Component Reference¶

Lumped Components¶

Опір¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Опір
Опис	резистор
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	резистор
Властивості	6
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
R	50 Ohm	так	Омічний опір в омах
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tc1	0.0	ні	температурний коефіцієнт першого порядку
Tc2	0.0	ні	температурний коефіцієнт другого порядку
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Symbol	european	ні	schematic symbol [european, US]

Resistor Us¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Опір US
Опис	резистор
Schematic entry	`R`
Netlist entry	`R`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	resistor_us
Властивості	6
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
R	50 Ohm	так	Омічний опір в омах
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tc1	0.0	ні	температурний коефіцієнт першого порядку
Tc2	0.0	ні	температурний коефіцієнт другого порядку
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Symbol	US	ні	schematic symbol [european, US]

Конденсатор¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Конденсатор
Опис	конденсатор
Schematic entry	`C`
Netlist entry	`C`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	конденсатор
Властивості	3
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
C	1 pF	так	ємність в фарадах
V		ні	початкова напруга для моделювання перехідних процесів
Symbol	neutral	ні	schematic symbol [neutral, polar]

Катушка індуктивності¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Катушка індуктивності
Опис	котушка індуктивності
Schematic entry	`L`
Netlist entry	`L`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	котушка індуктивності
Властивості	2
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L	1 nH	так	індуктивність в генрі
I		ні	початковий струм для моделювання перехідних процесів

Земля¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Земля
Опис	заземлення (опорний потенціал)
Schematic entry	`GND`
Netlist entry
Тип	Компонент
Bitmap file	gnd
Властивості	0
Category	lumped components

Вивід підсхеми¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Вивід підсхеми
Опис	вивід підсхеми
Schematic entry	`Port`
Netlist entry	`P`
Тип	Компонент
Bitmap file	subport
Властивості	2
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Num	1	так	номер виводу підсхеми
Тип	analog	ні	type of the port (for digital simulation only) [analog, in, out, inout]

Трансформатор¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Трансформатор
Опис	ідеальний трансформатор
Schematic entry	`Tr`
Netlist entry	`Tr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	transformer
Властивості	1
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
T	1	так	коефіцієнт трансформації напруги

Symmetric Transformer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	симетричний трансформатор
Опис	ідеальний симетричний трансформатор
Schematic entry	`sTr`
Netlist entry	`Tr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	symtrans
Властивості	2
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
T1	1	так	коефіцієнт трансформації напруги обмотки 1
T2	1	так	коефіцієнт трансформації напруги обмотки 2

Dc Block¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	розв’язка від постійного струму
Опис	розв’язка
Schematic entry	`DCBlock`
Netlist entry	`C`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	dcblock
Властивості	1
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
C	1 uF	ні	для моделювання перехідних процесів: ємність в фарадах

Dc Feed¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	підвід постійного струму
Опис	подача постійного струму
Schematic entry	`DCFeed`
Netlist entry	`L`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	dcfeed
Властивості	1
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L	1 uH	ні	для моделювання перехідних процесів: індуктивність в генрі

Зміщення T¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Зміщення T
Опис	усунення T
Schematic entry	`BiasT`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	biast
Властивості	2
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L	1 uH	ні	для моделювання перехідних процесів: індуктивність в генрі
C	1 uF	ні	для моделювання перехідних процесів: ємність в фарадах

Аттен’юатор¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Аттен’юатор
Опис	член слабшання
Schematic entry	`Attenuator`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	член слабшання
Властивості	3
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L	10 dB	так	ослаблення потужності
Zref	50 Ohm	ні	опорний повний опір
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Підсилювач¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Підсилювач
Опис	ідеальний підсилювач
Schematic entry	`Amp`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	amplifier
Властивості	4
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
G	10	так	підсилення напруги
Z1	50 Ohm	ні	опорний повний опір вхідного виводу
Z2	50 Ohm	ні	опорний повний опір вивідного виводу
NF	0 dB	ні	noise figure

Ізолятор¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Ізолятор
Опис	ізолятор
Schematic entry	`Isolator`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ізолятор
Властивості	3
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Z1	50 Ohm	ні	опорний повний опір вхідного виводу
Z2	50 Ohm	ні	опорний повний опір вивідного виводу
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Циркулятор¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Циркулятор
Опис	циркулятор
Schematic entry	`Circulator`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	циркулятор
Властивості	3
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Z1	50 Ohm	ні	опорний повний опір виводу 1
Z2	50 Ohm	ні	опорний повний опір виводу 2
Z3	50 Ohm	ні	опорний повний опір виводу 3

Гіратор¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Гіратор
Опис	гіратор (перетворювач повного опору)
Schematic entry	`Gyrator`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	gyrator
Властивості	2
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
R	50 Ohm	так	коефіцієнт гірації
Zref	50 Ohm	ні	опорний повний опір

Фазозсувач¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Фазозсувач
Опис	фазозсувач
Schematic entry	`PShift`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pshifter
Властивості	2
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
phi	90	так	зсув фази в градусах
Zref	50 Ohm	ні	опорний повний опір

Пристрій зв’язку¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Пристрій зв’язку
Опис	ідеальний пристрій зв’язку
Schematic entry	`Coupler`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	coupler
Властивості	3
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
k	0.7071	так	коефіцієнт зв’язку
phi	180	так	фазовий зсув зв’язкового шляху в градусах
Z	50 Ohm	ні	опорний повний опір

Hybrid¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Hybrid
Опис	hybrid (unsymmetrical 3dB coupler)
Schematic entry	`Hybrid`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	hybrid
Властивості	2
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
phi	90	так	зсув фази в градусах
Zref	50 Ohm	ні	опорний повний опір

Амперметр¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Амперметр
Опис	вимірювач струму
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Властивості	0
Category	lumped components

Вольтметр¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Вольтметр
Опис	вимірювач напруги
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Властивості	0
Category	lumped components

Індуктивно пов’язані котушки¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Індуктивно пов’язані котушки
Опис	дві індуктивно пов’язаних котушки
Schematic entry	`MUT`
Netlist entry	`Tr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mutual
Властивості	3
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L1	1 mH	ні	індуктивність обмотки 1
L2	1 mH	ні	індуктивність обмотки 2
k	0.9	ні	коефіцієнт зв’язоку між обмоткою 1 і 2

3 індуктивно пов’язаних котушки¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	3 індуктивно пов’язаних котушки
Опис	три індуктивно пов’язані котушки
Schematic entry	`MUT2`
Netlist entry	`Tr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mutual2
Властивості	6
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L1	1 mH	ні	індуктивність обмотки 1
L2	1 mH	ні	індуктивність обмотки 2
L3	1 mH	ні	індуктивність обмотки 3
k12	0.9	ні	коефіцієнт зв’язоку між обмоткою 1 і 2
k13	0.9	ні	коефіцієнт зв’язоку між обмоткою 1 і 3
k23	0.9	ні	коефіцієнт зв’язоку між обмоткою 2 і 3

N Mutual Inductors¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	N Mutual Inductors
Опис	several mutual inductors
Schematic entry	`MUTX`
Netlist entry	`Tr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mutualx
Властивості	11
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
coils	4	ні	number of mutual inductances
L1	1 mH	ні	індуктивність обмотки 1
L2	1 mH	ні	індуктивність обмотки 2
L3	1 mH	ні	індуктивність обмотки 3
L4	1 mH	ні	inductance of coil 4
k12	0.9	ні	coupling factor between coil 1 and coil 2
k13	0.9	ні	coupling factor between coil 1 and coil 3
k14	0.9	ні	coupling factor between coil 1 and coil 4
k23	0.9	ні	coupling factor between coil 2 and coil 3
k24	0.9	ні	coupling factor between coil 2 and coil 4
k34	0.9	ні	coupling factor between coil 3 and coil 4

Вимикач¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Вимикач
Опис	перемикач (керований за часом)
Schematic entry	`Switch`
Netlist entry	`S`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	switch
Властивості	6
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
init	off	ні	initial state [on, off]
time	1 ms	ні	time when state changes (semicolon separated list possible, even numbered lists are repeated)
Ron	0	ні	опір “on” в омах
Roff	1e12	ні	опір “off” в омах
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
MaxDuration	1e-6	ні	Max possible switch transition time (transition time 1/100 smallest value in ‘time’, or this number)

Реле¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Реле
Опис	реле
Schematic entry	`Relais`
Netlist entry	`S`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	relais
Властивості	5
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Vt	0.5 V	ні	граничне напруження як у вольтах
Vh	0.1 V	ні	напруга гистерезиса в вольтах
Ron	0	ні	опір в “on”-стану в омах
Roff	1e12	ні	опір в “off”-стану в омах
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Equation Defined Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Equation Defined RF Device
Опис	equation defined RF device
Schematic entry	`RFEDD`
Netlist entry	`RF`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Властивості	7
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	Y	ні	type of parameters [Y, Z, S]
Ports	2	ні	кількість портів
duringDC	open	ні	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	ні	parameter equation 11
P12	0	ні	parameter equation 12
P21	0	ні	parameter equation 21
P22	0	ні	parameter equation 22

Equation Defined 2-Port Rf Device¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Equation Defined 2-port RF Device
Опис	equation defined 2-port RF device
Schematic entry	`RFEDD2P`
Netlist entry	`RF`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	rfedd
Властивості	6
Category	lumped components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	Y	ні	type of parameters [Y, Z, S, H, G, A, T]
duringDC	open	ні	representation during DC analysis [open, short, unspecified, zerofrequency]
P11	0	ні	parameter equation 11
P12	0	ні	parameter equation 12
P21	0	ні	parameter equation 21
P22	0	ні	parameter equation 22

Sources¶

Dc Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	джерело напруги постійного струму
Опис	ідеальне джерело постійної напруги
Schematic entry	`Vdc`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	dc_voltage
Властивості	1
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
U	1 V	так	напруга у вольтах

Dc Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	джерело постійного струму
Опис	ідеальний джерело постійного струму
Schematic entry	`Idc`
Netlist entry	`I`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	dc_current
Властивості	1
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
I	1 mA	так	струм в амперах

Ac Voltage Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	джерело напруги змінного струму
Опис	ідеальне джерело змінного напруги
Schematic entry	`Vac`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ac_voltage
Властивості	4
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
U	1 V	так	пікове напруження у вольтах
f	1 GHz	ні	частота в герцах
Phase	0	ні	початкова фаза в градусах
Theta	0	ні	коефіцієнт загасання (лише перехідного моделювання)

Ac Current Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	джерело змінного струму
Опис	ідеальний джерело змінного струму
Schematic entry	`Iac`
Netlist entry	`I`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ac_current
Властивості	4
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
I	1 mA	так	пікова величина струму в амперах
f	1 GHz	ні	частота в герцах
Phase	0	ні	початкова фаза в градусах
Theta	0	ні	коефіцієнт загасання (лише перехідного моделювання)

Джерело живлення¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело живлення
Опис	джерело живлення змінного струму
Schematic entry	`Pac`
Netlist entry	`P`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	source
Властивості	5
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Num	1	так	номер виводу
Z	50 Ohm	так	повний опір виводу
P	0 dBm	ні	(доступна) AC потужність в ваттах
f	1 GHz	ні	частота в герцах
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Джерело шумової напруги¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело шумової напруги
Опис	джерело шумової напруги
Schematic entry	`Vnoise`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	noise_volt
Властивості	4
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
u	1e-6	так	спектральна щільність потужності шумовогї напруги в В²/Гц
e	0	ні	показник ступеня частоти
c	1	ні	коефіцієнт частоти
a	0	ні	адитивний член частоти

Джерело шумового струму¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело шумового струму
Опис	шумове джерело струму
Schematic entry	`Inoise`
Netlist entry	`I`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	noise_current
Властивості	4
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
i	1e-6	так	спектральна щільність потужності шумового струму в А²/Гц
e	0	ні	показник ступеня частоти
c	1	ні	коефіцієнт частоти
a	0	ні	адитивний член частоти

Джерело струму, кероване напругою¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело струму, кероване напругою
Опис	джерело струму, кероване напругою
Schematic entry	`VCCS`
Netlist entry	`SRC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vccs
Властивості	2
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
G	1 S	так	пряма передатна провідність
T	0	ні	час затримки

Джерело струму, кероване струмом¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело струму, кероване струмом
Опис	джерело струму, кероване струмом
Schematic entry	`CCCS`
Netlist entry	`SRC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	cccs
Властивості	2
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
G	1	так	коефіцієнт прямої передачі
T	0	ні	час затримки

Джерело напруги, кероване напругою¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело напруги, кероване напругою
Опис	джерело напруги, кероване напругою
Schematic entry	`VCVS`
Netlist entry	`SRC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vcvs
Властивості	2
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
G	1	так	коефіцієнт прямої передачі
T	0	ні	час затримки

Джерело напруги, кероване струмом¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело напруги, кероване струмом
Опис	джерело напруги, кероване струмом
Schematic entry	`CCVS`
Netlist entry	`SRC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ccvs
Властивості	2
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
G	1 Ohm	так	коефіцієнт прямої передачі
T	0	ні	час затримки

Джерело імпульсної напруги¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело імпульсної напруги
Опис	ідеальне джерело імпульсної напруги
Schematic entry	`Vpulse`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vpulse
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
U1	0 V	так	напруга до і після імпульсу
U2	1 V	так	напруга під час імпульсу
T1	0	так	час початку імпульсу
T2	1 ms	так	час закінчення імпульсу
Tr	1 ns	ні	час наростання фронту імпульсу
Tf	1 ns	ні	час спаду зрізу імпульсу

Джерело імпульсного струму¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело імпульсного струму
Опис	ідеальне джерело імпульсного струму
Schematic entry	`Ipulse`
Netlist entry	`I`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ipulse
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
I1	0	так	струм до і після імпульсу
I2	1 A	так	струм під час імпульсу
T1	0	так	час початку імпульсу
T2	1 ms	так	час закінчення імпульсу
Tr	1 ns	ні	час наростання фронту імпульсу
Tf	1 ns	ні	час спаду зрізу імпульсу

Джерело напруги прямокутної форми¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело напруги прямокутної форми
Опис	ідеальний джерело напруги прямокутної форми
Schematic entry	`Vrect`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vrect
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
U	1 V	так	напруга вершини імпульсу
TH	1 ms	так	тривалість вершини імпульсу
TL	1 ms	так	тривалість нижнього рівня імпульсу
Tr	1 ns	ні	час наростання фронту імпульсу
Tf	1 ns	ні	час спаду зрізу імпульсу
Td	0 ns	ні	початковий час затримки

Джерело струму прямокутної форми¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело струму прямокутної форми
Опис	ідеальне джерело струму прямокутної форми
Schematic entry	`Irect`
Netlist entry	`I`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	irect
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
I	1 mA	так	струм на вершині імпульсу
TH	1 ms	так	тривалість вершини імпульсу
TL	1 ms	так	тривалість нижнього рівня імпульсу
Tr	1 ns	ні	час наростання фронту імпульсу
Tf	1 ns	ні	час спаду зрізу імпульсу
Td	0 ns	ні	початковий час затримки

Корельовані джерела шуму¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Корельовані джерела шуму
Опис	Корельовані джерела струму
Schematic entry	`IInoise`
Netlist entry	`SRC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	noise_ii
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
i1	1e-6	так	спектральна щільність потужності струму джерела 1
i2	1e-6	так	спектральна щільність потужності струму джерела 2
C	0.5	так	нормований коефіцієнт кореляції
e	0	ні	показник ступеня частоти
c	1	ні	коефіцієнт частоти
a	0	ні	адитивний член частоти

Корельовані джерела шуму¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Корельовані джерела шуму
Опис	Корельовані джерела струму
Schematic entry	`VVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	noise_vv
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
v1	1e-6	так	спектральна щільність потужності напруги шуму джерела 1
v2	1e-6	так	спектральна щільність потужності напруги шуму джерела 2
C	0.5	так	нормований коефіцієнт кореляції
e	0	ні	показник ступеня частоти
c	1	ні	коефіцієнт частоти
a	0	ні	адитивний член частоти

Корельовані джерела шуму¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Корельовані джерела шуму
Опис	Корельовані джерела струму
Schematic entry	`IVnoise`
Netlist entry	`SRC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	noise_iv
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
i1	1e-6	так	спектральна щільність потужності струму джерела 1
v2	1e-6	так	спектральна щільність потужності напруги шуму джерела 2
C	0.5	так	нормований коефіцієнт кореляції
e	0	ні	показник ступеня частоти
c	1	ні	коефіцієнт частоти
a	0	ні	адитивний член частоти

Am Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело з АМ-модуляцією
Опис	джерело змінногї напруги з амплітудним модулятором
Schematic entry	`AM_Mod`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	am_mod
Властивості	4
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
U	1 V	так	пікове напруження у вольтах
f	1 GHz	ні	частота в герцах
Phase	0	ні	початкова фаза в градусах
m	1.0	ні	рівень модуляції

Pm Modulated Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело з імпульсною модуляцією
Опис	джерело змінногї напруги з фазовим модулятором
Schematic entry	`PM_Mod`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pm_mod
Властивості	4
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
U	1 V	так	пікове напруження у вольтах
f	1 GHz	ні	частота в герцах
Phase	0	ні	початкова фаза в градусах
M	1.0	ні	індекс модуляції

Джерело експоненціального імпульсного струму¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело експоненціального імпульсного струму
Опис	джерело експоненціального струму
Schematic entry	`Iexp`
Netlist entry	`I`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	iexp
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
I1	0	так	струм перед зростаючим фронтом
I2	1 A	так	максимальний струм імпульсу
T1	0	так	час початку експоненціально зростаючого фронту
T2	1 ms	так	початок експоненціального спаду
Tr	1 ns	ні	постійна часу зростаючого фронту
Tf	1 ns	ні	постійна часу спадаючого фронту

Джерело експоненціальної імпульсної напруги¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Джерело експоненціальної імпульсної напруги
Опис	джерело експоненціальної напруги
Schematic entry	`Vexp`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vexp
Властивості	6
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
U1	0 V	так	напруга перед зростаючим фронтом
U2	1 V	так	максимальна напруга імпульсу
T1	0	так	час початку експоненціально зростаючого фронту
T2	1 ms	так	початок експоненціального спаду
Tr	1 ns	ні	час наростання імпульсу
Tf	1 ns	ні	час спадання імпульсу

Файл Оснований на Джерелах Напруг¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Файл Оснований на Джерелах Напруг
Опис	файл оснований на джерелах напруг
Schematic entry	`Vfile`
Netlist entry	`V`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vfile
Властивості	5
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File	vfile.dat	так	імя файлу прикладу
Interpolator	лінійний	ні	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	ні	ні	repeat waveform [no, yes]
G	1	ні	підсилення напруги
T	0	ні	час затримки

Файл Оснований на Джерелах Струму¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Файл Оснований на Джерелах Струму
Опис	файл оснований на джерелах струму
Schematic entry	`Ifile`
Netlist entry	`I`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ifile
Властивості	5
Category	sources

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File	ifile.dat	так	імя файлу прикладу
Interpolator	лінійний	ні	interpolation type [hold, linear, cubic]
Repeat	ні	ні	repeat waveform [no, yes]
G	1	ні	скачок струму
T	0	ні	час затримки

Probes¶

Амперметр¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Амперметр
Опис	вимірювач струму
Schematic entry	`IProbe`
Netlist entry	`Pr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	iprobe
Властивості	0
Category	probes

Вольтметр¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Вольтметр
Опис	вимірювач напруги
Schematic entry	`VProbe`
Netlist entry	`Pr`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vprobe
Властивості	0
Category	probes

Transmission Lines¶

Лінія передачі¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Лінія передачі
Опис	ідеальна лінія передачі
Schematic entry	`TLIN`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	tline
Властивості	4
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Z	50 Ohm	так	характеристична повного опору
L	1 mm	так	електрична довжина лінії
Alpha	0 dB	ні	коефіцієнт ослаблення на одиницю довжини, в 1/м
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Лінія передачі з чотирьма виходами¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Лінія передачі з чотирьма виходами
Опис	ідеальна лінія передачі з чотирьма виходами
Schematic entry	`TLIN4P`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	tline_4port
Властивості	4
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Z	50 Ohm	так	характеристична повного опору
L	1 mm	так	електрична довжина лінії
Alpha	0 dB	ні	коефіцієнт ослаблення на одиницю довжини, в 1/м
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Coupled Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Coupled Transmission Line
Опис	coupled transmission lines
Schematic entry	`CTLIN`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ctline
Властивості	8
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Ze	50 Ohm	так	characteristic impedance of even mode
Zo	50 Ohm	так	characteristic impedance of odd mode
L	1 mm	так	електрична довжина лінії
Ere	1	ні	relative dielectric constant of even mode
Ero	1	ні	relative dielectric constant of odd mode
Ae	0 dB	ні	attenuation factor per length of even mode
Ao	0 dB	ні	attenuation factor per length of odd mode
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Вита пара¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Вита пара
Опис	лінія передачі витою парою
Schematic entry	`TWIST`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	twistedpair
Властивості	9
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
d	0.5 mm	так	діаметр провідника
D	0.8 mm	так	діаметр дроту (провідник і ізолятор)
L	1.5	так	фізична довжина лінії
T	100	ні	витків на 1 м
er	4	ні	діалектрична стала ізолятору
mur	1	ні	відносна проникність провідника
rho	0.022e-6	ні	питомий опір провідника
tand	4e-4	ні	тангенс кута діелектричних втрат
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Коаксіальна лінія¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Коаксіальна лінія
Опис	коаксіальна лінія передачі
Schematic entry	`COAX`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	coaxial
Властивості	8
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
er	2.29	так	відносна проникність діалектрика
rho	0.022e-6	ні	питомий опір провідника
mur	1	ні	відносна проникність провідника
D	2.95 mm	ні	внутрішній діаметр екрана
d	0.9 mm	ні	діаметр внутрішнього провідника
L	1500 mm	так	механічна довжина лінії
tand	4e-4	ні	тангенс кута діелектричних втрат
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Прямокутний хвилевід¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Прямокутний хвилевід
Опис	Прямокутний хвилевід
Schematic entry	`RECTLINE`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	rectline
Властивості	9
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
a	2.95 mm	так	widest side
b	0.9 mm	так	shortest side
L	1500 mm	так	механічна довжина лінії
er	1	ні	відносна проникність діалектрика
mur	1	ні	відносна проникність провідника
tand	0	ні	тангенс кута діелектричних втрат
rho	0.022e-6	ні	питомий опір провідника
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Material	unspecified	ні	material parameter for temperature model [unspecified, Copper, StainlessSteel, Gold]

Rlcg Transmission Line¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	RLCG Transmission Line
Опис	RLCG transmission line
Schematic entry	`RLCG`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	rlcg
Властивості	6
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
R	0.0	ні	resistive load (Ohm/m)
L	0.6e-6	так	inductive load (H/m)
C	240e-12	так	capacitive load (F/m)
G	0.0	ні	conductive load (S/m)
Довжина	1 mm	так	електрична довжина лінії
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Підкладка¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Підкладка
Опис	параметри підкладки
Schematic entry	`SUBST`
Netlist entry	`Subst`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	підкладка
Властивості	6
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
er	9.8	так	відносна діалектрична проникність
h	1 mm	так	товщина в метрах
t	35 um	так	товщина металізації
tand	2e-4	так	тангенс кута діелектричних втрат
rho	0.022e-6	так	питомий опір металу
D	0.15e-6	так	середньоквадратична шорсткість підкладки

Мікросмугова лінія¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Мікросмугова лінія
Опис	мікросмугова лінія
Schematic entry	`MLIN`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	msline
Властивості	6
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
L	10 mm	так	довжина лінії
Модель	Hammerstad	ні	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
DispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Пов’язана мікросмугова лінія¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Пов’язана мікросмугова лінія
Опис	пов’язана мікросмугова лінія
Schematic entry	`MCOUPLED`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mscoupled
Властивості	7
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
L	10 mm	так	довжина лінії
S	1 mm	так	відстань між лініями
Модель	Kirschning	ні	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Microstrip Lange Coupler¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Microstrip Lange Coupler
Опис	microstrip lange coupler
Schematic entry	`MLANGE`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mslange
Властивості	7
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
L	10 mm	так	довжина лінії
S	1 mm	так	відстань між лініями
Модель	Kirschning	ні	microstrip model [Kirschning, Hammerstad]
DispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Getsinger]
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

кут мікросмугової лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	кут мікросмугової лінії
Опис	кут мікросмугової лінії
Schematic entry	`MCORN`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mscorner
Властивості	2
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	підкладка
W	1 mm	так	ширина лінії

Вирівняний вигин мікросмугової лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Вирівняний вигин мікросмугової лінії
Опис	вирівняний вигин мікросмугової лінії
Schematic entry	`MMBEND`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	msmbend
Властивості	2
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	підкладка
W	1 mm	так	ширина лінії

Стрибок ширини мікросмугової лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Стрибок ширини мікросмугової лінії
Опис	стрибок повного опору мікросмугової лінії
Schematic entry	`MSTEP`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	msstep
Властивості	5
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	підкладка
W1	2 mm	так	1 ширина лінії
W2	1 mm	так	2 ширина лінії
MSModel	Hammerstad	ні	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Трійник мікросмугової лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Трійник мікросмугової лінії
Опис	трійник мікросмугової лінії
Schematic entry	`MTEE`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mstee
Властивості	8
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	підкладка
W1	1 mm	так	ширина лінії 1
W2	1 mm	так	ширина лінії 2
W3	2 mm	так	ширина лінії 3
MSModel	Hammerstad	ні	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Temp	26.85	ні	температура в °С
Symbol	showNumbers	ні	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Перетин мікросмугової лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Перетин мікросмугової лінії
Опис	перетин мікросмугової лінії
Schematic entry	`MCROSS`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mscross
Властивості	8
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	підкладка
W1	1 mm	так	ширина лінії 1
W2	2 mm	так	ширина лінії 2
W3	1 mm	так	ширина лінії 3
W4	2 mm	так	ширина лінії 4
MSModel	Hammerstad	ні	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Symbol	showNumbers	ні	show port numbers in symbol or not [showNumbers, noNumbers]

Розімкнута мікросмугова лінія¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Розімкнута мікросмугова лінія
Опис	розімкнута мікросмугова лінія
Schematic entry	`MOPEN`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	msopen
Властивості	5
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
MSModel	Hammerstad	ні	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]
Модель	Kirschning	ні	microstrip open end model [Kirschning, Hammerstad, Alexopoulos]

Розрив мікросмугової лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Розрив мікросмугової лінії
Опис	розрив мікросмугової лінії
Schematic entry	`MGAP`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	msgap
Властивості	6
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W1	1 mm	так	ширина лінії 1
W2	1 mm	так	ширина лінії 2
S	1 mm	так	відстань між кінцями мікросмугової лінії
MSModel	Hammerstad	ні	quasi-static microstrip model [Hammerstad, Wheeler, Schneider]
MSDispModel	Kirschning	ні	microstrip dispersion model [Kirschning, Kobayashi, Yamashita, Hammerstad, Getsinger, Schneider, Pramanick]

Перехідний отвір мікросмугової лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Перехідний отвір мікросмугової лінії
Опис	перехідний отвір мікросмугової лінії
Schematic entry	`MVIA`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	msvia
Властивості	3
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	підкладка
D	1 mm	так	діаметр круглого перехідного отвору
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Microstrip Radial Stub¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Microstrip Radial Stub
Опис	microstrip radial stub
Schematic entry	`MRSTUB`
Netlist entry	`MS`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	msrstub
Властивості	4
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
ri	1 mm	ні	inner radius
ro	10 mm	так	outer radius
alpha	90	так	stub angle (degrees)

Копланарна лінія¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Копланарна лінія
Опис	копланарна лінія
Schematic entry	`CLIN`
Netlist entry	`CL`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	coplanar
Властивості	6
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
S	1 mm	так	ширина зазору
L	10 mm	так	довжина лінії
Backside	Air	ні	material at the backside of the substrate [Metal, Air]
Approx	так	ні	use approximation instead of precise equation [yes, no]

Розімкнута копланарна лінія¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Розімкнута копланарна лінія
Опис	розімкнута копланарна лінія
Schematic entry	`COPEN`
Netlist entry	`CL`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	cpwopen
Властивості	5
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
S	1 mm	так	ширина зазору
G	5 mm	так	ширина розриву на кінці лінії
Backside	Air	ні	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Замкнена копланарна лінія¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Замкнена копланарна лінія
Опис	замкнута копланарна лінія
Schematic entry	`CSHORT`
Netlist entry	`CL`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	cpwshort
Властивості	4
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
S	1 mm	так	ширина зазору
Backside	Air	ні	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

Розрив копланарної лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Розрив копланарної лінії
Опис	розрив копланарної лінії
Schematic entry	`CGAP`
Netlist entry	`CL`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	cpwgap
Властивості	4
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W	1 mm	так	ширина лінії
S	1 mm	так	ширина зазору
G	0.5 mm	так	ширина проміжку між двома лініями

Стрибок ширини копланарної лінії¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Стрибок ширини копланарної лінії
Опис	стрибок ширини копланарної лінії
Schematic entry	`CSTEP`
Netlist entry	`CL`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	cpwstep
Властивості	5
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Subst	Subst1	так	назва підкладки
W1	1 mm	так	ширина лінії 1
W2	2 mm	так	ширина лінії 2
S	3 mm	так	відстань між заземленими площинами
Backside	Air	ні	material at the backside of the substrate [Metal, Air]

З’єднувальний провідник¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	З’єднувальний провідник
Опис	з’єднувальний провідник
Schematic entry	`BOND`
Netlist entry	`Line`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	bondwire
Властивості	8
Category	transmission lines

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L	3 mm	так	довжина провідника
D	50 um	так	діаметр провідника
H	2 mm	так	висота над площиною замлі
rho	0.022e-6	ні	питомий опір металу
mur	1	ні	відносна проникність металу
Модель	FREESPACE	ні	bond wire model [FREESPACE, MIRROR, DESCHARLES]
Subst	Subst1	так	підкладка
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С

Nonlinear Components¶

Діод¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Діод
Опис	діод
Schematic entry	`Diode`
Netlist entry	`D`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	діод
Властивості	29
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Is	1e-15 A	так	струм насичення
N	1	так	коефіцієнт емісії
Cj0	10 fF	так	ємність переходу при нульовому зміщенні
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності
Vj	0.7 V	ні	потенціал переходу
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Cp	0.0 fF	ні	лінійна ємність
Isr	0.0	ні	рекомбінаційний струм
Nr	2.0	ні	коефіцієнт ідеальності діода для Isr
Rs	0.0 Ohm	ні	омічний послідовний опір
Tt	0.0 ps	ні	час переходу
Ikf	0	ні	Граничний струм виводу інжекції (0=бесконечность)
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Bv	0	ні	зворотня напруга пробою
Ibv	1 mA	ні	струм при зворотній напрузі пробою
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Eg	1.11	ні	ширина забороненої зони в eV
Tbv	0.0	ні	лінійний температурний коефіцієнт Bv
Trs	0.0	ні	лінійний температурний коефіцієнт Rs
Ttt1	0.0	ні	лінійний температурний коефіцієнт Tt
Ttt2	0.0	ні	квадратичний температурний коефіцієнт Tt
Tm1	0.0	ні	лінійний температурний коефіцієнт M
Tm2	0.0	ні	квадратичний температурний коефіцієнт M
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для діода
Symbol	normal	ні	schematic symbol [normal, US, Schottky, Zener, Varactor]

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	npn транзистор
Опис	біполярний транзистор
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npn
Властивості	48
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	npn	так	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	так	струм насичення
Nf	1	так	коефіцієнт прямої емісії
Nr	1	ні	коефіцієнт зворотної емісії
Ikf	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта прямої передачі струму
Ikr	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта зворотної передачі струму
Vaf	0	так	пряма напруга Эрли
Var	0	ні	зворотня напруга Эрли
Ise	0	ні	базо-емітерний струм виструму насичення
Ne	1.5	ні	коефіцієнт емісії для базо-емітерного струму виструму
Isc	0	ні	базо-колекторний струм виструму насичення
Nc	2	ні	коефіцієнт емісії для базо-колекторного струму виструму
Bf	100	так	прямий коефіцієнт передачі струму
Br	1	ні	зворотний коефіцієнт передачі струму
Rbm	0	ні	мінімальний опір бази щодо великих струмів
Irb	0	ні	струм бази щодо середнього значення опору бази
Rc	0	ні	активний опір колектора
Re	0	ні	активний опір емітера
Rb	0	ні	опір бази при нульовому зміщення (може залежати від великого струму)
Cje	0	ні	ємність база-емітер при нульовому зміщенні
Vje	0.75	ні	контактна різницю потенціалів базо-емітерного переходу
Mje	0.33	ні	множник експоненти базо-емітерного переходу
Cjc	0	ні	ємність колекторного переходу при нульовому зміщенні
Vjc	0.75	ні	контактна різниця потенціалів колекторного переходу
Mjc	0.33	ні	множник експоненти базо-колекторного переходу
Xcjc	1.0	ні	частка Cjc, яка припадає на внутрішній вивід бази
Cjs	0	ні	ємність коллектор-підкладка при нульовому зміщенні
Vjs	0.75	ні	контактна різниця потенціалів підкладки
Mjs	0	ні	множник експоненти контакту підкладки з колектором
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tf	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду у прямому включенні
Xtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності від зміщення для Tf
Vtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності Tf від напруги база-коллектор
Itf	0.0	ні	залежність струму Tf при великих струмах
Tr	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду при інверсному включенні
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Kb	0.0	ні	коефіцієнт дробового шуму
Ab	1.0	ні	показник ступеня дробового шуму
Fb	1.0	ні	гранична частота дробового шуму в герцах
Ptf	0.0	ні	зрушення фази в градусах
Xtb	0.0	ні	температурний показник для коефіцієнта передачі у прямому, і зворотному включенні
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Eg	1.11	ні	ширина забороненої зони в eV
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для біполярного транзистора

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	pnp транзистор
Опис	біполярний транзистор
Schematic entry	`_BJT`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pnp
Властивості	48
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pnp	так	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	так	струм насичення
Nf	1	так	коефіцієнт прямої емісії
Nr	1	ні	коефіцієнт зворотної емісії
Ikf	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта прямої передачі струму
Ikr	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта зворотної передачі струму
Vaf	0	так	пряма напруга Эрли
Var	0	ні	зворотня напруга Эрли
Ise	0	ні	базо-емітерний струм виструму насичення
Ne	1.5	ні	коефіцієнт емісії для базо-емітерного струму виструму
Isc	0	ні	базо-колекторний струм виструму насичення
Nc	2	ні	коефіцієнт емісії для базо-колекторного струму виструму
Bf	100	так	прямий коефіцієнт передачі струму
Br	1	ні	зворотний коефіцієнт передачі струму
Rbm	0	ні	мінімальний опір бази щодо великих струмів
Irb	0	ні	струм бази щодо середнього значення опору бази
Rc	0	ні	активний опір колектора
Re	0	ні	активний опір емітера
Rb	0	ні	опір бази при нульовому зміщення (може залежати від великого струму)
Cje	0	ні	ємність база-емітер при нульовому зміщенні
Vje	0.75	ні	контактна різницю потенціалів базо-емітерного переходу
Mje	0.33	ні	множник експоненти базо-емітерного переходу
Cjc	0	ні	ємність колекторного переходу при нульовому зміщенні
Vjc	0.75	ні	контактна різниця потенціалів колекторного переходу
Mjc	0.33	ні	множник експоненти базо-колекторного переходу
Xcjc	1.0	ні	частка Cjc, яка припадає на внутрішній вивід бази
Cjs	0	ні	ємність коллектор-підкладка при нульовому зміщенні
Vjs	0.75	ні	контактна різниця потенціалів підкладки
Mjs	0	ні	множник експоненти контакту підкладки з колектором
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tf	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду у прямому включенні
Xtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності від зміщення для Tf
Vtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності Tf від напруги база-коллектор
Itf	0.0	ні	залежність струму Tf при великих струмах
Tr	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду при інверсному включенні
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Kb	0.0	ні	коефіцієнт дробового шуму
Ab	1.0	ні	показник ступеня дробового шуму
Fb	1.0	ні	гранична частота дробового шуму в герцах
Ptf	0.0	ні	зрушення фази в градусах
Xtb	0.0	ні	температурний показник для коефіцієнта передачі у прямому, і зворотному включенні
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Eg	1.11	ні	ширина забороненої зони в eV
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для біполярного транзистора

Npn Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	npn транзистор
Опис	біполярний транзистор з підкладкою
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub
Властивості	48
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	npn	так	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	так	струм насичення
Nf	1	так	коефіцієнт прямої емісії
Nr	1	ні	коефіцієнт зворотної емісії
Ikf	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта прямої передачі струму
Ikr	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта зворотної передачі струму
Vaf	0	так	пряма напруга Эрли
Var	0	ні	зворотня напруга Эрли
Ise	0	ні	базо-емітерний струм виструму насичення
Ne	1.5	ні	коефіцієнт емісії для базо-емітерного струму виструму
Isc	0	ні	базо-колекторний струм виструму насичення
Nc	2	ні	коефіцієнт емісії для базо-колекторного струму виструму
Bf	100	так	прямий коефіцієнт передачі струму
Br	1	ні	зворотний коефіцієнт передачі струму
Rbm	0	ні	мінімальний опір бази щодо великих струмів
Irb	0	ні	струм бази щодо середнього значення опору бази
Rc	0	ні	активний опір колектора
Re	0	ні	активний опір емітера
Rb	0	ні	опір бази при нульовому зміщення (може залежати від великого струму)
Cje	0	ні	ємність база-емітер при нульовому зміщенні
Vje	0.75	ні	контактна різницю потенціалів базо-емітерного переходу
Mje	0.33	ні	множник експоненти базо-емітерного переходу
Cjc	0	ні	ємність колекторного переходу при нульовому зміщенні
Vjc	0.75	ні	контактна різниця потенціалів колекторного переходу
Mjc	0.33	ні	множник експоненти базо-колекторного переходу
Xcjc	1.0	ні	частка Cjc, яка припадає на внутрішній вивід бази
Cjs	0	ні	ємність коллектор-підкладка при нульовому зміщенні
Vjs	0.75	ні	контактна різниця потенціалів підкладки
Mjs	0	ні	множник експоненти контакту підкладки з колектором
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tf	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду у прямому включенні
Xtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності від зміщення для Tf
Vtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності Tf від напруги база-коллектор
Itf	0.0	ні	залежність струму Tf при великих струмах
Tr	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду при інверсному включенні
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Kb	0.0	ні	коефіцієнт дробового шуму
Ab	1.0	ні	показник ступеня дробового шуму
Fb	1.0	ні	гранична частота дробового шуму в герцах
Ptf	0.0	ні	зрушення фази в градусах
Xtb	0.0	ні	температурний показник для коефіцієнта передачі у прямому, і зворотному включенні
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Eg	1.11	ні	ширина забороненої зони в eV
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для біполярного транзистора

Pnp Transistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	pnp транзистор
Опис	біполярний транзистор з підкладкою
Schematic entry	`BJT`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub
Властивості	48
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pnp	так	polarity [npn, pnp]
Is	1e-16	так	струм насичення
Nf	1	так	коефіцієнт прямої емісії
Nr	1	ні	коефіцієнт зворотної емісії
Ikf	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта прямої передачі струму
Ikr	0	ні	поріг великого струму для коефіцієнта зворотної передачі струму
Vaf	0	так	пряма напруга Эрли
Var	0	ні	зворотня напруга Эрли
Ise	0	ні	базо-емітерний струм виструму насичення
Ne	1.5	ні	коефіцієнт емісії для базо-емітерного струму виструму
Isc	0	ні	базо-колекторний струм виструму насичення
Nc	2	ні	коефіцієнт емісії для базо-колекторного струму виструму
Bf	100	так	прямий коефіцієнт передачі струму
Br	1	ні	зворотний коефіцієнт передачі струму
Rbm	0	ні	мінімальний опір бази щодо великих струмів
Irb	0	ні	струм бази щодо середнього значення опору бази
Rc	0	ні	активний опір колектора
Re	0	ні	активний опір емітера
Rb	0	ні	опір бази при нульовому зміщення (може залежати від великого струму)
Cje	0	ні	ємність база-емітер при нульовому зміщенні
Vje	0.75	ні	контактна різницю потенціалів базо-емітерного переходу
Mje	0.33	ні	множник експоненти базо-емітерного переходу
Cjc	0	ні	ємність колекторного переходу при нульовому зміщенні
Vjc	0.75	ні	контактна різниця потенціалів колекторного переходу
Mjc	0.33	ні	множник експоненти базо-колекторного переходу
Xcjc	1.0	ні	частка Cjc, яка припадає на внутрішній вивід бази
Cjs	0	ні	ємність коллектор-підкладка при нульовому зміщенні
Vjs	0.75	ні	контактна різниця потенціалів підкладки
Mjs	0	ні	множник експоненти контакту підкладки з колектором
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tf	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду у прямому включенні
Xtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності від зміщення для Tf
Vtf	0.0	ні	коефіцієнт залежності Tf від напруги база-коллектор
Itf	0.0	ні	залежність струму Tf при великих струмах
Tr	0.0	ні	ідеальний час перенесення заряду при інверсному включенні
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Kb	0.0	ні	коефіцієнт дробового шуму
Ab	1.0	ні	показник ступеня дробового шуму
Fb	1.0	ні	гранична частота дробового шуму в герцах
Ptf	0.0	ні	зрушення фази в градусах
Xtb	0.0	ні	температурний показник для коефіцієнта передачі у прямому, і зворотному включенні
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Eg	1.11	ні	ширина забороненої зони в eV
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для біполярного транзистора

N-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-JFET
Опис	польовий транзистор з pn-переходом
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	nfet
Властивості	24
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	nfet	так	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	так	гранична напруга
Beta	1e-4	так	передатна провідність
Lambda	0.0	так	параметр для модуляції довжини каналу
Rd	0.0	ні	паразитний опір сструму
Rs	0.0	ні	паразитний опір джерела
Is	1e-14	ні	струм насичення затвору
N	1.0	ні	коефіцієнт емісії затвору
Isr	1e-14	ні	струм рекомбінації управляючого p-n-переходу
Nr	2.0	ні	коефіцієнт емісії Isr
Cgs	0.0	ні	ємність затвор-втік при нульовому зміщенні
Cgd	0.0	ні	ємність затвор-витік при нульовому зміщення
Pb	1.0	ні	потенціал затвора
Fc	0.5	ні	коефіцієнт ємності переходу з прямою зміщення
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності управляючого p-n-переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Vt0tc	0.0	ні	температурний коефіцієнт Vt0
Betatce	0.0	ні	експонентний температурний коефіцієнт Beta
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для польового транзистора із керуючим pn-переходом

P-Jfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	польовий транзистор з p-каналом
Опис	польовий транзистор з pn-переходом
Schematic entry	`JFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pfet
Властивості	24
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pfet	так	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-2.0 V	так	гранична напруга
Beta	1e-4	так	передатна провідність
Lambda	0.0	так	параметр для модуляції довжини каналу
Rd	0.0	ні	паразитний опір сструму
Rs	0.0	ні	паразитний опір джерела
Is	1e-14	ні	струм насичення затвору
N	1.0	ні	коефіцієнт емісії затвору
Isr	1e-14	ні	струм рекомбінації управляючого p-n-переходу
Nr	2.0	ні	коефіцієнт емісії Isr
Cgs	0.0	ні	ємність затвор-втік при нульовому зміщенні
Cgd	0.0	ні	ємність затвор-витік при нульовому зміщення
Pb	1.0	ні	потенціал затвора
Fc	0.5	ні	коефіцієнт ємності переходу з прямою зміщення
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності управляючого p-n-переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Vt0tc	0.0	ні	температурний коефіцієнт Vt0
Betatce	0.0	ні	експонентний температурний коефіцієнт Beta
Tnom	26.85	ні	температура, при якій отримані параметри моделі
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для польового транзистора із керуючим pn-переходом

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-МОП
Опис	МОП польовий транзистор
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet
Властивості	44
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	nfet	ні	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	так	гранична напруга при нульовому зміщенні
Kp	2e-5	так	коефіцієнт передачі у А/В²
Gamma	0.0	ні	параметр порогової напруги підкладки в sqrt(В)
Phi	0.6 V	ні	поверхневий потенціал
Lambda	0.0	так	коефіцієнт модуляції довжини каналу в 1/В
Rd	0.0 Ohm	ні	опір сструму
Rs	0.0 Ohm	ні	опір джерела
Rg	0.0 Ohm	ні	опір затвора
Is	1e-14 A	ні	струм насичення підкладки
N	1.0	ні	коефіцієнт ідеальності для переходу до підкладки
W	1 um	ні	ширина каналу
L	1 um	ні	довжина каналу
Ld	0.0	ні	довжина побічної дифузії
Tox	0.1 um	ні	товщина окису
Cgso	0.0	ні	ємність перекриття затвора і джерела на метр ширини каналу в Ф/м
Cgdo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і сструму на метр ширини каналу в Ф/м
Cgbo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і підкладки на метр ширини каналу в Ф/м
Cbd	0.0 F	ні	ємність підкладка-стік при нульовому зміщенні
Cbs	0.0 F	ні	ємність підкладка-втік при нульовому зміщення
Pb	0.8 V	ні	контактна різниця потенціалів підкладка-перехід
Mj	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності для нижньої області підкладки
Fc	0.5	ні	коефіцієнт бар’єрної ємності підкладка-перехід з прямою зміщення
Cjsw	0.0	ні	ємність периферійної області підкладки при нульовому зміщенні на метр периметра переходу в Ф/м
Mjsw	0.33	ні	коефіцієнт неідеальності для периферійної області підкладки
Tt	0.0 ps	ні	час переходу для підкладки
Nsub	0.0	ні	щільність легування підкладки в 1/см³
Nss	0.0	ні	коефіцієнт поверхневого щільності заряду в 1/см²
Tpg	1	ні	матеріал затвора: 0 = алюміній; -1 = як в підкладки; 1 = протилежний підкладці
Uo	600.0	ні	поверхнева рухливість в см²/Вс
Rsh	0.0	ні	дифузійний поверхневий опір сструму - та джерела в Ом/квадрат
Nrd	1	ні	кількість еквівалентних квадратів сструму
Nrs	1	ні	кількість еквівалентних квадратів джерела
Cj	0.0	ні	ємність нижньої області підкладки при нульовому зміщення на кв. метр площі переходу в Ф/м²
Js	0.0	ні	струм насичення підкладка-перехід на кв. метр площі переходу в А/м²
Ad	0.0	ні	Дифузійна поверхня витоку в м²
As	0.0	ні	Дифузійна поверхня джерела в м²
Pd	0.0 m	ні	периметр стокового переходу
Ps	0.0 m	ні	периметр витокового переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tnom	26.85	ні	температура, при якій обмірювались параметри моделі

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	МОП польовий транзистор з p-каналом
Опис	МОП польовий транзистор
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet
Властивості	44
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pfet	ні	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	так	гранична напруга при нульовому зміщенні
Kp	2e-5	так	коефіцієнт передачі у А/В²
Gamma	0.0	ні	параметр порогової напруги підкладки в sqrt(В)
Phi	0.6 V	ні	поверхневий потенціал
Lambda	0.0	так	коефіцієнт модуляції довжини каналу в 1/В
Rd	0.0 Ohm	ні	опір сструму
Rs	0.0 Ohm	ні	опір джерела
Rg	0.0 Ohm	ні	опір затвора
Is	1e-14 A	ні	струм насичення підкладки
N	1.0	ні	коефіцієнт ідеальності для переходу до підкладки
W	1 um	ні	ширина каналу
L	1 um	ні	довжина каналу
Ld	0.0	ні	довжина побічної дифузії
Tox	0.1 um	ні	товщина окису
Cgso	0.0	ні	ємність перекриття затвора і джерела на метр ширини каналу в Ф/м
Cgdo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і сструму на метр ширини каналу в Ф/м
Cgbo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і підкладки на метр ширини каналу в Ф/м
Cbd	0.0 F	ні	ємність підкладка-стік при нульовому зміщенні
Cbs	0.0 F	ні	ємність підкладка-втік при нульовому зміщення
Pb	0.8 V	ні	контактна різниця потенціалів підкладка-перехід
Mj	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності для нижньої області підкладки
Fc	0.5	ні	коефіцієнт бар’єрної ємності підкладка-перехід з прямою зміщення
Cjsw	0.0	ні	ємність периферійної області підкладки при нульовому зміщенні на метр периметра переходу в Ф/м
Mjsw	0.33	ні	коефіцієнт неідеальності для периферійної області підкладки
Tt	0.0 ps	ні	час переходу для підкладки
Nsub	0.0	ні	щільність легування підкладки в 1/см³
Nss	0.0	ні	коефіцієнт поверхневого щільності заряду в 1/см²
Tpg	1	ні	матеріал затвора: 0 = алюміній; -1 = як в підкладки; 1 = протилежний підкладці
Uo	600.0	ні	поверхнева рухливість в см²/Вс
Rsh	0.0	ні	дифузійний поверхневий опір сструму - та джерела в Ом/квадрат
Nrd	1	ні	кількість еквівалентних квадратів сструму
Nrs	1	ні	кількість еквівалентних квадратів джерела
Cj	0.0	ні	ємність нижньої області підкладки при нульовому зміщення на кв. метр площі переходу в Ф/м²
Js	0.0	ні	струм насичення підкладка-перехід на кв. метр площі переходу в А/м²
Ad	0.0	ні	Дифузійна поверхня витоку в м²
As	0.0	ні	Дифузійна поверхня джерела в м²
Pd	0.0 m	ні	периметр стокового переходу
Ps	0.0 m	ні	периметр витокового переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tnom	26.85	ні	температура, при якій обмірювались параметри моделі

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	МОП польовий транзистор збідненого типу
Опис	МОП польовий транзистор
Schematic entry	`_MOSFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet
Властивості	44
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	nfet	ні	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	так	гранична напруга при нульовому зміщенні
Kp	2e-5	так	коефіцієнт передачі у А/В²
Gamma	0.0	ні	параметр порогової напруги підкладки в sqrt(В)
Phi	0.6 V	ні	поверхневий потенціал
Lambda	0.0	так	коефіцієнт модуляції довжини каналу в 1/В
Rd	0.0 Ohm	ні	опір сструму
Rs	0.0 Ohm	ні	опір джерела
Rg	0.0 Ohm	ні	опір затвора
Is	1e-14 A	ні	струм насичення підкладки
N	1.0	ні	коефіцієнт ідеальності для переходу до підкладки
W	1 um	ні	ширина каналу
L	1 um	ні	довжина каналу
Ld	0.0	ні	довжина побічної дифузії
Tox	0.1 um	ні	товщина окису
Cgso	0.0	ні	ємність перекриття затвора і джерела на метр ширини каналу в Ф/м
Cgdo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і сструму на метр ширини каналу в Ф/м
Cgbo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і підкладки на метр ширини каналу в Ф/м
Cbd	0.0 F	ні	ємність підкладка-стік при нульовому зміщенні
Cbs	0.0 F	ні	ємність підкладка-втік при нульовому зміщення
Pb	0.8 V	ні	контактна різниця потенціалів підкладка-перехід
Mj	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності для нижньої області підкладки
Fc	0.5	ні	коефіцієнт бар’єрної ємності підкладка-перехід з прямою зміщення
Cjsw	0.0	ні	ємність периферійної області підкладки при нульовому зміщенні на метр периметра переходу в Ф/м
Mjsw	0.33	ні	коефіцієнт неідеальності для периферійної області підкладки
Tt	0.0 ps	ні	час переходу для підкладки
Nsub	0.0	ні	щільність легування підкладки в 1/см³
Nss	0.0	ні	коефіцієнт поверхневого щільності заряду в 1/см²
Tpg	1	ні	матеріал затвора: 0 = алюміній; -1 = як в підкладки; 1 = протилежний підкладці
Uo	600.0	ні	поверхнева рухливість в см²/Вс
Rsh	0.0	ні	дифузійний поверхневий опір сструму - та джерела в Ом/квадрат
Nrd	1	ні	кількість еквівалентних квадратів сструму
Nrs	1	ні	кількість еквівалентних квадратів джерела
Cj	0.0	ні	ємність нижньої області підкладки при нульовому зміщення на кв. метр площі переходу в Ф/м²
Js	0.0	ні	струм насичення підкладка-перехід на кв. метр площі переходу в А/м²
Ad	0.0	ні	Дифузійна поверхня витоку в м²
As	0.0	ні	Дифузійна поверхня джерела в м²
Pd	0.0 m	ні	периметр стокового переходу
Ps	0.0 m	ні	периметр витокового переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tnom	26.85	ні	температура, при якій обмірювались параметри моделі

N-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-МОП
Опис	МОП польовий транзистор з підкладкою
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	nmosfet_sub
Властивості	44
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	nfet	ні	polarity [nfet, pfet]
Vt0	1.0 V	так	гранична напруга при нульовому зміщенні
Kp	2e-5	так	коефіцієнт передачі у А/В²
Gamma	0.0	ні	параметр порогової напруги підкладки в sqrt(В)
Phi	0.6 V	ні	поверхневий потенціал
Lambda	0.0	так	коефіцієнт модуляції довжини каналу в 1/В
Rd	0.0 Ohm	ні	опір сструму
Rs	0.0 Ohm	ні	опір джерела
Rg	0.0 Ohm	ні	опір затвора
Is	1e-14 A	ні	струм насичення підкладки
N	1.0	ні	коефіцієнт ідеальності для переходу до підкладки
W	1 um	ні	ширина каналу
L	1 um	ні	довжина каналу
Ld	0.0	ні	довжина побічної дифузії
Tox	0.1 um	ні	товщина окису
Cgso	0.0	ні	ємність перекриття затвора і джерела на метр ширини каналу в Ф/м
Cgdo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і сструму на метр ширини каналу в Ф/м
Cgbo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і підкладки на метр ширини каналу в Ф/м
Cbd	0.0 F	ні	ємність підкладка-стік при нульовому зміщенні
Cbs	0.0 F	ні	ємність підкладка-втік при нульовому зміщення
Pb	0.8 V	ні	контактна різниця потенціалів підкладка-перехід
Mj	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності для нижньої області підкладки
Fc	0.5	ні	коефіцієнт бар’єрної ємності підкладка-перехід з прямою зміщення
Cjsw	0.0	ні	ємність периферійної області підкладки при нульовому зміщенні на метр периметра переходу в Ф/м
Mjsw	0.33	ні	коефіцієнт неідеальності для периферійної області підкладки
Tt	0.0 ps	ні	час переходу для підкладки
Nsub	0.0	ні	щільність легування підкладки в 1/см³
Nss	0.0	ні	коефіцієнт поверхневого щільності заряду в 1/см²
Tpg	1	ні	матеріал затвора: 0 = алюміній; -1 = як в підкладки; 1 = протилежний підкладці
Uo	600.0	ні	поверхнева рухливість в см²/Вс
Rsh	0.0	ні	дифузійний поверхневий опір сструму - та джерела в Ом/квадрат
Nrd	1	ні	кількість еквівалентних квадратів сструму
Nrs	1	ні	кількість еквівалентних квадратів джерела
Cj	0.0	ні	ємність нижньої області підкладки при нульовому зміщення на кв. метр площі переходу в Ф/м²
Js	0.0	ні	струм насичення підкладка-перехід на кв. метр площі переходу в А/м²
Ad	0.0	ні	Дифузійна поверхня витоку в м²
As	0.0	ні	Дифузійна поверхня джерела в м²
Pd	0.0 m	ні	периметр стокового переходу
Ps	0.0 m	ні	периметр витокового переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tnom	26.85	ні	температура, при якій обмірювались параметри моделі

P-Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	МОП польовий транзистор з p-каналом
Опис	МОП польовий транзистор з підкладкою
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pmosfet_sub
Властивості	44
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pfet	ні	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	так	гранична напруга при нульовому зміщенні
Kp	2e-5	так	коефіцієнт передачі у А/В²
Gamma	0.0	ні	параметр порогової напруги підкладки в sqrt(В)
Phi	0.6 V	ні	поверхневий потенціал
Lambda	0.0	так	коефіцієнт модуляції довжини каналу в 1/В
Rd	0.0 Ohm	ні	опір сструму
Rs	0.0 Ohm	ні	опір джерела
Rg	0.0 Ohm	ні	опір затвора
Is	1e-14 A	ні	струм насичення підкладки
N	1.0	ні	коефіцієнт ідеальності для переходу до підкладки
W	1 um	ні	ширина каналу
L	1 um	ні	довжина каналу
Ld	0.0	ні	довжина побічної дифузії
Tox	0.1 um	ні	товщина окису
Cgso	0.0	ні	ємність перекриття затвора і джерела на метр ширини каналу в Ф/м
Cgdo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і сструму на метр ширини каналу в Ф/м
Cgbo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і підкладки на метр ширини каналу в Ф/м
Cbd	0.0 F	ні	ємність підкладка-стік при нульовому зміщенні
Cbs	0.0 F	ні	ємність підкладка-втік при нульовому зміщення
Pb	0.8 V	ні	контактна різниця потенціалів підкладка-перехід
Mj	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності для нижньої області підкладки
Fc	0.5	ні	коефіцієнт бар’єрної ємності підкладка-перехід з прямою зміщення
Cjsw	0.0	ні	ємність периферійної області підкладки при нульовому зміщенні на метр периметра переходу в Ф/м
Mjsw	0.33	ні	коефіцієнт неідеальності для периферійної області підкладки
Tt	0.0 ps	ні	час переходу для підкладки
Nsub	0.0	ні	щільність легування підкладки в 1/см³
Nss	0.0	ні	коефіцієнт поверхневого щільності заряду в 1/см²
Tpg	1	ні	матеріал затвора: 0 = алюміній; -1 = як в підкладки; 1 = протилежний підкладці
Uo	600.0	ні	поверхнева рухливість в см²/Вс
Rsh	0.0	ні	дифузійний поверхневий опір сструму - та джерела в Ом/квадрат
Nrd	1	ні	кількість еквівалентних квадратів сструму
Nrs	1	ні	кількість еквівалентних квадратів джерела
Cj	0.0	ні	ємність нижньої області підкладки при нульовому зміщення на кв. метр площі переходу в Ф/м²
Js	0.0	ні	струм насичення підкладка-перехід на кв. метр площі переходу в А/м²
Ad	0.0	ні	Дифузійна поверхня витоку в м²
As	0.0	ні	Дифузійна поверхня джерела в м²
Pd	0.0 m	ні	периметр стокового переходу
Ps	0.0 m	ні	периметр витокового переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tnom	26.85	ні	температура, при якій обмірювались параметри моделі

Depletion Mosfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	МОП польовий транзистор збідненого типу
Опис	МОП польовий транзистор з підкладкою
Schematic entry	`MOSFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	dmosfet_sub
Властивості	44
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	nfet	ні	polarity [nfet, pfet]
Vt0	-1.0 V	так	гранична напруга при нульовому зміщенні
Kp	2e-5	так	коефіцієнт передачі у А/В²
Gamma	0.0	ні	параметр порогової напруги підкладки в sqrt(В)
Phi	0.6 V	ні	поверхневий потенціал
Lambda	0.0	так	коефіцієнт модуляції довжини каналу в 1/В
Rd	0.0 Ohm	ні	опір сструму
Rs	0.0 Ohm	ні	опір джерела
Rg	0.0 Ohm	ні	опір затвора
Is	1e-14 A	ні	струм насичення підкладки
N	1.0	ні	коефіцієнт ідеальності для переходу до підкладки
W	1 um	ні	ширина каналу
L	1 um	ні	довжина каналу
Ld	0.0	ні	довжина побічної дифузії
Tox	0.1 um	ні	товщина окису
Cgso	0.0	ні	ємність перекриття затвора і джерела на метр ширини каналу в Ф/м
Cgdo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і сструму на метр ширини каналу в Ф/м
Cgbo	0.0	ні	ємність перекриття затвора і підкладки на метр ширини каналу в Ф/м
Cbd	0.0 F	ні	ємність підкладка-стік при нульовому зміщенні
Cbs	0.0 F	ні	ємність підкладка-втік при нульовому зміщення
Pb	0.8 V	ні	контактна різниця потенціалів підкладка-перехід
Mj	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності для нижньої області підкладки
Fc	0.5	ні	коефіцієнт бар’єрної ємності підкладка-перехід з прямою зміщення
Cjsw	0.0	ні	ємність периферійної області підкладки при нульовому зміщенні на метр периметра переходу в Ф/м
Mjsw	0.33	ні	коефіцієнт неідеальності для периферійної області підкладки
Tt	0.0 ps	ні	час переходу для підкладки
Nsub	0.0	ні	щільність легування підкладки в 1/см³
Nss	0.0	ні	коефіцієнт поверхневого щільності заряду в 1/см²
Tpg	1	ні	матеріал затвора: 0 = алюміній; -1 = як в підкладки; 1 = протилежний підкладці
Uo	600.0	ні	поверхнева рухливість в см²/Вс
Rsh	0.0	ні	дифузійний поверхневий опір сструму - та джерела в Ом/квадрат
Nrd	1	ні	кількість еквівалентних квадратів сструму
Nrs	1	ні	кількість еквівалентних квадратів джерела
Cj	0.0	ні	ємність нижньої області підкладки при нульовому зміщення на кв. метр площі переходу в Ф/м²
Js	0.0	ні	струм насичення підкладка-перехід на кв. метр площі переходу в А/м²
Ad	0.0	ні	Дифузійна поверхня витоку в м²
As	0.0	ні	Дифузійна поверхня джерела в м²
Pd	0.0 m	ні	периметр стокового переходу
Ps	0.0 m	ні	периметр витокового переходу
Kf	0.0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Tnom	26.85	ні	температура, при якій обмірювались параметри моделі

Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	ЗУ
Опис	операційний підсилювач
Schematic entry	`OpAmp`
Netlist entry	`OP`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	opamp
Властивості	2
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
G	1e6	так	підсилення напруги
Umax	15 V	ні	абсолютне значення максимальної і мінімальної вивідної напруги

Заданий рівнянням пристрій¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Заданий рівнянням пристрій
Опис	заданий рівнянням пристрій
Schematic entry	`EDD`
Netlist entry	`D`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	edd
Властивості	4
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	explicit	ні	type of equations [explicit, implicit]
Branches	1	ні	число розгалужень
I1	0	так	current equation 1
Q1	0	ні	charge equation 1

Diac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Diac
Опис	diac (bidirectional trigger diode)
Schematic entry	`Diac`
Netlist entry	`D`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	diac
Властивості	7
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Vbo	30 V	так	(bidirectional) breakover voltage
Ibo	50 uA	ні	(bidirectional) breakover current
Cj0	10 pF	ні	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	ні	струм насичення
N	2	ні	коефіцієнт емісії
Ri	10 Ohm	ні	intrinsic junction resistance
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Triac¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Triac
Опис	triac (bidirectional thyristor)
Schematic entry	`Triac`
Netlist entry	`D`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	triac
Властивості	8
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Vbo	400 V	ні	(bidirectional) breakover voltage
Igt	50 uA	так	(bidirectional) gate trigger current
Cj0	10 pF	ні	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	ні	струм насичення
N	2	ні	коефіцієнт емісії
Ri	10 Ohm	ні	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	ні	gate resistance
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Thyristor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Thyristor
Опис	silicon controlled rectifier (SCR)
Schematic entry	`SCR`
Netlist entry	`D`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	thyristor
Властивості	8
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Vbo	400 V	ні	breakover voltage
Igt	50 uA	так	gate trigger current
Cj0	10 pF	ні	parasitic capacitance
Is	1e-10 A	ні	струм насичення
N	2	ні	коефіцієнт емісії
Ri	10 Ohm	ні	intrinsic junction resistance
Rg	5 Ohm	ні	gate resistance
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Tunnel Diode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Tunnel Diode
Опис	resonance tunnel diode
Schematic entry	`RTD`
Netlist entry	`D`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	tunneldiode
Властивості	16
Category	nonlinear components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Ip	4 mA	так	peak current
Iv	0.6 mA	так	valley current
Vv	0.8 V	так	valley voltage
Wr	2.7e-20	ні	resonance energy in Ws
eta	1e-20	ні	Fermi energy in Ws
dW	4.5e-21	ні	resonance width in Ws
Tmax	0.95	ні	maximum of transmission
de	0.9	ні	fitting factor for electron density
dv	2.0	ні	fitting factor for voltage drop
nv	16	ні	fitting factor for diode current
Cj0	80 fF	ні	zero-bias depletion capacitance
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності
Vj	0.5 V	ні	потенціал переходу
te	0.6 ps	ні	life-time of electrons
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
Area	1.0	ні	площа за замовчуванням для діода

Verilog-A Devices¶

Hicum L2 V2.1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	HICUM L2 v2.1
Опис	HICUM Level 2 v2.1 Verilog-модель
Schematic entry	`hicumL2V2p1`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Властивості	101
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
c10	1.516E-31	ні	Константа GICCR
qp0	5.939E-15	ні	Заряд дірок при нульовому зміщенні
ich	1.0E11	ні	Поправка для великих струмів для 2D- і 3D-ефектів
hfe	1.0	ні	Ваговий чинник емітерних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hfc	0.03999	ні	Ваговий чинник колекторних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hjei	0.435	ні	Ваговий чинник заряду Б-Е переходу в ГБТ
hjci	0.09477	ні	Ваговий чинник заряду Б-К переходу в ГБТ
ibeis	3.47E-20	ні	Внутрішній Б-Е струм насичення
mbei	1.025	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е струму
ireis	390E-12	ні	Внутрішній Б-Е рекомбінаційний струм насичення
mrei	3	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е рекомбинационного струму
ibeps	4.18321E-21	ні	Периферійний струм насичення Б-Е переходу
mbep	1.045	ні	Коефіцієнт ідеальності Б-Е периферійного струму
ireps	1.02846E-14	ні	Периферійний Б-Е рекомбінаційний струм насичення
mrep	3	ні	Коефіцієнт ідеальності периферійного Б-Е рекомбинационного струму
mcf	1.0	ні	Коефіцієнт неідеальності для III-V ГБТ
ibcis	3.02613E-18	ні	Внутрішній Б-К струм насичення
mbci	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-К струму
ibcxs	4.576E-29	ні	Зовнішній Б-К струм насичення
mbcx	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності зовнішнього Б-К струму
ibets	0.0	ні	Б-Е тунельний струм насичення
abet	36.74	ні	Показник ступеня для тунельного струму
favl	14.97	ні	Чинник лавинного струму
qavl	7.2407E-14	ні	Показник ступеня для лавинного струму
alfav	0.0	ні	Відносний температурний коефіцієнт для FAVL
alqav	0.0	ні	Відносний температурний коефіцієнт для QAVL
rbi0	7.9	ні	Внутрішній опір бази при нульовому зміщенні
rbx	13.15	ні	Зовнішній послідовний опір бази
fgeo	0.724	ні	Чинник геометричної залежності витіснення емітерного струму
fdqr0	0	ні	Поправочний коєфіцієнт для модуляції Б-Е і Б-К шару просторового заряду
fcrbi	0.0	ні	Ставлення шунтуючої на ВЧ повної внутрішньої ємності (побічний неквазістатичний ефект)
fqi	1.0	ні	Ставлення внутрішнього до повного заряду неосновних носіїв
re	9.77	ні	Послідовний опір емітера
rcx	10	ні	Зовнішнє послідовний опір колектора
itss	2.81242E-19	ні	Передаточный струм насичення транзистора на підкладці
msf	1.0	ні	Прямий коефіцієнт ідеальності передатного струму підкладки
iscs	7.6376E-17	ні	Струм насичення переходу К-П
msc	1.0	ні	Коєфіцієнта ідеальності струму переходу К-П
tsf	1.733E-8	ні	Час прольоту для транзистора підкладки у напрямку
rsu	800	ні	Послідовний опір підкладки
csu	1.778E-14	ні	Шунтуюча ємність підкладки
cjei0	5.24382E-14	ні	Внутрішня ємність Б-Е переходу при нульовому зміщенні
vdei	0.9956	ні	Внутрішня контактна різницю потенціалів Б-Е
zei	0.4	ні	Внутрішній коефіцієнт неідеальності Б-Е
aljei	2.5	ні	Відношення максимального значення внутрішньої ємності Б-Е до величині при нульовому зміщення
cjep0	0	ні	Периферійна ємність переходу Б-Е при нульовому зміщенні
vdep	1	ні	Периферійна контактна різницю потенціалів Б-Е
zep	0.01	ні	Периферійний коєфіцієнт неідеальності переходу Б-Е
aljep	2.5	ні	Ставлення максимального значення периферійної ємності Б-Е до величині при нульовому зміщенні
cjci0	4.46887E-15	ні	Внутрішня ємність Б-К переходу при нульовому зміщенні
vdci	0.7	ні	Внутрішня контактна різницю потенціалів Б-К
zci	0.38	ні	Внутрішній коєфіцієнт неідеальності Б-К
vptci	100	ні	Внутрішня напруга проникнення Б-К
cjcx0	1.55709E-14	ні	Зовнішня ємність Б-К переходу при нульовому зміщенні
vdcx	0.733	ні	Зовнішня контактна різницю потенціалів Б-К
zcx	0.34	ні	Зовнішній коефіцієнт неідеальності Б-К
vptcx	100	ні	Зовнішнє напруга проникнення Б-К
fbc	0.3487	ні	Роздільний фактор паразитної ємності Б-К
cjs0	17.68E-15	ні	Ємність переходу К-П при нульовому зміщенні
vds	0.621625	ні	Контактна різницю потенціалів К-П
zs	0.122136	ні	Коефіцієнт неідеальності переходу К-П
vpts	1000	ні	Напруга проникнення К-П
t0	1.28E-12	ні	Час прольоту у напрямку за низьким струмом при VBC=0 У
dt0h	260E-15	ні	Постійна часу модуляції ширини шару просторового заряду бази Б-К
tbvl	2.0E-13	ні	Постійна часу для моделювання замикання носіїв при низькому VCE
tef0	0.0	ні	Час зберігання нейтрального емітера
gtfe	1.0	ні	Множник в показнику ступеня для залежності струму від часу зберігання нейтрального емітера
thcs	46E-15	ні	Постійна часу насичення при високих густинах струму
alhc	0.08913	ні	Чинник згладжування для залежності струму від часу прольоту бази й колектора
fthc	0.8778	ні	Розділювальний чинник для базової і колекторної частин
rci0	50.4277	ні	Внутрішній опір колектора при малому електричному полі
vlim	0.9	ні	Напруга поділу омічного режиму та режиму швидкості насичення
vces	0.01	ні	Внутрішня напруга насичення К-С
vpt	10	ні	Напруга проникнення колектора
tr	1.0E-11	ні	Час зберігання ЕВР у інверсному режимі
ceox	1.71992E-15	ні	Повна паразитная ємність Б-Е
ccox	4.9E-15	ні	Повна паразитная ємність Б-К
alqf	0.1288	ні	Чинник для додаткового часу затримки неосновних носіїв заряду
alit	1.0	ні	Чинник для додаткового часу затримки передатного струму
kf	2.83667E-9	ні	Коефіцієнт 1/f-шуму
af	2.0	ні	Показник ступеня 1/f-шуму
krbi	1.0	ні	Коєфіцієнт шуму внутрішнього опору бази
latb	10.479	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік ширини емітера
latl	0.300012	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік довжини емітера
vgb	1.112	ні	Напруга стабілізації, екстрапольована на 0 До
alt0	0.0017580	ні	Відносний температурний коефіцієнт першого порядку параметра T0
kt0	4.07E-6	ні	Відносний температурний коефіцієнт другого порядку параметра T0
zetaci	0.7	ні	Температурний показник для RCI0
zetacx	1.0	ні	Температурний показник рухливості у часі прольоту транзистора підкладки
alvs	0.001	ні	Відносний температурний коефіцієнт швидкості дрейфу насичення
alces	0.000125	ні	Відносний температурний коефіцієнт VCES
zetarbi	0.0	ні	Температурний показник внутрішнього опору бази
zetarbx	0.2	ні	Температурний показник зовнішнього опору бази
zetarcx	0.21	ні	Температурний показник зовнішнього опору колектора
zetare	0.7	ні	Температурний показник опору емітера
alb	0.007	ні	Відносний температурний коефіцієнт посилення струму у прямому режимі для моделі V2.1
rth	1293.95	ні	Тепловий опір
cth	7.22203E-11	ні	Теплоємність
tnom	27.0	ні	Температура, при який даються параметри моделі
dt	0.0	ні	Зміна температури щодо зміни температури кристала для певного транзистора
Temp	27	ні	температура моделювання

Fbh Hbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	FBH ГБТ
Опис	Модель ГБТ Інституту високочастотної техніки імені Фердинанда Брауна (FBH) у Берліні
Schematic entry	`HBT_X`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npn_therm
Властивості	80
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Mode	1	ні	Ігноровано
Noise	1	ні	Ігноровано
Debug	0	ні	Ігноровано
DebugPlus	0	ні	Ігноровано
Temp	25.0	ні	Робоча температура пристрою, градуси Цельсія
Rth	0.1	ні	Тепловий опір, К/Вт
Cth	700e-9	ні	Теплоємність
N	1	ні	Масштабний коефіцієнт, число емітерних зон
L	30e-6	ні	Довжина емітерної зони, м
W	1e-6	ні	Ширина емітерної зони, м
Jsf	20e-24	ні	Щільність струму насичення у прямому включенні, А/мкм²
nf	1.0	ні	Коефіцієнт емісії струму у прямому включенні
Vg	1.3	ні	Теплова енергія активації у прямому включенні, В, (0 == відключення температурної залежності)
Jse	0.0	ні	Щільність струму виструму Б-Е як насичення, А/мкм²
ne	0.0	ні	Коефіцієнт емісії для Б-Е струму виструму
Rbxx	1e6	ні	Обмежувальний резистор діода виструму Б-Е, Ом
Vgb	0.0	ні	Теплова енергія активації виструму Б-Е, В, (0 == відключення температурної залежності)
Jsee	0.0	ні	Щільність струму виструму 2-го переходу Б-Е як насичення, А/мкм²
nee	0.0	ні	Коефіцієнт емісії для струму виструму 2-го переходу Б-Е
Rbbxx	1e6	ні	2-й обмежувальний резистор діода виструму Б-Е, Ом
Vgbb	0.0	ні	2-га теплова енергія активації виструму Б-Е, В, (0 == відключення температурної залежності)
Jsr	20e-18	ні	Щільність зворотного поструму насичення, А/мкм²
nr	1.0	ні	Коефіцієнт емісії зворотного поструму
Vgr	0.0	ні	Теплова енергія активації у протилежному включенні, В, (0 == відключення температурної залежності)
XCjc	0.5	ні	Частка Cjc, яка припадає на внутрішній вивід бази
Jsc	0.0	ні	Щільність струму виструму Б-К як насичення, А/мкм² (0. відключає діод)
nc	0.0	ні	Коефіцієнт емісії для Б-К струму виструму (0. відключає діод)
Rcxx	1e6	ні	Обмежувальний резистор діода виструму Б-К, Ом
Vgc	0.0	ні	Теплова енергія активації виструму Б-К, В, (0 == відключення температурної залежності)
Bf	100.0	ні	Ідеальний прямий коефіцієнт передачі струму
kBeta	0.0	ні	Температурний коефіцієнт посилення струму у прямому включенні, -1/К, (0 == відключення температурної залежності)
Br	1.0	ні	Ідеальний зворотний коефіцієнт передачі струму
VAF	0.0	ні	Пряма напруга Эрли, В, (0 == відключення ефекту Эрли)
VAR	0.0	ні	Зворотня напруга Эрли, В, (0 == відключення ефекту Эрли)
IKF	0.0	ні	Граничний прямий струм високої інжекції, А, (0 == відключення ефекту Вебстера)
IKR	0.0	ні	Граничний зворотний струм за високої інжекції, А, (0 == відключення ефекту Вебстера)
Mc	0.0	ні	Показник пробою К-Е, (0 == відключення пробою колектора)
BVceo	0.0	ні	Напруга пробою К-Е, В, (0 == відключення пробою коллектора)
kc	0.0	ні	Чинник пробою К-Е, (0 == відключення пробою колектора)
BVebo	0.0	ні	Напруга пробою Б-Е, В, (0 == відключення пробою емітера)
Tr	1.0e-15	ні	Ідеальний час прольоту при інверсному включенні, сек
Trx	1.0e-15	ні	Зовнішня дифузійна ємність бази, Ф
Tf	1.0e-12	ні	Ідеальний час прольоту у прямому включенні, сек
Tft	0.0	ні	Температурний коефіцієнт часу прольоту у прямому включенні
Thcs	0.0	ні	Коефіцієнт додаткового часу прольоту у результаті розширення бази
Ahc	0.0	ні	Зглажуючий параметр для Thcs
Cje	1.0e-15	ні	Ємність Б-Е при нульовому зміщення, Ф/мкм²
mje	0.5	ні	Множник експоненти для Б-Е
Vje	1.3	ні	Контактна різницю потенціалів Б-Е, У
Cjc	1.0e-15	ні	Ємність Б-К при нульовому зміщенні, Ф/мкм²
mjc	0.5	ні	Множник експоненти для Б-К
Vjc	1.3	ні	Контактна різницю потенціалів Б-К, У
kjc	1.0	ні	немає
Cmin	0.1e-15	ні	Мінімальна ємність Б-К (залежність від Vbc), Ф/мкм²
J0	1e-3	ні	Струм колектора, коли Cbc сягає Cmin, А/мкм² (0 == відключення зменшення Cbc)
XJ0	1.0	ні	Частка Cmin, нижня межа ємності БК (залежність від Ic)
Rci0	1e-3	ні	Початок розширення бази при низьких напругах, Ом*мкм² (0 == відключення пропичатування)
Jk	4e-4	ні	Початок розширення бази при високих напругах, А/мкм² (0 == відключення пропичатування бази)
RJk	1e-3	ні	Нахил Jk при великих струмах, Ом*мкм²
Vces	1e-3	ні	Зрушення напруги при початку розширення бази, У
Rc	1.0	ні	Опір колектора, Ом/полоска
Re	1.0	ні	Опір емітера, Ом/полоска
Rb	1.0	ні	Зовнішній опір бази, Ом/полоска
Rb2	1.0	ні	Внутрішній омічний опір бази, Ом/полоска
Lc	0.0	ні	Індуктивність колектора, Гн
Le	0.0	ні	Індуктивність емітера, Гн
Lb	0.0	ні	Індуктивність бази, Гн
Cq	0.0	ні	Зовнішня ємність Б-К, Ф
Cpb	0.0	ні	Зовнішня ємність бази, Ф
Cpc	0.0	ні	Зовнішня ємність колектора, Ф
Kfb	0.0	ні	Коефіцієнт 1/f-шуму
Afb	0.0	ні	Показник ступеня 1/f-шуму
Ffeb	0.0	ні	Частотная залежність 1/f-шуму
Kb	0.0	ні	Коефіцієнт дробового шуму
Ab	0.0	ні	Показник ступеня дробового шуму
Fb	0.0	ні	Гранична частота дробового шуму, гц
Kfe	0.0	ні	Коефіцієнт 1/f-шуму
Afe	0.0	ні	Показник ступеня 1/f-шуму
Ffee	0.0	ні	Частотная залежність 1/f-шуму
Tnom	20.0	ні	Температура довкілля, при якій визначено параметри моделі

Modular Opamp¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Modular OpAmp
Опис	Modular Operational Amplifier verilog device
Schematic entry	`mod_amp`
Netlist entry	`OP`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	mod_amp
Властивості	17
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
GBP	1e6	ні	Gain bandwidth product (Hz)
AOLDC	106.0	ні	Open-loop differential gain at DC (dB)
FP2	3e6	ні	Second pole frequency (Hz)
RO	75	ні	Output resistance (Ohm)
CD	1e-12	ні	Differential input capacitance (F)
RD	2e6	ні	Differential input resistance (Ohm)
IOFF	20e-9	ні	Input offset current (A)
IB	80e-9	ні	Input bias current (A)
VOFF	7e-4	ні	Input offset voltage (V)
CMRRDC	90.0	ні	Common-mode rejection ratio at DC (dB)
FCM	200.0	ні	Common-mode zero corner frequency (Hz)
PSRT	5e5	ні	Positive slew rate (V/s)
NSRT	5e5	ні	Negative slew rate (V/s)
VLIMP	14	ні	Positive output voltage limit (V)
VLIMN	-14	ні	Negative output voltage limit (V)
ILMAX	35e-3	ні	Maximum DC output current (A)
CSCALE	50	ні	Current limit scale factor

Hicum L2 V2.22¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	HICUM L2 v2.22
Опис	HICUM Level 2 v2.22 verilog device
Schematic entry	`hic2_full`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Властивості	114
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
c10	2.0E-30	ні	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	ні	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	ні	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	ні	Ваговий чинник емітерних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hfc	1.0	ні	Ваговий чинник колекторних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hjei	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-Е переходу в ГБТ
hjci	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-К переходу в ГБТ
ibeis	1.0E-18	ні	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е струму
ireis	0.0	ні	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е рекомбинационного струму
ibeps	0.0	ні	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності Б-Е периферійного струму
ireps	0.0	ні	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності периферійного Б-Е рекомбинационного струму
mcf	1.0	ні	Коефіцієнт неідеальності для III-V ГБТ
tbhrec	0.0	ні	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	ні	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-К струму
ibcxs	0.0	ні	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності зовнішнього Б-К струму
ibets	0.0	ні	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	ні	Показник ступеня для тунельного струму
tunode	1	ні	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	ні	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	ні	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	ні	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	ні	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	ні	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	ні	Чинник геометричної залежності витіснення емітерного струму
fdqr0	0.0	ні	Поправочний коєфіцієнт для модуляції Б-Е і Б-К шару просторового заряду
fcrbi	0.0	ні	Ставлення шунтуючої на ВЧ повної внутрішньої ємності (побічний неквазістатичний ефект)
fqi	1.0	ні	Ставлення внутрішнього до повного заряду неосновних носіїв
re	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Прямий коефіцієнт ідеальності передатного струму підкладки
iscs	0.0	ні	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	ні	Коєфіцієнта ідеальності струму переходу К-П
tsf	0.0	ні	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	ні	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	ні	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	ні	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	ні	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	ні	Внутрішній коефіцієнт неідеальності Б-Е
ajei	2.5	ні	Відношення максимального значення внутрішньої ємності Б-Е до величині при нульовому зміщення
cjep0	1.0E-20	ні	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	ні	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	ні	Периферійний коєфіцієнт неідеальності переходу Б-Е
ajep	2.5	ні	Ставлення максимального значення периферійної ємності Б-Е до величині при нульовому зміщенні
cjci0	1.0E-20	ні	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	ні	Внутрішній коєфіцієнт неідеальності Б-К
vptci	100	ні	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	ні	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	ні	Зовнішній коефіцієнт неідеальності Б-К
vptcx	100	ні	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	ні	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	ні	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	ні	Коефіцієнт неідеальності переходу К-П
vpts	100	ні	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	ні	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	ні	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	ні	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	ні	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	ні	Множник в показнику ступеня для залежності струму від часу зберігання нейтрального емітера
thcs	0.0	ні	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Чинник згладжування для залежності струму від часу прольоту бази й колектора
fthc	0.0	ні	Розділювальний чинник для базової і колекторної частин
rci0	150	ні	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	ні	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	ні	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	ні	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	ні	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	ні	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	ні	Чинник для додаткового часу затримки неосновних носіїв заряду
alit	0.0	ні	Чинник для додаткового часу затримки передатного струму
flnqs	0	ні	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	ні	Коефіцієнт 1/f-шуму
af	2.0	ні	Показник ступеня 1/f-шуму
cfbe	-1	ні	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік ширини емітера
latl	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік довжини емітера
vgb	1.17	ні	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	ні	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Відносний температурний коефіцієнт другого порядку параметра T0
zetaci	0.0	ні	Температурний показник для RCI0
alvs	0.0	ні	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	ні	Температурний показник внутрішнього опору бази
zetarbx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору бази
zetarcx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору колектора
zetare	0.0	ні	Температурний показник опору емітера
zetacx	1.0	ні	Температурний показник рухливості у часі прольоту транзистора підкладки
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	ні	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	ні	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	ні	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	ні	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	ні	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	ні	температура моделювання

Logarithmic Amplifier¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Logarithmic Amplifier
Опис	Logarithmic Amplifier verilog device
Schematic entry	`log_amp`
Netlist entry	`LA`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	log_amp
Властивості	17
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Kv	1.0	ні	scale factor
Dk	0.3	ні	scale factor error (%)
Ib1	5e-12	ні	input I1 bias current (A)
Ibr	5e-12	ні	input reference bias current (A)
M	5	ні	number of decades
N	0.1	ні	conformity error (%)
Vosout	3e-3	ні	output offset error (V)
Rinp	1e6	ні	amplifier input resistance (Ohm)
Fc	1e3	ні	amplifier 3dB frequency (Hz)
Ro	1e-3	ні	amplifier output resistance (Ohm)
Ntc	0.002	ні	conformity error temperature coefficient (%/Celsius)
Vosouttc	80e-6	ні	offset temperature coefficient (V/Celsius)
Dktc	0.03	ні	scale factor error temperature coefficient (%/Celsius)
Ib1tc	0.5e-12	ні	input I1 bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Ibrtc	0.5e-12	ні	input reference bias current temperature coefficient (A/Celsius)
Tnom	26.85	ні	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Npn Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	npn HICUM L0 v1.12
Опис	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Властивості	86
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	npn	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	ні	high-injection correction factor
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Pnp Hicum L0 V1.12¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	pnp HICUM L0 v1.12
Опис	HICUM Level 0 v1.12 verilog device
Schematic entry	`hic0_full`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Властивості	86
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pnp	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
tfh	1.0e6	ні	high-injection correction factor
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor (1/K)
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Potentiometer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Potentiometer
Опис	Potentiometer verilog device
Schematic entry	`potentiometer`
Netlist entry	`POT`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	potentiometer
Властивості	11
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
R_pot	1e4	ні	nominal device resistance (Ohm)
Rotation	120	ні	shaft/wiper arm rotation (degrees)
Taper_Coeff	0	ні	resistive law taper coefficient
LEVEL	1	ні	device type selector [1, 2, 3]
Max_Rotation	240.0	ні	maximum shaft/wiper rotation (degrees)
Conformity	0.2	ні	conformity error (%)
Linearity	0.2	ні	linearity error (%)
Contact_Res	1	ні	wiper arm contact resistance (Ohm)
Temp_Coeff	100	ні	resistance temperature coefficient (PPM/Celsius)
Tnom	26.85	ні	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Mesfet¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	MESFET
Опис	MESFET verilog device
Schematic entry	`MESFET`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	MESFET
Властивості	52
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
LEVEL	1	ні	model selector
Vto	-1.8	ні	pinch-off voltage (V)
Beta	3e-3	ні	transconductance parameter (A/(V*V))
Alpha	2.25	ні	saturation voltage parameter (1/V)
Lambda	0.05	ні	channel length modulation parameter (1/V)
B	0.3	ні	doping profile parameter (1/V)
Qp	2.1	ні	power law exponent parameter
Delta	0.1	ні	power feedback parameter (1/W)
Vmax	0.5	ні	maximum junction voltage limit before capacitance limiting (V)
Vdelta1	0.3	ні	capacitance saturation transition voltage (V)
Vdelta2	0.2	ні	capacitance threshold transition voltage (V)
Gamma	0.015	ні	dc drain pull coefficient
Nsc	1	ні	subthreshold conductance parameter
Is	1e-14	ні	diode saturation current (I)
N	1	ні	diode emission coefficient
Vbi	1.0	ні	built-in gate potential (V)
Bv	60	ні	gate-drain junction reverse bias breakdown voltage (V)
Xti	3.0	ні	diode saturation current temperature coefficient
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tau	1e-9	ні	transit time under gate (s)
Rin	1e-3	ні	channel resistance (Ohm)
Area	1	ні	area factor
Eg	1.11	ні	energy gap (eV)
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності
Cgd	0.2e-12	ні	zero bias gate-drain junction capacitance (F)
Cgs	1e-12	ні	zero bias gate-source junction capacitance (F)
Cds	1e-12	ні	zero bias drain-source junction capacitance (F)
Betatc	0	ні	Beta temperature coefficient (%/Celsius)
Alphatc	0	ні	Alpha temperature coefficient (%/Celsius)
Gammatc	0	ні	Gamma temperature coefficient (%/Celsius)
Ng	2.65	ні	Subthreshold slope gate parameter
Nd	-0.19	ні	subthreshold drain pull parameter
ILEVELS	3	ні	gate-source current equation selector
ILEVELD	3	ні	gate-drain current equation selector
QLEVELS	2	ні	gate-source charge equation selector
QLEVELD	2	ні	gate-drain charge equation selector
QLEVELDS	2	ні	drain-source charge equation selector
Vtotc	0	ні	Vto temperature coefficient
Rg	5.1	ні	gate resistance (Ohms)
Rd	1.3	ні	drain resistance (Ohms)
Rs	1.3	ні	source resistance (Ohms)
Rgtc	0	ні	gate resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rdtc	0	ні	drain resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Rstc	0	ні	source resistance temperature coefficient (1/Celsius)
Ibv	1e-3	ні	gate reverse breakdown currrent (A)
Rf	10	ні	forward bias slope resistance (Ohms)
R1	10	ні	breakdown slope resistance (Ohms)
Af	1	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Kf	0	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Gdsnoi	1	ні	shot noise coefficient
Tnom	26.85	ні	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Epfl-Ekv Nmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	EPFL-EKV NMOS 2.6
Опис	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26nMOS
Властивості	55
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	nmos	так	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	ні	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	ні	length parameter (m)
W	10e-6	ні	Width parameter (m)
Np	1.0	ні	parallel multiple device number
Ns	1.0	ні	series multiple device number
Cox	3.45e-3	ні	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	ні	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.02e-6	ні	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	ні	channel length correction (m)
Vto	0.6	ні	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.71	ні	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.97	ні	bulk Fermi potential (V)
Kp	150e-6	ні	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	ні	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	88.0e6	ні	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	4.5e6	ні	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	0.23	ні	depletion length coefficient
Weta	0.05	ні	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.28	ні	longitudinal critical field
Q0	280e-6	ні	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.5e-6	ні	characteristic length (m)
Tcv	1.5e-3	ні	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.5	ні	mobility temperature coefficient
Ucex	1.7	ні	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	ні	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	ні	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	510.0	ні	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	ні	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	ні	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	ні	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	ні	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	ні	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	2e8	ні	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.5e8	ні	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	ні	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-27	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Avto	0.0	ні	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	ні	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	ні	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	ні	коефіцієнт емісії
Is	1e-14	ні	saturation current (A)
Bv	100	ні	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	ні	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	ні	junction potential (V)
Cj0	300e-15	ні	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності
Area	1.0	ні	diode relative area
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tt	0.1e-9	ні	transit time (s)
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Xpart	0.4	ні	charge partition parameter
Tnom	26.85	ні	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Epfl-Ekv Pmos 2.6¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	EPFL-EKV PMOS 2.6
Опис	EPFL-EKV MOS 2.6 verilog device
Schematic entry	`EKV26MOS`
Netlist entry	`M`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	EKV26pMOS
Властивості	55
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pmos	так	polarity [nmos, pmos]
LEVEL	1	ні	long = 1, short = 2
L	0.5e-6	ні	length parameter (m)
W	10e-6	ні	Width parameter (m)
Np	1.0	ні	parallel multiple device number
Ns	1.0	ні	series multiple device number
Cox	3.45e-3	ні	gate oxide capacitance per unit area (F/m**2)
Xj	0.15e-6	ні	metallurgical junction depth (m)
Dw	-0.03e-6	ні	channel width correction (m)
Dl	-0.05e-6	ні	channel length correction (m)
Vto	-0.55	ні	long channel threshold voltage (V)
Gamma	0.69	ні	body effect parameter (V**(1/2))
Phi	0.87	ні	bulk Fermi potential (V)
Kp	35e-6	ні	transconductance parameter (A/V**2)
Theta	50e-3	ні	mobility reduction coefficient (1/V)
EO	51.0e6	ні	mobility coefficient (V/m)
Ucrit	18.0e6	ні	longitudinal critical field (V/m)
Lambda	1.1	ні	depletion length coefficient
Weta	0.0	ні	narrow-channel effect coefficient
Leta	0.45	ні	longitudinal critical field
Q0	200e-6	ні	reverse short channel charge density (As/m*2)
Lk	0.6e-6	ні	characteristic length (m)
Tcv	-1.4e-3	ні	threshold voltage temperature coefficient (V/K)
Bex	-1.4	ні	mobility temperature coefficient
Ucex	2.0	ні	Longitudinal critical field temperature exponent
Ibbt	0.0	ні	Ibb temperature coefficient (1/K)
Hdif	0.9e-6	ні	heavily doped diffusion length (m)
Rsh	990.0	ні	drain/source diffusion sheet resistance (Ohm/square)
Rsc	0.0	ні	source contact resistance (Ohm)
Rdc	0.0	ні	drain contact resistance (Ohm)
Cgso	1.5e-10	ні	gate to source overlap capacitance (F/m)
Cgdo	1.5e-10	ні	gate to drain overlap capacitance (F/m)
Cgbo	4.0e-10	ні	gate to bulk overlap capacitance (F/m)
Iba	0.0	ні	first impact ionization coefficient (1/m)
Ibb	3.0e8	ні	second impact ionization coefficient (V/m)
Ibn	1.0	ні	saturation voltage factor for impact ionization
Kf	1.0e-28	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Avto	0.0	ні	area related theshold voltage mismatch parameter (V*m)
Akp	0.0	ні	area related gain mismatch parameter (m)
Agamma	0.0	ні	area related body effect mismatch parameter (sqrt(V)*m)
N	1.0	ні	коефіцієнт емісії
Is	1e-14	ні	saturation current (A)
Bv	100	ні	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	ні	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	1.0	ні	junction potential (V)
Cj0	300e-15	ні	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності
Area	1.0	ні	diode relative area
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tt	0.1e-9	ні	transit time (s)
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Xpart	0.4	ні	charge partition parameter
Tnom	26.85	ні	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Bsim3V34Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	bsim3v34nMOS
Опис	bsim3v34nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34nMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34nMOS
Властивості	408
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L	0.35e-6	ні	-
W	5.0e-6	ні	-
PS	8.0e-6	ні	-
PD	8.0e-6	ні	-
AS	12.0e-12	ні	-
AD	12.0e-12	ні	-
NRS	10.0	ні	-
NRD	10.0	ні	-
NQSMOD	0	ні	-
GMIN	1e-12	ні	-
VERSION	3.24	ні	-
PARAMCHK	0	ні	-
MOBMOD	1	ні	-
CAPMOD	3	ні	-
NOIMOD	4	ні	-
BINUNIT	1	ні	-
TOX	150.0e-10	ні	-
TOXM	150.0e-10	ні	-
CDSC	2.4e-4	ні	-
CDSCB	0.0	ні	-
CDSCD	0.0	ні	-
CIT	0.0	ні	-
NFACTOR	1	ні	-
XJ	0.15e-6	ні	-
VSAT	8.0e4	ні	-
AT	3.3e4	ні	-
A0	1.0	ні	-
AGS	0.0	ні	-
A1	0.0	ні	-
A2	1.0	ні	-
KETA	-0.047	ні	-
NSUB	-99.0	ні	-
NCH	-99.0	ні	-
NGATE	0	ні	-
GAMMA1	-99.0	ні	-
GAMMA2	-99.0	ні	-
VBX	-99.0	ні	-
VBM	-3.0	ні	-
XT	-99.0	ні	-
K1	-99.0	ні	-
KT1	-0.11	ні	-
KT1L	0.0	ні	-
KT2	0.022	ні	-
K2	-99.0	ні	-
K3	80.0	ні	-
K3B	0.0	ні	-
W0	2.5e-6	ні	-
NLX	1.74e-7	ні	-
DVT0	2.2	ні	-
DVT1	0.53	ні	-
DVT2	-0.032	ні	-
DVT0W	0.0	ні	-
DVT1W	5.3e6	ні	-
DVT2W	-0.032	ні	-
DROUT	0.56	ні	-
DSUB	0.56	ні	-
VTHO	0.7	ні	-
VTH0	0.7	ні	-
UA	2.25e-9	ні	-
UA1	4.31e-9	ні	-
UB	5.87e-19	ні	-
UB1	-7.61e-18	ні	-
UC	-99.0	ні	-
UC1	-99.0	ні	-
U0	-99.0	ні	-
UTE	-1.5	ні	-
VOFF	-0.08	ні	-
TNOM	26.85	ні	-
CGSO	-99.0	ні	-
CGDO	-99.0	ні	-
CGBO	-99.0	ні	-
XPART	0.4	ні	-
ELM	5.0	ні	-
DELTA	0.01	ні	-
RSH	0.0	ні	-
RDSW	0	ні	-
PRWG	0.0	ні	-
PRWB	0.0	ні	-
PRT	0.0	ні	-
ETA0	0.08	ні	-
ETAB	-0.07	ні	-
PCLM	1.3	ні	-
PDIBLC1	0.39	ні	-
PDIBLC2	0.0086	ні	-
PDIBLCB	0.0	ні	-
PSCBE1	4.24e8	ні	-
PSCBE2	1.0e-5	ні	-
PVAG	0.0	ні	-
JS	1.0E-4	ні	-
JSW	0.0	ні	-
PB	1.0	ні	-
NJ	1.0	ні	-
XTI	3.0	ні	-
MJ	0.5	ні	-
PBSW	1.0	ні	-
MJSW	0.33	ні	-
PBSWG	1.0	ні	-
MJSWG	0.33	ні	-
CJ	5.0E-4	ні	-
VFBCV	-1.0	ні	-
VFB	-99.0	ні	-
CJSW	5.0E-10	ні	-
CJSWG	5.0e-10	ні	-
TPB	0.0	ні	-
TCJ	0.0	ні	-
TPBSW	0.0	ні	-
TCJSW	0.0	ні	-
TPBSWG	0.0	ні	-
TCJSWG	0.0	ні	-
ACDE	1.0	ні	-
MOIN	15.0	ні	-
NOFF	1.0	ні	-
VOFFCV	0.0	ні	-
LINT	0.0	ні	-
LL	0.0	ні	-
LLC	0.0	ні	-
LLN	1.0	ні	-
LW	0.0	ні	-
LWC	0.0	ні	-
LWN	1.0	ні	-
LWL	0.0	ні	-
LWLC	0.0	ні	-
LMIN	0.0	ні	-
LMAX	1.0	ні	-
WR	1.0	ні	-
WINT	0.0	ні	-
DWG	0.0	ні	-
DWB	0.0	ні	-
WL	0.0	ні	-
WLC	0.0	ні	-
WLN	1.0	ні	-
WW	0.0	ні	-
WWC	0.0	ні	-
WWN	1.0	ні	-
WWL	0.0	ні	-
WWLC	0.0	ні	-
WMIN	0.0	ні	-
WMAX	1.0	ні	-
B0	0.0	ні	-
B1	0.0	ні	-
CGSL	0.0	ні	-
CGDL	0.0	ні	-
CKAPPA	0.6	ні	-
CF	-99.0	ні	-
CLC	0.1e-6	ні	-
CLE	0.6	ні	-
DWC	0.0	ні	-
DLC	-99.0	ні	-
ALPHA0	0.0	ні	-
ALPHA1	0.0	ні	-
BETA0	30.0	ні	-
IJTH	0.1	ні	-
LCDSC	0.0	ні	-
LCDSCB	0.0	ні	-
LCDSCD	0.0	ні	-
LCIT	0.0	ні	-
LNFACTOR	0.0	ні	-
LXJ	0.0	ні	-
LVSAT	0.0	ні	-
LAT	0.0	ні	-
LA0	0.0	ні	-
LAGS	0.0	ні	-
LA1	0.0	ні	-
LA2	0.0	ні	-
LKETA	0.0	ні	-
LNSUB	0.0	ні	-
LNCH	0.0	ні	-
LNGATE	0.0	ні	-
LGAMMA1	-99.0	ні	-
LGAMMA2	-99.0	ні	-
LVBX	-99.0	ні	-
LVBM	0.0	ні	-
LXT	0.0	ні	-
LK1	-99.0	ні	-
LKT1	0.0	ні	-
LKT1L	0.0	ні	-
LKT2	0.0	ні	-
LK2	-99.0	ні	-
LK3	0.0	ні	-
LK3B	0.0	ні	-
LW0	0.0	ні	-
LNLX	0.0	ні	-
LDVT0	0.0	ні	-
LDVT1	0.0	ні	-
LDVT2	0.0	ні	-
LDVT0W	0.0	ні	-
LDVT1W	0.0	ні	-
LDVT2W	0.0	ні	-
LDROUT	0.0	ні	-
LDSUB	0.0	ні	-
LVTH0	0.0	ні	-
LVTHO	0.0	ні	-
LUA	0.0	ні	-
LUA1	0.0	ні	-
LUB	0.0	ні	-
LUB1	0.0	ні	-
LUC	0.0	ні	-
LUC1	0.0	ні	-
LU0	0.0	ні	-
LUTE	0.0	ні	-
LVOFF	0.0	ні	-
LELM	0.0	ні	-
LDELTA	0.0	ні	-
LRDSW	0.0	ні	-
LPRWG	0.0	ні	-
LPRWB	0.0	ні	-
LPRT	0.0	ні	-
LETA0	0.0	ні	-
LETAB	0.0	ні	-
LPCLM	0.0	ні	-
LPDIBLC1	0.0	ні	-
LPDIBLC2	0.0	ні	-
LPDIBLCB	0.0	ні	-
LPSCBE1	0.0	ні	-
LPSCBE2	0.0	ні	-
LPVAG	0.0	ні	-
LWR	0.0	ні	-
LDWG	0.0	ні	-
LDWB	0.0	ні	-
LB0	0.0	ні	-
LB1	0.0	ні	-
LCGSL	0.0	ні	-
LCGDL	0.0	ні	-
LCKAPPA	0.0	ні	-
LCF	0.0	ні	-
LCLC	0.0	ні	-
LCLE	0.0	ні	-
LALPHA0	0.0	ні	-
LALPHA1	0.0	ні	-
LBETA0	0.0	ні	-
LVFBCV	0.0	ні	-
LVFB	0.0	ні	-
LACDE	0.0	ні	-
LMOIN	0.0	ні	-
LNOFF	0.0	ні	-
LVOFFCV	0.0	ні	-
WCDSC	0.0	ні	-
WCDSCB	0.0	ні	-
WCDSCD	0.0	ні	-
WCIT	0.0	ні	-
WNFACTOR	0.0	ні	-
WXJ	0.0	ні	-
WVSAT	0.0	ні	-
WAT	0.0	ні	-
WA0	0.0	ні	-
WAGS	0.0	ні	-
WA1	0.0	ні	-
WA2	0.0	ні	-
WKETA	0.0	ні	-
WNSUB	0.0	ні	-
WNCH	0.0	ні	-
WNGATE	0.0	ні	-
WGAMMA1	-99.0	ні	-
WGAMMA2	-99.0	ні	-
WVBX	-99.0	ні	-
WVBM	0.0	ні	-
WXT	0.0	ні	-
WK1	-99.0	ні	-
WKT1	0.0	ні	-
WKT1L	0.0	ні	-
WKT2	0.0	ні	-
WK2	-99.0	ні	-
WK3	0.0	ні	-
WK3B	0.0	ні	-
WW0	0.0	ні	-
WNLX	0.0	ні	-
WDVT0	0.0	ні	-
WDVT1	0.0	ні	-
WDVT2	0.0	ні	-
WDVT0W	0.0	ні	-
WDVT1W	0.0	ні	-
WDVT2W	0.0	ні	-
WDROUT	0.0	ні	-
WDSUB	0.0	ні	-
WVTH0	0.0	ні	-
WVTHO	0.0	ні	-
WUA	0.0	ні	-
WUA1	0.0	ні	-
WUB	0.0	ні	-
WUB1	0.0	ні	-
WUC	0.0	ні	-
WUC1	0.0	ні	-
WU0	0.0	ні	-
WUTE	0.0	ні	-
WVOFF	0.0	ні	-
WELM	0.0	ні	-
WDELTA	0.0	ні	-
WRDSW	0.0	ні	-
WPRWG	0.0	ні	-
WPRWB	0.0	ні	-
WPRT	0.0	ні	-
WETA0	0.0	ні	-
WETAB	0.0	ні	-
WPCLM	0.0	ні	-
WPDIBLC1	0.0	ні	-
WPDIBLC2	0.0	ні	-
WPDIBLCB	0.0	ні	-
WPSCBE1	0.0	ні	-
WPSCBE2	0.0	ні	-
WPVAG	0.0	ні	-
WWR	0.0	ні	-
WDWG	0.0	ні	-
WDWB	0.0	ні	-
WB0	0.0	ні	-
WB1	0.0	ні	-
WCGSL	0.0	ні	-
WCGDL	0.0	ні	-
WCKAPPA	0.0	ні	-
WCF	0.0	ні	-
WCLC	0.0	ні	-
WCLE	0.0	ні	-
WALPHA0	0.0	ні	-
WALPHA1	0.0	ні	-
WBETA0	0.0	ні	-
WVFBCV	0.0	ні	-
WVFB	0.0	ні	-
WACDE	0.0	ні	-
WMOIN	0.0	ні	-
WNOFF	0.0	ні	-
WVOFFCV	0.0	ні	-
PCDSC	0.0	ні	-
PCDSCB	0.0	ні	-
PCDSCD	0.0	ні	-
PCIT	0.0	ні	-
PNFACTOR	0.0	ні	-
PXJ	0.0	ні	-
PVSAT	0.0	ні	-
PAT	0.0	ні	-
PA0	0.0	ні	-
PAGS	0.0	ні	-
PA1	0.0	ні	-
PA2	0.0	ні	-
PKETA	0.0	ні	-
PNSUB	0.0	ні	-
PNCH	0.0	ні	-
PNGATE	0.0	ні	-
PGAMMA1	-99.0	ні	-
PGAMMA2	-99.0	ні	-
PVBX	-99.0	ні	-
PVBM	0.0	ні	-
PXT	0.0	ні	-
PK1	-99.0	ні	-
PKT1	0.0	ні	-
PKT1L	0.0	ні	-
PKT2	0.0	ні	-
PK2	-99.0	ні	-
PK3	0.0	ні	-
PK3B	0.0	ні	-
PW0	0.0	ні	-
PNLX	0.0	ні	-
PDVT0	0.0	ні	-
PDVT1	0.0	ні	-
PDVT2	0.0	ні	-
PDVT0W	0.0	ні	-
PDVT1W	0.0	ні	-
PDVT2W	0.0	ні	-
PDROUT	0.0	ні	-
PDSUB	0.0	ні	-
PVTH0	0.0	ні	-
PVTHO	0.0	ні	-
PUA	0.0	ні	-
PUA1	0.0	ні	-
PUB	0.0	ні	-
PUB1	0.0	ні	-
PUC	0.0	ні	-
PUC1	0.0	ні	-
PU0	0.0	ні	-
PUTE	0.0	ні	-
PVOFF	0.0	ні	-
PELM	0.0	ні	-
PDELTA	0.0	ні	-
PRDSW	0.0	ні	-
PPRWG	0.0	ні	-
PPRWB	0.0	ні	-
PPRT	0.0	ні	-
PETA0	0.0	ні	-
PETAB	0.0	ні	-
PPCLM	0.0	ні	-
PPDIBLC1	0.0	ні	-
PPDIBLC2	0.0	ні	-
PPDIBLCB	0.0	ні	-
PPSCBE1	0.0	ні	-
PPSCBE2	0.0	ні	-
PPVAG	0.0	ні	-
PWR	0.0	ні	-
PDWG	0.0	ні	-
PDWB	0.0	ні	-
PB0	0.0	ні	-
PB1	0.0	ні	-
PCGSL	0.0	ні	-
PCGDL	0.0	ні	-
PCKAPPA	0.0	ні	-
PCF	0.0	ні	-
PCLC	0.0	ні	-
PCLE	0.0	ні	-
PALPHA0	0.0	ні	-
PALPHA1	0.0	ні	-
PBETA0	0.0	ні	-
PVFBCV	0.0	ні	-
PVFB	0.0	ні	-
PACDE	0.0	ні	-
PMOIN	0.0	ні	-
PNOFF	0.0	ні	-
PVOFFCV	0.0	ні	-
KF	0.0	ні	-
AF	1.0	ні	-
EF	1.0	ні	-
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Bsim3V34Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	bsim3v34pMOS
Опис	bsim3v34pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim3v34pMOS`
Netlist entry	`BSIM3_`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	bsim3v34pMOS
Властивості	408
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
L	3.5e-6	ні	-
W	5.0e-6	ні	-
PS	8.0e-6	ні	-
PD	8.0e-6	ні	-
AS	12.0e-12	ні	-
AD	12.0e-12	ні	-
NRS	10.0	ні	-
NRD	10.0	ні	-
NQSMOD	0	ні	-
GMIN	1e-12	ні	-
VERSION	3.24	ні	-
PARAMCHK	0	ні	-
MOBMOD	1	ні	-
CAPMOD	3	ні	-
NOIMOD	4	ні	-
BINUNIT	1	ні	-
TOX	150.0e-10	ні	-
TOXM	150.0e-10	ні	-
CDSC	2.4e-4	ні	-
CDSCB	0.0	ні	-
CDSCD	0.0	ні	-
CIT	0.0	ні	-
NFACTOR	1	ні	-
XJ	0.15e-6	ні	-
VSAT	8.0e4	ні	-
AT	3.3e4	ні	-
A0	1.0	ні	-
AGS	0.0	ні	-
A1	0.0	ні	-
A2	1.0	ні	-
KETA	-0.047	ні	-
NSUB	-99.0	ні	-
NCH	-99.0	ні	-
NGATE	0	ні	-
GAMMA1	-99.0	ні	-
GAMMA2	-99.0	ні	-
VBX	-99.0	ні	-
VBM	-3.0	ні	-
XT	-99.0	ні	-
K1	-99.0	ні	-
KT1	-0.11	ні	-
KT1L	0.0	ні	-
KT2	0.022	ні	-
K2	-99.0	ні	-
K3	80.0	ні	-
K3B	0.0	ні	-
W0	2.5e-6	ні	-
NLX	1.74e-7	ні	-
DVT0	2.2	ні	-
DVT1	0.53	ні	-
DVT2	-0.032	ні	-
DVT0W	0.0	ні	-
DVT1W	5.3e6	ні	-
DVT2W	-0.032	ні	-
DROUT	0.56	ні	-
DSUB	0.56	ні	-
VTHO	-0.7	ні	-
VTH0	-0.7	ні	-
UA	2.25e-9	ні	-
UA1	4.31e-9	ні	-
UB	5.87e-19	ні	-
UB1	-7.61e-18	ні	-
UC	-99.0	ні	-
UC1	-99.0	ні	-
U0	-99.0	ні	-
UTE	-1.5	ні	-
VOFF	-0.08	ні	-
TNOM	26.85	ні	-
CGSO	-99.0	ні	-
CGDO	-99.0	ні	-
CGBO	-99.0	ні	-
XPART	0.4	ні	-
ELM	5.0	ні	-
DELTA	0.01	ні	-
RSH	0.0	ні	-
RDSW	0	ні	-
PRWG	0.0	ні	-
PRWB	0.0	ні	-
PRT	0.0	ні	-
ETA0	0.08	ні	-
ETAB	-0.07	ні	-
PCLM	1.3	ні	-
PDIBLC1	0.39	ні	-
PDIBLC2	0.0086	ні	-
PDIBLCB	0.0	ні	-
PSCBE1	4.24e8	ні	-
PSCBE2	1.0e-5	ні	-
PVAG	0.0	ні	-
JS	1.0E-4	ні	-
JSW	0.0	ні	-
PB	1.0	ні	-
NJ	1.0	ні	-
XTI	3.0	ні	-
MJ	0.5	ні	-
PBSW	1.0	ні	-
MJSW	0.33	ні	-
PBSWG	1.0	ні	-
MJSWG	0.33	ні	-
CJ	5.0E-4	ні	-
VFBCV	-1.0	ні	-
VFB	-99.0	ні	-
CJSW	5.0E-10	ні	-
CJSWG	5.0e-10	ні	-
TPB	0.0	ні	-
TCJ	0.0	ні	-
TPBSW	0.0	ні	-
TCJSW	0.0	ні	-
TPBSWG	0.0	ні	-
TCJSWG	0.0	ні	-
ACDE	1.0	ні	-
MOIN	15.0	ні	-
NOFF	1.0	ні	-
VOFFCV	0.0	ні	-
LINT	0.0	ні	-
LL	0.0	ні	-
LLC	0.0	ні	-
LLN	1.0	ні	-
LW	0.0	ні	-
LWC	0.0	ні	-
LWN	1.0	ні	-
LWL	0.0	ні	-
LWLC	0.0	ні	-
LMIN	0.0	ні	-
LMAX	1.0	ні	-
WR	1.0	ні	-
WINT	0.0	ні	-
DWG	0.0	ні	-
DWB	0.0	ні	-
WL	0.0	ні	-
WLC	0.0	ні	-
WLN	1.0	ні	-
WW	0.0	ні	-
WWC	0.0	ні	-
WWN	1.0	ні	-
WWL	0.0	ні	-
WWLC	0.0	ні	-
WMIN	0.0	ні	-
WMAX	1.0	ні	-
B0	0.0	ні	-
B1	0.0	ні	-
CGSL	0.0	ні	-
CGDL	0.0	ні	-
CKAPPA	0.6	ні	-
CF	-99.0	ні	-
CLC	0.1e-6	ні	-
CLE	0.6	ні	-
DWC	0.0	ні	-
DLC	-99.0	ні	-
ALPHA0	0.0	ні	-
ALPHA1	0.0	ні	-
BETA0	30.0	ні	-
IJTH	0.1	ні	-
LCDSC	0.0	ні	-
LCDSCB	0.0	ні	-
LCDSCD	0.0	ні	-
LCIT	0.0	ні	-
LNFACTOR	0.0	ні	-
LXJ	0.0	ні	-
LVSAT	0.0	ні	-
LAT	0.0	ні	-
LA0	0.0	ні	-
LAGS	0.0	ні	-
LA1	0.0	ні	-
LA2	0.0	ні	-
LKETA	0.0	ні	-
LNSUB	0.0	ні	-
LNCH	0.0	ні	-
LNGATE	0.0	ні	-
LGAMMA1	-99.0	ні	-
LGAMMA2	-99.0	ні	-
LVBX	-99.0	ні	-
LVBM	0.0	ні	-
LXT	0.0	ні	-
LK1	-99.0	ні	-
LKT1	0.0	ні	-
LKT1L	0.0	ні	-
LKT2	0.0	ні	-
LK2	-99.0	ні	-
LK3	0.0	ні	-
LK3B	0.0	ні	-
LW0	0.0	ні	-
LNLX	0.0	ні	-
LDVT0	0.0	ні	-
LDVT1	0.0	ні	-
LDVT2	0.0	ні	-
LDVT0W	0.0	ні	-
LDVT1W	0.0	ні	-
LDVT2W	0.0	ні	-
LDROUT	0.0	ні	-
LDSUB	0.0	ні	-
LVTH0	0.0	ні	-
LVTHO	0.0	ні	-
LUA	0.0	ні	-
LUA1	0.0	ні	-
LUB	0.0	ні	-
LUB1	0.0	ні	-
LUC	0.0	ні	-
LUC1	0.0	ні	-
LU0	0.0	ні	-
LUTE	0.0	ні	-
LVOFF	0.0	ні	-
LELM	0.0	ні	-
LDELTA	0.0	ні	-
LRDSW	0.0	ні	-
LPRWG	0.0	ні	-
LPRWB	0.0	ні	-
LPRT	0.0	ні	-
LETA0	0.0	ні	-
LETAB	0.0	ні	-
LPCLM	0.0	ні	-
LPDIBLC1	0.0	ні	-
LPDIBLC2	0.0	ні	-
LPDIBLCB	0.0	ні	-
LPSCBE1	0.0	ні	-
LPSCBE2	0.0	ні	-
LPVAG	0.0	ні	-
LWR	0.0	ні	-
LDWG	0.0	ні	-
LDWB	0.0	ні	-
LB0	0.0	ні	-
LB1	0.0	ні	-
LCGSL	0.0	ні	-
LCGDL	0.0	ні	-
LCKAPPA	0.0	ні	-
LCF	0.0	ні	-
LCLC	0.0	ні	-
LCLE	0.0	ні	-
LALPHA0	0.0	ні	-
LALPHA1	0.0	ні	-
LBETA0	0.0	ні	-
LVFBCV	0.0	ні	-
LVFB	0.0	ні	-
LACDE	0.0	ні	-
LMOIN	0.0	ні	-
LNOFF	0.0	ні	-
LVOFFCV	0.0	ні	-
WCDSC	0.0	ні	-
WCDSCB	0.0	ні	-
WCDSCD	0.0	ні	-
WCIT	0.0	ні	-
WNFACTOR	0.0	ні	-
WXJ	0.0	ні	-
WVSAT	0.0	ні	-
WAT	0.0	ні	-
WA0	0.0	ні	-
WAGS	0.0	ні	-
WA1	0.0	ні	-
WA2	0.0	ні	-
WKETA	0.0	ні	-
WNSUB	0.0	ні	-
WNCH	0.0	ні	-
WNGATE	0.0	ні	-
WGAMMA1	-99.0	ні	-
WGAMMA2	-99.0	ні	-
WVBX	-99.0	ні	-
WVBM	0.0	ні	-
WXT	0.0	ні	-
WK1	-99.0	ні	-
WKT1	0.0	ні	-
WKT1L	0.0	ні	-
WKT2	0.0	ні	-
WK2	-99.0	ні	-
WK3	0.0	ні	-
WK3B	0.0	ні	-
WW0	0.0	ні	-
WNLX	0.0	ні	-
WDVT0	0.0	ні	-
WDVT1	0.0	ні	-
WDVT2	0.0	ні	-
WDVT0W	0.0	ні	-
WDVT1W	0.0	ні	-
WDVT2W	0.0	ні	-
WDROUT	0.0	ні	-
WDSUB	0.0	ні	-
WVTH0	0.0	ні	-
WVTHO	0.0	ні	-
WUA	0.0	ні	-
WUA1	0.0	ні	-
WUB	0.0	ні	-
WUB1	0.0	ні	-
WUC	0.0	ні	-
WUC1	0.0	ні	-
WU0	0.0	ні	-
WUTE	0.0	ні	-
WVOFF	0.0	ні	-
WELM	0.0	ні	-
WDELTA	0.0	ні	-
WRDSW	0.0	ні	-
WPRWG	0.0	ні	-
WPRWB	0.0	ні	-
WPRT	0.0	ні	-
WETA0	0.0	ні	-
WETAB	0.0	ні	-
WPCLM	0.0	ні	-
WPDIBLC1	0.0	ні	-
WPDIBLC2	0.0	ні	-
WPDIBLCB	0.0	ні	-
WPSCBE1	0.0	ні	-
WPSCBE2	0.0	ні	-
WPVAG	0.0	ні	-
WWR	0.0	ні	-
WDWG	0.0	ні	-
WDWB	0.0	ні	-
WB0	0.0	ні	-
WB1	0.0	ні	-
WCGSL	0.0	ні	-
WCGDL	0.0	ні	-
WCKAPPA	0.0	ні	-
WCF	0.0	ні	-
WCLC	0.0	ні	-
WCLE	0.0	ні	-
WALPHA0	0.0	ні	-
WALPHA1	0.0	ні	-
WBETA0	0.0	ні	-
WVFBCV	0.0	ні	-
WVFB	0.0	ні	-
WACDE	0.0	ні	-
WMOIN	0.0	ні	-
WNOFF	0.0	ні	-
WVOFFCV	0.0	ні	-
PCDSC	0.0	ні	-
PCDSCB	0.0	ні	-
PCDSCD	0.0	ні	-
PCIT	0.0	ні	-
PNFACTOR	0.0	ні	-
PXJ	0.0	ні	-
PVSAT	0.0	ні	-
PAT	0.0	ні	-
PA0	0.0	ні	-
PAGS	0.0	ні	-
PA1	0.0	ні	-
PA2	0.0	ні	-
PKETA	0.0	ні	-
PNSUB	0.0	ні	-
PNCH	0.0	ні	-
PNGATE	0.0	ні	-
PGAMMA1	-99.0	ні	-
PGAMMA2	-99.0	ні	-
PVBX	-99.0	ні	-
PVBM	0.0	ні	-
PXT	0.0	ні	-
PK1	-99.0	ні	-
PKT1	0.0	ні	-
PKT1L	0.0	ні	-
PKT2	0.0	ні	-
PK2	-99.0	ні	-
PK3	0.0	ні	-
PK3B	0.0	ні	-
PW0	0.0	ні	-
PNLX	0.0	ні	-
PDVT0	0.0	ні	-
PDVT1	0.0	ні	-
PDVT2	0.0	ні	-
PDVT0W	0.0	ні	-
PDVT1W	0.0	ні	-
PDVT2W	0.0	ні	-
PDROUT	0.0	ні	-
PDSUB	0.0	ні	-
PVTH0	0.0	ні	-
PVTHO	0.0	ні	-
PUA	0.0	ні	-
PUA1	0.0	ні	-
PUB	0.0	ні	-
PUB1	0.0	ні	-
PUC	0.0	ні	-
PUC1	0.0	ні	-
PU0	0.0	ні	-
PUTE	0.0	ні	-
PVOFF	0.0	ні	-
PELM	0.0	ні	-
PDELTA	0.0	ні	-
PRDSW	0.0	ні	-
PPRWG	0.0	ні	-
PPRWB	0.0	ні	-
PPRT	0.0	ні	-
PETA0	0.0	ні	-
PETAB	0.0	ні	-
PPCLM	0.0	ні	-
PPDIBLC1	0.0	ні	-
PPDIBLC2	0.0	ні	-
PPDIBLCB	0.0	ні	-
PPSCBE1	0.0	ні	-
PPSCBE2	0.0	ні	-
PPVAG	0.0	ні	-
PWR	0.0	ні	-
PDWG	0.0	ні	-
PDWB	0.0	ні	-
PB0	0.0	ні	-
PB1	0.0	ні	-
PCGSL	0.0	ні	-
PCGDL	0.0	ні	-
PCKAPPA	0.0	ні	-
PCF	0.0	ні	-
PCLC	0.0	ні	-
PCLE	0.0	ні	-
PALPHA0	0.0	ні	-
PALPHA1	0.0	ні	-
PBETA0	0.0	ні	-
PVFBCV	0.0	ні	-
PVFB	0.0	ні	-
PACDE	0.0	ні	-
PMOIN	0.0	ні	-
PNOFF	0.0	ні	-
PVOFFCV	0.0	ні	-
KF	0.0	ні	-
AF	1.0	ні	-
EF	1.0	ні	-
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Bsim4V30Nmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	bsim4v30nMOS
Опис	bsim4v30nMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30nMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30nMOS
Властивості	278
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
GMIN	1e-12	ні	-
PS	12e-6	ні	-
PD	12e-6	ні	-
AS	12e-12	ні	-
AD	12e-12	ні	-
CGBO	-99.0	ні	-
CGDO	-99.0	ні	-
CGSO	-99.0	ні	-
L	3e-6	ні	-
W	6e-6	ні	-
MOBMOD	-99.0	ні	-
RDSMOD	-99.0	ні	-
IGCMOD	0	ні	-
IGBMOD	0	ні	-
CAPMOD	2	ні	-
RGATEMOD	2	ні	-
RBODYMOD	0	ні	-
DIOMOD	1	ні	-
TEMPMOD	-99.0	ні	-
GEOMOD	0	ні	-
RGEOMOD	0	ні	-
PERMOD	1	ні	-
TNOIMOD	0	ні	-
FNOIMOD	0	ні	-
EPSROX	3.9	ні	-
TOXE	-99.0	ні	-
TOXP	-99.0	ні	-
TOXM	-99.0	ні	-
DTOX	0.0	ні	-
XJ	1.5e-7	ні	-
GAMMA1	-99.0	ні	-
GAMMA2	-99.0	ні	-
NDEP	-99.0	ні	-
NSUB	6.0e16	ні	-
NGATE	0.0	ні	-
NSD	1.0e20	ні	-
VBX	-99.0	ні	-
XT	1.55e-7	ні	-
RSH	0.0	ні	-
RSHG	0.0	ні	-
VTH0	0.6	ні	-
VFB	-99.0	ні	-
PHIN	0.0	ні	-
K1	-99.0	ні	-
K2	-99.0	ні	-
K3	80.0	ні	-
K3B	0.0	ні	-
W0	2.5e-6	ні	-
LPE0	1.74e-7	ні	-
LPEB	0.0	ні	-
VBM	-3.0	ні	-
DVT0	2.2	ні	-
DVT1	0.53	ні	-
DVT2	-0.032	ні	-
DVTP0	0.0	ні	-
DVTP1	0.0	ні	-
DVT0W	0.0	ні	-
DVT1W	5.3e6	ні	-
DVT2W	-0.032	ні	-
U0	-99.0	ні	-
UA	-99.0	ні	-
UB	1.0e-19	ні	-
UC	-99.0	ні	-
EU	-99.0	ні	-
VSAT	8.0e4	ні	-
A0	1.0	ні	-
AGS	0.0	ні	-
B0	0.0	ні	-
B1	0.0	ні	-
KETA	-0.047	ні	-
A1	0.0	ні	-
A2	1.0	ні	-
WINT	0.0	ні	-
LINT	0.0	ні	-
DWG	0.0	ні	-
DWB	0.0	ні	-
VOFF	-0.08	ні	-
VOFFL	0.0	ні	-
MINV	0.0	ні	-
NFACTOR	1.0	ні	-
ETA0	0.08	ні	-
ETAB	-0.07	ні	-
DROUT	0.56	ні	-
DSUB	0.56	ні	-
CIT	0.0	ні	-
CDSC	2.4e-4	ні	-
CDSCB	0.0	ні	-
CDSCD	0.0	ні	-
PCLM	1.3	ні	-
PDIBL1	0.39	ні	-
PDIBL2	0.0086	ні	-
PDIBLB	0.0	ні	-
PSCBE1	4.24e8	ні	-
PSCBE2	1.0e-5	ні	-
PVAG	0.0	ні	-
DELTA	0.01	ні	-
FPROUT	0.0	ні	-
PDITS	0.0	ні	-
PDITSD	0.0	ні	-
PDITSL	0.0	ні	-
LAMBDA	-99.0	ні	-
VTL	-99.0	ні	-
LC	5.0e-9	ні	-
XN	3.0	ні	-
RDSW	200.0	ні	-
RDSWMIN	0.0	ні	-
RDW	100.0	ні	-
RDWMIN	0.0	ні	-
RSW	100.0	ні	-
RSWMIN	0.0	ні	-
PRWG	1.0	ні	-
PRWB	0.0	ні	-
WR	1.0	ні	-
NRS	-99.0	ні	-
NRD	-99.0	ні	-
ALPHA0	0.0	ні	-
ALPHA1	0.0	ні	-
BETA0	30.0	ні	-
AGIDL	0.0	ні	-
BGIDL	2.3e9	ні	-
CGIDL	0.5	ні	-
EGIDL	0.8	ні	-
AIGBACC	0.43	ні	-
BIGBACC	0.054	ні	-
CIGBACC	0.075	ні	-
NIGBACC	1.0	ні	-
AIGBINV	0.35	ні	-
BIGBINV	0.03	ні	-
CIGBINV	0.006	ні	-
EIGBINV	1.1	ні	-
NIGBINV	3.0	ні	-
AIGC	-99.0	ні	-
BIGC	-99.0	ні	-
CIGC	-99.0	ні	-
AIGSD	-99.0	ні	-
BIGSD	-99.0	ні	-
CIGSD	-99.0	ні	-
DLCIG	0.0	ні	-
NIGC	1.0	ні	-
POXEDGE	1.0	ні	-
PIGCD	1.0	ні	-
NTOX	1.0	ні	-
TOXREF	3.0e-9	ні	-
XPART	0.4	ні	-
CGS0	0.0	ні	-
CGD0	0.0	ні	-
CGB0	0.0	ні	-
CGSL	0.0	ні	-
CGDL	0.0	ні	-
CKAPPAS	0.6	ні	-
CKAPPAD	0.6	ні	-
CF	-99.0	ні	-
CLC	1.0e-7	ні	-
CLE	0.6	ні	-
DLC	0.0	ні	-
DWC	0.0	ні	-
VFBCV	-1.0	ні	-
NOFF	1.0	ні	-
VOFFCV	0.0	ні	-
ACDE	1.0	ні	-
MOIN	15.0	ні	-
XRCRG1	12.0	ні	-
XRCRG2	1.0	ні	-
RBPB	50.0	ні	-
RBPD	50.0	ні	-
RBPS	50.0	ні	-
RBDB	50.0	ні	-
RBSB	50.0	ні	-
GBMIN	1.0e-12	ні	-
DMCG	0.0	ні	-
DMCI	0.0	ні	-
DMDG	0.0	ні	-
DMCGT	0.0	ні	-
NF	1.0	ні	-
DWJ	0.0	ні	-
MIN	0.0	ні	-
XGW	0.0	ні	-
XGL	0.0	ні	-
XL	0.0	ні	-
XW	0.0	ні	-
NGCON	1.0	ні	-
IJTHSREV	0.1	ні	-
IJTHDREV	0.1	ні	-
IJTHSFWD	0.1	ні	-
IJTHDFWD	0.1	ні	-
XJBVS	1.0	ні	-
XJBVD	1.0	ні	-
BVS	10.0	ні	-
BVD	10.0	ні	-
JSS	1.0e-4	ні	-
JSD	1.0e-4	ні	-
JSWS	0.0	ні	-
JSWD	0.0	ні	-
JSWGS	0.0	ні	-
JSWGD	0.0	ні	-
CJS	5.0e-4	ні	-
CJD	5.0e-4	ні	-
MJS	0.5	ні	-
MJD	0.5	ні	-
MJSWS	0.33	ні	-
MJSWD	0.33	ні	-
CJSWS	5.0e-10	ні	-
CJSWD	5.0e-10	ні	-
CJSWGS	5.0e-10	ні	-
CJSWGD	5.0e-10	ні	-
MJSWGS	0.33	ні	-
MJSWGD	0.33	ні	-
PBS	1.0	ні	-
PBD	1.0	ні	-
PBSWS	1.0	ні	-
PBSWD	1.0	ні	-
PBSWGS	1.0	ні	-
PBSWGD	1.0	ні	-
TNOM	27	ні	-
UTE	-1.5	ні	-
KT1	-0.11	ні	-
KT1L	0.0	ні	-
KT2	0.022	ні	-
UA1	1.0e-9	ні	-
UB1	-1.0e-18	ні	-
UC1	-99.0	ні	-
AT	3.3e4	ні	-
PRT	0.0	ні	-
NJS	1.0	ні	-
NJD	1.0	ні	-
XTIS	3.0	ні	-
XTID	3.0	ні	-
TPB	0.0	ні	-
TPBSW	0.0	ні	-
TPBSWG	0.0	ні	-
TCJ	0.0	ні	-
TCJSW	0.0	ні	-
TCJSWG	0.0	ні	-
SA	0.0	ні	-
SB	0.0	ні	-
SD	0.0	ні	-
SAREF	1e-6	ні	-
SBREF	1e-6	ні	-
WLOD	0.0	ні	-
KU0	0.0	ні	-
KVSAT	0.0	ні	-
TKU0	0.0	ні	-
LKU0	0.0	ні	-
WKU0	0.0	ні	-
PKU0	0.0	ні	-
LLODKU0	0.0	ні	-
WLODKU0	0.0	ні	-
KVTH0	0.0	ні	-
LKVTH0	0.0	ні	-
WKVTH0	0.0	ні	-
PKVTH0	0.0	ні	-
LLODVTH	0.0	ні	-
WLODVTH	0.0	ні	-
STK2	0.0	ні	-
LODK2	1.0	ні	-
STETA0	0.0	ні	-
LODETA0	1.0	ні	-
WL	0.0	ні	-
WLN	1.0	ні	-
WW	0.0	ні	-
WWN	1.0	ні	-
WWL	0.0	ні	-
LL	0.0	ні	-
LLN	1.0	ні	-
LW	0.0	ні	-
LWN	1.0	ні	-
LWL	0.0	ні	-
LLC	0.0	ні	-
LWC	0.0	ні	-
LWLC	0.0	ні	-
WLC	0.0	ні	-
WWC	0.0	ні	-
WWLC	0.0	ні	-
NTNOI	1.0	ні	-
KF	0.0	ні	-
AF	1.0	ні	-
EF	1.0	ні	-
TEMP	27	ні	-

Bsim4V30Pmos¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	bsim4v30pMOS
Опис	bsim4v30pMOS verilog device
Schematic entry	`bsim4v30pMOS`
Netlist entry	`BSIM4_`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	bsim4v30pMOS
Властивості	278
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
GMIN	1e-12	ні	-
PS	12e-6	ні	-
PD	12e-6	ні	-
AS	12e-12	ні	-
AD	12e-12	ні	-
CGBO	-99.0	ні	-
CGDO	-99.0	ні	-
CGSO	-99.0	ні	-
L	3e-6	ні	-
W	6e-6	ні	-
MOBMOD	-99.0	ні	-
RDSMOD	-99.0	ні	-
IGCMOD	0	ні	-
IGBMOD	0	ні	-
CAPMOD	2	ні	-
RGATEMOD	2	ні	-
RBODYMOD	0	ні	-
DIOMOD	1	ні	-
TEMPMOD	-99.0	ні	-
GEOMOD	0	ні	-
RGEOMOD	0	ні	-
PERMOD	1	ні	-
TNOIMOD	0	ні	-
FNOIMOD	0	ні	-
EPSROX	3.9	ні	-
TOXE	-99.0	ні	-
TOXP	-99.0	ні	-
TOXM	-99.0	ні	-
DTOX	0.0	ні	-
XJ	1.5e-7	ні	-
GAMMA1	-99.0	ні	-
GAMMA2	-99.0	ні	-
NDEP	-99.0	ні	-
NSUB	6.0e16	ні	-
NGATE	0.0	ні	-
NSD	1.0e20	ні	-
VBX	-99.0	ні	-
XT	1.55e-7	ні	-
RSH	0.0	ні	-
RSHG	0.0	ні	-
VTH0	-0.6	ні	-
VFB	-99.0	ні	-
PHIN	0.0	ні	-
K1	-99.0	ні	-
K2	-99.0	ні	-
K3	80.0	ні	-
K3B	0.0	ні	-
W0	2.5e-6	ні	-
LPE0	1.74e-7	ні	-
LPEB	0.0	ні	-
VBM	-3.0	ні	-
DVT0	2.2	ні	-
DVT1	0.53	ні	-
DVT2	-0.032	ні	-
DVTP0	0.0	ні	-
DVTP1	0.0	ні	-
DVT0W	0.0	ні	-
DVT1W	5.3e6	ні	-
DVT2W	-0.032	ні	-
U0	-99.0	ні	-
UA	-99.0	ні	-
UB	1.0e-19	ні	-
UC	-99.0	ні	-
EU	-99.0	ні	-
VSAT	8.0e4	ні	-
A0	1.0	ні	-
AGS	0.0	ні	-
B0	0.0	ні	-
B1	0.0	ні	-
KETA	-0.047	ні	-
A1	0.0	ні	-
A2	1.0	ні	-
WINT	0.0	ні	-
LINT	0.0	ні	-
DWG	0.0	ні	-
DWB	0.0	ні	-
VOFF	-0.08	ні	-
VOFFL	0.0	ні	-
MINV	0.0	ні	-
NFACTOR	1.0	ні	-
ETA0	0.08	ні	-
ETAB	-0.07	ні	-
DROUT	0.56	ні	-
DSUB	0.56	ні	-
CIT	0.0	ні	-
CDSC	2.4e-4	ні	-
CDSCB	0.0	ні	-
CDSCD	0.0	ні	-
PCLM	1.3	ні	-
PDIBL1	0.39	ні	-
PDIBL2	0.0086	ні	-
PDIBLB	0.0	ні	-
PSCBE1	4.24e8	ні	-
PSCBE2	1.0e-5	ні	-
PVAG	0.0	ні	-
DELTA	0.01	ні	-
FPROUT	0.0	ні	-
PDITS	0.0	ні	-
PDITSD	0.0	ні	-
PDITSL	0.0	ні	-
LAMBDA	-99.0	ні	-
VTL	-99.0	ні	-
LC	5.0e-9	ні	-
XN	3.0	ні	-
RDSW	200.0	ні	-
RDSWMIN	0.0	ні	-
RDW	100.0	ні	-
RDWMIN	0.0	ні	-
RSW	100.0	ні	-
RSWMIN	0.0	ні	-
PRWG	1.0	ні	-
PRWB	0.0	ні	-
WR	1.0	ні	-
NRS	-99.0	ні	-
NRD	-99.0	ні	-
ALPHA0	0.0	ні	-
ALPHA1	0.0	ні	-
BETA0	30.0	ні	-
AGIDL	0.0	ні	-
BGIDL	2.3e9	ні	-
CGIDL	0.5	ні	-
EGIDL	0.8	ні	-
AIGBACC	0.43	ні	-
BIGBACC	0.054	ні	-
CIGBACC	0.075	ні	-
NIGBACC	1.0	ні	-
AIGBINV	0.35	ні	-
BIGBINV	0.03	ні	-
CIGBINV	0.006	ні	-
EIGBINV	1.1	ні	-
NIGBINV	3.0	ні	-
AIGC	-99.0	ні	-
BIGC	-99.0	ні	-
CIGC	-99.0	ні	-
AIGSD	-99.0	ні	-
BIGSD	-99.0	ні	-
CIGSD	-99.0	ні	-
DLCIG	0.0	ні	-
NIGC	1.0	ні	-
POXEDGE	1.0	ні	-
PIGCD	1.0	ні	-
NTOX	1.0	ні	-
TOXREF	3.0e-9	ні	-
XPART	0.4	ні	-
CGS0	0.0	ні	-
CGD0	0.0	ні	-
CGB0	0.0	ні	-
CGSL	0.0	ні	-
CGDL	0.0	ні	-
CKAPPAS	0.6	ні	-
CKAPPAD	0.6	ні	-
CF	-99.0	ні	-
CLC	1.0e-7	ні	-
CLE	0.6	ні	-
DLC	0.0	ні	-
DWC	0.0	ні	-
VFBCV	-1.0	ні	-
NOFF	1.0	ні	-
VOFFCV	0.0	ні	-
ACDE	1.0	ні	-
MOIN	15.0	ні	-
XRCRG1	12.0	ні	-
XRCRG2	1.0	ні	-
RBPB	50.0	ні	-
RBPD	50.0	ні	-
RBPS	50.0	ні	-
RBDB	50.0	ні	-
RBSB	50.0	ні	-
GBMIN	1.0e-12	ні	-
DMCG	0.0	ні	-
DMCI	0.0	ні	-
DMDG	0.0	ні	-
DMCGT	0.0	ні	-
NF	1.0	ні	-
DWJ	0.0	ні	-
MIN	0.0	ні	-
XGW	0.0	ні	-
XGL	0.0	ні	-
XL	0.0	ні	-
XW	0.0	ні	-
NGCON	1.0	ні	-
IJTHSREV	0.1	ні	-
IJTHDREV	0.1	ні	-
IJTHSFWD	0.1	ні	-
IJTHDFWD	0.1	ні	-
XJBVS	1.0	ні	-
XJBVD	1.0	ні	-
BVS	10.0	ні	-
BVD	10.0	ні	-
JSS	1.0e-4	ні	-
JSD	1.0e-4	ні	-
JSWS	0.0	ні	-
JSWD	0.0	ні	-
JSWGS	0.0	ні	-
JSWGD	0.0	ні	-
CJS	5.0e-4	ні	-
CJD	5.0e-4	ні	-
MJS	0.5	ні	-
MJD	0.5	ні	-
MJSWS	0.33	ні	-
MJSWD	0.33	ні	-
CJSWS	5.0e-10	ні	-
CJSWD	5.0e-10	ні	-
CJSWGS	5.0e-10	ні	-
CJSWGD	5.0e-10	ні	-
MJSWGS	0.33	ні	-
MJSWGD	0.33	ні	-
PBS	1.0	ні	-
PBD	1.0	ні	-
PBSWS	1.0	ні	-
PBSWD	1.0	ні	-
PBSWGS	1.0	ні	-
PBSWGD	1.0	ні	-
TNOM	27	ні	-
UTE	-1.5	ні	-
KT1	-0.11	ні	-
KT1L	0.0	ні	-
KT2	0.022	ні	-
UA1	1.0e-9	ні	-
UB1	-1.0e-18	ні	-
UC1	-99.0	ні	-
AT	3.3e4	ні	-
PRT	0.0	ні	-
NJS	1.0	ні	-
NJD	1.0	ні	-
XTIS	3.0	ні	-
XTID	3.0	ні	-
TPB	0.0	ні	-
TPBSW	0.0	ні	-
TPBSWG	0.0	ні	-
TCJ	0.0	ні	-
TCJSW	0.0	ні	-
TCJSWG	0.0	ні	-
SA	0.0	ні	-
SB	0.0	ні	-
SD	0.0	ні	-
SAREF	1e-6	ні	-
SBREF	1e-6	ні	-
WLOD	0.0	ні	-
KU0	0.0	ні	-
KVSAT	0.0	ні	-
TKU0	0.0	ні	-
LKU0	0.0	ні	-
WKU0	0.0	ні	-
PKU0	0.0	ні	-
LLODKU0	0.0	ні	-
WLODKU0	0.0	ні	-
KVTH0	0.0	ні	-
LKVTH0	0.0	ні	-
WKVTH0	0.0	ні	-
PKVTH0	0.0	ні	-
LLODVTH	0.0	ні	-
WLODVTH	0.0	ні	-
STK2	0.0	ні	-
LODK2	1.0	ні	-
STETA0	0.0	ні	-
LODETA0	1.0	ні	-
WL	0.0	ні	-
WLN	1.0	ні	-
WW	0.0	ні	-
WWN	1.0	ні	-
WWL	0.0	ні	-
LL	0.0	ні	-
LLN	1.0	ні	-
LW	0.0	ні	-
LWN	1.0	ні	-
LWL	0.0	ні	-
LLC	0.0	ні	-
LWC	0.0	ні	-
LWLC	0.0	ні	-
WLC	0.0	ні	-
WWC	0.0	ні	-
WWLC	0.0	ні	-
NTNOI	1.0	ні	-
KF	0.0	ні	-
AF	1.0	ні	-
EF	1.0	ні	-
TEMP	27	ні	-

Npn Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	npn HICUM L0 v1.2
Опис	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Властивості	94
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	npn	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	ні	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	ні	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	ні	high-injection correction factor
ahq	0	ні	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	ні	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	ні	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	ні	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	ні	TC of iqf
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	ні	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	ні	температура моделювання

Pnp Hicum L0 V1.2¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	pnp HICUM L0 v1.2
Опис	HICUM Level 0 v1.2 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Властивості	94
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pnp	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	ні	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	ні	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	ні	high-injection correction factor
ahq	0	ні	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	ні	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	ні	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	ні	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	ні	TC of iqf
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	ні	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	ні	температура моделювання

Npn Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	npn HICUM L0 v1.2g
Опис	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Властивості	99
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	npn	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	ні	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	ні	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	ні	high-injection roll-off current
ahq	0.0	ні	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	ні	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	ні	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	ні	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100.0	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100.0	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100.0	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	ні	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	ні	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	ні	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	ні	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	ні	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	ні	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	ні	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	ні	температура моделювання

Pnp Hicum L0 V1.2G¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	pnp HICUM L0 v1.2g
Опис	HICUM Level 0 v1.2g verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p2g`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Властивості	99
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pnp	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	ні	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	ні	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
iqfe	0.0	ні	high-injection roll-off current
ahq	0.0	ні	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	ні	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	ні	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	ні	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100.0	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100.0	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100.0	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100.0	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	ні	TC of iqf (bandgap coefficient of zero bias hole charge)
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor, identical to alfav of Hicum/L2 (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor, identical to alqav of Hicum/L2 (1/K)
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	ні	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
delte	0.0	ні	Emitter part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
deltc	0.0	ні	Collector part coefficient of the zero bias hole charge temperature variation
zetaver	0.0	ні	Bandgap TC parameter of ver
zetavef	0.0	ні	Bandgap TC parameter of vef
ibhrec	0.0	ні	Specific recombination current at the BC barrier for high forward injection (A)
Temp	27	ні	температура моделювання

Npn Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	npn HICUM L0 v1.3
Опис	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Властивості	102
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	npn	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	ні	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	ні	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	ні	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	ні	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	ні	high-injection correction factor
ahq	0	ні	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	ні	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	ні	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	ні	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	ні	TC of iqf
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	ні	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	ні	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	ні	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	ні	TC of AVER
dvgbe	0.0	ні	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	ні	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	ні	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	ні	температура моделювання

Pnp Hicum L0 V1.3¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	pnp HICUM L0 v1.3
Опис	HICUM Level 0 v1.3 verilog device
Schematic entry	`hicumL0V1p3`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	pnpsub_therm
Властивості	102
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	pnp	так	polarity [npn, pnp]
is	1.0e-16	ні	(Modified) saturation current (A)
it_mod	0	ні	Flag for using third order solution for transfer current
mcf	1.00	ні	Non-ideality coefficient of forward collector current
mcr	1.00	ні	Non-ideality coefficient of reverse collector current
vef	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
ver	1.0e6	ні	reverse Early voltage (normalization volt.) (V)
aver	0.0	ні	bias dependence for reverse Early voltage
iqf	1.0e6	ні	forward d.c. high-injection roll-off current (A)
fiqf	0	ні	flag for turning on base related critical current
iqr	1.0e6	ні	inverse d.c. high-injection roll-off current (A)
iqfh	1.0e6	ні	high-injection correction current (A)
tfh	0.0	ні	high-injection correction factor
ahq	0	ні	Smoothing factor for the d.c. injection width
ibes	1e-18	ні	BE saturation current (A)
mbe	1.0	ні	BE non-ideality factor
ires	0.0	ні	BE recombination saturation current (A)
mre	2.0	ні	BE recombination non-ideality factor
ibcs	0.0	ні	BC saturation current (A)
mbc	1.0	ні	BC non-ideality factor
cje0	1.0e-20	ні	Zero-bias BE depletion capacitance (F)
vde	0.9	ні	BE built-in voltage (V)
ze	0.5	ні	BE exponent factor
aje	2.5	ні	Ratio of maximum to zero-bias value
vdedc	0.9	ні	BE charge built-in voltage for d.c. transfer current (V)
zedc	0.5	ні	charge BE exponent factor for d.c. transfer current
ajedc	2.5	ні	BE capacitance ratio (maximum to zero-bias value) for d.c. transfer current
t0	0.0	ні	low current transit time at Vbici=0 (s)
dt0h	0.0	ні	Base width modulation contribution (s)
tbvl	0.0	ні	SCR width modulation contribution (s)
tef0	0.0	ні	Storage time in neutral emitter (s)
gte	1.0	ні	Exponent factor for emitter transit time
thcs	0.0	ні	Saturation time at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Smoothing factor for current dependence
tr	0.0	ні	Storage time at inverse operation (s)
rci0	150	ні	Low-field collector resistance under emitter (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage dividing ohmic and satur.region (V)
vpt	100	ні	Punch-through voltage (V)
vces	0.1	ні	Saturation voltage (V)
cjci0	1.0e-20	ні	Total zero-bias BC depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	BC built-in voltage (V)
zci	0.333	ні	BC exponent factor
vptci	100	ні	Punch-through voltage of BC junction (V)
cjcx0	1.0e-20	ні	Zero-bias external BC depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External BC built-in voltage (V)
zcx	0.333	ні	External BC exponent factor
vptcx	100	ні	Punch-through voltage (V)
fbc	1.0	ні	Split factor = Cjci0/Cjc0
rbi0	0.0	ні	Internal base resistance at zero-bias (Ohm)
vr0e	2.5	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
vr0c	1.0e6	ні	forward Early voltage (normalization volt.) (V)
fgeo	0.656	ні	Geometry factor
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
re	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Substrate transistor transfer current non-ideality factor
iscs	0.0	ні	SC saturation current (A)
msc	1.0	ні	SC non-ideality factor
cjs0	1.0e-20	ні	Zero-bias SC depletion capacitance (F)
vds	0.3	ні	SC built-in voltage (V)
zs	0.3	ні	External SC exponent factor
vpts	100	ні	SC punch-through voltage (V)
cbcpar	0.0	ні	Collector-base isolation (overlap) capacitance (F)
cbepar	0.0	ні	Emitter-base oxide capacitance (F)
eavl	0.0	ні	Exponent factor
kavl	0.0	ні	Prefactor
kf	0.0	ні	flicker noise coefficient (M^(1-AF))
af	2.0	ні	flicker noise exponent factor
vgb	1.2	ні	Bandgap-voltage (V)
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap-voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap-voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap-voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent bandgap equation (V/K)
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent bandgap equation (V/K)
alt0	0.0	ні	Frist-order TC of tf0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Second-order TC of tf0 (1/K^2)
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in BE junction current temperature dependence
zetaci	0.0	ні	TC of epi-collector diffusivity
alvs	0.0	ні	Relative TC of satur.drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of vces (1/K)
zetarbi	0.0	ні	TC of internal base resistance
zetarbx	0.0	ні	TC of external base resistance
zetarcx	0.0	ні	TC of external collector resistance
zetare	0.0	ні	TC of emitter resistances
zetaiqf	0.0	ні	TC of iqf
alkav	0.0	ні	TC of avalanche prefactor (1/K)
aleav	0.0	ні	TC of avalanche exponential factor (1/K)
zetarth	0.0	ні	Exponent factor for temperature dependent thermal resistance
tef_temp	1	ні	Flag for turning temperature dependence of tef0 on and off
zetaver	-1.0	ні	TC of Reverse Early voltage
zetavgbe	1.0	ні	TC of AVER
dvgbe	0.0	ні	Bandgap difference between base and BE-junction
aliqfh	0	ні	Frist-order TC of iqfh (1/K)
kiqfh	0	ні	Second-order TC of iqfh (1/K^2)
flsh	0	ні	Flag for self-heating calculation
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (Ws/K)
tnom	27	ні	Temperature for which parameters are valid (C)
dt	0.0	ні	Temperature change for particular transistor (K)
Temp	27	ні	температура моделювання

Hicum L2 V2.23¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	HICUM L2 v2.23
Опис	HICUM Level 2 v2.23 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p23`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Властивості	114
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
c10	2.0E-30	ні	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	ні	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	ні	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	ні	Ваговий чинник емітерних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hfc	1.0	ні	Ваговий чинник колекторних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hjei	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-Е переходу в ГБТ
hjci	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-К переходу в ГБТ
ibeis	1.0E-18	ні	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е струму
ireis	0.0	ні	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е рекомбинационного струму
ibeps	0.0	ні	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності Б-Е периферійного струму
ireps	0.0	ні	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності периферійного Б-Е рекомбинационного струму
mcf	1.0	ні	Коефіцієнт неідеальності для III-V ГБТ
tbhrec	0.0	ні	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	ні	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-К струму
ibcxs	0.0	ні	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності зовнішнього Б-К струму
ibets	0.0	ні	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	ні	Показник ступеня для тунельного струму
tunode	1	ні	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	ні	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	ні	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	ні	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	ні	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	ні	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	ні	Чинник геометричної залежності витіснення емітерного струму
fdqr0	0.0	ні	Поправочний коєфіцієнт для модуляції Б-Е і Б-К шару просторового заряду
fcrbi	0.0	ні	Ставлення шунтуючої на ВЧ повної внутрішньої ємності (побічний неквазістатичний ефект)
fqi	1.0	ні	Ставлення внутрішнього до повного заряду неосновних носіїв
re	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Прямий коефіцієнт ідеальності передатного струму підкладки
iscs	0.0	ні	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	ні	Коєфіцієнта ідеальності струму переходу К-П
tsf	0.0	ні	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	ні	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	ні	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	ні	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	ні	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	ні	Внутрішній коефіцієнт неідеальності Б-Е
ajei	2.5	ні	Відношення максимального значення внутрішньої ємності Б-Е до величині при нульовому зміщення
cjep0	1.0E-20	ні	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	ні	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	ні	Периферійний коєфіцієнт неідеальності переходу Б-Е
ajep	2.5	ні	Ставлення максимального значення периферійної ємності Б-Е до величині при нульовому зміщенні
cjci0	1.0E-20	ні	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	ні	Внутрішній коєфіцієнт неідеальності Б-К
vptci	100	ні	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	ні	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	ні	Зовнішній коефіцієнт неідеальності Б-К
vptcx	100	ні	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	ні	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	ні	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	ні	Коефіцієнт неідеальності переходу К-П
vpts	100	ні	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	ні	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	ні	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	ні	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	ні	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	ні	Множник в показнику ступеня для залежності струму від часу зберігання нейтрального емітера
thcs	0.0	ні	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Чинник згладжування для залежності струму від часу прольоту бази й колектора
fthc	0.0	ні	Розділювальний чинник для базової і колекторної частин
rci0	150	ні	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	ні	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	0.0	ні	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	ні	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	ні	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	ні	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	ні	Чинник для додаткового часу затримки неосновних носіїв заряду
alit	0.0	ні	Чинник для додаткового часу затримки передатного струму
flnqs	0	ні	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	ні	Коефіцієнт 1/f-шуму
af	2.0	ні	Показник ступеня 1/f-шуму
cfbe	-1	ні	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік ширини емітера
latl	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік довжини емітера
vgb	1.17	ні	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	ні	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Відносний температурний коефіцієнт другого порядку параметра T0
zetaci	0.0	ні	Температурний показник для RCI0
alvs	0.0	ні	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	ні	Температурний показник внутрішнього опору бази
zetarbx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору бази
zetarcx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору колектора
zetare	0.0	ні	Температурний показник опору емітера
zetacx	1.0	ні	Температурний показник рухливості у часі прольоту транзистора підкладки
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	ні	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	ні	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	ні	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	ні	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	ні	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27	ні	температура моделювання

Hicum L2 V2.24¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	HICUM L2 v2.24
Опис	HICUM Level 2 v2.24 verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p24`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	npnsub_therm
Властивості	114
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
c10	2.0E-30	ні	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	ні	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	ні	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hfe	1.0	ні	Ваговий чинник емітерних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hfc	1.0	ні	Ваговий чинник колекторних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hjei	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-Е переходу в ГБТ
hjci	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-К переходу в ГБТ
ibeis	1.0E-18	ні	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е струму
ireis	0.0	ні	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е рекомбинационного струму
ibeps	0.0	ні	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності Б-Е периферійного струму
ireps	0.0	ні	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності периферійного Б-Е рекомбинационного струму
mcf	1.0	ні	Коефіцієнт неідеальності для III-V ГБТ
tbhrec	0.0	ні	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	ні	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-К струму
ibcxs	0.0	ні	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності зовнішнього Б-К струму
ibets	0.0	ні	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	ні	Показник ступеня для тунельного струму
tunode	1	ні	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	ні	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	ні	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	ні	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	ні	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	ні	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	ні	Чинник геометричної залежності витіснення емітерного струму
fdqr0	0.0	ні	Поправочний коєфіцієнт для модуляції Б-Е і Б-К шару просторового заряду
fcrbi	0.0	ні	Ставлення шунтуючої на ВЧ повної внутрішньої ємності (побічний неквазістатичний ефект)
fqi	1.0	ні	Ставлення внутрішнього до повного заряду неосновних носіїв
re	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Прямий коефіцієнт ідеальності передатного струму підкладки
iscs	0.0	ні	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	ні	Коєфіцієнта ідеальності струму переходу К-П
tsf	0.0	ні	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	ні	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	ні	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	ні	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	ні	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	ні	Внутрішній коефіцієнт неідеальності Б-Е
ajei	2.5	ні	Відношення максимального значення внутрішньої ємності Б-Е до величині при нульовому зміщення
cjep0	1.0E-20	ні	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	ні	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	ні	Периферійний коєфіцієнт неідеальності переходу Б-Е
ajep	2.5	ні	Ставлення максимального значення периферійної ємності Б-Е до величині при нульовому зміщенні
cjci0	1.0E-20	ні	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	ні	Внутрішній коєфіцієнт неідеальності Б-К
vptci	100	ні	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	ні	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	ні	Зовнішній коефіцієнт неідеальності Б-К
vptcx	100	ні	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	ні	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	ні	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	ні	Коефіцієнт неідеальності переходу К-П
vpts	100	ні	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	ні	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	ні	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	ні	Time constant for modelling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	ні	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	ні	Множник в показнику ступеня для залежності струму від часу зберігання нейтрального емітера
thcs	0.0	ні	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Чинник згладжування для залежності струму від часу прольоту бази й колектора
fthc	0.0	ні	Розділювальний чинник для базової і колекторної частин
rci0	150	ні	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	ні	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	ні	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	ні	Storage time for inverse operation (s)
cbepar	0.0	ні	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	ні	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.0	ні	Чинник для додаткового часу затримки неосновних носіїв заряду
alit	0.0	ні	Чинник для додаткового часу затримки передатного струму
flnqs	0	ні	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	ні	Коефіцієнт 1/f-шуму
af	2.0	ні	Показник ступеня 1/f-шуму
cfbe	-1	ні	Flag for determining where to tag the flicker noise source
latb	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік ширини емітера
latl	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік довжини емітера
vgb	1.17	ні	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	ні	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Відносний температурний коефіцієнт другого порядку параметра T0
zetaci	0.0	ні	Температурний показник для RCI0
alvs	0.0	ні	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	ні	Температурний показник внутрішнього опору бази
zetarbx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору бази
zetarcx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору колектора
zetare	0.0	ні	Температурний показник опору емітера
zetacx	1.0	ні	Температурний показник рухливості у часі прольоту транзистора підкладки
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	ні	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
flsh	0	ні	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	ні	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	ні	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	ні	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	ні	температура моделювання

Hicum L2 V2.31¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	HICUM L2 V2.31
Опис	hicumL2V2p31n verilog device
Schematic entry	`hicumL2V2p31n`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	hicumL2V2p31n
Властивості	129
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
c10	2.0E-30	ні	GICCR constant (A^2s)
qp0	2.0E-14	ні	Zero-bias hole charge (Coul)
ich	0.0	ні	High-current correction for 2D and 3D effects (A)
hf0	1.0	ні	Weight factor for the low current minority charge
hfe	1.0	ні	Ваговий чинник емітерних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hfc	1.0	ні	Ваговий чинник колекторних неосновних носіїв заряду в ГБТ
hjei	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-Е переходу в ГБТ
ahjei	0.0	ні	Parameter describing the slope of hjEi(VBE)
rhjei	1.0	ні	Smoothing parameter for hjEi(VBE) at high voltage
hjci	1.0	ні	Ваговий чинник заряду Б-К переходу в ГБТ
ibeis	1.0E-18	ні	Internal B-E saturation current (A)
mbei	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е струму
ireis	0.0	ні	Internal B-E recombination saturation current (A)
mrei	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-Е рекомбинационного струму
ibeps	0.0	ні	Peripheral B-E saturation current (A)
mbep	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності Б-Е периферійного струму
ireps	0.0	ні	Peripheral B-E recombination saturation current (A)
mrep	2.0	ні	Коефіцієнт ідеальності периферійного Б-Е рекомбинационного струму
mcf	1.0	ні	Коефіцієнт неідеальності для III-V ГБТ
tbhrec	0.0	ні	Base current recombination time constant at B-C barrier for high forward injection (s)
ibcis	1.0E-16	ні	Internal B-C saturation current (A)
mbci	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності внутрішнього Б-К струму
ibcxs	0.0	ні	External B-C saturation current (A)
mbcx	1.0	ні	Коефіцієнт ідеальності зовнішнього Б-К струму
ibets	0.0	ні	B-E tunneling saturation current (A)
abet	40	ні	Показник ступеня для тунельного струму
tunode	1	ні	Specifies the base node connection for the tunneling current
favl	0.0	ні	Avalanche current factor (1/V)
qavl	0.0	ні	Exponent factor for avalanche current (Coul)
alfav	0.0	ні	Relative TC for FAVL (1/K)
alqav	0.0	ні	Relative TC for QAVL (1/K)
rbi0	0.0	ні	Zero bias internal base resistance (Ohm)
rbx	0.0	ні	External base series resistance (Ohm)
fgeo	0.6557	ні	Чинник геометричної залежності витіснення емітерного струму
fdqr0	0.0	ні	Поправочний коєфіцієнт для модуляції Б-Е і Б-К шару просторового заряду
fcrbi	0.0	ні	Ставлення шунтуючої на ВЧ повної внутрішньої ємності (побічний неквазістатичний ефект)
fqi	1.0	ні	Ставлення внутрішнього до повного заряду неосновних носіїв
re	0.0	ні	Emitter series resistance (Ohm)
rcx	0.0	ні	External collector series resistance (Ohm)
itss	0.0	ні	Substrate transistor transfer saturation current (A)
msf	1.0	ні	Прямий коефіцієнт ідеальності передатного струму підкладки
iscs	0.0	ні	C-S diode saturation current (A)
msc	1.0	ні	Коєфіцієнта ідеальності струму переходу К-П
tsf	0.0	ні	Transit time for forward operation of substrate transistor (s)
rsu	0.0	ні	Substrate series resistance (Ohm)
csu	0.0	ні	Substrate shunt capacitance (F)
cjei0	1.0E-20	ні	Internal B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdei	0.9	ні	Internal B-E built-in potential (V)
zei	0.5	ні	Внутрішній коефіцієнт неідеальності Б-Е
ajei	2.5	ні	Відношення максимального значення внутрішньої ємності Б-Е до величині при нульовому зміщення
cjep0	1.0E-20	ні	Peripheral B-E zero-bias depletion capacitance (F)
vdep	0.9	ні	Peripheral B-E built-in potential (V)
zep	0.5	ні	Периферійний коєфіцієнт неідеальності переходу Б-Е
ajep	2.5	ні	Ставлення максимального значення периферійної ємності Б-Е до величині при нульовому зміщенні
cjci0	1.0E-20	ні	Internal B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdci	0.7	ні	Internal B-C built-in potential (V)
zci	0.4	ні	Внутрішній коєфіцієнт неідеальності Б-К
vptci	100	ні	Internal B-C punch-through voltage (V)
cjcx0	1.0E-20	ні	External B-C zero-bias depletion capacitance (F)
vdcx	0.7	ні	External B-C built-in potential (V)
zcx	0.4	ні	Зовнішній коефіцієнт неідеальності Б-К
vptcx	100	ні	External B-C punch-through voltage (V)
fbcpar	0.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-C cap
fbepar	1.0	ні	Partitioning factor of parasitic B-E cap
cjs0	0.0	ні	C-S zero-bias depletion capacitance (F)
vds	0.6	ні	C-S built-in potential (V)
zs	0.5	ні	Коефіцієнт неідеальності переходу К-П
vpts	100	ні	C-S punch-through voltage (V)
t0	0.0	ні	Low current forward transit time at VBC=0V (s)
dt0h	0.0	ні	Time constant for base and B-C space charge layer width modulation (s)
tbvl	0.0	ні	Time constant for modeling carrier jam at low VCE (s)
tef0	0.0	ні	Neutral emitter storage time (s)
gtfe	1.0	ні	Множник в показнику ступеня для залежності струму від часу зберігання нейтрального емітера
thcs	0.0	ні	Saturation time constant at high current densities (s)
ahc	0.1	ні	Чинник згладжування для залежності струму від часу прольоту бази й колектора
fthc	0.0	ні	Розділювальний чинник для базової і колекторної частин
rci0	150	ні	Internal collector resistance at low electric field (Ohm)
vlim	0.5	ні	Voltage separating ohmic and saturation velocity regime (V)
vces	0.1	ні	Internal C-E saturation voltage (V)
vpt	100.0	ні	Collector punch-through voltage (V)
tr	0.0	ні	Storage time for inverse operation (s)
vcbar	0.0	ні	Barrier voltage (V)
icbar	0.0	ні	Normalization parameter (A)
acbar	0.01	ні	Smoothing parameter for barrier voltage
delck	2.0	ні	fitting factor for critical current
cbepar	0.0	ні	Total parasitic B-E capacitance (F)
cbcpar	0.0	ні	Total parasitic B-C capacitance (F)
alqf	0.167	ні	Чинник для додаткового часу затримки неосновних носіїв заряду
alit	0.333	ні	Чинник для додаткового часу затримки передатного струму
flnqs	0	ні	Flag for turning on and off of vertical NQS effect
kf	0.0	ні	Коефіцієнт 1/f-шуму
af	2.0	ні	Показник ступеня 1/f-шуму
cfbe	-1	ні	Flag for determining where to tag the flicker noise source
flcono	0	ні	Flag for turning on and off of correlated noise implementation
kfre	0.0	ні	Emitter resistance flicker noise coefficient
afre	2.0	ні	Emitter resistance flicker noise exponent factor
latb	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік ширини емітера
latl	0.0	ні	Масштабний множник для колекторних неосновних носіїв у бік довжини емітера
vgb	1.17	ні	Bandgap voltage extrapolated to 0 K (V)
alt0	0.0	ні	First order relative TC of parameter T0 (1/K)
kt0	0.0	ні	Відносний температурний коефіцієнт другого порядку параметра T0
zetaci	0.0	ні	Температурний показник для RCI0
alvs	0.0	ні	Relative TC of saturation drift velocity (1/K)
alces	0.0	ні	Relative TC of VCES (1/K)
zetarbi	0.0	ні	Температурний показник внутрішнього опору бази
zetarbx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору бази
zetarcx	0.0	ні	Температурний показник зовнішнього опору колектора
zetare	0.0	ні	Температурний показник опору емітера
zetacx	1.0	ні	Температурний показник рухливості у часі прольоту транзистора підкладки
vge	1.17	ні	Effective emitter bandgap voltage (V)
vgc	1.17	ні	Effective collector bandgap voltage (V)
vgs	1.17	ні	Effective substrate bandgap voltage (V)
f1vg	-1.02377e-4	ні	Coefficient K1 in T-dependent band-gap equation
f2vg	4.3215e-4	ні	Coefficient K2 in T-dependent band-gap equation
zetact	3.0	ні	Exponent coefficient in transfer current temperature dependence
zetabet	3.5	ні	Exponent coefficient in B-E junction current temperature dependence
alb	0.0	ні	Relative TC of forward current gain for V2.1 model (1/K)
dvgbe	0	ні	Bandgap difference between B and B-E junction used for hjEi0 and hf0 (V)
zetahjei	1	ні	Temperature coefficient for ahjEi
zetavgbe	1	ні	Temperature coefficient for hjEi0
flsh	0	ні	Flag for turning on and off self-heating effect
rth	0.0	ні	Thermal resistance (K/W)
zetarth	0.0	ні	Temperature coefficient for Rth
alrth	0.0	ні	First order relative TC of parameter Rth (1/K)
cth	0.0	ні	Thermal capacitance (J/W)
flcomp	0.0	ні	Flag for compatibility with v2.1 model (0=v2.1)
tnom	27.0	ні	Temperature at which parameters are specified (C)
dt	0.0	ні	Temperature change w.r.t. chip temperature for particular transistor (K)
Temp	27.0	ні	температура моделювання

Photodiode¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Photodiode
Опис	Photodiode verilog device
Schematic entry	`photodiode`
Netlist entry	`PD`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	photodiode
Властивості	23
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
N	1.35	ні	photodiode emission coefficient
Rseries	1e-3	ні	series lead resistance (Ohm)
Is	0.34e-12	ні	diode dark current (A)
Bv	60	ні	reverse breakdown voltage (V)
Ibv	1e-3	ні	current at reverse breakdown voltage (A)
Vj	0.7	ні	junction potential (V)
Cj0	60e-12	ні	zero-bias junction capacitance (F)
M	0.5	ні	коефіцієнт неідеальності
Area	1.0	ні	diode relative area
Tnom	26.85	ні	parameter measurement temperature (Celsius)
Fc	0.5	ні	коефіцієнт апроксимації бар’єрній ємності з прямою зміщення
Tt	10e-9	ні	transit time (s)
Xti	3.0	ні	температурний показник струму насичення
Eg	1.16	ні	energy gap (eV)
Responsivity	0.5	ні	responsivity (A/W)
Rsh	5e8	ні	shunt resistance (Ohm)
QEpercent	80	ні	quantum efficiency (%)
Lambda	900	ні	light wavelength (nm)
LEVEL	1	ні	responsivity calculator selector
Kf	1e-12	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1.0	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Ffe	1.0	ні	частотна залежність 1/f-шуму
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Phototransistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Phototransistor
Опис	Phototransistor verilog device
Schematic entry	`phototransistor`
Netlist entry	`PT`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	phototransistor
Властивості	30
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Bf	100	ні	прямий коефіцієнт передачі струму
Br	0.1	ні	зворотний коефіцієнт передачі струму
Is	1e-10	ні	dark current (A)
Nf	1	ні	коефіцієнт прямої емісії
Nr	1	ні	коефіцієнт зворотної емісії
Vaf	100	ні	forward early voltage (V)
Var	100	ні	reverse early voltage (V)
Mje	0.33	ні	множник експоненти базо-емітерного переходу
Vje	0.75	ні	base-emitter junction built-in potential (V)
Cje	1e-12	ні	base-emitter zero-bias depletion capacitance (F)
Mjc	0.33	ні	множник експоненти базо-колекторного переходу
Vjc	0.75	ні	base-collector junction built-in potential (V)
Cjc	2e-12	ні	base-collector zero-bias depletion capacitance (F)
Tr	100n	ні	ideal reverse transit time (s)
Tf	0.1n	ні	ideal forward transit time (s)
Ikf	10	ні	high current corner for forward beta (A)
Ikr	10	ні	high current corner for reverse beta (A)
Rc	10	ні	collector series resistance (Ohm)
Re	1	ні	emitter series resistance (Ohm)
Rb	100	ні	base series resistance (Ohm)
Kf	1e-12	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Ffe	1	ні	коефіцієнт 1/f-шуму
Af	1	ні	показник ступеня 1/f-шуму
Responsivity	1.5	ні	responsivity at relative selectivity=100% (A/W)
P0	2.6122e3	ні	relative selectivity polynomial coefficient
P1	-1.489e1	ні	relative selectivity polynomial coefficient
P2	3.0332e-2	ні	relative selectivity polynomial coefficient
P3	-2.5708e-5	ні	relative selectivity polynomial coefficient
P4	7.6923e-9	ні	relative selectivity polynomial coefficient
Temp	26.85	ні	температура моделювання

Nigbt¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	NIGBT
Опис	NIGBT verilog device
Schematic entry	`nigbt`
Netlist entry	`T`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	nigbt
Властивості	19
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Agd	5.0e-6	ні	gate-drain overlap area (m**2)
Area	1.0e-5	ні	area of the device (m**2)
Kp	0.38	ні	MOS transconductance (A/V**2)
Tau	7.1e-6	ні	ambipolar recombination lifetime (s)
Wb	9.0e-5	ні	metallurgical base width (m)
BVf	1.0	ні	avalanche uniformity factor
BVn	4.0	ні	avalanche multiplication exponent
Cgs	1.24e-8	ні	gate-source capacitance per unit area (F/cm**2)
Coxd	3.5e-8	ні	gate-drain oxide capacitance per unit area (F/cm**2)
Jsne	6.5e-13	ні	emitter saturation current density (A/cm**2)
Kf	1.0	ні	triode region factor
Mun	1.5e-3	ні	electron mobility (cm**2/Vs)
Mup	4.5e-2	ні	hole mobility (cm**2/Vs)
Nb	2.0e14	ні	base doping (1/cm**3)
Theta	0.02	ні	transverse field factor (1/V)
Vt	4.7	ні	threshold voltage (V)
Vtd	1.0e-3	ні	gate-drain overlap depletion threshold (V)
Tnom	26.85	ні	parameter measurement temperature (Celsius)
Temp	26.85	ні	simulation temperature (Celsius)

Voltage Controlled Resistor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Voltage Controlled Resistor
Опис	джерело напруги, кероване напругою
Schematic entry	`vcresistor`
Netlist entry	`VCR`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	vcresistor
Властивості	1
Category	verilog-a devices

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
gain	1	так	resistance gain

Digital Components¶

Digital Source¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	цифрове джерело
Опис	цифрове джерело
Schematic entry	`DigiSource`
Netlist entry	`S`
Тип	Компонент
Bitmap file	digi_source
Властивості	4
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Num	1	так	номер виводу
init	low	ні	initial output value [low, high]
times	1ns; 1ns	ні	моменти часу зміни вивідного значення
V	1 V	ні	напруга високого рівня

Інвертор¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Інвертор
Опис	логічний інвертор
Schematic entry	`Inv`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	inverter
Властивості	4
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Or¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-вхідне АБО
Опис	логічне АБО
Schematic entry	`OR`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	or
Властивості	5
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
in	2	ні	число входів
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-вхідне НЕ-АБО
Опис	логічне НЕ-АБО
Schematic entry	`NOR`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	nor
Властивості	5
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
in	2	ні	число входів
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port And¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-вхідне І
Опис	логічне І
Schematic entry	`AND`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	and
Властивості	5
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
in	2	ні	число входів
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Nand¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-вхідне НЕ-І
Опис	логічне НЕ-І
Schematic entry	`NAND`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	nand
Властивості	5
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
in	2	ні	число входів
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-вхідне ВИКЛЮЧАЮЧЕ АБО
Опис	логічне ВИКЛЮЧАЮЧЕ АБО
Schematic entry	`XOR`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	xor
Властивості	5
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
in	2	ні	число входів
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

N-Port Xnor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	n-вхідне ВИКЛЮЧАЮЧЕ НЕ-АБО
Опис	логічне ВИКЛЮЧАЮЧЕ НЕ-АБО
Schematic entry	`XNOR`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	xnor
Властивості	5
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
in	2	ні	число входів
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

Buffer¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Buffer
Опис	logical buffer
Schematic entry	`Buf`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	buffer
Властивості	4
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
V	1 V	ні	напруга високого рівня
t	0	ні	час затримки
TR	10	ні	transfer function scaling factor
Symbol	old	ні	schematic symbol [old, DIN40900]

4X2 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4x2 AndOr
Опис	4x2 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x2`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	andor4x2
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

4X3 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4x3 AndOr
Опис	4x3 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x3`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	andor4x3
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

4X4 Andor¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4x4 AndOr
Опис	4x4 andor verilog device
Schematic entry	`andor4x4`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	andor4x4
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

2To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	2to1 Mux
Опис	2to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux2to1`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	mux2to1
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

4To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4to1 Mux
Опис	4to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux4to1`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	mux4to1
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

8To1 Mux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	8to1 Mux
Опис	8to1 multiplexer verilog device
Schematic entry	`mux8to1`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	mux8to1
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

2To4 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	2to4 Demux
Опис	2to4 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux2to4`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	dmux2to4
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

3To8 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	3to8 Demux
Опис	3to8 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux3to8`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	dmux3to8
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

4To16 Demux¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4to16 Demux
Опис	4to16 demultiplexer verilog device
Schematic entry	`dmux4to16`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	dmux4to16
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

1Bit Halfadder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	1Bit HalfAdder
Опис	1bit half adder verilog device
Schematic entry	`ha1b`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	ha1b
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

1Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	1Bit FullAdder
Опис	1bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa1b`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	fa1b
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

2Bit Fulladder¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	2Bit FullAdder
Опис	2bit full adder verilog device
Schematic entry	`fa2b`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	fa2b
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

Rs-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	RS-трігер
Опис	RS-трігер
Schematic entry	`RSFF`
Netlist entry	`Y`
Тип	DigitalComponent
Bitmap file	rsflipflop
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
t	0	ні	час затримки

D-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	D-трігер
Опис	D-трігер з асинхронним скиданням
Schematic entry	`DFF`
Netlist entry	`Y`
Тип	DigitalComponent
Bitmap file	dflipflop
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
t	0	ні	час затримки

D-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	D-FlipFlop w/ SR
Опис	D flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`dff_SR`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	dff_SR
Властивості	3
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR_H	6	ні	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	ні	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	ні	cross coupled gate delay (s)

Jk-Flipflop¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	JK-трігер
Опис	JK-трігер з асинхронними входами встановлення і скидання
Schematic entry	`JKFF`
Netlist entry	`Y`
Тип	DigitalComponent
Bitmap file	jkflipflop
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
t	0	ні	час затримки

Jk-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	JK-FlipFlop w/ SR
Опис	jk flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`jkff_SR`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	jkff_SR
Властивості	3
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR_H	6	ні	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	ні	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	ні	cross coupled gate delay (s)

T-Flipflop W/ Sr¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	T-FlipFlop w/ SR
Опис	T flip flop with set and reset verilog device
Schematic entry	`tff_SR`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	tff_SR
Властивості	3
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR_H	6	ні	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	ні	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	ні	cross coupled gate delay (s)

Gated D-Latch¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Gated D-Latch
Опис	gated D latch verilog device
Schematic entry	`gatedDlatch`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	gatedDlatch
Властивості	3
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR_H	6	ні	cross coupled gate transfer function high scaling factor
TR_L	5	ні	cross coupled gate transfer function low scaling factor
Delay	1 ns	ні	cross coupled gate delay (s)

Logic 0¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Logic 0
Опис	logic 0 verilog device
Schematic entry	`logic_0`
Netlist entry	`S`
Тип	Компонент
Bitmap file	logic_0
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
LEVEL	0	ні	logic 0 voltage level (V)

Logic 1¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Logic 1
Опис	logic 1 verilog device
Schematic entry	`logic_1`
Netlist entry	`S`
Тип	Компонент
Bitmap file	logic_1
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
LEVEL	1	ні	logic 1 voltage level (V)

2Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	2Bit Pattern
Опис	2bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad2bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	pad2bit
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Number	0	ні	pad output value

3Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	3Bit Pattern
Опис	3bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad3bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	pad3bit
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Number	0	ні	pad output value

4Bit Pattern¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4Bit Pattern
Опис	4bit pattern generator verilog device
Schematic entry	`pad4bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	pad4bit
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Number	0	ні	pad output value

A2D Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	A2D Level Shifter
Опис	data voltage level shifter (analogue to digital) verilog device
Schematic entry	`DLS_nto1`
Netlist entry	`Y`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_nto1
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
LEVEL	5 V	ні	voltage level (V)
Delay	1 ns	ні	time delay (s)

D2A Level Shifter¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	D2A Level Shifter
Опис	data voltage level shifter (digital to analogue) verilog device
Schematic entry	`DLS_1ton`
Netlist entry	`Y`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	DLS_1ton
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
LEVEL	5 V	ні	voltage level
Delay	1 ns	ні	time delay (s)

4Bit Bin2Grey¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4Bit Bin2Grey
Опис	4bit binary to grey converter verilog device
Schematic entry	`binarytogrey4bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	binarytogrey4bit
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

4Bit Grey2Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4Bit Grey2Bin
Опис	4bit grey to binary converter verilog device
Schematic entry	`greytobinary4bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	greytobinary4bit
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

1Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	1Bit Comparator
Опис	1bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_1bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	comp_1bit
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

2Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	2Bit Comparator
Опис	2bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_2bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	comp_2bit
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

4Bit Comparator¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4Bit Comparator
Опис	4bit comparator verilog device
Schematic entry	`comp_4bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	comp_4bit
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function high scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

4Bit Hpri-Bin¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	4Bit HPRI-Bin
Опис	4bit highest priority encoder (binary form) verilog device
Schematic entry	`hpribin4bit`
Netlist entry	`Y`
Тип	Компонент
Bitmap file	hpribin4bit
Властивості	2
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
TR	6	ні	transfer function scaling factor
Delay	1 ns	ні	output delay (s)

Vhdl File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Файл VHDL
Опис	Файл VHDL
Schematic entry	`VHDL`
Netlist entry	`X`
Тип	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File	sub.vhdl	ні	Ім’я файла VHDL

Verilog File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	файл Verilog
Опис	файл Verilog
Schematic entry	`Verilog`
Netlist entry	`X`
Тип	DigitalComponent
Bitmap file	vhdlfile
Властивості	1
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File	sub.v	ні	Ім’я Verilog файлу

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	цифрове моделювання
Опис	цифрове моделювання
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Тип	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Властивості	3
Category	digital components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	TruthTable	так	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	ні	тривалість моделювання за списком моментів часу
Модель	VHDL	ні	netlist format [VHDL, Verilog]

File Components¶

Spice Netlist¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	схема SPICE
Опис	схемний файл SPICE
Schematic entry	`SPICE`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	spicefile
Властивості	4
Category	file components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File		так	x
Ports		ні	x
Sim	так	ні	x
Preprocessor	none	ні	x

1-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	файл S-параметрів двополюсника
Опис	файл з P.S параметрами
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	spfile1
Властивості	5
Category	file components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File	test.s1p	так	ім’я файла з P.S параметрами
Дані	rectangular	ні	data type [rectangular, polar]
Interpolator	лінійний	ні	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	ні	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	1	ні	кількість портів

2-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	файл S-параметрів чотирьохполюсника
Опис	файл з P.S параметрами
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	spfile2
Властивості	5
Category	file components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File	test.s2p	так	ім’я файла з P.S параметрами
Дані	rectangular	ні	data type [rectangular, polar]
Interpolator	лінійний	ні	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	ні	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	2	ні	кількість портів

N-Port S Parameter File¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	файл S-параметрів n-портового пристрою
Опис	файл з P.S параметрами
Schematic entry	`SPfile`
Netlist entry	`X`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	spfile3
Властивості	5
Category	file components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File	test.s3p	так	ім’я файла з P.S параметрами
Дані	rectangular	ні	data type [rectangular, polar]
Interpolator	лінійний	ні	interpolation type [linear, cubic]
duringDC	open	ні	representation during DC analysis [open, short, shortall, unspecified]
Ports	3	ні	кількість портів

Підсхема¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Підсхема
Опис	підсхема
Schematic entry	`Sub`
Netlist entry	`SUB`
Тип	Компонент
Bitmap file	підсхема
Властивості	1
Category	file components

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
File		ні	ім’я схемного файла Qucs

Simulations¶

Dc Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	моделювання в постійному струмі
Опис	моделювання в постійному струмі
Schematic entry	`.DC`
Netlist entry	`DC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	dc
Властивості	9
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
reltol	0.001	ні	відносний допуск для конвергенції
abstol	1 pA	ні	абсолютний допуск для струмів
vntol	1 uV	ні	абсолютний допуск для напруг
saveOPs	ні	ні	put operating points into dataset [yes, no]
MaxIter	150	ні	максимальну кількість ітерацій до виникнення помилки
saveAll	ні	ні	save subcircuit nodes into dataset [yes, no]
convHelper	none	ні	preferred convergence algorithm [none, gMinStepping, SteepestDescent, LineSearch, Attenuation, SourceStepping]
Solver	CroutLU	ні	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]

Transient Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Моделювання перехідного процесу
Опис	моделювання перехідного процесу
Schematic entry	`.TR`
Netlist entry	`TR`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	tran
Властивості	20
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	lin	так	sweep type [lin, log, list, const]
Start	0	так	початковий час у секундах
Stop	1 ms	так	кінцевий час у секундах
Points	11	ні	число часових кроків моделювання
IntegrationMethod	Trapezoidal	ні	integration method [Euler, Trapezoidal, Gear, AdamsMoulton]
Order	2	ні	order of integration method (1-6)
InitialStep	1 ns	ні	початковий розмір кроку в секундах
MinStep	1e-16	ні	мінімальний розмір кроку в секундах
MaxIter	150	ні	максимальну кількість ітерацій до виникнення помилки
reltol	0.001	ні	відносний допуск для конвергенції
abstol	1 pA	ні	абсолютний допуск для струмів
vntol	1 uV	ні	абсолютний допуск для напруг
Temp	26.85	ні	температура моделювання в °С
LTEreltol	1e-3	ні	відносний допуск на локальні помилки перерізу
LTEabstol	1e-6	ні	абсолютний допуск на локальні помилки перерізу
LTEfactor	1	ні	верхня межа переоцінки помилок перерізу
Solver	CroutLU	ні	method for solving the circuit matrix [CroutLU, DoolittleLU, HouseholderQR, HouseholderLQ, GolubSVD]
relaxTSR	ні	ні	relax time step raster [no, yes]
initialDC	так	ні	perform an initial DC analysis [yes, no]
MaxStep	0	ні	максимальна величина кроку в секундах

Ac Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	моделювання на змінному струмі
Опис	моделювання на змінному струмі
Schematic entry	`.AC`
Netlist entry	`AC`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	ac
Властивості	5
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	lin	так	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	так	початкова частота в герцах
Stop	10 GHz	так	кінцева частота в герцах
Points	19	так	кількість кроків моделювання
Noise	ні	ні	calculate noise voltages [yes, no]

S-Parameter Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Моделювання S-параметрів
Опис	Моделювання P.S параметрів
Schematic entry	`.SP`
Netlist entry	`SP`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	sparameter
Властивості	9
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	lin	так	sweep type [lin, log, list, const]
Start	1 GHz	так	початкова частота в герцах
Stop	10 GHz	так	кінцева частота в герцах
Points	19	так	кількість кроків моделювання
Noise	ні	ні	calculate noise parameters [yes, no]
NoiseIP	1	ні	вхідний вивід для чинника шуму
NoiseOP	2	ні	вивідний вивід для чинника шуму
saveCVs	ні	ні	put characteristic values into dataset [yes, no]
saveAll	ні	ні	save subcircuit characteristic values into dataset [yes, no]

Harmonic Balance¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Гармонічний баланс
Опис	Моделювання гармонійного балансу
Schematic entry	`.HB`
Netlist entry	`HB`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	hb
Властивості	6
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
f	1 GHz	ні	частота в герцах
n	4	так	число гармонік
iabstol	1 pA	ні	абсолютний допуск для струмів
vabstol	1 uV	ні	абсолютний допуск для напруг
reltol	0.001	ні	відносний допуск для конвергенції
MaxIter	150	ні	максимальну кількість ітерацій до виникнення помилки

Parameter Sweep¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	Розгортка параметру
Опис	Розгортка параметру
Schematic entry	`.SW`
Netlist entry	`SW`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	sweep
Властивості	6
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Sim		так	моделювання для варіації параметра
Тип	lin	так	sweep type [lin, log, list, const]
Param	R1	так	параметр для розгортки
Start	5 Ohm	так	початкове значення розгортки
Stop	50 Ohm	так	кінцеве значення розгортки
Points	20	так	кількість кроків моделювання

Digital Simulation¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	цифрове моделювання
Опис	цифрове моделювання
Schematic entry	`.Digi`
Netlist entry	`Digi`
Тип	DigitalComponent
Bitmap file	digi
Властивості	3
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Тип	TruthTable	так	type of simulation [TruthTable, TimeList]
time	10 ns	ні	тривалість моделювання за списком моментів часу
Модель	VHDL	ні	netlist format [VHDL, Verilog]

Оптимізація¶

Symbol¶

Component Data¶

Component Data
Field	Значення
Caption	оптимізація
Опис	Оптимізація
Schematic entry	`.Opt`
Netlist entry	`Opt`
Тип	AnalogComponent
Bitmap file	optimize
Властивості	2
Category	simulations

Параметри компонента¶

Default Parameters
Ім’я	Значення	Display	Опис
Sim		ні
DE	3\|50\|2\|20\|0.85\|1\|3\|1e-6\|10\|100	ні