled gate delay (s)

Logic 0¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Logic 0
Beskrivning	logic 0 verilog device
Schematic entry	`logic_0`
Netlist entry	`S`
Typ	Komponent
Bitmap file	logic_0
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
LEVEL	0	nej	logic 0 voltage level (V)

Logic 1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Logic 1
Beskrivning	logic 1 verilog device
Schematic entry	`logic_1`
Netlist entry	`S`
Typ	Komponent
Bitmap file	logic_1
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
LEVEL	1	nej	logic 1 voltage level (V)

2Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	2Bit Pattern
Beskrivning	2bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad2bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	pad2bit
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Number	0	nej	pad output value

3Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	3Bit Pattern
Beskrivning	3bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad3bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	pad3bit
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Number	0	nej	pad output value

4Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4Bit Pattern
Beskrivning	4bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	pad4bit
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Number	0	nej	pad output value

A2D Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	A2D Level Shifter
Beskrivning	data voltage level shifter (analogue to digital) verilog device
Schematic entry	`DLS_nto1`
Netlist entry	`Y`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_nto1
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
LEVEL	5 V	nej	voltage level (V)
Delay	1 ns	nej	time delay (s)

D2A Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	D2A Level Shifter
Beskrivning	data voltage level shifter (digital to analogue) verilog device
Schematic entry	`DLS_1ton`
Netlist entry	`Y`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_1ton
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
LEVEL	5 V	nej	voltage level
Delay	1 ns	nej	time delay (s)

4Bit Bin2Grey¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4Bit Bin2Grey
Beskrivning	4bit binary to grey converter verilog device
Schematic entry	`binarytogrey4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	binarytogrey4bit
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

4Bit Grey2Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4Bit Grey2Bin
Beskrivning	4bit grey to binary converter verilog device
Schematic entry	`greytobinary4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	greytobinary4bit
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

1Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	1Bit Comparator
Beskrivning	1bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_1bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	comp_1bit
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

2Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	2Bit Comparator
Beskrivning	2bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_2bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	comp_2bit
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

4Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4Bit Comparator
Beskrivning	4bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	comp_4bit
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

4Bit Hpri-Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	4Bit HPRI-Bin
Beskrivning	4bit highest priority encoder (binary form) verilog device
Schematic entry	`hpribin4bit`
Netlist entry	`Y`
Typ	Komponent
Bitmap file	hpribin4bit
Egenskaper	2
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
TR	6	nej	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	nej	output delay (s)

Vhdl File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	VHDL-fil
Beskrivning	VHDL-fil
Schematic entry	`VHDL`
Netlist entry	`X`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File	sub.vhdl	nej	Namn på VHDL-fil

Verilog File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Verilog file
Beskrivning	Verilog file
Schematic entry	`Verilog`
Netlist entry	`X`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Egenskaper	1
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File	sub.v	nej	Name of Verilog file

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	digital simulering
Beskrivning	digital simulering
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Egenskaper	3
Category	digital components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	TruthTable	ja	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	nej	duration of TimeList simulation
Model	VHDL	nej	netlist format [VHDL, Verilog]

File Components¶

Spice Netlist¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	SPICE nätlista
Beskrivning	SPICE nätlistfil
Schematic entry	`SPICE`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spicefile
Egenskaper	4
Category	file components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File		ja	x
Ports		nej	x
Sim	ja	nej	x
Preprocessor	none	nej	x

1-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	1-port S-parameterfil
Beskrivning	S-parameterfil
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spfile1
Egenskaper	5
Category	file components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File	test.s1p	ja	namn på S-parameterfilen
Data	rectangular	nej	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linjär	nej	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	nej	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	1	nej	antal portar

2-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	2-ports S-parameterfil
Beskrivning	S-parameterfil
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spfile2
Egenskaper	5
Category	file components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File	test.s2p	ja	namn på S-parameterfilen
Data	rectangular	nej	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linjär	nej	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	nej	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	2	nej	antal portar

N-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	n-ports S-parameterfil
Beskrivning	S-parameterfil
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	spfile3
Egenskaper	5
Category	file components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File	test.s3p	ja	namn på S-parameterfilen
Data	rectangular	nej	data type [rectangular, polar]
Interpolator	linjär	nej	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	nej	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	3	nej	antal portar

Delkrets¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Delkrets
Beskrivning	delkrets
Schematic entry	`Sub`
Netlist entry	`SUB`
Typ	Komponent
Bitmap file	delkrets
Egenskaper	1
Category	file components

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
File		nej	namn på qucs schemafil

Simulations¶

Dc Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	dc-simulering
Beskrivning	dc-simulering
Schematic entry	`.DC`
Netlist entry	`DC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	dc
Egenskaper	9
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
reltol	0.001	nej	relativ tolerans för konvergens
abstol	1 pA	nej	absolut tolerans för strömmar
vntol	1 uV	nej	absolut tolerans för spänningar
saveOPs	nej	nej	put operating points into dataset [yes, no]
MaxIter	150	nej	maximalt antal iterationer tills fel
saveAll	nej	nej	save subcircuit nodes into dataset [yes, no]
convHelper	none	nej	preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping]
Solver	CroutLU	nej	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]

Transient Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Transientsimulering
Beskrivning	transientsimulering
Schematic entry	`.TR`
Netlist entry	`TR`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	tran
Egenskaper	20
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	lin	ja	sweep type [lin, log, list, const]
Start	0	ja	starttid i sekunder
Stop	1 ms	ja	stopptid i sekunder
Points	11	nej	antal tidssimuleringssteg
IntegrationMethod	Trapezoidal	nej	integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton]
Order	2	nej	order of integration method (1-6)
InitialStep	1 ns	nej	initialt tidssteg i sekunder
MinStep	1e-16	nej	minsta stegstorlek i sekunder
MaxIter	150	nej	maximalt antal iterationer tills fel
reltol	0.001	nej	relativ tolerans för konvergens
abstol	1 pA	nej	absolut tolerans för strömmar
vntol	1 uV	nej	absolut tolerans för spänningar
Temp	26.85	nej	simuleringstemperatur i Celsius
LTEreltol	1e-3	nej	relative tolerans hos lokalt avrundningsfel
LTEabstol	1e-6	nej	absolut tolerans hos lokalt avrundningsfel
LTEfactor	1	nej	överskattning av lokalt avrundningsfel
Solver	CroutLU	nej	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]
relaxTSR	nej	nej	relax time step raster [no, yes]
initialDC	ja	nej	perform an initial DC analysis [yes, no]
MaxStep	0	nej	maximum step size in seconds

Ac Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	ac-simulering
Beskrivning	ac-simulering
Schematic entry	`.AC`
Netlist entry	`AC`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	ac
Egenskaper	5
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	lin	ja	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	ja	startfrekvens i Hz
Stop	10 GHz	ja	stoppfrekvens i Hz
Points	19	ja	antal simuleringssteg
Noise	nej	nej	calculate noise voltages [yes, no]

S-Parameter Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	S-parametersimulering
Beskrivning	S-parametersimulering
Schematic entry	`.SP`
Netlist entry	`SP`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	sparameter
Egenskaper	9
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	lin	ja	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	ja	startfrekvens i Hz
Stop	10 GHz	ja	stoppfrekvens i Hz
Points	19	ja	antal simuleringssteg
Noise	nej	nej	calculate noise parameters [yes, no]
NoiseIP	1	nej	in-port för brusfaktor
NoiseOP	2	nej	ut-port för brusfaktor
saveCVs	nej	nej	put characteristic values into dataset [yes, no]
saveAll	nej	nej	save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no]

Harmonic Balance¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Övertonsbalans
Beskrivning	Harmonic balance simulation
Schematic entry	`.HB`
Netlist entry	`HB`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	hb
Egenskaper	6
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
f	1 GHz	nej	frekvens i Hz
n	4	ja	antal övertoner
iabstol	1 pA	nej	absolut tolerans för strömmar
vabstol	1 uV	nej	absolut tolerans för spänningar
reltol	0.001	nej	relativ tolerans för konvergens
MaxIter	150	nej	maximalt antal iterationer tills fel

Parameter Sweep¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	Parametersvep
Beskrivning	Parametersvep
Schematic entry	`.SW`
Netlist entry	`SW`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	sweep
Egenskaper	6
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Sim		ja	simulering för att göra paremetersvep på
Typ	lin	ja	sweep type [lin, log, list, const]
Param	R1	ja	parameter, som skall svepas
Start	5 Ohm	ja	begynnelsevärde för svep
Stop	50 Ohm	ja	slutvärde för svep
Points	20	ja	antal simuleringssteg

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	digital simulering
Beskrivning	digital simulering
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Typ	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Egenskaper	3
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Typ	TruthTable	ja	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	nej	duration of TimeList simulation
Model	VHDL	nej	netlist format [VHDL, Verilog]

Optimization¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Värde
Caption	optimization
Beskrivning	Optimization
Schematic entry	`.Opt`
Netlist entry	`Opt`
Typ	AnalogComponent
Bitmap file	optimize
Egenskaper	2
Category	simulations

Komponentparametrar¶

Default Parameters
Namn	Värde	Display	Beskrivning
Sim		nej
DE	3\|50\|2\|20\|0.85\|1\|3\|1e-6\|10\|100	nej